JPH01961A - 電子写真感光体 - Google Patents
電子写真感光体Info
- Publication number
- JPH01961A JPH01961A JP62-155477A JP15547787A JPH01961A JP H01961 A JPH01961 A JP H01961A JP 15547787 A JP15547787 A JP 15547787A JP H01961 A JPH01961 A JP H01961A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- photoreceptor
- corona
- silicon
- electrophotographic photoreceptor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
でも良好な画像を形成させるに好適な表面保護層。
即ち水素とふっ素を含むアモルファスカーボン（以下ａ
−Ｃ：Ｆ：Ｈという）膜において、Ｆ／Ｃ量を規定する
ことにより高耐湿性及び高硬度を兼備した電子写真感光
体に関する。
−Ｃ：Ｆ：Ｈという）膜において、Ｆ／Ｃ量を規定する
ことにより高耐湿性及び高硬度を兼備した電子写真感光
体に関する。
従来から電子写真用感光体として、Ｓ ｅ 、 ＣｄＳ
。
。
ＡｓｚＳｅａ等の無機光導電材もしくはＰＶＫ−ＴＮＦ
等に代表される様な有機光導電材が用いられている。こ
れらの材料は電子写真特性には極めス て優れた特性を有するものの、機械的特性においいは必
ずしも必要とする仕様を満足しているとは言い難い。こ
れに対しアモルファスシリコン系感光体は光導電性及び
機械的特性の両面において優れた特性を備えている。し
かし、唯一の欠点は耐湿性に劣ることである。この理由
はコロナ帯電時に生ずるオゾンにより感光体表面に親水
性のＳ ｉ Ｏｘ（ｘ＝１〜２）が生成するためである
。表面が高硬度故にファーブラシ、磁気ブラシ等によっ
ても除去できずコロナ帯電をくり返すたびに表面のＳ
ｉ Ｏｘ生成量が増大する。従って、耐湿性を向上させ
るにはＳｉＯｘの生成量を最小限に押えることが必要と
なる。そこで表面を非Ｓｉ化する方法が考えられる。こ
の観点に立脚し、特開昭６１−９４０５６にみられる様
にアモルファス・カーボンを用いる方法がある。しかし
、アモルファス・カーボン（ａ−Ｃｏ ｒ Ａ−Ｃ’
：’）Ｉ）はコロナ帯電時に生成するオゾンによりＣ＝
０なるカルボニル基を形成し易く、水に濡れ易くなる。
等に代表される様な有機光導電材が用いられている。こ
れらの材料は電子写真特性には極めス て優れた特性を有するものの、機械的特性においいは必
ずしも必要とする仕様を満足しているとは言い難い。こ
れに対しアモルファスシリコン系感光体は光導電性及び
機械的特性の両面において優れた特性を備えている。し
かし、唯一の欠点は耐湿性に劣ることである。この理由
はコロナ帯電時に生ずるオゾンにより感光体表面に親水
性のＳ ｉ Ｏｘ（ｘ＝１〜２）が生成するためである
。表面が高硬度故にファーブラシ、磁気ブラシ等によっ
ても除去できずコロナ帯電をくり返すたびに表面のＳ
ｉ Ｏｘ生成量が増大する。従って、耐湿性を向上させ
るにはＳｉＯｘの生成量を最小限に押えることが必要と
なる。そこで表面を非Ｓｉ化する方法が考えられる。こ
の観点に立脚し、特開昭６１−９４０５６にみられる様
にアモルファス・カーボンを用いる方法がある。しかし
、アモルファス・カーボン（ａ−Ｃｏ ｒ Ａ−Ｃ’
：’）Ｉ）はコロナ帯電時に生成するオゾンによりＣ＝
０なるカルボニル基を形成し易く、水に濡れ易くなる。
コロナ帯電に対してはアモルファス・カーボン膜より強
い結合力が存在する元素を含む膜が必要となる。
い結合力が存在する元素を含む膜が必要となる。
一方、Ｃ−Ｆ結合を用いる特許がＵＳＰ４，５８２，７
６９にみられるが、単にａ−Ｃ：Ｆ：Ｈ膜を用いた場合
はｂζろいろな組成比（Ｆ／Ｃ）の膜が考えられる。Ｆ
／Ｃが少ないとａ−ｃ（ｏｒ ａ−Ｃ：Ｈ）膜と同様に
コロナ帯電時に生成するオゾンによりＣ＝０が形成され
、水に濡れ易くなる。従って、適正なＦ／Ｃを規定しな
いと画像流れ防止の再現性 ゛に乏しくなり、実用に供
し得ない。
６９にみられるが、単にａ−Ｃ：Ｆ：Ｈ膜を用いた場合
はｂζろいろな組成比（Ｆ／Ｃ）の膜が考えられる。Ｆ
／Ｃが少ないとａ−ｃ（ｏｒ ａ−Ｃ：Ｈ）膜と同様に
コロナ帯電時に生成するオゾンによりＣ＝０が形成され
、水に濡れ易くなる。従って、適正なＦ／Ｃを規定しな
いと画像流れ防止の再現性 ゛に乏しくなり、実用に供
し得ない。
従来技術はコロナによるＳｉＯｘ生成という高湿下では
悪作用を及ぼす反応物に対し、十分な対応がされていな
かった。本発明の目的は、表面をＣ，Ｆ、Ｈの化合物で
保護することでコロナによる酸化を防止し且つ、高耐湿
性とした電子写真感光体を提供することにある。
悪作用を及ぼす反応物に対し、十分な対応がされていな
かった。本発明の目的は、表面をＣ，Ｆ、Ｈの化合物で
保護することでコロナによる酸化を防止し且つ、高耐湿
性とした電子写真感光体を提供することにある。
感光体表面に形成されたａ−Ｃ： Ｆ： Ｈ膜はコロナ
帯電時にも酸化され難いので、高湿下でも表面を高はつ
水性に維持できるので、ぼけない画像を出せる。
帯電時にも酸化され難いので、高湿下でも表面を高はつ
水性に維持できるので、ぼけない画像を出せる。
更にＦ／Ｃの原子比を０．４ 以上、２以下としたこと
により、高耐湿性及び耐コロナ性を大幅に向上できた。
により、高耐湿性及び耐コロナ性を大幅に向上できた。
本発明において、前記表面保護膜中にシリコンを３０原
子％以下含有することは非常に望ましく。
子％以下含有することは非常に望ましく。
これにより硬さが増し耐久性が向上する。シリコン量は
５〜２０ＪＩ子％の範囲が特に望ましい。
５〜２０ＪＩ子％の範囲が特に望ましい。
け
表面をはつ水性にする手段として、史←−恰÷←←÷を
貴ＣＦ ａプラズマ処理法がある。しかし。
貴ＣＦ ａプラズマ処理法がある。しかし。
この方法を本材料に適応すると表面がエツチングされる
。そこで、本発明ではＣＦａプラズマ中にＨ２を添加し
、プラズマ中で分解しているＣ、 ＦとＨを結合させた
。感光体表面に高はつ水性のａ−Ｃ：Ｆ：Ｈ膜を作製す
ることにより、ぼけない感光体をつくり出すことができ
る。
。そこで、本発明ではＣＦａプラズマ中にＨ２を添加し
、プラズマ中で分解しているＣ、 ＦとＨを結合させた
。感光体表面に高はつ水性のａ−Ｃ：Ｆ：Ｈ膜を作製す
ることにより、ぼけない感光体をつくり出すことができ
る。
実施例（１）
基板に結晶Ｓｉ板及びガラス板（コーニング７０５９）
を用い、ラジオ波（１３，５６ＭＨｚ）放電装置内にお
いて成膜した。反応ガスはＣＦ４、＋Ｈ２混合ガステガ
ス比（Ｘ＝Ｈ２／（ＣＦ４＋Ｈｚ））をＯから１．０
まで変化させた。なお、反応ガス圧はＩＴｏｒｒ、放電
電圧５０Ｗ、基板温度２００℃で基板はアース側電極上
とした。第１図にガス比（Ｘ）と成膜速度の関係を示す
。本図から判る様にＸ＜０．１ では負の成膜速度で基
板がエツチングされる。しかし、Ｘ≧０．１ では正の
成膜速度で基板上に成膜される。Ｘ≧０．１ で作製し
たａ−Ｃ：Ｆ：Ｈ膜に関してコロナ照射時間と水との接
触角の関係を第２図に示す。コロナ照射は川口電機製静
電記録器（ＳＳＶ−ＩＩ）を用い＋５．５ＫＶ、室温（
２３℃）、５０〜６０％ＲＨ中で行った０図から判る様
にいずれのガス比で作製してもコロナ照射時間と共に接
触角が低下するが、ガス混合比が大きくなると共に減少
率が大きくなることがわかる。そこで、ａ−Ｃ：Ｆ：Ｈ
膜を表面保護層とする積層感光体を作製し、印刷実験を
行った。印刷に用いたプリンタは半導体レーザ（７８０
ｎｍ）を用いている。画像評価として印字濃度を測定し
た。なお、印刷は２５℃、８０％ＲＨの高湿下で行った
。
を用い、ラジオ波（１３，５６ＭＨｚ）放電装置内にお
いて成膜した。反応ガスはＣＦ４、＋Ｈ２混合ガステガ
ス比（Ｘ＝Ｈ２／（ＣＦ４＋Ｈｚ））をＯから１．０
まで変化させた。なお、反応ガス圧はＩＴｏｒｒ、放電
電圧５０Ｗ、基板温度２００℃で基板はアース側電極上
とした。第１図にガス比（Ｘ）と成膜速度の関係を示す
。本図から判る様にＸ＜０．１ では負の成膜速度で基
板がエツチングされる。しかし、Ｘ≧０．１ では正の
成膜速度で基板上に成膜される。Ｘ≧０．１ で作製し
たａ−Ｃ：Ｆ：Ｈ膜に関してコロナ照射時間と水との接
触角の関係を第２図に示す。コロナ照射は川口電機製静
電記録器（ＳＳＶ−ＩＩ）を用い＋５．５ＫＶ、室温（
２３℃）、５０〜６０％ＲＨ中で行った０図から判る様
にいずれのガス比で作製してもコロナ照射時間と共に接
触角が低下するが、ガス混合比が大きくなると共に減少
率が大きくなることがわかる。そこで、ａ−Ｃ：Ｆ：Ｈ
膜を表面保護層とする積層感光体を作製し、印刷実験を
行った。印刷に用いたプリンタは半導体レーザ（７８０
ｎｍ）を用いている。画像評価として印字濃度を測定し
た。なお、印刷は２５℃、８０％ＲＨの高湿下で行った
。
実験に用いた感光体膜構造は第３図に示す通りで、ＡＱ
トドラム上ａ−ＳｉＣ：Ｈ（０，５μｍ）／ａ−Ｓｉ
：Ｈ（Ｂ）（３０μｍ）／ａ−８ｉＧｅ（０，５μｍ
）を積層した後、表面保護層としてａ−Ｃ：Ｆ：Ｈ膜を
０．５μｍＭ暦した。くり返し印刷した結果を第４図に
示す。いずれの場合も。
トドラム上ａ−ＳｉＣ：Ｈ（０，５μｍ）／ａ−Ｓｉ
：Ｈ（Ｂ）（３０μｍ）／ａ−８ｉＧｅ（０，５μｍ
）を積層した後、表面保護層としてａ−Ｃ：Ｆ：Ｈ膜を
０．５μｍＭ暦した。くり返し印刷した結果を第４図に
示す。いずれの場合も。
コロナ照射５ｈ毎に印刷した結果である。本図から判る
様にガス比が０．１〜０．５ で作製したドラムはコロ
ナ照射１５ｈ後でも印字濃度の低下はない。しかし、ガ
ス比が０．７以上で作製したドラムはコロナ照射１５ｈ
後には画像流れが生じ印字濃度が０．８程度に低下した
。そこで、次に種種のガス比で作製したａ−Ｃ：Ｆ：Ｈ
膜のＦ／Ｃ比を光電子分光法（ｘｐｓ）にて分析した。
様にガス比が０．１〜０．５ で作製したドラムはコロ
ナ照射１５ｈ後でも印字濃度の低下はない。しかし、ガ
ス比が０．７以上で作製したドラムはコロナ照射１５ｈ
後には画像流れが生じ印字濃度が０．８程度に低下した
。そこで、次に種種のガス比で作製したａ−Ｃ：Ｆ：Ｈ
膜のＦ／Ｃ比を光電子分光法（ｘｐｓ）にて分析した。
結果を第５図に示す。Ｆ／Ｃはガス比に対し放物線的に
減少する。第４及び５図から画像流れが発生しないＦ／
Ｃは０．４以上２．０以下であることが判る。
減少する。第４及び５図から画像流れが発生しないＦ／
Ｃは０．４以上２．０以下であることが判る。
一方、ａ−Ｃ：Ｆ：Ｈ膜中のＣＦ ｎ （ｎ ＝１ ｔ
２．３）結合を検討した。Ｘ＝Ｏ，ｌ で作製した膜
を光電子分光法（ｘｐｓ）で分析した一例を第６図に示
す。結合エネルギ２８５ｅＶ近傍にみられるスペクトル
をピーク分割すると図の如＜、Ｃ−Ｃ及びＣ−Ｆｎ（ｎ
＝１．２．３）結合が存在していることが判る。
２．３）結合を検討した。Ｘ＝Ｏ，ｌ で作製した膜
を光電子分光法（ｘｐｓ）で分析した一例を第６図に示
す。結合エネルギ２８５ｅＶ近傍にみられるスペクトル
をピーク分割すると図の如＜、Ｃ−Ｃ及びＣ−Ｆｎ（ｎ
＝１．２．３）結合が存在していることが判る。
これらの結合のうち、最良の結合はＣＦｚである。即ち
、Ｃ−Ｆｚは二次元的鎖状構造をとり、一方Ｃ−Ｆｓは
Ｃ−Ｃ結合の終点を意味している。
、Ｃ−Ｆｚは二次元的鎖状構造をとり、一方Ｃ−Ｆｓは
Ｃ−Ｃ結合の終点を意味している。
Ｃ−Ｆ ｚの時Ｃ−Ｃ結合がダイヤモンド結合状態をと
り得る確率が高くなる。従って、ａ−Ｃ：Ｆ：Ｈ膜の表
面硬度が高くなる。
り得る確率が高くなる。従って、ａ−Ｃ：Ｆ：Ｈ膜の表
面硬度が高くなる。
実施例（２）
今度は基板マイクロ波（２，４５ＧＨｚ） 放！装置内
において実施例（１）と同様の実験を行った。
において実施例（１）と同様の実験を行った。
マイクロ波放電出力は１６０Ｗ、試料のセット位置はキ
ャビティより１３０１下方とし、試料が直接放電圏にさ
らされるのを防いだ、実施例１と同様にＸ≧０．１ で
成膜モードとなっている。この膜も実施例１と同様にａ
−Ｃ：Ｆ：Ｈ膜となっていることがＸＰＳ分析で判明し
た。この膜を表面保護層とする感光ドラムの画像評価で
もＦ／Ｃ≧０．４で実施例１と同効果が得られた。
ャビティより１３０１下方とし、試料が直接放電圏にさ
らされるのを防いだ、実施例１と同様にＸ≧０．１ で
成膜モードとなっている。この膜も実施例１と同様にａ
−Ｃ：Ｆ：Ｈ膜となっていることがＸＰＳ分析で判明し
た。この膜を表面保護層とする感光ドラムの画像評価で
もＦ／Ｃ≧０．４で実施例１と同効果が得られた。
実施例（３）
次に反応ガスにＨを含むフッ化水素カーボンガスを用い
た。実施例はＣＨＦ ａガスである。この場合、実施例
（１）及び（２）のいずれの放電装置を用いてもガス比
（Ｙ ＝ Ｈｚ／ （Ｈｚ＋ ＣＨＦ ａ） ）がＹ＝
０から正の成膜速度で、膜が成膜される。結果は第７図
に示す、なお、この膜を表面保護層とした電子写真感光
体の画像評価でもＦ／Ｃ≧０゜４で実施例１と同効果が
得られた。
た。実施例はＣＨＦ ａガスである。この場合、実施例
（１）及び（２）のいずれの放電装置を用いてもガス比
（Ｙ ＝ Ｈｚ／ （Ｈｚ＋ ＣＨＦ ａ） ）がＹ＝
０から正の成膜速度で、膜が成膜される。結果は第７図
に示す、なお、この膜を表面保護層とした電子写真感光
体の画像評価でもＦ／Ｃ≧０゜４で実施例１と同効果が
得られた。
実施例１，２．３から成膜時のフッ素源としてＦを含む
フロン系のガスを用いればその種類に依存せず膜中のＦ
／Ｃ量を規定することで画像流れ防止を画ることかでき
ることが判明した。従って、Ｆ／Ｃ量を０．４ 以上に
保ったａ−Ｃ：Ｆ：Ｈ系の膿ではこの膜にＰ、Ｎ、Ｏ，
Ｂ等を最大１０ａｔ％までドーピングしても本発明の効
果の妨害にはならない。又、結合水素としての水素量は
通常０．５〜１ｏａｔ％程度含まれているが、この水素
は１本発明の効果に好影響を与えても害にはならなＪ。
フロン系のガスを用いればその種類に依存せず膜中のＦ
／Ｃ量を規定することで画像流れ防止を画ることかでき
ることが判明した。従って、Ｆ／Ｃ量を０．４ 以上に
保ったａ−Ｃ：Ｆ：Ｈ系の膿ではこの膜にＰ、Ｎ、Ｏ，
Ｂ等を最大１０ａｔ％までドーピングしても本発明の効
果の妨害にはならない。又、結合水素としての水素量は
通常０．５〜１ｏａｔ％程度含まれているが、この水素
は１本発明の効果に好影響を与えても害にはならなＪ。
このことはａ−Ｃ：Ｈ膜も画像流れに対して有効である
ことから明らかである。
ことから明らかである。
実施例（４）
ａ−Ｃ：Ｆ：Ｈ膜にＳｉを添加し、Ｓｉ量とコロナ照射
による接触角の変化を調べた０画像評価から接触角の下
限を４５°とするとコロナ照射１５ｈ後でも４０〜４５
°以上を保っているＳｉ量は第８図曲線ａから３０ａｔ
％以下であることが判る。これはＳｉがコロナ照射によ
りＳｉｎ。
による接触角の変化を調べた０画像評価から接触角の下
限を４５°とするとコロナ照射１５ｈ後でも４０〜４５
°以上を保っているＳｉ量は第８図曲線ａから３０ａｔ
％以下であることが判る。これはＳｉがコロナ照射によ
りＳｉｎ。
（ｘ＝０〜２）になっても高はっ水性のＣ−Ｆ結合の存
在とＦ／Ｃ≧０．４ の条件が成立している時には実質
上接触角が必要最小限の値を保つことを意味している。
在とＦ／Ｃ≧０．４ の条件が成立している時には実質
上接触角が必要最小限の値を保つことを意味している。
実施例（５）
る原因を考案したところＳｉＨが減少しＳｉＯの生成が
増加していることがｘＰＳ分析により判明した。従って
、ＳｉＯの生成を防止すると接触角の向上が期待できる
＠ Ｓ ｉＦ或いはＳｉＣの様にＳｉＨより結合エネル
ギの大きい結合をとる様にすることが最良である。膜作
製時において反応ガスにＳ ｉ Ｈ４ガスの代わりにＳ
ｉ Ｆ４ガスを用いて作製した場合、ａ−Ｃ：Ｆ：Ｈ
膜中にとり込まれたＳｉはＳｉＦ結合成いはＳｉＣ結合
をしていることが判明した。そこで実施例（４）と同条
件でコロナ照射後の接触角とＳｉ添加量との関係を求め
た。結果を第８図曲線すに示す。本図から判る様に実施
例（４）の場合に比べ高い接触角が得られる。この場合
、Ｓｉ量は３０ａｔ％まで添加できることが判る。この
様にＳｉを添加することで表面硬度が向上し耐久性が増
加する。
増加していることがｘＰＳ分析により判明した。従って
、ＳｉＯの生成を防止すると接触角の向上が期待できる
＠ Ｓ ｉＦ或いはＳｉＣの様にＳｉＨより結合エネル
ギの大きい結合をとる様にすることが最良である。膜作
製時において反応ガスにＳ ｉ Ｈ４ガスの代わりにＳ
ｉ Ｆ４ガスを用いて作製した場合、ａ−Ｃ：Ｆ：Ｈ
膜中にとり込まれたＳｉはＳｉＦ結合成いはＳｉＣ結合
をしていることが判明した。そこで実施例（４）と同条
件でコロナ照射後の接触角とＳｉ添加量との関係を求め
た。結果を第８図曲線すに示す。本図から判る様に実施
例（４）の場合に比べ高い接触角が得られる。この場合
、Ｓｉ量は３０ａｔ％まで添加できることが判る。この
様にＳｉを添加することで表面硬度が向上し耐久性が増
加する。
、〔発明の効果〕
本発明によれば、耐コロナ、耐湿性のある感光体を再現
性よく作製でき、具体的効果として高湿下でも高印字品
質を保ったプリンタもしくは複写機を提供できる。
性よく作製でき、具体的効果として高湿下でも高印字品
質を保ったプリンタもしくは複写機を提供できる。
第１図は成膜速度とガス比の関係を示す特性図。
第２図は接触角とコロナ照射時間の関係を示す特性図、
第３図は感光体膜構造を示す断面図、第４図は印字濃度
とコロナ照射°時間の関係を示す特性図、第５図はＦ／
Ｃとガス比の関係を示す特性図。 第６図はＣ１ｓスペクトルを示す特性図、第７図はは成
膜速度とガス比の関係を示す特性図、第８図は接触角と
Ｓｉ量の関係を示す特性図である。 １・・・ＡＱ基板、２・・・ブロッキング層、３・・・
電荷搬域 １ 凹 第２菌 ｏ ｓ ｔｏ ｔｓコロナ層
Ｉ吋峙ｖ’％（ｈ） 第 ４ 図 ブス目； コロナ鼎四時１旬 （）Ｌ） 革 ５１．￥１ Ｏθ、／ ０，３ θ、ｓ ｏ、’ｔ
θ、９力゛ストし 第 ６ 口 ２’？５ ＺｑＯ２Ｂ５ ２８０訃吉心
計工卑ルで（ｅＶ） 皐７０ 率８図
第３図は感光体膜構造を示す断面図、第４図は印字濃度
とコロナ照射°時間の関係を示す特性図、第５図はＦ／
Ｃとガス比の関係を示す特性図。 第６図はＣ１ｓスペクトルを示す特性図、第７図はは成
膜速度とガス比の関係を示す特性図、第８図は接触角と
Ｓｉ量の関係を示す特性図である。 １・・・ＡＱ基板、２・・・ブロッキング層、３・・・
電荷搬域 １ 凹 第２菌 ｏ ｓ ｔｏ ｔｓコロナ層
Ｉ吋峙ｖ’％（ｈ） 第 ４ 図 ブス目； コロナ鼎四時１旬 （）Ｌ） 革 ５１．￥１ Ｏθ、／ ０，３ θ、ｓ ｏ、’ｔ
θ、９力゛ストし 第 ６ 口 ２’？５ ＺｑＯ２Ｂ５ ２８０訃吉心
計工卑ルで（ｅＶ） 皐７０ 率８図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、アモルファスシリコンよりなる光導電層と該光導電
層の支持体とを具備する電子写真感光体において、当該
感光体の最表面部に水素とふつ素を含むアモルファスカ
ーボン膜を有し且つ該膜中のＦ／Ｃの原子比が０．４以
上２以下であることを特徴とする電子写真感光体。 ２、アモルファスシリコンよりなる光導電層と該光導電
層の支持体とを具備する電子写真感光体において、当該
感光体の最表面部に水素とふつ素とシリコンを含むアモ
ルファスカーボン膜を有し、該膜中のシリコン量が３０
原子％以下、Ｆ／Ｃの原子比が０．４以上、２以下であ
ることを特徴とする電子写真感光体。 ３、特許請求の範囲第２項において、前記水素とふつ素
とシリコンを含むアモルファスカーボン膜中にシリコン
がＳｉ−Ｆ及び／或いはＳｉ−Ｃの状態で結合している
ことを特徴とする電子写真感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15547787A JPS64961A (en) | 1987-06-24 | 1987-06-24 | Electrophotographic sensitive body |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15547787A JPS64961A (en) | 1987-06-24 | 1987-06-24 | Electrophotographic sensitive body |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01961A true JPH01961A (ja) | 1989-01-05 |
| JPS64961A JPS64961A (en) | 1989-01-05 |
Family
ID=15606905
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15547787A Pending JPS64961A (en) | 1987-06-24 | 1987-06-24 | Electrophotographic sensitive body |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS64961A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6670089B2 (en) * | 2001-01-11 | 2003-12-30 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic image forming method and apparatus |
-
1987
- 1987-06-24 JP JP15547787A patent/JPS64961A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS58192044A (ja) | 感光体 | |
| JPS6045258A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPH01961A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JP3046087B2 (ja) | 画像形成装置 | |
| JPH0740138B2 (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPS63191152A (ja) | 電子写真感光体及び電子写真法 | |
| US4699860A (en) | Photosensitive member and process for forming images with use of the photosensitive member having an amorphous silicon germanium layer | |
| JPS59204048A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JP2562583B2 (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPH0514272B2 (ja) | ||
| JPH0462579B2 (ja) | ||
| JP2002207305A (ja) | 感光体およびその製法ならびにこの感光体を搭載した画像形成装置 | |
| JPS61160752A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPH0511305B2 (ja) | ||
| JPH01142664A (ja) | 静電潜像形成方法 | |
| JPS58137840A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPH04122950A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPS62151856A (ja) | 光導電部材 | |
| JPH01287575A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPH01287576A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPS62296151A (ja) | 感光体 | |
| JPH0582573B2 (ja) | ||
| JPH04324464A (ja) | 画像形成方法 | |
| JPH0743543B2 (ja) | 光導電部材 | |
| JPH03288861A (ja) | 電子写真用感光体 |