JPS61289560A - 光デイスク - Google Patents
光デイスクInfo
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- JPS61289560A JPS61289560A JP60132148A JP13214885A JPS61289560A JP S61289560 A JPS61289560 A JP S61289560A JP 60132148 A JP60132148 A JP 60132148A JP 13214885 A JP13214885 A JP 13214885A JP S61289560 A JPS61289560 A JP S61289560A
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- Japan
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- glass
- alkali
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- film layer
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- Pending
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Landscapes
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明はレーザー光を用いて情報の記録・再生を行う光
学式記録・再生装置に用いられる高密度情報記録担体に
関するものであり、特に、耐久性に優れたプラスチック
製高密度情報記録担体に関するものであり、さらに、光
磁気特性に優れた光磁気記録・再生用高密度情報記録担
体に関するものである。
学式記録・再生装置に用いられる高密度情報記録担体に
関するものであり、特に、耐久性に優れたプラスチック
製高密度情報記録担体に関するものであり、さらに、光
磁気特性に優れた光磁気記録・再生用高密度情報記録担
体に関するものである。
(従来技術)
光ディスクにおいて、現在技術的に最も重要な点は、プ
ラスチック基板を用いた場合の耐久性、すなわち信頼性
の向上をいかにして上げるかということである。
ラスチック基板を用いた場合の耐久性、すなわち信頼性
の向上をいかにして上げるかということである。
すなわち、ガラス基板に比較して種々の利点を有するプ
ラスチック基板上に形成した記録層はプラスチック基板
中に残留する水分やモノマー、あるいはプラスチック基
板を通して侵入する水分等によって劣化を受け、あるい
は変質してしまうという欠点があった。
ラスチック基板上に形成した記録層はプラスチック基板
中に残留する水分やモノマー、あるいはプラスチック基
板を通して侵入する水分等によって劣化を受け、あるい
は変質してしまうという欠点があった。
本発明者は、昭和59年2月22日提出の「光学式情報
記録担体」と題する特願昭59−32230号に於て上
記欠点を解決する方法としてプラスチック基板と記録層
との間に無アルカリガラスの薄膜を設けることを提案し
た。
記録担体」と題する特願昭59−32230号に於て上
記欠点を解決する方法としてプラスチック基板と記録層
との間に無アルカリガラスの薄膜を設けることを提案し
た。
この方法は、光ディスクの耐久性を驚異的にのばし、完
全に満足のいくものであるが、本発明者は上記発明をさ
らに発展させ、耐久性を維持させたままBER(ビ・シ
トエラ・+レート)を改良させる条件を見出し、本発明
を完成した。
全に満足のいくものであるが、本発明者は上記発明をさ
らに発展させ、耐久性を維持させたままBER(ビ・シ
トエラ・+レート)を改良させる条件を見出し、本発明
を完成した。
(発明の目的)
本発明の目的は上述した従来の問題を解決するために、
プラスチック基板をガラス様とし、平滑性、硬度、吸湿
変形性、耐湿性を改良して基板に基づく機能膜の劣化を
防止し、長期的に安定で、且つEBRの小さい光学式情
報記録担体を提供することKある。
プラスチック基板をガラス様とし、平滑性、硬度、吸湿
変形性、耐湿性を改良して基板に基づく機能膜の劣化を
防止し、長期的に安定で、且つEBRの小さい光学式情
報記録担体を提供することKある。
本発明の他の目的は上記機能膜として希土類−遷移金属
アモルファス合金を用いた光磁気記録担体において光磁
気特性が大巾に向上した光学式情報記録担体を提供する
ことにある。
アモルファス合金を用いた光磁気記録担体において光磁
気特性が大巾に向上した光学式情報記録担体を提供する
ことにある。
(発明の構成)
本発明は透明プラスチック基板と、この基板上に形成さ
れた無機ガラス薄膜層と、この無機ガラス薄膜層の上に
形成された高密度情報記録層とから成る高密度情報記録
担体において、上記無機ガラス薄膜層がアルカリ金属、
すなわちLi、Na、に、Rb、Csをアルカリ金属酸
化物に換算して1重量%以下、好ましくは0.8重量%
以下しか含まない無アルカリガラスで構成されているこ
とを特徴としている。
れた無機ガラス薄膜層と、この無機ガラス薄膜層の上に
形成された高密度情報記録層とから成る高密度情報記録
担体において、上記無機ガラス薄膜層がアルカリ金属、
すなわちLi、Na、に、Rb、Csをアルカリ金属酸
化物に換算して1重量%以下、好ましくは0.8重量%
以下しか含まない無アルカリガラスで構成されているこ
とを特徴としている。
本発明で用いられる上記透明プラスチック基板と高密度
情報記録層は、本出願人による前記特願昭59−322
30号明細書に詳細に説明されているので、ここではそ
れを引用し、詳細は省略する。
情報記録層は、本出願人による前記特願昭59−322
30号明細書に詳細に説明されているので、ここではそ
れを引用し、詳細は省略する。
本発明の特徴は上記無アルカリガラス中のアルカリ金属
の量がアルカリ金属酸化物換算で1重量%以下、好まし
くは0.8重量%以下である点にある。
の量がアルカリ金属酸化物換算で1重量%以下、好まし
くは0.8重量%以下である点にある。
本発明の無アルカリガラス薄膜は理論的にはプラスチッ
ク基板上でアルカリ金属成分がアルカリ金属酸化物換算
で1重量%以下、好ましくは0.8重量%以下となるよ
うな任意の方法、例えば、複数の蒸着源から上記無アル
カリガラスの各成分を同時に蒸着させて形成してもよい
が工業的には上記特性の無アルカリガラスを用意し、そ
れを蒸着、スパッタリング、イオンブレーティング等の
物理蒸着法を用いてプラスチック基板上へ形成するのが
好ましい。
ク基板上でアルカリ金属成分がアルカリ金属酸化物換算
で1重量%以下、好ましくは0.8重量%以下となるよ
うな任意の方法、例えば、複数の蒸着源から上記無アル
カリガラスの各成分を同時に蒸着させて形成してもよい
が工業的には上記特性の無アルカリガラスを用意し、そ
れを蒸着、スパッタリング、イオンブレーティング等の
物理蒸着法を用いてプラスチック基板上へ形成するのが
好ましい。
アルカリ金属の量がアルカリ金属酸化物換算で1重量%
を超えると、記録層に亀裂が生じ、BERが大きくなる
。この理由は明らかではないが、アルカリ金属がプラス
チック基板を通って来る水分やモノマーあるいは外気中
の水分と反応して記録層を劣化するのではないかと考え
られる。このアルカリ金属の景はアルカリ金属酸化物換
算で08重量%以下であることがさらに好ましく、ガラ
スとして性質を損わない限り少ない方が好ましい。しか
し、工業的にはアルカリ金属をゼロにするのは困難であ
り、1重量%以下であれば実用上問題はない。
を超えると、記録層に亀裂が生じ、BERが大きくなる
。この理由は明らかではないが、アルカリ金属がプラス
チック基板を通って来る水分やモノマーあるいは外気中
の水分と反応して記録層を劣化するのではないかと考え
られる。このアルカリ金属の景はアルカリ金属酸化物換
算で08重量%以下であることがさらに好ましく、ガラ
スとして性質を損わない限り少ない方が好ましい。しか
し、工業的にはアルカリ金属をゼロにするのは困難であ
り、1重量%以下であれば実用上問題はない。
なお、本発明の無アルカリガラスには5iOzのみから
成る、いわゆるケイ酸ガラスは含まれない。すなわち、
耐湿用保護層として従来から5iOzを単独で蒸着する
ことは周知であるが、このケイ酸ガラス薄膜では耐湿性
はほとんど無い。
成る、いわゆるケイ酸ガラスは含まれない。すなわち、
耐湿用保護層として従来から5iOzを単独で蒸着する
ことは周知であるが、このケイ酸ガラス薄膜では耐湿性
はほとんど無い。
本発明の無アルカリガラス薄膜の厚さは100〜2,0
OOAが好ましく、100A未満では保護の役目が不足
し、2,0OOAを超えるとレーザーの吸収等の問題が
生じ、また経済的でもない。
OOAが好ましく、100A未満では保護の役目が不足
し、2,0OOAを超えるとレーザーの吸収等の問題が
生じ、また経済的でもない。
本発明は、高密度情報記録層としては、例えばTb、
Fe、 Coのような希土類−遷移金属のアモルファス
合金よりなる光磁気記録材を用いた光ディスクに適用す
るのが特に好ましいが、プラスチック中のモノマーや水
分および/または外部からの水分等によって劣化を受け
る記録材を用いた他の高密度記録担体全てに適用可能で
あることは明らかである。
Fe、 Coのような希土類−遷移金属のアモルファス
合金よりなる光磁気記録材を用いた光ディスクに適用す
るのが特に好ましいが、プラスチック中のモノマーや水
分および/または外部からの水分等によって劣化を受け
る記録材を用いた他の高密度記録担体全てに適用可能で
あることは明らかである。
なお、本発明の無アルカリガラス薄膜の保護層を記録層
の外側、すなわち基板と反対側にも形成して記録層を外
気から遮断することもできるのは当然である。
の外側、すなわち基板と反対側にも形成して記録層を外
気から遮断することもできるのは当然である。
以下、実施例を用いて本発明を説明する。
(実施例)
プラスチック基板として厚さが1.211mのアクリル
基板(PMMA)とポリカーボネート基板(PC)とを
用意した。これらの基板上にスパッタリング装置(日本
真空技術■製RFマグネトロンバッタリング装置)を用
いて表1に示す各組成の無機ガラスをスパッタリングで
、膜厚500Aの薄膜に形成した後、その上にGd O
,12Tb0.12 Fe0.76 の記録層を上
記スパッタリング装置を用いて膜厚1000Aに形成し
、さらに、その上に上記と同じ方法で同じ各無機ガラス
をスパッタリングして膜厚1000Aの薄膜層を形成し
た。
基板(PMMA)とポリカーボネート基板(PC)とを
用意した。これらの基板上にスパッタリング装置(日本
真空技術■製RFマグネトロンバッタリング装置)を用
いて表1に示す各組成の無機ガラスをスパッタリングで
、膜厚500Aの薄膜に形成した後、その上にGd O
,12Tb0.12 Fe0.76 の記録層を上
記スパッタリング装置を用いて膜厚1000Aに形成し
、さらに、その上に上記と同じ方法で同じ各無機ガラス
をスパッタリングして膜厚1000Aの薄膜層を形成し
た。
得られた光磁気ディスクの評価はディスクを45℃、9
0 PH% に30日間維持した後のEBRとC/N変
化率−===ヨムヨ=ヤエエ=で判断し、その結果を表
1に示した。
0 PH% に30日間維持した後のEBRとC/N変
化率−===ヨムヨ=ヤエエ=で判断し、その結果を表
1に示した。
表1かられかるように、アルカリ金属(Na)がアルカ
リ金属酸化物(NazO)換算で1重量%以下の場合に
EBRが小さくなるということがわかる。
リ金属酸化物(NazO)換算で1重量%以下の場合に
EBRが小さくなるということがわかる。
表1
特許出題人
ダイセル化学工業株式会社
手続補正書
昭和60年7り/デ日
1、事件の表示
昭和60年萄許g呉Y/多ZI41?42、発明の名称
光ディスク
3、補正をする者
事件との関係 特許出願人
住 所 大阪府堺市鉄砲町1番地
名 称(290)ダイセル化学工業株式会社4、補正の
対象 へ−′明細書の発明の詳細
な説明の欄、図面の簡単5、 補正の内容 1)明細書第3頁第17行、第8頁第1行および第6行
目のrEBRJをrBERJに補正する。
対象 へ−′明細書の発明の詳細
な説明の欄、図面の簡単5、 補正の内容 1)明細書第3頁第17行、第8頁第1行および第6行
目のrEBRJをrBERJに補正する。
2)同第6頁第15行目のr Tb、Fe、Co Jを
r TbFeCo Jに補正する。
r TbFeCo Jに補正する。
3)同第7頁第7行目の「実施例」を「実施例1」に補
正する。
正する。
4)同第8頁第6行目の次に以下の実施例2を追加する
。
。
「(実施例2)
実施例1と同じ操作を繰返したが、実施例1の表1のサ
ンプル随Aのガラスの膜厚を250.500.750.
1000 。
ンプル随Aのガラスの膜厚を250.500.750.
1000 。
2000Xに変えてポリカーボネート基板上に形成し念
ものを用いた。この場合の45℃、90RHチに30日
間維持した後の光磁気ディスクの各BERを第1図に示
す。」 5)第9頁の表1の次に下記を追加する。
ものを用いた。この場合の45℃、90RHチに30日
間維持した後の光磁気ディスクの各BERを第1図に示
す。」 5)第9頁の表1の次に下記を追加する。
第1図は実施例2に示されるガラス保
護膜の厚さと45°C,,90RH%、30日経過後の
光磁気ディスクのBEHの関係を示す図。」 6)添付の「第1図」を追加する。
光磁気ディスクのBEHの関係を示す図。」 6)添付の「第1図」を追加する。
Claims (1)
- 1)透明プラスチック基板と、この基板上に形成された
高密度情報記録層と、上記基板と上記記録層との間に設
けられた無機ガラス薄膜層とから成る高密度情報記録担
体において、上記無機ガラス薄膜層がアルカリ金属をア
ルカリ金属酸化物換算で1重量%以下しか含まない無ア
ルカリガラスで構成されていることを特徴とする高密度
情報記
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60132148A JPS61289560A (ja) | 1985-06-18 | 1985-06-18 | 光デイスク |
| EP86108255A EP0210405B1 (en) | 1985-06-18 | 1986-06-18 | High-density information recording carrier |
| DE8686108255T DE3686530T2 (de) | 1985-06-18 | 1986-06-18 | Aufzeichnungstraeger, versehen mit hochdichter information. |
| US07/259,495 US4943957A (en) | 1985-06-18 | 1988-10-17 | High-density information recording carrier |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60132148A JPS61289560A (ja) | 1985-06-18 | 1985-06-18 | 光デイスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61289560A true JPS61289560A (ja) | 1986-12-19 |
Family
ID=15074477
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60132148A Pending JPS61289560A (ja) | 1985-06-18 | 1985-06-18 | 光デイスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61289560A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63153739A (ja) * | 1986-12-17 | 1988-06-27 | Tdk Corp | 光記録媒体 |
| JPH0233747A (ja) * | 1988-07-22 | 1990-02-02 | Tdk Corp | 光磁気記録媒体および光磁気記録方法 |
| JPH0233745A (ja) * | 1988-07-22 | 1990-02-02 | Tdk Corp | 光磁気記録媒体および光磁気記録方法 |
-
1985
- 1985-06-18 JP JP60132148A patent/JPS61289560A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63153739A (ja) * | 1986-12-17 | 1988-06-27 | Tdk Corp | 光記録媒体 |
| JPH0233747A (ja) * | 1988-07-22 | 1990-02-02 | Tdk Corp | 光磁気記録媒体および光磁気記録方法 |
| JPH0233745A (ja) * | 1988-07-22 | 1990-02-02 | Tdk Corp | 光磁気記録媒体および光磁気記録方法 |
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