JPH0197567U - - Google Patents
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- JPH0197567U JPH0197567U JP19431887U JP19431887U JPH0197567U JP H0197567 U JPH0197567 U JP H0197567U JP 19431887 U JP19431887 U JP 19431887U JP 19431887 U JP19431887 U JP 19431887U JP H0197567 U JPH0197567 U JP H0197567U
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- JP
- Japan
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- insulating film
- gate insulating
- field effect
- semiconductor substrate
- semiconductor device
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- Pending
Links
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 3
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- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
Description
第１図は本考案の一実施例を示すＭＯＳトラン
ジスタの断面図、第２図および第３図はそれぞれ
従来公知のＭＯＳトランジスタの平面図およびそ
のＡ―Ａ′断面図である。 １…Ｐ型半導体基板、２…素子間分離用選択酸
化膜、３…ゲート酸化膜、４…ｎ型不純物領域、
５…ゲート電極、６…欠陥密度の高い領域、７…
高耐圧用酸化膜。
ジスタの断面図、第２図および第３図はそれぞれ
従来公知のＭＯＳトランジスタの平面図およびそ
のＡ―Ａ′断面図である。 １…Ｐ型半導体基板、２…素子間分離用選択酸
化膜、３…ゲート酸化膜、４…ｎ型不純物領域、
５…ゲート電極、６…欠陥密度の高い領域、７…
高耐圧用酸化膜。
Claims (1)
- 半導体基板上にソース領域とドレイン領域を形
成し、両領域間の半導体基板上にゲート絶縁膜を
介してゲート電極を形成するＭＩＳ電界効果型半
導体装置において、前記素子間分離用選択酸化膜
と接するゲート絶縁膜の両端部の膜厚が局部的に
それぞれ前記ゲート絶縁膜より厚膜に設定される
ことを特徴とするＭＩＳ電界効果型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19431887U JPH0197567U (ja) | 1987-12-21 | 1987-12-21 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19431887U JPH0197567U (ja) | 1987-12-21 | 1987-12-21 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0197567U true JPH0197567U (ja) | 1989-06-29 |
Family
ID=31485050
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19431887U Pending JPH0197567U (ja) | 1987-12-21 | 1987-12-21 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0197567U (ja) |
-
1987
- 1987-12-21 JP JP19431887U patent/JPH0197567U/ja active Pending