JPH0196660A - 感光体 - Google Patents
感光体Info
- Publication number
- JPH0196660A JPH0196660A JP25596887A JP25596887A JPH0196660A JP H0196660 A JPH0196660 A JP H0196660A JP 25596887 A JP25596887 A JP 25596887A JP 25596887 A JP25596887 A JP 25596887A JP H0196660 A JPH0196660 A JP H0196660A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoreceptor
- film
- acid
- layer
- organic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/14—Inert intermediate or cover layers for charge-receiving layers
- G03G5/147—Cover layers
- G03G5/14704—Cover layers comprising inorganic material
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08285—Carbon-based
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
11rへ帆瓜立吐
本発明は、表面保護層を設けた感光体に関する。
良木へ艮避
電子写真感光体として有機系感光体(例えばNIKKE
I NEW MATERIALS 1986年1
2月15日号 第83頁〜第98頁等)、あるいは無機
系感光体が知られている。
I NEW MATERIALS 1986年1
2月15日号 第83頁〜第98頁等)、あるいは無機
系感光体が知られている。
有機系感光体としては光電荷発生物質および電荷輸送物
質を適当な結着樹脂に分散塗布した単層型感光体、また
は光電荷発生物質と電荷輸送物質を別々に結着樹脂に分
散塗布して2層構成とした機能分離型感光体が知られて
いる。
質を適当な結着樹脂に分散塗布した単層型感光体、また
は光電荷発生物質と電荷輸送物質を別々に結着樹脂に分
散塗布して2層構成とした機能分離型感光体が知られて
いる。
一般に有機系感光体の作製に用いられる材料としては、
電荷発生に寄与する光導電性材料として、例えば、フタ
ロシアニン系顔料、アゾ系顔料、電荷輸送に寄する電荷
輸送材料として、例えば、トリフェニルメタン化合物、
トリフェニルアミン化合物、ヒドラゾン化合物、スチリ
ル化合物、ピラゾリン化合物、オキサゾール化合物オキ
サジアゾール化合物等が用いられ、これらを分散塗布せ
しめるための結着材料として、例えば、ポリエステル、
ポリビニルブチラール、ポリカーボネイト、ボリアリレ
ート、フェノキシ、スチレンアクリル等の樹脂が用いら
れる。
電荷発生に寄与する光導電性材料として、例えば、フタ
ロシアニン系顔料、アゾ系顔料、電荷輸送に寄する電荷
輸送材料として、例えば、トリフェニルメタン化合物、
トリフェニルアミン化合物、ヒドラゾン化合物、スチリ
ル化合物、ピラゾリン化合物、オキサゾール化合物オキ
サジアゾール化合物等が用いられ、これらを分散塗布せ
しめるための結着材料として、例えば、ポリエステル、
ポリビニルブチラール、ポリカーボネイト、ボリアリレ
ート、フェノキシ、スチレンアクリル等の樹脂が用いら
れる。
無機系感光体としては特にアモルファスセレン感光体が
よく知られており、その耐熱性、分光感度、暗減衰等に
おける欠点については、セレン層に砒素を添加したり、
また、セレン層の上にセレンテルル合金層を設けた積層
構成とすることにより改良がなされている。
よく知られており、その耐熱性、分光感度、暗減衰等に
おける欠点については、セレン層に砒素を添加したり、
また、セレン層の上にセレンテルル合金層を設けた積層
構成とすることにより改良がなされている。
しかし、上記のような有機系感光体、無機系感光体は繰
り返し使用すると両像欠陥、白スジ等の問題が発生する
。これは、有機系感光体にあってはその表面がJIS−
に−5400規格鉛筆硬度にしておよそ5Bないしi程
度、セレン砒素、セレンテルル合金からなる無機系感光
体にあっても、その表面がJIS−に−5400規格鉛
筆硬度にしておよそH程度と柔らかいため、繰り返し使
用における転写紙、クリーニング部材、現像剤等との摩
耗により感光体表面が削れたり、傷付いたりするためで
ある。また、ペーパージャム時およびその復帰の際の人
為的操作等による苛酷な表面接触もその一因となる。
り返し使用すると両像欠陥、白スジ等の問題が発生する
。これは、有機系感光体にあってはその表面がJIS−
に−5400規格鉛筆硬度にしておよそ5Bないしi程
度、セレン砒素、セレンテルル合金からなる無機系感光
体にあっても、その表面がJIS−に−5400規格鉛
筆硬度にしておよそH程度と柔らかいため、繰り返し使
用における転写紙、クリーニング部材、現像剤等との摩
耗により感光体表面が削れたり、傷付いたりするためで
ある。また、ペーパージャム時およびその復帰の際の人
為的操作等による苛酷な表面接触もその一因となる。
また、セレン金属は有毒であるため、削り取られたセレ
ンあるいは砒素、または複写機内の熱により気化したセ
レン、砒素等の金属が人体に与える影響も懸念される。
ンあるいは砒素、または複写機内の熱により気化したセ
レン、砒素等の金属が人体に与える影響も懸念される。
そこで、感光体の表面に保護層を設は上記問題点を解消
する試みが提案されている。
する試みが提案されている。
特開昭50−20728号公報に記載の技術はセレン層
またはセレン−テルル合金層とポリビニルカルバゾール
重合体とを順次積層してなる感光層上に、グロー放電重
合ポリマー膜を設ける感光体の製造方法を開示している
。
またはセレン−テルル合金層とポリビニルカルバゾール
重合体とを順次積層してなる感光層上に、グロー放電重
合ポリマー膜を設ける感光体の製造方法を開示している
。
しかし、上記記載の製造方法は感光体の耐溶剤性を改善
しようとするものであり、耐湿性および耐摩耗性につい
ては十分とはいえず、画像流れおよび削れが発生しやす
いという欠点が存在する。
しようとするものであり、耐湿性および耐摩耗性につい
ては十分とはいえず、画像流れおよび削れが発生しやす
いという欠点が存在する。
また、上記開示にはこれらの欠点を改善するための示唆
はない。
はない。
特開昭60−61761号公報に記載の技術は感光活性
層の表面に、ダイヤモンド状炭素膜を被覆した感光体を
開示している。
層の表面に、ダイヤモンド状炭素膜を被覆した感光体を
開示している。
しかし、上記記載の感光体は耐湿性が悪く、画像流れが
発生しやすいという欠点が存在する。
発生しやすいという欠点が存在する。
一方、有機系感光体は耐熱性に乏しいものが殆どであり
、表面保護層を設ける工程において過度に高温加熱する
過程が含まれると感度が失われる。
、表面保護層を設ける工程において過度に高温加熱する
過程が含まれると感度が失われる。
上記特開昭60−61761号公報に記載の技術は、感
光活性層として通常150ないし300℃で作製される
アモルファスシリコン層の形成に続けてダイヤモンド状
炭素膜を形成する方法を示唆しており、この方法を有機
系感光体に用いると感度が全くなくなるという欠点が存
在する。
光活性層として通常150ないし300℃で作製される
アモルファスシリコン層の形成に続けてダイヤモンド状
炭素膜を形成する方法を示唆しており、この方法を有機
系感光体に用いると感度が全くなくなるという欠点が存
在する。
特開昭53−23636号公報および特開昭53−11
1734号公報に記載の技術はセレン系感光層上に、特
定のケイ素化合物を塗布して硬化させた絶縁層を設けた
感光体を開示している。・しかし上記記載の感光体は表
面硬度が低いため感光体表面が傷付きやすいという欠点
が存在する。
1734号公報に記載の技術はセレン系感光層上に、特
定のケイ素化合物を塗布して硬化させた絶縁層を設けた
感光体を開示している。・しかし上記記載の感光体は表
面硬度が低いため感光体表面が傷付きやすいという欠点
が存在する。
特開昭59−58437号公報に記載の技術はセレンを
含む感光層上に、SiとNまたはSiとOとの化合物を
主体とする保護層を設けた感光体を開示している。
含む感光層上に、SiとNまたはSiとOとの化合物を
主体とする保護層を設けた感光体を開示している。
発明が解決しようとする問題点
従って、耐摩耗性等の耐久性および耐湿性等の耐環境性
に優れ、長期間使用しても画像流れ等の発生しない有機
系無機系感光体に有効な保護膜は存在しないのが実状で
ある。 。
に優れ、長期間使用しても画像流れ等の発生しない有機
系無機系感光体に有効な保護膜は存在しないのが実状で
ある。 。
すなわち、本発明の目的は、繰り返し使用しても感光体
表面に傷が付かず、かつ耐候性(特に耐湿性)に優れた
感光体を提供することにある。
表面に傷が付かず、かつ耐候性(特に耐湿性)に優れた
感光体を提供することにある。
問題点を解決するための手段
本発明は、導電性基板上に光導電層を設けた感光体表面
にグロー放電(プラズマ重合)法により生成された非晶
質炭化水素[(a−C膜)からなり、該非晶質炭化水素
膜が酸処理されている表面保護層を有する感光体に関す
る。
にグロー放電(プラズマ重合)法により生成された非晶
質炭化水素[(a−C膜)からなり、該非晶質炭化水素
膜が酸処理されている表面保護層を有する感光体に関す
る。
第1図は、本発明感光体の構成例を示したもので、導電
性基板(3)上に感光層(2)および非晶質炭化水素膜
よりなる表面保護層(1)が順次積層されている。
性基板(3)上に感光層(2)および非晶質炭化水素膜
よりなる表面保護層(1)が順次積層されている。
a−C膜よりなる表面保護層(1)はそれ自体好適な帯
電能を有し、透光性に優れ、4H程度の硬度の高い傷の
付きにくい膜であるが、耐湿性に劣る。すなわち、a−
C膜は、感光体使用開始時における耐湿性に関しては充
分な性能を有さず、本発明者らの知見によれば、初期3
5℃、85%程度の高温高湿条件下においては画像流れ
が発生してしまう。また、常温常湿下での長期使用に関
しては充分な膜強度を有してはいるが1、長期使用後の
耐湿性は初期のそれに比べさらに著しく劣化する。
電能を有し、透光性に優れ、4H程度の硬度の高い傷の
付きにくい膜であるが、耐湿性に劣る。すなわち、a−
C膜は、感光体使用開始時における耐湿性に関しては充
分な性能を有さず、本発明者らの知見によれば、初期3
5℃、85%程度の高温高湿条件下においては画像流れ
が発生してしまう。また、常温常湿下での長期使用に関
しては充分な膜強度を有してはいるが1、長期使用後の
耐湿性は初期のそれに比べさらに著しく劣化する。
しかし、本発明により該非晶質炭化水素膜は酸処理され
ることによりその欠点が改良され、高耐湿性にも優れた
ものとなる。
ることによりその欠点が改良され、高耐湿性にも優れた
ものとなる。
感光層(2)は自体公知の有機系、無機系の感光層を導
電性基板(3)上に設けたものであれば特に制限される
ものではなく、感光層(2)内部構造は、電荷発生層と
電荷輸送層とを積層してなる機能分離型構成であっても
よいし、電荷発生材料と電荷輸送材料とを結着材中に分
散してなるバインダー型単層構成であってもよいし、こ
れら以外の構成であってもよい。
電性基板(3)上に設けたものであれば特に制限される
ものではなく、感光層(2)内部構造は、電荷発生層と
電荷輸送層とを積層してなる機能分離型構成であっても
よいし、電荷発生材料と電荷輸送材料とを結着材中に分
散してなるバインダー型単層構成であってもよいし、こ
れら以外の構成であってもよい。
導電性基板(3)は少なくとも最表面が導電性を有する
素材であればよく、また、形状も円筒形、可撓性ベルト
状、平板状等、任意の形態を採ることができる。
素材であればよく、また、形状も円筒形、可撓性ベルト
状、平板状等、任意の形態を採ることができる。
a−C膜の酸処理に用いられる酸としては、無機酸、有
機酸、好ましくは無機酸である。無機酸としては例えば
、硫酸(H,5O4)、亜硫酸(HlsOa)、チオ硫
酸(IIzStO3)、塩酸CHC&)、フッ酸(1−
11” ”)、ヨウ酸O(り、硝酸(o tNo 3)
、亜硝酸(11N Ot)、次亜硝酸(HtNtOt)
、リン酸(H3P04)、ニリン酸(H4PtOJ、三
リン酸(Hsf”+018)、臭酸(H[3r)、硼酸
(IIs130s)、メタ亜ヒ酸(HA80*)、ヒ酸
(HsAs04)、亜ヒ酸(H,AsO,)、次亜臭素
酸(HI3rO)、次亜ヨウ素酸(ト■OI)、ヨウ素
酸(HIO2)、炭酸(Ht CO3)、次亜塩素酸(
HC120)、亜塩素酸(HCI20t)、シアン化水
素酸(HCN)、シアン酸(HOCN)、クロム酸(H
tCrO4)、モリブデン酸(HtMoo 4)、ヒド
ロキシルアミン(03NOH)、アミド硫酸(tl 3
N5Os)、チオシアン酸(H9CN)、過酸化水素
(H!0り、ホスフィン酸(HP HtOt)、ホスホ
ン酸(夏−■* P HOs)、セレン酸(HtSeO
4)、亜セレン酸(HtseOs)等が挙げられる。と
りわけ、窒素を含む酸においては耐湿性向上の効果がよ
り良く得られ好ましい。
機酸、好ましくは無機酸である。無機酸としては例えば
、硫酸(H,5O4)、亜硫酸(HlsOa)、チオ硫
酸(IIzStO3)、塩酸CHC&)、フッ酸(1−
11” ”)、ヨウ酸O(り、硝酸(o tNo 3)
、亜硝酸(11N Ot)、次亜硝酸(HtNtOt)
、リン酸(H3P04)、ニリン酸(H4PtOJ、三
リン酸(Hsf”+018)、臭酸(H[3r)、硼酸
(IIs130s)、メタ亜ヒ酸(HA80*)、ヒ酸
(HsAs04)、亜ヒ酸(H,AsO,)、次亜臭素
酸(HI3rO)、次亜ヨウ素酸(ト■OI)、ヨウ素
酸(HIO2)、炭酸(Ht CO3)、次亜塩素酸(
HC120)、亜塩素酸(HCI20t)、シアン化水
素酸(HCN)、シアン酸(HOCN)、クロム酸(H
tCrO4)、モリブデン酸(HtMoo 4)、ヒド
ロキシルアミン(03NOH)、アミド硫酸(tl 3
N5Os)、チオシアン酸(H9CN)、過酸化水素
(H!0り、ホスフィン酸(HP HtOt)、ホスホ
ン酸(夏−■* P HOs)、セレン酸(HtSeO
4)、亜セレン酸(HtseOs)等が挙げられる。と
りわけ、窒素を含む酸においては耐湿性向上の効果がよ
り良く得られ好ましい。
酸処理方法は、用いる酸の種類によっても異なるが、蒸
気接触法あるいは溶液浸漬法が挙げられる。
気接触法あるいは溶液浸漬法が挙げられる。
蒸気接触法としては、例えば、150℃以下の温度下で
、およそ0.0INないしIONの上記酸性水溶液の蒸
気で飽和した雰囲気中にa−C膜を2分ないし3時間程
度放置すればよい。
、およそ0.0INないしIONの上記酸性水溶液の蒸
気で飽和した雰囲気中にa−C膜を2分ないし3時間程
度放置すればよい。
蒸気接触法において酸性水溶液の濃度を上記のように限
定したのは0.01N以下だと処理効果が全くなく、I
ON以上の場合、酸が強すぎて処理にムラを生じやすい
ためであり、飽和蒸気圧温度を上記のように限定したの
は150℃以上の温度だと、蒸気のあたりムラを生じ易
いためでり、接触時間を上記のように限定したのは2分
以下だと処理効果がほとんどなく、3時間以上処理して
も効果が上がらないからである。
定したのは0.01N以下だと処理効果が全くなく、I
ON以上の場合、酸が強すぎて処理にムラを生じやすい
ためであり、飽和蒸気圧温度を上記のように限定したの
は150℃以上の温度だと、蒸気のあたりムラを生じ易
いためでり、接触時間を上記のように限定したのは2分
以下だと処理効果がほとんどなく、3時間以上処理して
も効果が上がらないからである。
溶液浸漬法としては、例えば0.01NないしION酸
性水溶液を5℃ないし35℃程度に保ち、2秒ないし1
時間程度浸漬すればよい。
性水溶液を5℃ないし35℃程度に保ち、2秒ないし1
時間程度浸漬すればよい。
溶液浸漬法において酸性水溶液の濃度を上記のように限
定したのは、0.01N以下だと処理効果が全くなく、
ION以上の場合、酸が強すぎて処理にムラが生じ易い
ためであり、飽和蒸気圧温度を上記のように限定したの
は5℃以下の場合、反応が運く効率が悪くなり、35℃
以上の場合、浸漬する際に始めと終わりの部分にムラが
生じるためでり、浸漬時間を上記のように限定したのは
2秒以下では処理効果がほとんどなく、また1時間以上
処理しても効果が上がらないからである。
定したのは、0.01N以下だと処理効果が全くなく、
ION以上の場合、酸が強すぎて処理にムラが生じ易い
ためであり、飽和蒸気圧温度を上記のように限定したの
は5℃以下の場合、反応が運く効率が悪くなり、35℃
以上の場合、浸漬する際に始めと終わりの部分にムラが
生じるためでり、浸漬時間を上記のように限定したのは
2秒以下では処理効果がほとんどなく、また1時間以上
処理しても効果が上がらないからである。
処理方法の雰囲気は、大気中、真空中いずれの雰囲気で
もよいが、a−C膜形成後、大気に接触させることなく
、真空中で蒸気接触法で酸処理することが、a−C11
表面の無用の汚染が防止される点で好ましい。
もよいが、a−C膜形成後、大気に接触させることなく
、真空中で蒸気接触法で酸処理することが、a−C11
表面の無用の汚染が防止される点で好ましい。
非晶質炭化水素膜中に含有される水素原子の量は特に制
限はないが、表面保護層の構造およびグロー放電という
製造面から必然的に制約され、その虫は概ね5ないし6
0原子%となろ。
限はないが、表面保護層の構造およびグロー放電という
製造面から必然的に制約され、その虫は概ね5ないし6
0原子%となろ。
非晶質炭化水素膜中に含有される炭素原子、水素原子の
量は、有機元素分析、オージェ分析、SIMS分析等の
手段により知ることができる。
量は、有機元素分析、オージェ分析、SIMS分析等の
手段により知ることができる。
本発明の表面保護層(1)は、0.0!ないし5μ肩、
好ましくは0.05ないし2μ1、より好ましくは0.
1ないし!μlの厚さに形成する。。
好ましくは0.05ないし2μ1、より好ましくは0.
1ないし!μlの厚さに形成する。。
0、O1μ肩より薄いと膜強度が低下し、傷が付きやす
くなる。また、5μ肩より厚いと透光性が低下し、照射
光を感光層中に有効に導くことができなくなり感度低下
を招いたり、感光層との界面にチャージがたまり易くな
り、残留電位の上昇につながる。
くなる。また、5μ肩より厚いと透光性が低下し、照射
光を感光層中に有効に導くことができなくなり感度低下
を招いたり、感光層との界面にチャージがたまり易くな
り、残留電位の上昇につながる。
本発明の感光体の表面保護層(1)は、自体公知な感光
体の上に形成すればよく、本発明の目的を有効に達成す
ることができる。
体の上に形成すればよく、本発明の目的を有効に達成す
ることができる。
表面保護層(1)はグロー放電法により形成する。
表面保護層(1)は気相状態の少なくとも炭素原子およ
び水素原子を含む分子を減圧下で放電し、発生したプラ
ズマ雰囲気中に含まれる活性中性種あるいは荷電種を基
板上に拡散、電気力あるいは磁気力等により誘導し、基
板上での再結合反応により固相として堆積させる、いわ
ゆるプラズマ反応(以下、P−CVD反応という)する
ことにより非晶質炭化水素膜として形成することができ
る。
び水素原子を含む分子を減圧下で放電し、発生したプラ
ズマ雰囲気中に含まれる活性中性種あるいは荷電種を基
板上に拡散、電気力あるいは磁気力等により誘導し、基
板上での再結合反応により固相として堆積させる、いわ
ゆるプラズマ反応(以下、P−CVD反応という)する
ことにより非晶質炭化水素膜として形成することができ
る。
上記各分子は常温常圧において必ずしも気相で有る必要
はなく、加熱あるいは減圧等により溶融、蒸発、昇華等
を経て気化し得るものであれば、液相でも同相でも使用
可能である。
はなく、加熱あるいは減圧等により溶融、蒸発、昇華等
を経て気化し得るものであれば、液相でも同相でも使用
可能である。
少なくとも炭素原子および水素原子を含む分子゛として
は炭化水素、例えば飽和炭化水素、不飽和炭化水素、脂
環式炭化水素、芳香族炭化水素等を用いることができる
。
は炭化水素、例えば飽和炭化水素、不飽和炭化水素、脂
環式炭化水素、芳香族炭化水素等を用いることができる
。
飽和炭化水素としては、例えば、メタン、エタン、プロ
パン、ブタン、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタ
ン、イソブタン、イソペンタン、ネオペンタン、イソヘ
キサン、ネオヘキサン、ジメチルブタン、メチルヘキサ
ン、エチルペンタン、ジメチルペンタン、トリブタン、
メチルへブタン、ジメチルヘキサン、トリメチルペンタ
ン、イソナノン等を用いることができる。
パン、ブタン、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタ
ン、イソブタン、イソペンタン、ネオペンタン、イソヘ
キサン、ネオヘキサン、ジメチルブタン、メチルヘキサ
ン、エチルペンタン、ジメチルペンタン、トリブタン、
メチルへブタン、ジメチルヘキサン、トリメチルペンタ
ン、イソナノン等を用いることができる。
不飽和炭化水素としては、例えば、エチレン、プロピレ
ン、イソブチレン、ブテン、ペンテン、メチルブテン、
ヘキセン、テトラメチルエチレン、ヘプテン、オクテン
、アレン、メチルアレン、ブタジェン、ペンタジェン、
ヘキサジエン、シクロペンタジェン、オシメン、アロシ
メン、ミルセン、ヘキサトリエン、アセチレン、メチル
アセチレン、ブチン、ペンチン、ヘキシン、ヘプチン、
オクチン、ブタジイン等を用いることができる。
ン、イソブチレン、ブテン、ペンテン、メチルブテン、
ヘキセン、テトラメチルエチレン、ヘプテン、オクテン
、アレン、メチルアレン、ブタジェン、ペンタジェン、
ヘキサジエン、シクロペンタジェン、オシメン、アロシ
メン、ミルセン、ヘキサトリエン、アセチレン、メチル
アセチレン、ブチン、ペンチン、ヘキシン、ヘプチン、
オクチン、ブタジイン等を用いることができる。
脂環式炭化水素としては、例えば、シクロプロパン、シ
クロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロ
へブタン、シクロオクタン、シクロプロペン、シクロブ
テン、シクロペンテン、シクロヘキセン、シクロヘプテ
ン、シクロオクテン、リモネン、テルビルン、フエラン
ドレン、シルベストレン、ツエン、カレン、ピネン、ボ
ルニレン、カンフエン、フエンチェン、シクロブタンチ
エン、トリシクレン、ピサボレン、ジンギベレン、クル
クメン、フムレン、カジネンセスキベニヘン、セリネン
、カリオフィレン、サンタレン、セドレン、カンホレン
、フィロクラテン、ボドカルブレン、ミレン等を用いる
ことができる。
クロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロ
へブタン、シクロオクタン、シクロプロペン、シクロブ
テン、シクロペンテン、シクロヘキセン、シクロヘプテ
ン、シクロオクテン、リモネン、テルビルン、フエラン
ドレン、シルベストレン、ツエン、カレン、ピネン、ボ
ルニレン、カンフエン、フエンチェン、シクロブタンチ
エン、トリシクレン、ピサボレン、ジンギベレン、クル
クメン、フムレン、カジネンセスキベニヘン、セリネン
、カリオフィレン、サンタレン、セドレン、カンホレン
、フィロクラテン、ボドカルブレン、ミレン等を用いる
ことができる。
芳香族炭化水素としては、例えば、ベンゼン、トルエン
、キシレン、ヘミメリテン、プソイドクメン、メシチレ
ン、プレニテン、イソジュレン、ジュレン、ペンタメチ
ルベンゼン、ヘキサメチルベンゼン、エチルベンゼン、
プロピルベンゼン、クメン、スチレン、ビフェニル、テ
ルフェニル、ジフェニルメタン、トリフェニルメタン、
ジベンジル、スチルベン、インデン、ナフタリン、テト
ラリン、アントラセン、フェナントレン等を用いること
ができる。
、キシレン、ヘミメリテン、プソイドクメン、メシチレ
ン、プレニテン、イソジュレン、ジュレン、ペンタメチ
ルベンゼン、ヘキサメチルベンゼン、エチルベンゼン、
プロピルベンゼン、クメン、スチレン、ビフェニル、テ
ルフェニル、ジフェニルメタン、トリフェニルメタン、
ジベンジル、スチルベン、インデン、ナフタリン、テト
ラリン、アントラセン、フェナントレン等を用いること
ができる。
とりわけ、不飽和結合を有する化合物は反応性に富むた
め、良質な膜生成の上で好ましい。中でも、成膜性、ガ
スの取り扱い易さ、コストの而で、ブタジェン並びにプ
ロピレンは特に好ましい。
め、良質な膜生成の上で好ましい。中でも、成膜性、ガ
スの取り扱い易さ、コストの而で、ブタジェン並びにプ
ロピレンは特に好ましい。
非晶質炭化水素膜中に含まれる水素原子の量は、成膜装
置の形態並びに成膜時の条件により変化し水素量が低く
なる場合としては、例えば、基板温度を高くする、圧力
を低くする、原料炭化水素ガスの希釈率を低くする、水
素含有率の低い原料ガスを用いる、印加電力を高くする
、交番電界の周波数を低くする、交番電界に重畳せしめ
た直流電異強度を高くする、等の場合が挙げられる。
置の形態並びに成膜時の条件により変化し水素量が低く
なる場合としては、例えば、基板温度を高くする、圧力
を低くする、原料炭化水素ガスの希釈率を低くする、水
素含有率の低い原料ガスを用いる、印加電力を高くする
、交番電界の周波数を低くする、交番電界に重畳せしめ
た直流電異強度を高くする、等の場合が挙げられる。
第2図および第3図は本発明の表面保護膜を形成するた
めのグロー放電分解装置の一例を示す図である。第2図
は平行平板型P−CVD装置、第3図は円筒型P−CV
D装置を示す。
めのグロー放電分解装置の一例を示す図である。第2図
は平行平板型P−CVD装置、第3図は円筒型P−CV
D装置を示す。
まず、第2図を用いて説明する。
第2図中(701)〜(706)は常温において気相状
態にある原料化合物およびキャリアガスを密封した第1
ないし第6タンクで、各々のタンクは第1ないし第6調
節弁(707)〜(712)と第1ないし第6流量制御
器(713)〜(718)に接続されている。
態にある原料化合物およびキャリアガスを密封した第1
ないし第6タンクで、各々のタンクは第1ないし第6調
節弁(707)〜(712)と第1ないし第6流量制御
器(713)〜(718)に接続されている。
キャリアガスとしては水素ガス、アルゴンガス、ヘリウ
ムガス等を用いることができる。
ムガス等を用いることができる。
図中(719)〜(721)は常温において液相または
固相状態にある原料化合物を封入した第1ないし第3容
器で、各々の容器は気化のため、第1ないし第3加熱器
(722)〜(724)により与熱可能であり、さらに
各々の容器は第7ないし第9調節弁(725)〜(72
7)と第7ないし第9流量制御器(728)〜(730
)に接続されている。
固相状態にある原料化合物を封入した第1ないし第3容
器で、各々の容器は気化のため、第1ないし第3加熱器
(722)〜(724)により与熱可能であり、さらに
各々の容器は第7ないし第9調節弁(725)〜(72
7)と第7ないし第9流量制御器(728)〜(730
)に接続されている。
これらのガスは混合器(731)で混合された後、主管
(732)を介して反応室(733)に送り込まれる。
(732)を介して反応室(733)に送り込まれる。
途中の配管は、常温において液相または固相状態であっ
た原料化合物が気化したガスで、途中で凝結しないよう
に、適宜配置された配管加熱器(734)により、与熱
可能とされている。
た原料化合物が気化したガスで、途中で凝結しないよう
に、適宜配置された配管加熱器(734)により、与熱
可能とされている。
反応室内には接地電極(735)と電力印加電極(73
6)が対向して設置され、各々の電極は電極加熱器(7
37)により与熱可能とされている。
6)が対向して設置され、各々の電極は電極加熱器(7
37)により与熱可能とされている。
電力印加電極(736)には、高周波電力用整合器(7
38)を介して高周波電源(739)、低周波電力用整
合器(740)を介して低周波電源(741)、ローパ
スフィルタ(742)を介して直流電源(743)が接
続されており、接続選択スイッチ(744)により周波
数の異なる電力、例えば、周波数IKHzないし13.
55MHzの高周波電力等が印加可能とされている。さ
らに、直流電力を重畳することも可能である。
38)を介して高周波電源(739)、低周波電力用整
合器(740)を介して低周波電源(741)、ローパ
スフィルタ(742)を介して直流電源(743)が接
続されており、接続選択スイッチ(744)により周波
数の異なる電力、例えば、周波数IKHzないし13.
55MHzの高周波電力等が印加可能とされている。さ
らに、直流電力を重畳することも可能である。
反応室(733)内の圧力は圧力制御弁(745)によ
り調整可能であり、反応室(733)内の減圧は、排気
系選択弁(746)を介して、拡散ポンプ(747)、
油回転ポンプ(748)、あるいは、冷却除外装置(7
49)、メカニカルブースタポンプ(750)、油回転
ポンプ(74B)により行なわれる。
り調整可能であり、反応室(733)内の減圧は、排気
系選択弁(746)を介して、拡散ポンプ(747)、
油回転ポンプ(748)、あるいは、冷却除外装置(7
49)、メカニカルブースタポンプ(750)、油回転
ポンプ(74B)により行なわれる。
排ガスについては、さらに適当な除外装置(753)に
より安全無害化した後、大気中に排気される。
より安全無害化した後、大気中に排気される。
これら排気系配管についても、常温において液相または
固相状態にあった原料化合物が気化したガスが、途中で
凝結しないように、適宜配置された配管加熱器(734
)により、与熱可能とされている。
固相状態にあった原料化合物が気化したガスが、途中で
凝結しないように、適宜配置された配管加熱器(734
)により、与熱可能とされている。
反応室(733)も同様の理由から反応室加熱器(75
1)により与熱可能とされ、内部に配された電極上に基
板(752)が設置される。
1)により与熱可能とされ、内部に配された電極上に基
板(752)が設置される。
これらの加熱器類は、使用される原料ガスの性質に応じ
て配するか否かを選択すればよいが、特に、原料ガスと
して常圧下での沸点が一20℃ないし+70℃の有機化
合物を用いた場合においては不要となる場合が多く、製
造装置の簡素化が可能となり好ましい。
て配するか否かを選択すればよいが、特に、原料ガスと
して常圧下での沸点が一20℃ないし+70℃の有機化
合物を用いた場合においては不要となる場合が多く、製
造装置の簡素化が可能となり好ましい。
一般に、沸点が一20℃より低い有機化合物を原料ガス
として用いた場合には、反応室(733)内部での微粉
状重合物の発生を防止するために、沸点が+70℃より
高い有機化合物を原料ガスとして用いた場合には、各種
配管内での凝結防止のために、それぞれ上述の如き各種
加熱器を配することが望ましい。
として用いた場合には、反応室(733)内部での微粉
状重合物の発生を防止するために、沸点が+70℃より
高い有機化合物を原料ガスとして用いた場合には、各種
配管内での凝結防止のために、それぞれ上述の如き各種
加熱器を配することが望ましい。
第2図において基板(752)は接地電極(735)に
固定して配されているが、電力印加電極(736)に固
定して配されても良く、さらに双方に配されても良い。
固定して配されているが、電力印加電極(736)に固
定して配されても良く、さらに双方に配されても良い。
第3図に示した装置も基本的には第2図に示した装置と
同様であり、反応室(733)内の形態が基板(752
)が円筒形であることに応じて変更されているものであ
る。基板(752)は接地電極(735)を兼ね、電力
印加電極(736)および電極加熱器(737)共に円
筒形をなしている。
同様であり、反応室(733)内の形態が基板(752
)が円筒形であることに応じて変更されているものであ
る。基板(752)は接地電極(735)を兼ね、電力
印加電極(736)および電極加熱器(737)共に円
筒形をなしている。
以上の構成において、感光体製造に供する反応室は、拡
散ポンプにより予めlo−4ないし1O−6Torr程
度にまで減圧し、真空度の確認と装置内部に吸着したガ
スの脱離を行なう。
散ポンプにより予めlo−4ないし1O−6Torr程
度にまで減圧し、真空度の確認と装置内部に吸着したガ
スの脱離を行なう。
同時に電極加熱器により、電極並びに電極に固定して配
された基板を所定の温度まで昇温する。
された基板を所定の温度まで昇温する。
このとき、感光層の熱変成を防止するために基板温度は
100℃以下(室温ないし100℃)に温度設定される
。季節による室温の変化の影響を除去ずろために、40
℃ないし60℃程度に加熱することは特に好ましい。
100℃以下(室温ないし100℃)に温度設定される
。季節による室温の変化の影響を除去ずろために、40
℃ないし60℃程度に加熱することは特に好ましい。
基板としては導電性基板上に自体公知の感光層が形成さ
れたものを用いる。
れたものを用いる。
次いで、第1ないし第6タンクおよび第1ないし第3容
器から原料ガスを第1ないし第9流量制御器を用いて定
流量化しながら反応室内に導入し、圧力調整弁により反
応室内を概ね0.05Torrないし5.0Torr程
度の減圧状態に保つ。
器から原料ガスを第1ないし第9流量制御器を用いて定
流量化しながら反応室内に導入し、圧力調整弁により反
応室内を概ね0.05Torrないし5.0Torr程
度の減圧状態に保つ。
ガス流量が安定化した後、接続選択スイッチにより、例
えば低周波電源を選択し、電力印加電極に低周波電力を
投入する。
えば低周波電源を選択し、電力印加電極に低周波電力を
投入する。
両電極間には放電が開始され、時間と共に基板上に固相
の非晶質炭化水素膜が形成される。膜堆積速度は、10
人/分ないし3μx/分、好ましくは100人/分ない
しIJtx/分、さらに好ましくは500人/分ないし
5000人/分であることが望ましい。膜堆積速度が1
0人/分より低い場合には生産性の面で好ましくない。
の非晶質炭化水素膜が形成される。膜堆積速度は、10
人/分ないし3μx/分、好ましくは100人/分ない
しIJtx/分、さらに好ましくは500人/分ないし
5000人/分であることが望ましい。膜堆積速度が1
0人/分より低い場合には生産性の面で好ましくない。
膜堆積速度が3μl/分より高い場合には膜荒れが発生
しやすく、必ずしも均質な膜が得られるとは限らなくな
り好ましくない。
しやすく、必ずしも均質な膜が得られるとは限らなくな
り好ましくない。
所定の膜厚に達したところで7放電を停止し、本発明に
よるa−C膜を表面保護層として有する感光体を得る。
よるa−C膜を表面保護層として有する感光体を得る。
以上のようにして作製された本発明による感光体の表面
保護層は、明確なるX線回折ピークを有さないことから
結晶ではなく、また、炭素と水素の結合に基づく赤外吸
収スペクトル上の吸収ピークを有することから炭素並び
に水素を構成原子として含み、従って、非晶質炭化水素
膜であることが理解される。
保護層は、明確なるX線回折ピークを有さないことから
結晶ではなく、また、炭素と水素の結合に基づく赤外吸
収スペクトル上の吸収ピークを有することから炭素並び
に水素を構成原子として含み、従って、非晶質炭化水素
膜であることが理解される。
また、該表面保護層は、その下部に感光体の主原子が多
く含まれ、上部にいくに従って該原子かの含有量が少な
くなり、ついには該原子が含まれないようなa−C層膜
中の組成が連続的に変化している構成としてもよい。例
えば、感光体が無機系のセレン系感光体の場合、a−C
膜を、水素化セレンやセレン系有機化合物、例えば(ジ
フェニルジセレニド)またはセレン蒸気とブタジェンの
混合蒸気から形成していき、徐々にセレンの使用量を減
じていき、ついには炭素と水素からなる化合物から形成
してもよい。このように連続的な膜組成をした構成とす
ることにより、表面保護層は感光体とより密着性を上げ
ることができる。
く含まれ、上部にいくに従って該原子かの含有量が少な
くなり、ついには該原子が含まれないようなa−C層膜
中の組成が連続的に変化している構成としてもよい。例
えば、感光体が無機系のセレン系感光体の場合、a−C
膜を、水素化セレンやセレン系有機化合物、例えば(ジ
フェニルジセレニド)またはセレン蒸気とブタジェンの
混合蒸気から形成していき、徐々にセレンの使用量を減
じていき、ついには炭素と水素からなる化合物から形成
してもよい。このように連続的な膜組成をした構成とす
ることにより、表面保護層は感光体とより密着性を上げ
ることができる。
次に、得られた感光体の表面保護層は、反応室(733
)から取り出し前述した蒸気接触法あるいは溶液浸漬法
により酸処理を施せばよい。特に好ましい蒸気接触法と
して、第2図あるいは第3図に示したグロー放電分解装
置を使用し、a−C膜形成後連続的に行う方法を提供す
ることができる。
)から取り出し前述した蒸気接触法あるいは溶液浸漬法
により酸処理を施せばよい。特に好ましい蒸気接触法と
して、第2図あるいは第3図に示したグロー放電分解装
置を使用し、a−C膜形成後連続的に行う方法を提供す
ることができる。
すなわち、前述したa−C膜形成後、反応室(733)
の内部に残留するガスを脱気し、再び10−4〜I O
−”Torr程度まで減圧する。その後、適当な酸の蒸
気を主管(732)より導入し、反応室(733)の内
部を酸の蒸気で飽和させ、前工程のグロー放電で得られ
たa−C膜を酸蒸気に接触させる。この場合、反応室、
配管等は、酸による腐食等を防止する必要があり、耐酸
処理を施した材料、あるいはガラスで構成し、さらに排
気系統においては減圧ポンプ(746)の手前に液体窒
素コールドトラップ等を設け、酸蒸気がポンプをいため
ないような手段を施すことが好ましい。
の内部に残留するガスを脱気し、再び10−4〜I O
−”Torr程度まで減圧する。その後、適当な酸の蒸
気を主管(732)より導入し、反応室(733)の内
部を酸の蒸気で飽和させ、前工程のグロー放電で得られ
たa−C膜を酸蒸気に接触させる。この場合、反応室、
配管等は、酸による腐食等を防止する必要があり、耐酸
処理を施した材料、あるいはガラスで構成し、さらに排
気系統においては減圧ポンプ(746)の手前に液体窒
素コールドトラップ等を設け、酸蒸気がポンプをいため
ないような手段を施すことが好ましい。
本発明の表面保護層には、さらにヘテロ原子、例えばハ
ロゲン原子、カルコゲン原子、周期律表第V族元素、周
期律表第■族元素等を添加して高い帯電能を付与するこ
とも可能である。
ロゲン原子、カルコゲン原子、周期律表第V族元素、周
期律表第■族元素等を添加して高い帯電能を付与するこ
とも可能である。
上記したヘテロ原子を添加した表面保護層を本発明に従
い酸処理を施すと、本発明の効果をより享受することが
できる。
い酸処理を施すと、本発明の効果をより享受することが
できる。
また、以上のようにして作製された本発明による感光体
の表面保護層は、比誘電率は概ね2.0ないし6.0、
光学的バンドギャップは概ね1.5ないし3.0[eV
]の膜であることが好ましい。
の表面保護層は、比誘電率は概ね2.0ないし6.0、
光学的バンドギャップは概ね1.5ないし3.0[eV
]の膜であることが好ましい。
以下、実施例を挙げながら本発明を説明する。
機系感光体Aの作製
ジスアゾ顔料としてクロロジアンブルー(CDF3)1
重量部、ポリエステル樹脂(東洋紡社製V−200)1
重量部、およびシクロへキサ22100重量部の混合液
をサンドブライングーで13時間分散した。この分散液
を直径80X長さj30MjIの円筒状アルミニウム基
板上にディッピングにより乾燥後の膜厚が0.3μ次と
なるように塗布し、乾燥して電荷発生層を形成した。
重量部、ポリエステル樹脂(東洋紡社製V−200)1
重量部、およびシクロへキサ22100重量部の混合液
をサンドブライングーで13時間分散した。この分散液
を直径80X長さj30MjIの円筒状アルミニウム基
板上にディッピングにより乾燥後の膜厚が0.3μ次と
なるように塗布し、乾燥して電荷発生層を形成した。
次いで、4−ジエチルアミノベンズアルデヒド−ジフェ
ニルヒドラゾン(D E H) 1重量部、およびポリ
カーボネート(量大化成社製に−1300)1重量部を
テトラヒドロフラン(THF”)6重量部に溶解させ、
この溶液を電荷発生層上に乾燥後の膜厚が15μlとな
るように塗布し、乾燥させて電荷輸送層を形成し、有機
系感光体Aを得た。
ニルヒドラゾン(D E H) 1重量部、およびポリ
カーボネート(量大化成社製に−1300)1重量部を
テトラヒドロフラン(THF”)6重量部に溶解させ、
この溶液を電荷発生層上に乾燥後の膜厚が15μlとな
るように塗布し、乾燥させて電荷輸送層を形成し、有機
系感光体Aを得た。
比較例1
得られた有機系感光体Aを常用のカールソンプロセスの
中でコロナ放電を用いて一600vに初期帯電(以下V
oと称する)し、表面電位を半減するのに必要とされる
光量(以下、El/2と称する)を測定したところ、2
、 O1ux−sec、残留電位(以下Vrと称する
)は−5vであった。また、JIs−に−5400規格
による鉛筆硬度を測定したところ、約5Bの表面硬度を
有していた。さらに、実際の複写機(ミノルタカメラ社
製EP470Z)に搭載して常温常湿の室内でA4複写
紙1万枚の耐刷試験を行なったところ、約2.0μ肩の
膜厚減少が観察された。
中でコロナ放電を用いて一600vに初期帯電(以下V
oと称する)し、表面電位を半減するのに必要とされる
光量(以下、El/2と称する)を測定したところ、2
、 O1ux−sec、残留電位(以下Vrと称する
)は−5vであった。また、JIs−に−5400規格
による鉛筆硬度を測定したところ、約5Bの表面硬度を
有していた。さらに、実際の複写機(ミノルタカメラ社
製EP470Z)に搭載して常温常湿の室内でA4複写
紙1万枚の耐刷試験を行なったところ、約2.0μ肩の
膜厚減少が観察された。
この結果から、静電特性には優れるものの、耐久性には
乏しいことが理解された。
乏しいことが理解された。
結果を表1に示した。
、感光体Bの 製
電荷輸送層形成用のポリカーボネートをメチルメタクリ
レートPMMA(三菱レーヨン社製BR−85)に代え
ること以外は有機系感光体Aと同様にして有機系感光体
Bを作製した。
レートPMMA(三菱レーヨン社製BR−85)に代え
ること以外は有機系感光体Aと同様にして有機系感光体
Bを作製した。
比較例2
得られた有機系感光体Bについて比較例1と同様の評価
を行ない、その結果を表1に示した。
を行ない、その結果を表1に示した。
この結果から、静電特性には優れるものの、耐久性には
乏しいことが理解された。
乏しいことが理解された。
有機系感光体Cの作製
ポリカーボネートをポリアクリレート(ユニチカ社製U
−4000)に代えること以外は有機系感光体Aと同様
にして有機系感光体Cを作製した。
−4000)に代えること以外は有機系感光体Aと同様
にして有機系感光体Cを作製した。
塩蚊叢l
得られた有機系感光体Cについて比較例1と同様の評価
を行ない、その結果を表1に示した。
を行ない、その結果を表1に示した。
この結果から、静電特性には優れるらのの、耐久性には
乏しいことが理解された。
乏しいことが理解された。
有機系感光体りの作製
ポリカーボネートをポリエステル(東洋紡社製V−20
0)に代えること以外は有機系感光体Aと同様にして有
機系感光体りを作製した。 ゛比較例4 得られた有機系感光体りについて比較例1と同様の評価
を行ない、その結果を表1に示した。
0)に代えること以外は有機系感光体Aと同様にして有
機系感光体りを作製した。 ゛比較例4 得られた有機系感光体りについて比較例1と同様の評価
を行ない、その結果を表1に示した。
この結果から、静電特性には優れるものの、耐久性には
乏しいことが理解された。
乏しいことが理解された。
有機系感光体Eの作製
特殊α型銅フタロシアニン(東洋インキ社製)25重量
部、アクリルメラミン熱硬化型樹脂(大日本インキ社製
A−405とスーパーベッカミンJ820の混合物)5
0重最部、4−ジエチルアミノベンズアルデヒド−ジフ
ェニルヒドラゾン25重量部、有機溶剤(キシレン7重
量部とブタノール3重量部の混合物)500重量部の混
合液をボールミルで10時間粉砕分散した。この分散液
を直径80×長さ330xmの円筒状アルミニウム基板
上にディッピングにより乾燥、焼き付は後の膜厚が15
μ肩となるように塗布し、150℃で1時間焼き付けて
、有機系感光体Eを得た。
部、アクリルメラミン熱硬化型樹脂(大日本インキ社製
A−405とスーパーベッカミンJ820の混合物)5
0重最部、4−ジエチルアミノベンズアルデヒド−ジフ
ェニルヒドラゾン25重量部、有機溶剤(キシレン7重
量部とブタノール3重量部の混合物)500重量部の混
合液をボールミルで10時間粉砕分散した。この分散液
を直径80×長さ330xmの円筒状アルミニウム基板
上にディッピングにより乾燥、焼き付は後の膜厚が15
μ肩となるように塗布し、150℃で1時間焼き付けて
、有機系感光体Eを得た。
比較例5
得られた有機系感光体Eについて比較例!と同様の評価
を行ない、その結果を表1に示した。
を行ない、その結果を表1に示した。
この結果から、静電特性には優れるものの、耐久性には
乏しいことが理解された。
乏しいことが理解された。
在風族酪反へLへ1毀
下記構造式;
で示されるビスアゾ化合物(クロルジアンブルー(CD
B))2重量部、ポリエステル樹脂(東洋紡社製V−5
00)1重量部、メチルエチルケトン1゜0重量部をボ
ールミルで、24時間分散した。この分散液を直径80
x長さ330xmの円筒状アルミニウム基板上にディッ
ピングにより乾燥後の膜厚が3000人となるように塗
布し、電荷発生層を形成した。
B))2重量部、ポリエステル樹脂(東洋紡社製V−5
00)1重量部、メチルエチルケトン1゜0重量部をボ
ールミルで、24時間分散した。この分散液を直径80
x長さ330xmの円筒状アルミニウム基板上にディッ
ピングにより乾燥後の膜厚が3000人となるように塗
布し、電荷発生層を形成した。
次いで、この電荷発生層の上に、下記構造式;に示され
るヒドラゾン化合物(2−メチル−4−ジベンジルアミ
ノベンズアルデヒドジフェニルヒドラゾン)10重量部
、ポリカーボネート樹脂(量大化成社製に−1300)
10重量部をテトラヒドロフラン80重量部に溶解させ
た塗布液を乾燥後の膜厚が20μ肩となるように塗布、
乾燥して電荷輸送層を形成し、有機系感光体Fを得た。
るヒドラゾン化合物(2−メチル−4−ジベンジルアミ
ノベンズアルデヒドジフェニルヒドラゾン)10重量部
、ポリカーボネート樹脂(量大化成社製に−1300)
10重量部をテトラヒドロフラン80重量部に溶解させ
た塗布液を乾燥後の膜厚が20μ肩となるように塗布、
乾燥して電荷輸送層を形成し、有機系感光体Fを得た。
塩蝮匹l
得られた有機系感光体Fについて比較例1と同様の評価
を行ない、その結果を表1に示した。
を行ない、その結果を表1に示した。
この結果から、静電特性には優れるものの、耐久性には
乏しいことが理解された。
乏しいことが理解された。
有機系感光体Gの作製
下記構造式;
に示されるビスアゾ化合物2重量部、ポリエステル樹脂
(東洋紡社製V−500)1重量部、メチルエチルケト
ン100重量部をボールミルで、24時間分散した。こ
の分散液を直径80×長さ330rxの円筒状アルミニ
ウム基板上にディッピングにより乾燥後の膜厚が250
0人となるように塗布し、電荷発生層を形成した。
(東洋紡社製V−500)1重量部、メチルエチルケト
ン100重量部をボールミルで、24時間分散した。こ
の分散液を直径80×長さ330rxの円筒状アルミニ
ウム基板上にディッピングにより乾燥後の膜厚が250
0人となるように塗布し、電荷発生層を形成した。
次いで、この電荷発生層の上に、下記構造式;に示され
るヒドラゾン化合物(P−ジエチルアミノベンズアルデ
ヒド−ジフェニルヒドラゾン)10重量部、ポリアクリ
レート樹脂(ユニチカ社製U−4000)I 0重量部
をテトラヒドロフラン85重量部に溶解させた塗布液を
乾燥後の膜厚が20μ肩となるように塗布、乾燥して電
荷輸送層を形成し、有機系感光体Gを得た。
るヒドラゾン化合物(P−ジエチルアミノベンズアルデ
ヒド−ジフェニルヒドラゾン)10重量部、ポリアクリ
レート樹脂(ユニチカ社製U−4000)I 0重量部
をテトラヒドロフラン85重量部に溶解させた塗布液を
乾燥後の膜厚が20μ肩となるように塗布、乾燥して電
荷輸送層を形成し、有機系感光体Gを得た。
比較例7
得られた有機系感光体Gについて比較例iと同様の評価
を行ない、その結果を表1に示した。
を行ない、その結果を表1に示した。
この結果から、静電特性には優れるものの、耐久性には
乏しいことが理解された。
乏しいことが理解された。
有機系感光体Hの作製
下記構造式;
に示されるビスアゾ化合物2重量部、ポリエステル樹脂
(東洋紡社製V〜500)1重量部、メチルエチルケト
ン100重量部をボールミルで、24時間分散した。こ
の分散液を直径80×長さ33Ommの円筒状アルミニ
ウム基板上にディッピングにより乾燥後の膜厚が300
0人となるように塗布し、電荷発生層を形成した。
(東洋紡社製V〜500)1重量部、メチルエチルケト
ン100重量部をボールミルで、24時間分散した。こ
の分散液を直径80×長さ33Ommの円筒状アルミニ
ウム基板上にディッピングにより乾燥後の膜厚が300
0人となるように塗布し、電荷発生層を形成した。
次いで、この電荷発生層の上に、下記構造式;に示され
るヒドラゾン化合物(2−メトキシ−4−ペンジルアミ
ノヘンズアルデヒドージフェニルヒドラゾン月0重量部
、メチルメタクリレート樹脂(三菱レーヨン社製BR−
85)10重量部をテトラヒドロフラン80重量部に溶
解させた塗布液を乾燥後の膜厚が20μ屑となるように
塗布、乾燥して電荷輸送層を形成し、有機系感光体Hを
得た。
るヒドラゾン化合物(2−メトキシ−4−ペンジルアミ
ノヘンズアルデヒドージフェニルヒドラゾン月0重量部
、メチルメタクリレート樹脂(三菱レーヨン社製BR−
85)10重量部をテトラヒドロフラン80重量部に溶
解させた塗布液を乾燥後の膜厚が20μ屑となるように
塗布、乾燥して電荷輸送層を形成し、有機系感光体Hを
得た。
比較例8
得られた有機系感光体Hについて比較例!と同様の評価
を行ない、その結果を表1に示した。
を行ない、その結果を表1に示した。
この結果から、静電特性には優れるものの、耐久性には
乏しいことが理解された。
乏しいことが理解された。
有機系感光体■の作製
チタニルフタロシアニン(TiOPc)を抵抗加熱法を
用いてボート温度400℃ないし500℃、真空度l0
−4ないし10−”Torrのもとて真空蒸着し、厚さ
2500人のTiOPc蒸着膜を電荷発生層として形成
した。
用いてボート温度400℃ないし500℃、真空度l0
−4ないし10−”Torrのもとて真空蒸着し、厚さ
2500人のTiOPc蒸着膜を電荷発生層として形成
した。
次いで、特開昭62−30255号公報記載の構造式口
2]に示されるp、p−ビスジエチルアミノテトラフェ
ニルブタジェン1重量部、およびポリカーボネート(音
大化成社製に−1300)1重量部をT I−I F
6重量部に溶解させ、この溶液を電荷発生層上に乾燥後
膜厚が15μ屑となるように塗布し、乾燥させて電荷輸
送層を形成し、有機系感光体!を得た。
2]に示されるp、p−ビスジエチルアミノテトラフェ
ニルブタジェン1重量部、およびポリカーボネート(音
大化成社製に−1300)1重量部をT I−I F
6重量部に溶解させ、この溶液を電荷発生層上に乾燥後
膜厚が15μ屑となるように塗布し、乾燥させて電荷輸
送層を形成し、有機系感光体!を得た。
比較例9
得られた有機系感光体■を常用のカールソンプロセスの
中でコロナ放電を用いてVoを一600Vに設定し、発
光波長780nmの半導体レーザー光を用いてEl/2
を測定したところ、4 、9 erg/cyt”SV
rLt −5V テあった。また、JIS−に−540
0規格による鉛筆硬度を測定したところ、約5Bの表面
硬度を有していた。さらに、実際の複写機(ミノルタカ
メラ社製EP470Zの光学系を半導体レーザーのポリ
ゴンミラースキャニング方式に改造したもの)に搭載し
てA4複写紙l万枚の耐刷試験を行なったところ約2.
0μ貫の膜厚減少が観察された。
中でコロナ放電を用いてVoを一600Vに設定し、発
光波長780nmの半導体レーザー光を用いてEl/2
を測定したところ、4 、9 erg/cyt”SV
rLt −5V テあった。また、JIS−に−540
0規格による鉛筆硬度を測定したところ、約5Bの表面
硬度を有していた。さらに、実際の複写機(ミノルタカ
メラ社製EP470Zの光学系を半導体レーザーのポリ
ゴンミラースキャニング方式に改造したもの)に搭載し
てA4複写紙l万枚の耐刷試験を行なったところ約2.
0μ貫の膜厚減少が観察された。
この結果から、静電特性には優れるものの、耐久性には
乏しいことが理解された。
乏しいことが理解された。
表■ここの結果をまとめて示した。ただし、露光源とし
て半導体レーザー光を使用したことを示すために、E!
/2の値は[erg/cが]の単位で*印を付けて示し
た。
て半導体レーザー光を使用したことを示すために、E!
/2の値は[erg/cが]の単位で*印を付けて示し
た。
無機系感光体J、にの作製
直径80×長さ330mmのアルミニウム基板に、予め
別の真空蒸着装置を用いて常法に従い、セレン砒素合金
単層構成からなる感光層(無機系感光体J)およびセレ
ンとセレンテルル合金をこの順に設けた積層構成よりな
る感光層(無機系感光体K)を約50μ肩の膜厚で形成
したものを用いた。
別の真空蒸着装置を用いて常法に従い、セレン砒素合金
単層構成からなる感光層(無機系感光体J)およびセレ
ンとセレンテルル合金をこの順に設けた積層構成よりな
る感光層(無機系感光体K)を約50μ肩の膜厚で形成
したものを用いた。
比較例10.2
得られた無機系感光体J(比較例10)、無機系感光体
(比較例11)Kについて、比較例1と同様の評価を行
ない、その結果を表1に示した。この結果から静電特性
には優れろものの、耐久性には乏しいことが理解された
。
(比較例11)Kについて、比較例1と同様の評価を行
ない、その結果を表1に示した。この結果から静電特性
には優れろものの、耐久性には乏しいことが理解された
。
表1
(*印は半導体レーザー光によるデータ[erg/cm
″コ)(膜厚減少は1万枚耐刷による評価) 実施例1−11 第3図に示すグロー放電分解装置において、本発明によ
る感光体の表面保護層を作製した。
″コ)(膜厚減少は1万枚耐刷による評価) 実施例1−11 第3図に示すグロー放電分解装置において、本発明によ
る感光体の表面保護層を作製した。
まず、反応装置(733)の内部を10−”Torr程
度の高真空にした後、第11第2調節弁(707,70
8)を解放し、第1タンク(701)より水素ガス、第
2タンク(702)よりブタジェンガスを、各々出力圧
1.0に97am″の下で第1、第2流量制御器(71
3)、(714)内へ流入させた。
度の高真空にした後、第11第2調節弁(707,70
8)を解放し、第1タンク(701)より水素ガス、第
2タンク(702)よりブタジェンガスを、各々出力圧
1.0に97am″の下で第1、第2流量制御器(71
3)、(714)内へ流入させた。
そして、各流量制御器の目盛を調整して、水素ガスの流
量を3005ecI11.ブタジェンガスの流量を60
secmとなるように設定して、途中混合器(731)
を介して、主管(732)より反応室(733)内へ流
入した。
量を3005ecI11.ブタジェンガスの流量を60
secmとなるように設定して、途中混合器(731)
を介して、主管(732)より反応室(733)内へ流
入した。
なお、実施例5においては、第5タンク(705)より
帯電能特性調整のためのホスフィンガスを同様にして4
secmとなるように設定して、同時に反応室(73
3)内へ流入した。
帯電能特性調整のためのホスフィンガスを同様にして4
secmとなるように設定して、同時に反応室(73
3)内へ流入した。
各々の流量が安定した後に、反応室(733)内の圧力
が0.6Torrとなるように圧力調節弁(745)を
調整した。
が0.6Torrとなるように圧力調節弁(745)を
調整した。
一方、基板(752)としては、有機系感光体A(以後
、表面に保護層を設けたものを英字の0を付して感光体
OAという。以下の感光体についても同様とする)、有
機系感光体B(感光体0r3)、有機系感光体C(感光
体OC)、有機系感光体D(感光体OD)、有機系感光
体E(感光体OE)、有機系感光体F(感光体OF)、
有機系感光体G(感光体OG)、有機系感光体H(感光
体OH)、有機系感光体!(感光体Of)、無機系感光
体J(OJ)、無機系感光体0(感光体OK)を用いた
。基板(752)は、ガス導入前に約15分間をかけて
室温より50℃にまで昇温した。
、表面に保護層を設けたものを英字の0を付して感光体
OAという。以下の感光体についても同様とする)、有
機系感光体B(感光体0r3)、有機系感光体C(感光
体OC)、有機系感光体D(感光体OD)、有機系感光
体E(感光体OE)、有機系感光体F(感光体OF)、
有機系感光体G(感光体OG)、有機系感光体H(感光
体OH)、有機系感光体!(感光体Of)、無機系感光
体J(OJ)、無機系感光体0(感光体OK)を用いた
。基板(752)は、ガス導入前に約15分間をかけて
室温より50℃にまで昇温した。
ガス流量および圧力が安定した状態で、予め接続選択ス
イッチ(744)により接続しておいた低周波電源(7
41)を投入し、電力印加電極(736)に160 W
attの電力を周波数80KHzの下で印加して約3分
間プラズマ重合反応を行ない、基板(752)上に厚さ
0.25μ屑の非晶質炭化水素膜を表面保護層として形
成した。
イッチ(744)により接続しておいた低周波電源(7
41)を投入し、電力印加電極(736)に160 W
attの電力を周波数80KHzの下で印加して約3分
間プラズマ重合反応を行ない、基板(752)上に厚さ
0.25μ屑の非晶質炭化水素膜を表面保護層として形
成した。
成膜完了後は電力印加を停止し、水素ガス以外の調節弁
を閉じ、反応室(733)内に水素ガスだけを200
secm流入し、圧力を20Torrに保持し、約15
分間で30℃まで降温した。
を閉じ、反応室(733)内に水素ガスだけを200
secm流入し、圧力を20Torrに保持し、約15
分間で30℃まで降温した。
その後、水素ガスの調節弁を閉じ、反応室(733)内
を充分に排気し、反応室(733)の真空を破り、本発
明による表面保護層を有する感光体を取り出した。
を充分に排気し、反応室(733)の真空を破り、本発
明による表面保護層を有する感光体を取り出した。
以上のようにして得られた非晶質炭化水素膜につき有機
定量分析を行なったところ、含有される水素原子の量は
全構成原子に対して44原子%であった。また、実施例
5における燐原子の量は全構成原子に対して0.7原子
%であった。
定量分析を行なったところ、含有される水素原子の量は
全構成原子に対して44原子%であった。また、実施例
5における燐原子の量は全構成原子に対して0.7原子
%であった。
酸処理「の感光体の特性評価:
得られた感光体の表面について、鉛筆硬度をJIs−に
−5400規格に基づいて測定したところ、感光体OA
ないし感光体OKの何れも約6Hであり、本発明による
感光体の表面保護層により高硬度化されることが理解さ
れた。
−5400規格に基づいて測定したところ、感光体OA
ないし感光体OKの何れも約6Hであり、本発明による
感光体の表面保護層により高硬度化されることが理解さ
れた。
また、感度特性ぽ比較例1ないし比較例!lとほぼ同等
であり、このことから本発明による感光体の表面保護層
は有機系無機系感光体が本来有する感度を損なわないこ
とが理解された。 −また、感光体OA〜OKを温度5
0℃、相対湿度90%の高温高湿雰囲気とが30分毎に
交互に繰り返される環境下に6時間放置したところ、表
面保護層の剥離、あるいはひび割れ等は認められなかっ
た。
であり、このことから本発明による感光体の表面保護層
は有機系無機系感光体が本来有する感度を損なわないこ
とが理解された。 −また、感光体OA〜OKを温度5
0℃、相対湿度90%の高温高湿雰囲気とが30分毎に
交互に繰り返される環境下に6時間放置したところ、表
面保護層の剥離、あるいはひび割れ等は認められなかっ
た。
また、感光体OA〜OKを常温常湿の室内で比較例1な
いし比較例11における評価で使用した実際の複写機に
搭載し実写したところ、何れも鮮明な画像が得られた。
いし比較例11における評価で使用した実際の複写機に
搭載し実写したところ、何れも鮮明な画像が得られた。
また、複写機内での現像剤、転写紙、並びに、清掃部材
との接触においても表面保護層の剥離は認められなかっ
た。
との接触においても表面保護層の剥離は認められなかっ
た。
また、通常の室内において実写を25万枚行なったとこ
ろ、最後まで鮮明な画像が得られた。また、25万枚実
写後においても感光層膜厚の現象は認められなかった。
ろ、最後まで鮮明な画像が得られた。また、25万枚実
写後においても感光層膜厚の現象は認められなかった。
表1との比較から膜厚減少に関しては顕著な効果が認め
られた。
られた。
ところが、同時期に同様に作製した酸処理を施していな
い感光体OA〜OKを初期および1万、5万、IO万、
25万枚の複写に供した後、温度35℃相対湿度80%
の環境下で実写評価したところ、いわゆる画像流れが認
められた。この結果については表2にまとめて示した。
い感光体OA〜OKを初期および1万、5万、IO万、
25万枚の複写に供した後、温度35℃相対湿度80%
の環境下で実写評価したところ、いわゆる画像流れが認
められた。この結果については表2にまとめて示した。
表中O印は温度35℃相対湿度85%の環境下で実写評
価してもいわゆる画像流れが認められなかったことを、
Δ印は同条件で一部に画像流れが認められたことを、X
印は同条件で全面に画像流れが認められたことを示す。
価してもいわゆる画像流れが認められなかったことを、
Δ印は同条件で一部に画像流れが認められたことを、X
印は同条件で全面に画像流れが認められたことを示す。
表面保護層を設けることにより、耐久性は向上したもの
の、耐湿性が悪いことがわかる。
の、耐湿性が悪いことがわかる。
酸処理工程
感光体OA〜9E(実施例1〜5)の表面保護層は30
℃に保持した2N希塩酸に2秒間浸漬する酸処理を施し
、その後、暗中で一晩乾燥した。
℃に保持した2N希塩酸に2秒間浸漬する酸処理を施し
、その後、暗中で一晩乾燥した。
感光体OF〜OK(実施例6〜11)の表面保護層は、
80℃で0.IN希塩酸の蒸気が飽和した密閉容器内に
30分放置する酸処理を施し、その後暗中で一晩乾燥し
た。
80℃で0.IN希塩酸の蒸気が飽和した密閉容器内に
30分放置する酸処理を施し、その後暗中で一晩乾燥し
た。
酸処理後の感光体の特性評価
以上のようにして酸処理を施した実施例1〜Ilの感光
体を、初期および1万、5万、lO万、25万枚の複写
に供した後、温度35℃、相対湿度80%の環境下で実
写評価を行った。
体を、初期および1万、5万、lO万、25万枚の複写
に供した後、温度35℃、相対湿度80%の環境下で実
写評価を行った。
結果を表3に示した。表3中の記号は表2中に示した記
号と同じ意味を表す。
号と同じ意味を表す。
発明の効果
炭化水素系のプラズマ重合膜からなる表面保護層を本発
明に従い酸処理した感光体は耐環境性に優れている。
明に従い酸処理した感光体は耐環境性に優れている。
第1図は本発明感光体の模式的断面図を示す。
第2図および第3図は本発明に係わる感光体表面保護層
製造用装置の一例を示す。 図中の記号は以下の通りである。 (1)・・・表面保護層 (2)・・・感光層 (3)・・・導電性基板 (701)〜(706)・・・タンク (707)〜(712)・・・調節弁 (713)〜(71B)・・・流量制御器(728)〜
(730)・・・流量制御器(719)〜(721)・
・・容器 (722)〜(724)・・・加熱器 (731)・・・混合器 (732)・・・主管 (733)・・・反応室 (734)・・・配管加熱器 (736)・・・電力印加電極 (737)・・・電極加熱器 (738)・・・高周波電力用整合器 (739)・・・高周波電源 (740)・・・低周波電力用整合器 (741)・・・低周波電源 (742)・・・ローパスフィルタ (743)・・・直流電源 (744)・・・接続選択スイッチ (745)・・・圧力調節弁 (746)・・・排気系選択弁 (747)・・・拡散ポンプ (74B)・・・油回転ポンプ (749)・・・冷却除外装置 (750)・・・メカニカルブースターポンプ(751
)・・・反応室加熱器。 (752)・・・基板 (753)・・・除外装置
製造用装置の一例を示す。 図中の記号は以下の通りである。 (1)・・・表面保護層 (2)・・・感光層 (3)・・・導電性基板 (701)〜(706)・・・タンク (707)〜(712)・・・調節弁 (713)〜(71B)・・・流量制御器(728)〜
(730)・・・流量制御器(719)〜(721)・
・・容器 (722)〜(724)・・・加熱器 (731)・・・混合器 (732)・・・主管 (733)・・・反応室 (734)・・・配管加熱器 (736)・・・電力印加電極 (737)・・・電極加熱器 (738)・・・高周波電力用整合器 (739)・・・高周波電源 (740)・・・低周波電力用整合器 (741)・・・低周波電源 (742)・・・ローパスフィルタ (743)・・・直流電源 (744)・・・接続選択スイッチ (745)・・・圧力調節弁 (746)・・・排気系選択弁 (747)・・・拡散ポンプ (74B)・・・油回転ポンプ (749)・・・冷却除外装置 (750)・・・メカニカルブースターポンプ(751
)・・・反応室加熱器。 (752)・・・基板 (753)・・・除外装置
Claims (1)
- 1、導電性基板上に光導電層を設けた感光体表面にグロ
ー放電(プラズマ重合)法により生成された非晶質炭化
水素膜(a−C膜)からなり、該非晶質炭化水素膜が酸
処理されている表面保護層を有する感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25596887A JPH0196660A (ja) | 1987-10-08 | 1987-10-08 | 感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25596887A JPH0196660A (ja) | 1987-10-08 | 1987-10-08 | 感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0196660A true JPH0196660A (ja) | 1989-04-14 |
Family
ID=17286074
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25596887A Pending JPH0196660A (ja) | 1987-10-08 | 1987-10-08 | 感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0196660A (ja) |
-
1987
- 1987-10-08 JP JP25596887A patent/JPH0196660A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0196660A (ja) | 感光体 | |
| JPS6373259A (ja) | 感光体 | |
| JPH0192756A (ja) | 感光体 | |
| JPS63220169A (ja) | 感光体とその製造方法 | |
| JPS63220168A (ja) | 感光体とその製造方法 | |
| JP2590971B2 (ja) | 感光体 | |
| JPS63220167A (ja) | 感光体とその製造方法 | |
| JPH01225959A (ja) | 感光体 | |
| US4902595A (en) | Photosensitive member having an overcoat lyer and process for manufacturing the same | |
| JP2556024B2 (ja) | 感光体とその製造方法 | |
| JPS63220165A (ja) | 感光体 | |
| US4891291A (en) | Photosensitive member having an amorphous carbon overcoat layer | |
| JPH026961A (ja) | 感光体 | |
| JPS6397963A (ja) | 感光体とその製造方法 | |
| JP2663465B2 (ja) | 感光体 | |
| JPS63220162A (ja) | 感光体 | |
| JPS6397964A (ja) | 感光体とその製造方法 | |
| JPS63220256A (ja) | 感光体 | |
| JPS63220252A (ja) | 感光体 | |
| JPS6315257A (ja) | 感光体 | |
| JPS63169649A (ja) | 感光体 | |
| JPS6397961A (ja) | 感光体とその製造方法 | |
| JPH025069A (ja) | 感光体 | |
| JPS63220255A (ja) | 感光体 | |
| JPH01138563A (ja) | 感光体 |