JPH02104651U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH02104651U JPH02104651U JP1214689U JP1214689U JPH02104651U JP H02104651 U JPH02104651 U JP H02104651U JP 1214689 U JP1214689 U JP 1214689U JP 1214689 U JP1214689 U JP 1214689U JP H02104651 U JPH02104651 U JP H02104651U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mis transistor
- mis
- switching elements
- gate
- transistors
- Prior art date
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- Pending
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Landscapes
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Description
第１図は本考案のＭＩＳトランジスタ装置の一
例の要部を破断して示す断面図、第２図ａ及び第
２図ｂはその製造工程の例を説明するための工程
断面図、第３図は本考案のＭＩＳトランジスタ装
置を用いた比較器の一例の回路図、第４図は一般
的な比較器の一例を示す回路図である。 １，２……ＭＯＳトランジスタ、３……シリコ
ン基板、４Ｓ，８Ｓ……ソース領域、４Ｄ，８Ｄ
……ドレイン領域、５……ゲート酸化膜、６……
サイドウオール、７……ゲート電極、９……低濃
度不純物領域。
例の要部を破断して示す断面図、第２図ａ及び第
２図ｂはその製造工程の例を説明するための工程
断面図、第３図は本考案のＭＩＳトランジスタ装
置を用いた比較器の一例の回路図、第４図は一般
的な比較器の一例を示す回路図である。 １，２……ＭＯＳトランジスタ、３……シリコ
ン基板、４Ｓ，８Ｓ……ソース領域、４Ｄ，８Ｄ
……ドレイン領域、５……ゲート酸化膜、６……
サイドウオール、７……ゲート電極、９……低濃
度不純物領域。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 スイツチング素子として用いられるＭＩＳトラ
ンジスタと、スイツチング素子以外の用途のＭＩ
Ｓトランジスタとが混在するＭＩＳトランジスタ
装置において、 スイツチング素子として用いられるＭＩＳトラ
ンジスタのゲートとソース・ドレイン間のオーバ
ーラツプ容量を、スイツチング素子以外の用途の
ＭＩＳトランジスタのゲートとソース・ドレイン
間のオーバーラツプ容量よりも小さくしたことを
特徴とするＭＩＳトランジスタ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1214689U JPH02104651U (ja) | 1989-02-03 | 1989-02-03 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1214689U JPH02104651U (ja) | 1989-02-03 | 1989-02-03 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02104651U true JPH02104651U (ja) | 1990-08-20 |
Family
ID=31221332
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1214689U Pending JPH02104651U (ja) | 1989-02-03 | 1989-02-03 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02104651U (ja) |
-
1989
- 1989-02-03 JP JP1214689U patent/JPH02104651U/ja active Pending