JPH0196843A - 高密度情報記録担体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明はレーザー光を用いて情報の記録・再生を行う光
学式記録・再生装置に用いられる高密度情報記録担体に
関するものであり、特に、耐久性に優れたプラスチック
製高密度情報記録担体に関するものであり、さらに、光
磁気特性に優れた光磁気記録・再生用高密度情報記録担
体に関するものである。

従来の技術。

高密度情報記録担体において、現在技術的に最も重要な
点は、プラスチック基板を用いた場合の耐久性、すなわ
ち信頼性の向上である。

すなわち、ガラス基板に比較して種々の利点を有するプ
ラスチック基板上に形成した記録層はプラスチック基板
中に残留する水分やモノマー、あるいはプラスチック基
板を通して侵入する水分等によって劣化を受け、あるい
は変質してしまうという欠点があった。

本発明者は、本出願人による特開昭６０−１７７４４９
号、特開昭６１−２８９５６０号において上記欠点を解
決する方法としてプラスチック基板と記録層との間に無
アルカリガラスの薄膜を設けることを提案した。

この方法は、光ディスクの耐久性を驚異的にのばし、完
全に満足のゆくものであるが、光磁気効果は従来のまま
であるため、実用的なＣ／Ｎ値が得られなかった。

上述の問題を解決するために、本出願人による特開昭６
２−２４４５８号「光磁気ディスク」において、耐久性
を維持させたまま高いＣ／Ｎ値を有する光磁気ディスク
を提供することができることを示した。

つまり、上記、特開昭６２−２４４５８号の特徴は、少
なくとも光磁気記録材層と中間保護層との間にカー効果
エンハンスメント薄膜層を設けてＣ／Ｎ値を大きくした
点にある。上記カー効果エンハンスメント薄膜はＳｉ○
、５ｉ０２、Ａ　Ｉ　２０３、ＡＩＮ、ＺｎＳ。

５ｉＮＳＴｉ、Ｗ、の中から選ばれる少なくとも一つに
よって構成される。

しかし、上記の高密度情報記録担体は、耐久性に関して
、最近の厳しい要求に対しては、満足できるものではな
くなってきた。

発明が解決しようとする問題点 本発明の目的は上述の問題を解決するために上記発明を
さらに発展させ、高いＣ／Ｎ値を維持させたまま、耐久
性を更に向上させた高密度情報記録担体を提供すること
にある。

発明を解決するための手段 本発明の特徴は上記無アルカリガラス保護膜とカー効果
エンハンスメント薄膜層とを併用することによって実用
的耐久性とＣ／　Ｎ値とを同時に満足させた高密度情報
記録担体にある。すなわち、本発明による高密度情報記
録担体は透明プラスチック基板と、この基板上に形成さ
れた無機ガラス薄膜より成る中間保護層と、この中間保
護層上に形成された光磁気記録材層と、必要に応じて設
けられる前記光磁気記録材層上に形成された無機ガラス
薄膜より成る表面保護層とを有する光磁気を用いた高密
度情報記録担体において、上記光磁気記録材層の少なく
とも一方の表面と上記保護層との間にカー効果エンハン
スメント薄膜層が設けられていることを特徴とする。

本発明で用いられる上記透明プラスチック基板と高密度
情報記録層は、本出願人による前記特開昭６０−１７７
４４９号明細書に詳細に説明されているので、ここでは
それを引用し、詳細は省略する。

また、本発明で用いる上記の中間および表面保護層を構
成する無機ガラス薄膜層は本出願人による特開昭６１−
２８９５６０号に記載されたものであり、この無機ガラ
ス薄膜層はアルカリ金属、すなわちＬｌ、Ｎａ、　Ｋ、
　Ｒｂ５Ｃｓをアルカリ金属酸化物に換算して１重量％
以下、好ましくは０．８重量％以下しか含まない無アル
カリガラスで構成されているのとが好ましい。

上記の無アルカリガラス薄膜はプラスチック基板上でア
ルカリ金属成分がアルカリ金属酸化物換算で１重量％以
下、好ましくは０．８重量％以下となるような任意の方
法、例えば、複数の蒸着源から上記無アルカリガラスの
各成分を同時に蒸着させて形成してもよいが工業的には
上記特性の無アルカリガラスを用意し、それを蒸着、ス
パッタリング、イオンブレーティング等の物理蒸着法を
用いてプラスチック基板上へ形成するのが好ましい。

アルカリ金属の量がアルカリ金属酸化物換算で１重量％
を越えると、記録層に亀裂が生じ、ＢＥＲが大きくなる
。この理由は明らかではないが、アルカリ金属プラスチ
ック基板を通って来る水分やモノマーあるいは外気中の
水分と反応して記録層が劣化するのではないかと考えら
れる。このアルカリ金属の壷はアルカリ金属酸化物換算
で０．８重量％以下であることがさらに好ましく、ガラ
スとして性質を損なわれい限り少ない方が好ましい。

しかし、工業的にはアルカリ金属をゼロにするのは困難
であり、１重量％以下であれば実用上問題はない。

なお、上記の無アルカリガラスにはＳｉＯ□のみからな
る、いわゆるケイ酸ガラスは含まれない。

すなわち、耐湿用保護層として従来から８１０２を単独
で蒸着することは周知であるが、このケイ酸ガラス薄膜
では耐湿性はほとんど無い。

上記の無アルカリガラス薄膜の厚さは１００〜２．００
０人が好ましく、１００人未満では保護の役目が不足し
、２．００ＯＡを越えるとレーザーの吸収等の問題が生
じ、また経済的でもない。本発明は、高密度情報記録層
としては、例えばＴｂＦｅＣｏのような希土類−遷移金
属のアモルファス合金よりなる光磁気記録材を用いた光
ディスクに適用するのが特に好ましいが、プラスチック
中のモノマーや水分および／または外部からの水分等に
よって劣化を受ける記録材を用いた他の高密度記録担体
全てに適用可能であることは明らかである。

本発明の特徴は少なくとも光磁気記録材層と上記中間保
護層との間にカー効果エンハンスメント薄膜層を設けて
Ｃ／Ｎ値を大きくした点にある。

なお、前記の表面保護層は必要に応じて設けられるもの
で、２枚の高密度情報記録担体を貼合わせる場合および
／または耐湿式反射層を用いる場合には省略することも
できる。

上記カー効果エンハンスメント薄膜自体は公知であり、
その作用は一般に誘電体層を設けて、その繰り返し反射
により見かけのカー回転角を増加させるもので、一般に
は５ｉＯ１Ａ１２０３、ＡＩＮ。

Ｚｎ５ＳＳｉＮ等が用いられる。これらのカー効果エン
ハンスメント薄膜層は周知の物理蒸着法、例えばスパッ
タリングで形成でき、その膜厚は材料よっても異なるが
、一般には５０〜１５０　ｎ　ｍである。

本発明の特徴は、更に、上記カー効果エンハンスメント
薄膜層が、酸化クロムによって構成されていることであ
る。

上記の酸化クロム薄膜の形成方法は、工業的には酸化ク
ロムを用意して、それを蒸着、スパッタリング、イオン
ブレーティング等の物理蒸着法を用いてプラスチック基
板上に形成するのが好ましい。また、他の形成方法とし
て、金属クロムを酸素雰囲気下で周知の物理蒸着法で形
成することも良好な結果を与える。

その膜厚は５０〜１５０ｎｍ程度がカー効果エンハンス
メント薄膜として良好であり、最適膜厚は、実際には、
実験により決定される。

酸化クロム薄膜層をカー効果エンハンスメント薄膜層に
用いた場合に、高密度情報記録担体媒体の耐久性が従来
の５ｉＯ１ＺｒｉＳＳＳｉＮ等を用いた場合より向上す
る理由は明らかではないが、上記の方法で成膜された酸
化クロム薄膜は緻密であるため、酸化クロムが他の薄膜
（ＳｉＯｌＺｎＳ、ＳｉＮ等）よりも、腐食を引き起こ
す物質に対して゛化学的に安定であるためと考えられる
。つまり、酸化クロム層を設けることにより、酸素、水
分等による記録層の腐食の進行を効果的に抑制できるた
めと思われる。

発明の効果 上述したように、保護膜に無アルカリガラス膜、カー効
果エンハンスメント薄膜に酸化クロム膜を用いることに
より、高いＣ／Ｎ値を維持させたまま、耐久性を更に向
上させた高密度情報記録担体を提供することができる。

以下、実施例を用いて本発明を更に詳細に説明するが、
これにより、本発明が限定されるものではない。

実施例 プラスチック基板として直径が１３０卸で厚さが１．２
ｍ［Ｉｌのアクリル基板（ＰＭＭＡ）とポリカーボネー
ト基板（ＰＣ）とを用意した。これらの基板上にスパッ
タリング装置（日本真空技術■製ＲＦマグネトロンバッ
タリング装置）を用いて表１に示す各組成の無機ガラス
をスパッタリングで、膜厚５００人の薄膜に形成した後
、カー効果エンハンスメント層として酸化クロムをスパ
ッタリングによって９００Ａの薄膜にし、その上にＧｄ
ｏ、　＋２Ｔｂｏ、　１２Ｆｅｏ、　７６の記録層を上
記スパッタリング装置を用いて膜厚１０００人に形成し
、さらに、その上に上記と同じ方法で同じ各無機ガラス
をスパッタリングして膜厚１０００人の薄膜層を形成し
たくサンプルＡ、Ｂ、Ｃ）。

得られた高密度情報記録担体の評価はＣ／Ｎ値（書込み
周波数＝ＩＭｌ（ｚ、分解能帯域幅＝３０に七）と、４
５℃、９０％ＲＨに３０日問および６０日間維持した後
のＣ／Ｎ変化量で判断しその結果を表１に示した。

比較例１ 実施例のカー効果エンハンスメント薄膜として、酸化ク
ロム膜の代わりにＺｎＳをスパッタリング法で形成した
以外は、全て、実施例と同様にして高密度情報記録担体
を作製し評価したくサンプルＤ。

Ｅ、Ｆ）。その結果を表２に示した。

比較例２ 上記実施例の酸化クロム層を形成しない他は上記サンプ
ルＡと全く同じ操作を行ったディスク（サンプルＧ）を
作った。その結果を表２に示した。

表１、表２かられかるように、アルカリ金属（Ｎａ）が
アルカリ金属酸化物（Ｎａ２０）換算で１重量％以下の
場合に、Ｃ／Ｎ変化量が小さくなり且つ本発明のカー効
果エンハンスメント層に酸化クロム層を用いることによ
り、Ｃ／Ｎ値を大きくすることができるということが分
かる。

表　　１

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）透明プラスチック基板と、この基板上に形成され
   た無機ガラス薄膜より成る中間保護層と、この中間保護
   層上に形成された光磁気記録材層と、必要に応じて設け
   られる前記光磁気記録材層上に形成された無機ガラス薄
   膜より成る表面保護層とを有する光磁気を用いた高密度
   情報記録担体において、上記光磁気記録材層の少なくと
   も一方の表面と上記保護層との間にカー効果エンハンス
   メント薄膜層が設けられていることを特徴とする高密度
   情報記録担体。
2. （２）上記無機ガラス薄膜層がアルカリ金属をアルカリ
   金属酸化物換算で１重量％以下しか含まない無アルカリ
   ガラスで構成されていることを特徴とする特許請求の範
   囲第１項に記載の高密度情報記録担体。
3. （３）上記アルカリ金属の量がアルカリ金属酸化物換算
   で０．８重量％以下であることを特徴とする特許請求の
   範囲第２項に記載の高密度情報記録担体。
4. （４）上記カー効果エンハンスメント薄膜層が酸化クロ
   ムによって構成されていることを特徴とする特許請求の
   範囲第１項から第３項いずれか一項に記載の高密度情報
   記録担体。