JPH02100743A - 電子機器 - Google Patents
電子機器Info
- Publication number
- JPH02100743A JPH02100743A JP63253351A JP25335188A JPH02100743A JP H02100743 A JPH02100743 A JP H02100743A JP 63253351 A JP63253351 A JP 63253351A JP 25335188 A JP25335188 A JP 25335188A JP H02100743 A JPH02100743 A JP H02100743A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- power
- storage means
- volatile storage
- turned
- power switch
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野1
本発明は、バッテリーによりバックアップされる揮発性
記憶手段を備えた電子機器に関する。
記憶手段を備えた電子機器に関する。
例えば、RAMなどの揮発性記憶手段を有する電子キャ
ッシュレジスタや一般のコンピュータ機器などに利用で
きる。
ッシュレジスタや一般のコンピュータ機器などに利用で
きる。
[従来の技術]
従来、例えばRAMなどの揮発性記憶手段を有する電子
キャッシュレジスタや一般のコンピュータ機器などでは
、その揮発性記憶手段に記憶されたデータが電源オフ時
に消去されないようにバッテリーでバックアップしてい
る。
キャッシュレジスタや一般のコンピュータ機器などでは
、その揮発性記憶手段に記憶されたデータが電源オフ時
に消去されないようにバッテリーでバックアップしてい
る。
[発明が解決しようとする課題]
RAMなどの揮発性記憶手段をバッテリーでバックアッ
プさせる方式では、バックアップ期間に限界があり、長
期間のバックアップには不利である。つまり、長期間バ
ッテリーでバックアップさせていると、そのバックアッ
プ中にバッテリーエラー、例えばバッテリーの電圧レベ
ルが基準レベルより低下したり、または、バッテリー未
接触などの問題が生じからである。
プさせる方式では、バックアップ期間に限界があり、長
期間のバックアップには不利である。つまり、長期間バ
ッテリーでバックアップさせていると、そのバックアッ
プ中にバッテリーエラー、例えばバッテリーの電圧レベ
ルが基準レベルより低下したり、または、バッテリー未
接触などの問題が生じからである。
すると、揮発性記憶手段内に保存されているデータが破
壊されてしまう事態を招く。このような事態が生じると
、データの修復作業には、複雑な手順で行わなければな
らないので、多大な時間と労力が必要であった。
壊されてしまう事態を招く。このような事態が生じると
、データの修復作業には、複雑な手順で行わなければな
らないので、多大な時間と労力が必要であった。
ここに、本発明の目的は、このような従来の課題を解決
すべくなされたもので、データを長期間安定して保護す
ることができる電子機器を提供することにある。
すべくなされたもので、データを長期間安定して保護す
ることができる電子機器を提供することにある。
[課題を解決するための手段]
そのため、本発明では、揮発性記憶手段と、この発揮性
記憶手段をバックアップするバックアップバッテリーと
、不揮発性記憶手段と、前記バ・ンクアップバッテリー
、揮発性記憶手段および不揮発性記憶手段に駆動電源を
供給するとともに、電源オフ信号に基つき電源オフする
パワーコントロール手段を有する電源手段と、電源スイ
ッチと、この電源スイッチがオフされたことを検出する
電源スイッチ検出手段と、この電源スインチ検出手段に
よって電源スイッチかオフされたことが検出された際前
記揮発性記憶手段の内容を前記不揮発性記憶手段にセー
ブした後葭記パワーコントロール手段へ電源オフ信号を
出力する手段と、を具備したことを特徴とする。
記憶手段をバックアップするバックアップバッテリーと
、不揮発性記憶手段と、前記バ・ンクアップバッテリー
、揮発性記憶手段および不揮発性記憶手段に駆動電源を
供給するとともに、電源オフ信号に基つき電源オフする
パワーコントロール手段を有する電源手段と、電源スイ
ッチと、この電源スイッチがオフされたことを検出する
電源スイッチ検出手段と、この電源スインチ検出手段に
よって電源スイッチかオフされたことが検出された際前
記揮発性記憶手段の内容を前記不揮発性記憶手段にセー
ブした後葭記パワーコントロール手段へ電源オフ信号を
出力する手段と、を具備したことを特徴とする。
[作 用]
電源スイッチ検出手段によって電源スイッチがオフされ
たことが検出されると、揮発性記憶手段内の内容は不揮
発性記憶手段にセーブされる。この後、パワーコントロ
ール手段へ電源オフ信号が出力され電源がオフされる。
たことが検出されると、揮発性記憶手段内の内容は不揮
発性記憶手段にセーブされる。この後、パワーコントロ
ール手段へ電源オフ信号が出力され電源がオフされる。
従って、電源スイッチがオフされると、揮発性記憶手段
の内容が不揮発性記憶手段にセーブされた後、電源がオ
フされるため、その揮発性記憶手段の内容を長期間安定
して保護することができる。
の内容が不揮発性記憶手段にセーブされた後、電源がオ
フされるため、その揮発性記憶手段の内容を長期間安定
して保護することができる。
[実施例コ
以下、本発明の一実施例を図面に基づいて説明する。
第1図に本実施例のブロック図を示す、同図において、
CPIJIIには、パスライン12を通じて、DMA
(ダイレクト・メモリ・アクセス)13、揮発性記憶手
段としてのRAM (ランダム・アクセス・メモリ)1
4、フロッピーディスクやハードディスクなど不揮発性
記憶手段としての外部記憶装置15およびROM (リ
ード・オンリ・メモリ)16がそれぞれ接続されている
。
CPIJIIには、パスライン12を通じて、DMA
(ダイレクト・メモリ・アクセス)13、揮発性記憶手
段としてのRAM (ランダム・アクセス・メモリ)1
4、フロッピーディスクやハードディスクなど不揮発性
記憶手段としての外部記憶装置15およびROM (リ
ード・オンリ・メモリ)16がそれぞれ接続されている
。
ここで、RAM14には、システムプログラムの一部が
記憶されている。従って、CPUIIは、ROM16に
記憶されたプログラムおよびRAM14に記憶されたプ
ログラムに従って所定の処理を実行するとともに、第2
図および第3図に示す処理を実行する。なお、第2図お
よび第3図に示す処理については、次の項で詳細に説明
する。
記憶されている。従って、CPUIIは、ROM16に
記憶されたプログラムおよびRAM14に記憶されたプ
ログラムに従って所定の処理を実行するとともに、第2
図および第3図に示す処理を実行する。なお、第2図お
よび第3図に示す処理については、次の項で詳細に説明
する。
また、RAM14は、バックアップバッテリーを含んで
構成されたバッテリーバックアップ回路17によりバッ
クアップされている。バッテリーバックアップ回路17
には、バッテリーの電圧レベルと基準電圧レベルとを比
較し、バッテリーのt庄しベルか基準電圧レベルより低
下したときバッテリーエラー検出信号を前記CPUII
へ出力するバッテリーエラー検出回路18が設けられて
いる。
構成されたバッテリーバックアップ回路17によりバッ
クアップされている。バッテリーバックアップ回路17
には、バッテリーの電圧レベルと基準電圧レベルとを比
較し、バッテリーのt庄しベルか基準電圧レベルより低
下したときバッテリーエラー検出信号を前記CPUII
へ出力するバッテリーエラー検出回路18が設けられて
いる。
21は電源手段としての電源回路である。電源回路21
は、AC人力をDC5Vに変換して前記cputt、D
MA12、RAM1.3、外部記憶装置15、ROM1
6およびパップリーバツクアップ回路17に供給すると
ともに、内部にパワーコントロール回路22を有する。
は、AC人力をDC5Vに変換して前記cputt、D
MA12、RAM1.3、外部記憶装置15、ROM1
6およびパップリーバツクアップ回路17に供給すると
ともに、内部にパワーコントロール回路22を有する。
パワーコントロール回路22は、電源スイッチ23のオ
ン・オフ状態に基づく電源オン・オフ信号を前記CP
LJ ]1に出力するとともに、電源スイッチ23のオ
ン・オフに関係なく電源オン状態を維持し、かつ、CP
UIIからの電源オフ信号に基つき電源をオフする。
ン・オフ状態に基づく電源オン・オフ信号を前記CP
LJ ]1に出力するとともに、電源スイッチ23のオ
ン・オフに関係なく電源オン状態を維持し、かつ、CP
UIIからの電源オフ信号に基つき電源をオフする。
次に、本実施例の作用を第2図および第3図を参照しな
から説明する。
から説明する。
電源オフ時
電源オフ時には、CPUIIは、第2図に示すフローチ
ャートに従って処理を実行する。
ャートに従って処理を実行する。
まず、ステップ(以下、S′rと略す。)1において入
力電圧(電源回路21の出力電圧)をチエツクした後、
Sr1へ進み停電かを判断する。ここで、入力電圧が基
準電圧より低下していれば停電と判断し、S′「5ヘジ
ヤンプし停電処理を行う。
力電圧(電源回路21の出力電圧)をチエツクした後、
Sr1へ進み停電かを判断する。ここで、入力電圧が基
準電圧より低下していれば停電と判断し、S′「5ヘジ
ヤンプし停電処理を行う。
例えば、それまでに実行したプログラム番号などをRA
M14に保存する。続いて、Sr6へ進み電源スイッチ
23がオフかを判断する。つまり、パワーコントロール
回i?822からの電源オン・オフ信号から電源スイッ
チ23かオフかを判断する。
M14に保存する。続いて、Sr6へ進み電源スイッチ
23がオフかを判断する。つまり、パワーコントロール
回i?822からの電源オン・オフ信号から電源スイッ
チ23かオフかを判断する。
電源スイッチ23がオフでなければSTIへ戻り、S’
l’1ST2、S ’f’ 5、Sr6の処理を繰返す
。
l’1ST2、S ’f’ 5、Sr6の処理を繰返す
。
従って、停電の場合には、電源スイッチ23がオフされ
るまで停電処理が繰返される。
るまで停電処理が繰返される。
一方、S T 2の判断において、停電でなければ、S
’r3へ進み電源スイッチ23をチエツクした後、Sr
4へ進み電源スイッチ23がオフかを判断する。電源ス
イッチ23がオフでなければ、通常動作を実行する。従
って、停電でなく、電源スイッチ23がオンであれば、
通常の処理が実行される。
’r3へ進み電源スイッチ23をチエツクした後、Sr
4へ進み電源スイッチ23がオフかを判断する。電源ス
イッチ23がオフでなければ、通常動作を実行する。従
って、停電でなく、電源スイッチ23がオンであれば、
通常の処理が実行される。
さて、S ’f’ 4の判断において、電源スイッチ2
3がオフであれば、ST5/\進み停電処理を行った後
、81′6へ進み電源スイッチ23かオフであるかを判
断する。ここで、電源スイッチ23がオフであれば、S
’r’ 7へ進みRAM14の内容、ここではシステ
ムプログラムのデータを外部記憶装置15にセーブする
。続いて、Sr8の判断において、データセーブの実行
が終了したことを条件として、Sr9へ進み電源オフ信
号をパワーコントロール22へ出力する。これにより、
パワーコントロール回路22がオフされる。従って、電
源スイッチ23がオフされると、RAM14内のデータ
が外部記憶装置15ヘセーブされた後、電源がオフされ
る。
3がオフであれば、ST5/\進み停電処理を行った後
、81′6へ進み電源スイッチ23かオフであるかを判
断する。ここで、電源スイッチ23がオフであれば、S
’r’ 7へ進みRAM14の内容、ここではシステ
ムプログラムのデータを外部記憶装置15にセーブする
。続いて、Sr8の判断において、データセーブの実行
が終了したことを条件として、Sr9へ進み電源オフ信
号をパワーコントロール22へ出力する。これにより、
パワーコントロール回路22がオフされる。従って、電
源スイッチ23がオフされると、RAM14内のデータ
が外部記憶装置15ヘセーブされた後、電源がオフされ
る。
電源オン時
電源オン時には、CPUIIは、第3図に示すフローチ
ャートに従って処理を実行する。
ャートに従って処理を実行する。
まず、5T11においてバッテリーバックアップ回路1
7のバッテリー電圧レベルをチエツクした後、S’l’
12へ進みバッテリーエラーかを判断する。ここで、バ
ッテリー電圧レベルが基準電圧レベルより低下していれ
ばバッテリーエラーと判断し、5T13へ進み外部記憶
装置15に保存されているデータ、つまりシステムプロ
グラムをRAM14内にロードする。一方、バッテリー
電圧レベルが基準電圧レベルより高ければ、そのまま通
常動作を実行する。従って、電源オン時に、バッテリー
電圧レベルが基準電圧レベルより低下していれば、外部
記憶装置15からデータがRAM14内にロードされる
。
7のバッテリー電圧レベルをチエツクした後、S’l’
12へ進みバッテリーエラーかを判断する。ここで、バ
ッテリー電圧レベルが基準電圧レベルより低下していれ
ばバッテリーエラーと判断し、5T13へ進み外部記憶
装置15に保存されているデータ、つまりシステムプロ
グラムをRAM14内にロードする。一方、バッテリー
電圧レベルが基準電圧レベルより高ければ、そのまま通
常動作を実行する。従って、電源オン時に、バッテリー
電圧レベルが基準電圧レベルより低下していれば、外部
記憶装置15からデータがRAM14内にロードされる
。
従って、本実施例によれば、電源スイッチ23がオフさ
れた際、RAM14内のシステムプログラムのデータを
外部記憶装置15にセーブした後、電源をオフするよう
にしたので、そのシステムプログラムのデータを長期間
安定して保護することができる。
れた際、RAM14内のシステムプログラムのデータを
外部記憶装置15にセーブした後、電源をオフするよう
にしたので、そのシステムプログラムのデータを長期間
安定して保護することができる。
また、電源がオンされた際、バッテリー電圧レベルをチ
エツクし、バッテリー電圧レベルが基準電圧レベルより
低下していれば、外部記憶装置15に保存されているデ
ータをRAM14ヘロードするようにしたので、バッテ
リー電圧レベルの低下によってRAM14内のデータが
破壊されたとしても、RAM14内のデータの修復をき
わめて簡単に行うことができる。
エツクし、バッテリー電圧レベルが基準電圧レベルより
低下していれば、外部記憶装置15に保存されているデ
ータをRAM14ヘロードするようにしたので、バッテ
リー電圧レベルの低下によってRAM14内のデータが
破壊されたとしても、RAM14内のデータの修復をき
わめて簡単に行うことができる。
なお、上記実施例では、電源スイッチ23がオフされた
時にRAM14内に記憶されたシステムプログラムのデ
ータを外部記憶装置15ヘセーブし、また、電源オン時
にバッテリーエラーが検出された際外部記憶装置15か
らシステムプログラムのデータをRAM14ヘロードす
るようにしたが、セーブまたはロードするデータとして
はこれに限られるものではない。
時にRAM14内に記憶されたシステムプログラムのデ
ータを外部記憶装置15ヘセーブし、また、電源オン時
にバッテリーエラーが検出された際外部記憶装置15か
らシステムプログラムのデータをRAM14ヘロードす
るようにしたが、セーブまたはロードするデータとして
はこれに限られるものではない。
例えば、電子キャッシュレジスタやPO8端末に適用し
た場合には、RAM内のPLUテーブル(プライス・ル
ック・アップ・テーブル)の内容、つまり各商品ごとに
予め設定された品名、単価、部門データを外部記憶装置
15ヘセーブし、またはこれらのデータを外部記憶装置
15からRAM14にロードするようにしてもよい。
た場合には、RAM内のPLUテーブル(プライス・ル
ック・アップ・テーブル)の内容、つまり各商品ごとに
予め設定された品名、単価、部門データを外部記憶装置
15ヘセーブし、またはこれらのデータを外部記憶装置
15からRAM14にロードするようにしてもよい。
また、」二記実施例では、電源スイッチ検出手段と、電
源スイッチ23がオフされたことか検出された際RAM
14のデータを外部記憶装置15ヘセーブした後にパワ
ーコントロール回路22に電源オフ信号を出力する手段
とをcpuiiで実行するようにしたが、それぞれ別個
に構成するようにしてもよい。さらに、データのセーブ
およびロードもCPUIIが実行するようにしなか、D
MA13で行うようにしてもよい。
源スイッチ23がオフされたことか検出された際RAM
14のデータを外部記憶装置15ヘセーブした後にパワ
ーコントロール回路22に電源オフ信号を出力する手段
とをcpuiiで実行するようにしたが、それぞれ別個
に構成するようにしてもよい。さらに、データのセーブ
およびロードもCPUIIが実行するようにしなか、D
MA13で行うようにしてもよい。
なお、本発明は、上記説明で例示した電子ギャッシュレ
ジスタやPO8端末に限られるものでなく、バッテリー
でバックアップされる揮発性記憶手段を有する電子機器
一般に適用することかできる。
ジスタやPO8端末に限られるものでなく、バッテリー
でバックアップされる揮発性記憶手段を有する電子機器
一般に適用することかできる。
[発明の効果]
以上の通り、本発明によれば、電源スイッチかオフされ
た際、揮発性記憶手段の内容を不揮発性記憶手段にセー
ブした後、電源をオフするようにしたので、データを長
期間安定して保護することかできる。
た際、揮発性記憶手段の内容を不揮発性記憶手段にセー
ブした後、電源をオフするようにしたので、データを長
期間安定して保護することかできる。
第1図は本発明の一実施例を示すブロック図、第2図は
電源オフ時のフローチャート、第3図は電源オン時のフ
ローチャートである。 11・・・CP LJ、 14・・・RAM (揮発性記憶手段)、15・・・外
部記憶装置(不揮発性記憶手段)、17・・・パンテリ
ーバッファラグ回路、21・・・電源回路(電a手段)
、 22・・・パワーコントロール回路、 (パワーコントロール手段) 23・・・電源スイッチ。
電源オフ時のフローチャート、第3図は電源オン時のフ
ローチャートである。 11・・・CP LJ、 14・・・RAM (揮発性記憶手段)、15・・・外
部記憶装置(不揮発性記憶手段)、17・・・パンテリ
ーバッファラグ回路、21・・・電源回路(電a手段)
、 22・・・パワーコントロール回路、 (パワーコントロール手段) 23・・・電源スイッチ。
Claims (1)
- (1)揮発性記憶手段と、 この発揮性記憶手段をバックアップするバックアップバ
ッテリーと、 不揮発性記憶手段と、 前記バックアップバッテリー、揮発性記憶手段および不
揮発性記憶手段に駆動電源を供給するとともに、電源オ
フ信号に基づき電源オフするパワーコントロール手段を
有する電源手段と、 電源スイッチと、 この電源スイッチがオフされたことを検出する電源スイ
ッチ検出手段と、 この電源スイッチ検出手段によって電源スイッチがオフ
されたことが検出された際前記揮発性記憶手段の内容を
前記不揮発性記憶手段にセーブした後前記パワーコント
ロール手段へ電源オフ信号を出力する手段と、 を具備したことを特徴とする電子機器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63253351A JPH02100743A (ja) | 1988-10-07 | 1988-10-07 | 電子機器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63253351A JPH02100743A (ja) | 1988-10-07 | 1988-10-07 | 電子機器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02100743A true JPH02100743A (ja) | 1990-04-12 |
Family
ID=17250123
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63253351A Pending JPH02100743A (ja) | 1988-10-07 | 1988-10-07 | 電子機器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02100743A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0481955A (ja) * | 1990-07-25 | 1992-03-16 | Tokyo Electric Co Ltd | 電子機器のデータ保護装置 |
| US6138059A (en) * | 1998-03-10 | 2000-10-24 | Denso Corporation | Vehicle control system and unit for preventing power supply cutoff during re-programming mode |
| US6182004B1 (en) | 1998-07-03 | 2001-01-30 | Denso Corporation | Apparatus and method for controlling electric power supply in nonvolatile memory rewriting operation |
| US7385845B2 (en) * | 2002-02-08 | 2008-06-10 | Sony Corporation | Composite storage circuit and semiconductor device having the same |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60110058A (ja) * | 1983-11-21 | 1985-06-15 | Hitachi Ltd | メモリ・バツクアツプ方式 |
| JPS6371721A (ja) * | 1986-09-13 | 1988-04-01 | Fujitsu Ltd | Ramデイスクの運用方式 |
-
1988
- 1988-10-07 JP JP63253351A patent/JPH02100743A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60110058A (ja) * | 1983-11-21 | 1985-06-15 | Hitachi Ltd | メモリ・バツクアツプ方式 |
| JPS6371721A (ja) * | 1986-09-13 | 1988-04-01 | Fujitsu Ltd | Ramデイスクの運用方式 |
Cited By (4)
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|---|---|---|---|---|
| JPH0481955A (ja) * | 1990-07-25 | 1992-03-16 | Tokyo Electric Co Ltd | 電子機器のデータ保護装置 |
| US6138059A (en) * | 1998-03-10 | 2000-10-24 | Denso Corporation | Vehicle control system and unit for preventing power supply cutoff during re-programming mode |
| US6182004B1 (en) | 1998-07-03 | 2001-01-30 | Denso Corporation | Apparatus and method for controlling electric power supply in nonvolatile memory rewriting operation |
| US7385845B2 (en) * | 2002-02-08 | 2008-06-10 | Sony Corporation | Composite storage circuit and semiconductor device having the same |
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