JPH02101457A - フォトマスク製造方法 - Google Patents
フォトマスク製造方法Info
- Publication number
- JPH02101457A JPH02101457A JP63254561A JP25456188A JPH02101457A JP H02101457 A JPH02101457 A JP H02101457A JP 63254561 A JP63254561 A JP 63254561A JP 25456188 A JP25456188 A JP 25456188A JP H02101457 A JPH02101457 A JP H02101457A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- photomask
- pattern
- sputtering
- immersed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、回路基板、半導体等の微細パターン形成に用
いるフォトマスクの製造方法に関するものである。
いるフォトマスクの製造方法に関するものである。
従来、フォトリソグラフィ加工に用いられるフォトマス
クは、パターン膜が金属で形成されているハードマスク
が、その耐久性の高さゆえに、広く用いられている。そ
の中でも、クロムマスクが一般的であり、その金属被膜
はスパッタリング法あるいは真空蒸着法で作製されてい
る。
クは、パターン膜が金属で形成されているハードマスク
が、その耐久性の高さゆえに、広く用いられている。そ
の中でも、クロムマスクが一般的であり、その金属被膜
はスパッタリング法あるいは真空蒸着法で作製されてい
る。
しかし、上記のように形成したＣｒの単層膜では、表面
が金属光沢を有するので、特に微細なパターンを形成す
る場合にはハレーションが問題となり、パターンのキレ
が悪くなるという欠点があった。そこでこのＣｒ層の上
にＣｒ２０１層をスパッタリング法、あるいは真空蒸着
法で形成するという方法が一般的に用いられてきた。し
かし、この方法では、Ｃｒ２Ｏ，材料を別途に用意する
必要があり、コスト高になる。また、すでにパタ−ンニ
ングしたＣｒ膜のみのクロムマスクに対しては、反射防
止膜を付与することができないという欠点を有していた
。
が金属光沢を有するので、特に微細なパターンを形成す
る場合にはハレーションが問題となり、パターンのキレ
が悪くなるという欠点があった。そこでこのＣｒ層の上
にＣｒ２０１層をスパッタリング法、あるいは真空蒸着
法で形成するという方法が一般的に用いられてきた。し
かし、この方法では、Ｃｒ２Ｏ，材料を別途に用意する
必要があり、コスト高になる。また、すでにパタ−ンニ
ングしたＣｒ膜のみのクロムマスクに対しては、反射防
止膜を付与することができないという欠点を有していた
。
そこで、本発明は簡易でしかも低コストな方法で、ハレ
ーション防止膜を形成することを目的としている。さら
には、パターンユング後にも、パターン部のみにハレー
ション防止膜を形成することを目的としている。
ーション防止膜を形成することを目的としている。さら
には、パターンユング後にも、パターン部のみにハレー
ション防止膜を形成することを目的としている。
上記問題点を解決するために本発明は、透明基板上にＣ
ｒ膜をスパッタリング法、あるいは蒸着法で形成した後
、フェリシアン化カリウム３０〜１００ｇ／ｊ！と同量
の水酸化カリウム３０−１００ ｇ ／ ｊ！を含む水
溶液に浸漬することによりＣｒ膜の表面を酸化し、黒色
化してハレーション防止膜とするものである。
ｒ膜をスパッタリング法、あるいは蒸着法で形成した後
、フェリシアン化カリウム３０〜１００ｇ／ｊ！と同量
の水酸化カリウム３０−１００ ｇ ／ ｊ！を含む水
溶液に浸漬することによりＣｒ膜の表面を酸化し、黒色
化してハレーション防止膜とするものである。
また、Ｃｒ膜のみのクロムマスクを同一溶液に浸漬して
、パターン部のみ黒色化するものである。
、パターン部のみ黒色化するものである。
上記のように作製したフォトマスクを使用すると、回折
現象によってパターン領域にまわりこんだ光をハレーシ
ョン防止膜が吸収するので、パターンのキレのよいパタ
ーンニングが可能となる。
現象によってパターン領域にまわりこんだ光をハレーシ
ョン防止膜が吸収するので、パターンのキレのよいパタ
ーンニングが可能となる。
以下に本発明を実施例に基づいて詳細に説明する。
〔実施例１〕
ガラス基板にスパッタリング法により、０．１ μｍの
Ｃｒ膜を形成した後、フェリシアン化カリウム７５ｇ、
水酸化カリウム７５ｇを１１の純水に溶かした溶液に４
５秒間浸漬したところ表面の金属光沢は消え黒色化した
。これをブランクスとしてパターンニングしたものをフ
ォトマスクとしてさらに別のブランクスをパターンニン
グしたところ第１図に示すようにパターンの乱れは生じ
なかった。
Ｃｒ膜を形成した後、フェリシアン化カリウム７５ｇ、
水酸化カリウム７５ｇを１１の純水に溶かした溶液に４
５秒間浸漬したところ表面の金属光沢は消え黒色化した
。これをブランクスとしてパターンニングしたものをフ
ォトマスクとしてさらに別のブランクスをパターンニン
グしたところ第１図に示すようにパターンの乱れは生じ
なかった。
〔実施例２〕
ガラス基板上にＣｒ膜をスパッタリングにより形成し、
パターンニングしたフォトマスクを実施例１と同組成の
溶液に４５秒間浸漬したところ表面が黒色化した。この
フォトマスクを用いてバターンニングしたパターンは、
第１図に示すようにパターンの乱れは生じなかった。
パターンニングしたフォトマスクを実施例１と同組成の
溶液に４５秒間浸漬したところ表面が黒色化した。この
フォトマスクを用いてバターンニングしたパターンは、
第１図に示すようにパターンの乱れは生じなかった。
〔比較例１〕
ガラス基板にスパッタリング法により、０．ｌ μｍの
Ｃｒ膜を形成し、フォトリソ加工によりパターンニング
したフォトマスクを、フェリシアン化カリウム１２０ｇ
、水酸化カリウム１２０ ｇを１１の純水に溶かした溶
液に浸漬したところ、約２０秒で黒色化したが一部のパ
ターンにギザツキが生じた。
Ｃｒ膜を形成し、フォトリソ加工によりパターンニング
したフォトマスクを、フェリシアン化カリウム１２０ｇ
、水酸化カリウム１２０ ｇを１１の純水に溶かした溶
液に浸漬したところ、約２０秒で黒色化したが一部のパ
ターンにギザツキが生じた。
〔比較例２〕
ガラス基板にスパッタリング法により形成したＣｒ膜を
フォトリソ加工によりパターンニングしたフォトマスク
を、フェリシアン化カリウム２０ｇ。
フォトリソ加工によりパターンニングしたフォトマスク
を、フェリシアン化カリウム２０ｇ。
水酸化カリウム２０ｇを含む１１の水溶液に浸漬したと
ころ、約１分間で表面が黒色化したがその黒色化の状態
はまばらでいわゆる色ムラの状態となってしまった。さ
らに浸ン百をつづけたところ、均一に黒色化する前にパ
ターンに乱れが生じた。
ころ、約１分間で表面が黒色化したがその黒色化の状態
はまばらでいわゆる色ムラの状態となってしまった。さ
らに浸ン百をつづけたところ、均一に黒色化する前にパ
ターンに乱れが生じた。
〔比較例３〕
ガラス基板上にスパッタリング法により形成したＣｒ膜
をフォトリソ加工によりパターンニングしたフォトマス
クを、フェリシアン化カリウム１００ｇ／ｌ、水酸化カ
リウム３０ｇ／ｌの水溶液に浸漬したところ約１分間で
不均一に黒色化され、その後さらに５分間浸漬をしたが
、不均一さは解消されず、パターンに乱れが生じた。
をフォトリソ加工によりパターンニングしたフォトマス
クを、フェリシアン化カリウム１００ｇ／ｌ、水酸化カ
リウム３０ｇ／ｌの水溶液に浸漬したところ約１分間で
不均一に黒色化され、その後さらに５分間浸漬をしたが
、不均一さは解消されず、パターンに乱れが生じた。
本発明は以上説明したように、湿式の処理によりＣｒ膜
を黒色化できるので、ハレーション防止膜の形成が簡易
にしかも低コスト化がはかれるとともに、Ｃｒ膜のみを
パターンニングしたフォトマスクにもパターン部のみ黒
色化でき、ハレーション防止膜を形成できるという効果
がある。
を黒色化できるので、ハレーション防止膜の形成が簡易
にしかも低コスト化がはかれるとともに、Ｃｒ膜のみを
パターンニングしたフォトマスクにもパターン部のみ黒
色化でき、ハレーション防止膜を形成できるという効果
がある。
第１図は本発明のフォトマスクでパターンニングした場
合のパターンの状態図である。第２図はハレーション現
象が生じたパターンの状態図である。 ｌ ・パターン部 ・ハレーションによるパターンの乱れ 以 上
合のパターンの状態図である。第２図はハレーション現
象が生じたパターンの状態図である。 ｌ ・パターン部 ・ハレーションによるパターンの乱れ 以 上
Claims (2)
- （１）透明基板上にスパッタリングまたは真空蒸着によ
ってＣｒ膜を形成した後、フェリシアン化カリウム３０
〜１００ｇ／ｌと同量の水酸化カリウム３０〜１００ｇ
／ｌを含む水溶液に浸漬した後にフォトリソグラフィ加
工によりパターンニングするフォトマスク製造方法。 - （２）透明基板上にスパッタリングまたは真空蒸着によ
ってＣｒ膜を形成し、フォトリソグラフィ加工によりパ
ターンニングした後、フェリシアン化カリウム３０〜１
００ｇ／ｌと同量の水酸化カリウム３０〜１００ｇ／ｌ
を含む水溶液に浸漬することを特徴とするフォトマスク
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63254561A JPH02101457A (ja) | 1988-10-07 | 1988-10-07 | フォトマスク製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63254561A JPH02101457A (ja) | 1988-10-07 | 1988-10-07 | フォトマスク製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02101457A true JPH02101457A (ja) | 1990-04-13 |
Family
ID=17266760
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63254561A Pending JPH02101457A (ja) | 1988-10-07 | 1988-10-07 | フォトマスク製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02101457A (ja) |
-
1988
- 1988-10-07 JP JP63254561A patent/JPH02101457A/ja active Pending
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