JPH0210349A - パターン形成材料 - Google Patents
パターン形成材料Info
- Publication number
- JPH0210349A JPH0210349A JP63161648A JP16164888A JPH0210349A JP H0210349 A JPH0210349 A JP H0210349A JP 63161648 A JP63161648 A JP 63161648A JP 16164888 A JP16164888 A JP 16164888A JP H0210349 A JPH0210349 A JP H0210349A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- forming material
- group
- pattern forming
- compd
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体製造工程のエキシマレーザや遠紫外線
を用いたリングラフィ工程で主に使用するパターン形成
材料に関する。
を用いたリングラフィ工程で主に使用するパターン形成
材料に関する。
従来の技術
遠紫外線・エキシマレーザを用いたリングラフィはその
短波長性を利用して、高解像度のパターン形成が可能で
ある。ところが、用いるパターン形成材料（レジスト）
の光吸収性が大きいために第２図を用いて、従来のパタ
ーン形成材料を用いたパターン形成方法を説明する。
短波長性を利用して、高解像度のパターン形成が可能で
ある。ところが、用いるパターン形成材料（レジスト）
の光吸収性が大きいために第２図を用いて、従来のパタ
ーン形成材料を用いたパターン形成方法を説明する。
基板１上に従来のパターン形成材料２′であるＭＰ２４
００（シブレイ）を１．０μｍ形成しく第２図ム）、マ
スク３を介して所望のパターン露光４をＫｒＦエキシマ
レーザ・ステッパ（ＨＡ Ｏ，３６）により行う（第２
図Ｂ）。この後、アルカリ現像液であるＭＰ２４０１
２０％水溶液（シブレイ）にて６０秒間の現像を行い、
パターン２′ムを形成した（第２図Ｇ）。得られた０、
４μｍライン・アンド・スペースパターン２′人は２０
に膜減りしたアスペクト比６０’ の不良パターンであ
った。このような不良パターンは以後の半導体製造工程
での歩留まり低下の安置となるために危惧すべき事態で
あった。
００（シブレイ）を１．０μｍ形成しく第２図ム）、マ
スク３を介して所望のパターン露光４をＫｒＦエキシマ
レーザ・ステッパ（ＨＡ Ｏ，３６）により行う（第２
図Ｂ）。この後、アルカリ現像液であるＭＰ２４０１
２０％水溶液（シブレイ）にて６０秒間の現像を行い、
パターン２′ムを形成した（第２図Ｇ）。得られた０、
４μｍライン・アンド・スペースパターン２′人は２０
に膜減りしたアスペクト比６０’ の不良パターンであ
った。このような不良パターンは以後の半導体製造工程
での歩留まり低下の安置となるために危惧すべき事態で
あった。
発明が解決しようとする課題
本発明は、従来のパターン形成材料が有していたパター
ン形状の不良という課題を解決することを目的とする。
ン形状の不良という課題を解決することを目的とする。
課題を解決するだめの手段
本発明は、従来課頂を解決するために、アルカリ溶解性
の異なる樹脂を混合し、ジアゾ基を含む化合物を添加す
ることを特徴とするパターン形成材料を提供する。
の異なる樹脂を混合し、ジアゾ基を含む化合物を添加す
ることを特徴とするパターン形成材料を提供する。
作用
本発明はパターン形成材料は、アルカリ溶解性の異なる
樹脂を混合することにより、ジアゾ基を含む化合物によ
る樹脂のアルカリ溶解阻止性を良好に制御できる。即ち
、アルカリ可溶性の大きい樹脂は露光部のアルカリ溶解
を促進させ、アルカリ可溶性の小さい樹脂は未露光部の
アルカリ溶解を抑制することから、結局、パターン形成
材料としての露光部・未露光部のアルカリ溶解速度差を
増大すせ、パターンのコントラストが向上し、高アスペ
クト比のパターンが形成できる。この効果により、従来
問題のあった光吸収によるパターン劣化は解消される。
樹脂を混合することにより、ジアゾ基を含む化合物によ
る樹脂のアルカリ溶解阻止性を良好に制御できる。即ち
、アルカリ可溶性の大きい樹脂は露光部のアルカリ溶解
を促進させ、アルカリ可溶性の小さい樹脂は未露光部の
アルカリ溶解を抑制することから、結局、パターン形成
材料としての露光部・未露光部のアルカリ溶解速度差を
増大すせ、パターンのコントラストが向上し、高アスペ
クト比のパターンが形成できる。この効果により、従来
問題のあった光吸収によるパターン劣化は解消される。
本発明て係るアルカリ溶解性の異なる樹脂としては、ノ
ボラック（支）脂、ポリビニルフェノール樹１指、ホリ
（スチレン・マレイン酸エステル）ナトからの組み合わ
せが可能である。
ボラック（支）脂、ポリビニルフェノール樹１指、ホリ
（スチレン・マレイン酸エステル）ナトからの組み合わ
せが可能である。
本発明に係るジアゾ基を含む化合物は樹脂のアルカリ溶
解性を阻止するものであれば何れでも良く、たとえば、
ナフトキノンジアジド化合物。
解性を阻止するものであれば何れでも良く、たとえば、
ナフトキノンジアジド化合物。
合物などが挙げられる。
実施例
（その１）
本発明の一実施例のパターン形成材料の組成を以下に示
す。
す。
上記本発明のパターン形成材料を用いたパターン形１戎
方法を第１図を用いて説明する。
方法を第１図を用いて説明する。
半導体等の基板１上に本発明のパターン形成材料２を１
．０μｍ形咬しく第１図ム）、マスク３を介して所望の
パターン露光４をＫｒＦエキシマレーザ・ステッパ（Ｎ
Ａｏ、３６ ）により行う（第１図Ｂ）。
．０μｍ形咬しく第１図ム）、マスク３を介して所望の
パターン露光４をＫｒＦエキシマレーザ・ステッパ（Ｎ
Ａｏ、３６ ）により行う（第１図Ｂ）。
この後、アルカリ現像液ＭＰ２４０１の２ｏに水溶液だ
で６０秒間の現像を行いパターン２人を形成した（第１
図Ｃ）。パターン２人は、膜減りのないアスペクト比８
６°の良好な０．４μｍライン・アンド・スペースパタ
ーンだった。
で６０秒間の現像を行いパターン２人を形成した（第１
図Ｃ）。パターン２人は、膜減りのないアスペクト比８
６°の良好な０．４μｍライン・アンド・スペースパタ
ーンだった。
（その２）
実、怖例その１のパターン形成材料の代わりに以下の組
成のパターン形成材料を用いることによう、エキシマレ
ーザステッパ（ＮＡｏ、３６）’ｔ［いる以外は実施例
その１と同様の実験を行った結果、９ｏ０のアスペクト
比の０．４μｍライン・アンド・スペースパターン２得
た。
成のパターン形成材料を用いることによう、エキシマレ
ーザステッパ（ＮＡｏ、３６）’ｔ［いる以外は実施例
その１と同様の実験を行った結果、９ｏ０のアスペクト
比の０．４μｍライン・アンド・スペースパターン２得
た。
発明の効果
本発明の方法によれば、半導体製造工程における微細パ
ターンの形成が高アスペクト比でかつ高寸法精度で得ら
れることから、半導体素子の歩留まりが向上し工業的価
値が非常に大きい。
ターンの形成が高アスペクト比でかつ高寸法精度で得ら
れることから、半導体素子の歩留まりが向上し工業的価
値が非常に大きい。
第１図Ａ−Ｄは本発明のパターン形成方法の一実施例の
工程断面図、第２図ム〜Ｃは従来のパターン形成方法の
工程断面図である。 １・・・・・・基板、２・・・・・・ネガ型レジスト（
ＲＵ−１１０ｏＮ）、３・・・・・・本発明に係る水溶
性材料の膜、４・・・・・・マスク、５・・・・・・ｊ
線光。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第 図 第 図
工程断面図、第２図ム〜Ｃは従来のパターン形成方法の
工程断面図である。 １・・・・・・基板、２・・・・・・ネガ型レジスト（
ＲＵ−１１０ｏＮ）、３・・・・・・本発明に係る水溶
性材料の膜、４・・・・・・マスク、５・・・・・・ｊ
線光。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第 図 第 図
Claims (3)
- （１）アルカリ溶解性の異なる樹脂を混合し、ジアゾ基
を有する化合物を添加することを特徴とするパターン形
成材料。 - （２）アルカリ溶解性の異なる樹脂が、ポリビニルフェ
ノール、ノボラック樹脂、（スチレン・マレイン酸エス
テル）共重合樹脂のいずれかから選ばれることを特徴と
する特許請求の範囲第１項に記載のパターン形成材料。 - （３）ジアゾ基を有する化合物がナフトキノンジアジド
化合物又はＳＯ＿２Ｃｌ基を有する▲数式、化学式、表
等があります▼結合を含んだ化合物であることを特徴と
する特許請求の範囲第１項に記載のパターン形成材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63161648A JPH0210349A (ja) | 1988-06-29 | 1988-06-29 | パターン形成材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63161648A JPH0210349A (ja) | 1988-06-29 | 1988-06-29 | パターン形成材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0210349A true JPH0210349A (ja) | 1990-01-16 |
Family
ID=15739179
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63161648A Pending JPH0210349A (ja) | 1988-06-29 | 1988-06-29 | パターン形成材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0210349A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7099618B2 (en) | 2002-10-01 | 2006-08-29 | Brother Kogyo Kabushiki Kaisha | Paper discharge tray |
-
1988
- 1988-06-29 JP JP63161648A patent/JPH0210349A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7099618B2 (en) | 2002-10-01 | 2006-08-29 | Brother Kogyo Kabushiki Kaisha | Paper discharge tray |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH03223858A (ja) | パターン形成方法 | |
| JPS61209439A (ja) | 感光性組成物 | |
| JPH0425847A (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物 | |
| JPH0210355A (ja) | パターン形成材料 | |
| JPH0210349A (ja) | パターン形成材料 | |
| JP2615742B2 (ja) | 感光性化合物を用いたレジスト | |
| JPH02118651A (ja) | パターン形成材料 | |
| JPH02118655A (ja) | パターン形成用コンストラストエンハンスト材料 | |
| JPH0210346A (ja) | パターン形成材料 | |
| JPS63253938A (ja) | パタ−ン形成材料 | |
| JPH01106036A (ja) | パターン形成材料 | |
| US5169741A (en) | Method for forming high sensitivity positive patterns employing a material containing a photosensitive compound having a diazo group, an alkaline-soluble polymer, a compound capable of adjusting the pH to 4 or less and a solvent | |
| EP0313993A1 (en) | Pattern forming method | |
| JPH0229754A (ja) | パターン形成方法およびパターン形成材料 | |
| JPH01106037A (ja) | パターン形成材料 | |
| JP2861992B2 (ja) | 新規なレジスト材料 | |
| JPH01106034A (ja) | パターン形成材料 | |
| JPH0299957A (ja) | パターン形成方法 | |
| JPH02106753A (ja) | パターン形成方法 | |
| JPH0227360A (ja) | パターン形成方法 | |
| JPH02106749A (ja) | パターン形成材料 | |
| JPH01140143A (ja) | パターン形成材料 | |
| JPH01540A (ja) | パターン形成方法 | |
| JPS63193139A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| JPH012050A (ja) | パタ−ン形成方法 |