JPH0210511A - 磁気抵抗効果ヘッド - Google Patents
磁気抵抗効果ヘッドInfo
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- JPH0210511A JPH0210511A JP16149588A JP16149588A JPH0210511A JP H0210511 A JPH0210511 A JP H0210511A JP 16149588 A JP16149588 A JP 16149588A JP 16149588 A JP16149588 A JP 16149588A JP H0210511 A JPH0210511 A JP H0210511A
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、磁気ディスク装置、磁気テープ装置等の磁気
記録装置に使用されるシールド型磁気抵抗効果ヘッドに
関する。
記録装置に使用されるシールド型磁気抵抗効果ヘッドに
関する。
磁気抵抗効果型ヘッド（以下、ＭＲヘッドと記す）は、
高い再生感度を有し、かつ、再生出力が磁気記録媒体−
磁気ヘッド間の相対速度に依存しないので、磁気記録装
置の高密度化、小型化に対して有利なデバイスである。
高い再生感度を有し、かつ、再生出力が磁気記録媒体−
磁気ヘッド間の相対速度に依存しないので、磁気記録装
置の高密度化、小型化に対して有利なデバイスである。
ＭＲヘッドにおいては、磁気抵抗効果素子（以下、ＭＲ
素子と記す）は、一般に、磁気記録媒体に対して垂直に
配置され、磁気記録媒体から発生する磁束のうち、磁気
記録媒体に垂直な成分を検出する０分解能を高めたＭＲ
ヘッドの例として、ＭＲ素子の両側に軟磁性体からなる
磁気シールドを配置したシールド型ＭＲヘッドが知られ
ている。
素子と記す）は、一般に、磁気記録媒体に対して垂直に
配置され、磁気記録媒体から発生する磁束のうち、磁気
記録媒体に垂直な成分を検出する０分解能を高めたＭＲ
ヘッドの例として、ＭＲ素子の両側に軟磁性体からなる
磁気シールドを配置したシールド型ＭＲヘッドが知られ
ている。
シールド型ＭＲヘッドにおいては、磁気シールドが、磁
気記録媒体から発する磁束のうち、余分な磁束を吸収し
、低記録密度領域から高記録密度領域に至るまで、ＭＲ
素子が検出する磁束量はほぼ一定になる。よって、ＭＲ
素子により再生される出力電圧は、低記録密度領域から
高記録密度領域に至るまで、振幅が一定となり、波形干
渉の小さく、読み取り誤りのない信号を得ることができ
る。
気記録媒体から発する磁束のうち、余分な磁束を吸収し
、低記録密度領域から高記録密度領域に至るまで、ＭＲ
素子が検出する磁束量はほぼ一定になる。よって、ＭＲ
素子により再生される出力電圧は、低記録密度領域から
高記録密度領域に至るまで、振幅が一定となり、波形干
渉の小さく、読み取り誤りのない信号を得ることができ
る。
磁気シールドを配置してＭＲヘッドの分解能を高める効
果は、磁気シールドをＭＲ素子に近接させるほど大きく
なる。しかし、磁気シールドとＭＲ索子の間隔（以下、
シールド間ギャップと呼ぶ）が小さくなると、電気的絶
縁の観点から信頼性が低下する。
果は、磁気シールドをＭＲ素子に近接させるほど大きく
なる。しかし、磁気シールドとＭＲ索子の間隔（以下、
シールド間ギャップと呼ぶ）が小さくなると、電気的絶
縁の観点から信頼性が低下する。
第６図は磁気シールドを介して短絡事故が生じたシール
ド型ＭＲヘッドの一例を示す斜視図である。
ド型ＭＲヘッドの一例を示す斜視図である。
第６図において、１はＭＲ素子、２は電極、３は下シー
ルド、４は上シールド、５は下シールド間ギャップ、６
は上シールド間ギャップ、７は短絡点である。
ルド、４は上シールド、５は下シールド間ギャップ、６
は上シールド間ギャップ、７は短絡点である。
ＭＲ素子１の厚さは数百オングストローム、電極２の厚
さは抵抗値の増加を押さえるため数千オングストローム
であり、上シールド間ギャップ６を成膜した後、ＭＲ素
子１と電極２の膜厚の差がシールド３の下地上に段差と
なって残る。従って、高分解能を得るために、上シール
ド間ギャップ５を薄くすると、上シールド３と電極２が
電極端の短絡点７で短絡する。このような短絡事故が生
ずると、ＭＲ素子１に供給されるべきセンス電流が、電
極２から短絡点７を介して上シールド３を流れるため、
ＭＲ素子１に電流が供給されなくなり、ＭＲ素子１から
再生信号を得られなくなる。
さは抵抗値の増加を押さえるため数千オングストローム
であり、上シールド間ギャップ６を成膜した後、ＭＲ素
子１と電極２の膜厚の差がシールド３の下地上に段差と
なって残る。従って、高分解能を得るために、上シール
ド間ギャップ５を薄くすると、上シールド３と電極２が
電極端の短絡点７で短絡する。このような短絡事故が生
ずると、ＭＲ素子１に供給されるべきセンス電流が、電
極２から短絡点７を介して上シールド３を流れるため、
ＭＲ素子１に電流が供給されなくなり、ＭＲ素子１から
再生信号を得られなくなる。
本発明の目的は、上記上シールド４と電極２間の短絡事
故が生じない信頼性の高いＭＲヘッドを得ることにある
。
故が生じない信頼性の高いＭＲヘッドを得ることにある
。
本発明によれば、下シールド、下シールド間ギャップ、
電極、磁気抵抗効果素子、上シールド間ギャップ、上シ
ールドが順次積層して形成され、前記電極の側面で前記
磁気抵抗効果素子と前記電極が接続されている磁気抵抗
効果ヘッドにおいて、前記磁気抵抗効果素子と前記上シ
ールド間ギャップの厚さの相が、前記電極の厚さより大
なる磁気抵抗効果ヘッド、および下シールド、下シール
ド間ギャップ、磁気抵抗効果素子、電極、上シールド間
ギャップ、上シールドが順次積層して形成され、トラッ
ク幅に相当する幅だけ前記磁気抵抗効果素子上の前記電
極が除去されている磁気抵抗効果ヘッドにおいて、前記
上シールド間ギャップの厚さが前記電極の厚さより大な
る磁気抵抗効果ヘッドを得ることができる。
電極、磁気抵抗効果素子、上シールド間ギャップ、上シ
ールドが順次積層して形成され、前記電極の側面で前記
磁気抵抗効果素子と前記電極が接続されている磁気抵抗
効果ヘッドにおいて、前記磁気抵抗効果素子と前記上シ
ールド間ギャップの厚さの相が、前記電極の厚さより大
なる磁気抵抗効果ヘッド、および下シールド、下シール
ド間ギャップ、磁気抵抗効果素子、電極、上シールド間
ギャップ、上シールドが順次積層して形成され、トラッ
ク幅に相当する幅だけ前記磁気抵抗効果素子上の前記電
極が除去されている磁気抵抗効果ヘッドにおいて、前記
上シールド間ギャップの厚さが前記電極の厚さより大な
る磁気抵抗効果ヘッドを得ることができる。
また、軟磁性基板を使用し、前記軟磁性基板が下シール
ドを兼ねている磁気抵抗効果型ヘッドにいても、この構
成が適用できる。
ドを兼ねている磁気抵抗効果型ヘッドにいても、この構
成が適用できる。
本発明においては、上シールド間ギャップの厚さをＭＲ
素子厚、電極厚に対して一定以上にすることにより、短
絡事故を生じないシールド型ＭＲヘッドを得るものであ
る。電極により生ずる段差よりも上シールド間ギャップ
を厚くすれば、電極が上シールド間ギャップにより完全
に覆われ、上シールドと電極の短絡事故が生じない。
素子厚、電極厚に対して一定以上にすることにより、短
絡事故を生じないシールド型ＭＲヘッドを得るものであ
る。電極により生ずる段差よりも上シールド間ギャップ
を厚くすれば、電極が上シールド間ギャップにより完全
に覆われ、上シールドと電極の短絡事故が生じない。
第５図（ａ）〜（Ｃ）はＭＲ素子に対する電極接続方法
により発生する段差を示す断面図である。
により発生する段差を示す断面図である。
第５図（ａ）は、電極２の側面で電極２とＭＲ素子１を
接続する場合を示している。この場合には、電極２によ
って生ずる段差は、ＭＲ素子１の厚さだけ軽減される。
接続する場合を示している。この場合には、電極２によ
って生ずる段差は、ＭＲ素子１の厚さだけ軽減される。
第５図（ｂ）は、ＭＲ素子１と電極２を連続して成膜し
、ＭＲ素子１の検出領域のみ電極２を除去する場合を示
している。この場合には、電極の厚さが段差となる。
、ＭＲ素子１の検出領域のみ電極２を除去する場合を示
している。この場合には、電極の厚さが段差となる。
第５図（ｃ）は、ＭＲ素子１と電ｆ！２を一部重ねて接
続する場合を示している。
続する場合を示している。
第５図（ｂ）および（Ｃ）の場合には、電極２の厚さが
段差となる。従って、それぞれの電極接続方法において
生ずる段差より上シールド間ギャップを厚くすることに
より、短絡事故は防止される。
段差となる。従って、それぞれの電極接続方法において
生ずる段差より上シールド間ギャップを厚くすることに
より、短絡事故は防止される。
第１図は本発明の第１の実施例を示す斜視図である。
まず、セラミックの非磁性基板上に厚さ１μｍのパーマ
ロイを用いた下シールド３が形成される。この下シール
ド３は、５ｉ０２膜のエッチバック法により平坦化され
る。その上に、厚さ０．４μｍの５ｉ０２膜を用いた下
シールド間ギャップ５が、スパッタリング法により成膜
される。さらに、厚さ０．３μｍのＡｕを用いた電極２
が蒸着法により成膜され、フォトリソグラフィー技術お
よびイオンエツチング技術を用いてパターン化される。
ロイを用いた下シールド３が形成される。この下シール
ド３は、５ｉ０２膜のエッチバック法により平坦化され
る。その上に、厚さ０．４μｍの５ｉ０２膜を用いた下
シールド間ギャップ５が、スパッタリング法により成膜
される。さらに、厚さ０．３μｍのＡｕを用いた電極２
が蒸着法により成膜され、フォトリソグラフィー技術お
よびイオンエツチング技術を用いてパターン化される。
その上に、厚さ０．０４μｍのパーマロイ膜、および厚
さ０．１μｍのＴｉ膜が積層されたＭＲ素子１が、リフ
トオフ法を用いて、電極２に挟まれた領域のみに蒸着法
により成膜される。Ｔｉ膜は、膜中を流れるシャント電
流によりパーマロイ膜にバイアス磁界を発生し、パーマ
ロイ膜の磁気抵抗効果が検出される。尚、第１図におい
て、図の繁雑さを避けるため、ＭＲ素子１中のパーマロ
イ膜とＴｉ膜は、分けて図示していない。次に、厚さ０
．２μｍの５ｉ０２膜を用いた上シールドギャップ６が
スパッタリング法により成膜され、その上に、厚さ１μ
ｍのパーマロイを用いた上シールド４がスパッタリング
法により成膜され、フォトリソグラフィー技術およびイ
オンエツチング技術により矩形上のパターンが形成され
る。
さ０．１μｍのＴｉ膜が積層されたＭＲ素子１が、リフ
トオフ法を用いて、電極２に挟まれた領域のみに蒸着法
により成膜される。Ｔｉ膜は、膜中を流れるシャント電
流によりパーマロイ膜にバイアス磁界を発生し、パーマ
ロイ膜の磁気抵抗効果が検出される。尚、第１図におい
て、図の繁雑さを避けるため、ＭＲ素子１中のパーマロ
イ膜とＴｉ膜は、分けて図示していない。次に、厚さ０
．２μｍの５ｉ０２膜を用いた上シールドギャップ６が
スパッタリング法により成膜され、その上に、厚さ１μ
ｍのパーマロイを用いた上シールド４がスパッタリング
法により成膜され、フォトリソグラフィー技術およびイ
オンエツチング技術により矩形上のパターンが形成され
る。
以上のようにして形成されたシールド型ＭＲヘッドにお
いては、電極２の厚さ（０，３μｍ）からＭＲ素子１の
厚さ（０，１４μｍ）を引いた段差（０，１６μｍ）に
対して、上シールド間ギャップ６の厚さ（０，２μｍ）
の方が大きい。このようなシールド型ＭＲヘッドにおい
ては、上シールド４と電極２間の短絡事故が発生しない
。従って、信頼性の高いＭＲヘッドを得ることができる
。
いては、電極２の厚さ（０，３μｍ）からＭＲ素子１の
厚さ（０，１４μｍ）を引いた段差（０，１６μｍ）に
対して、上シールド間ギャップ６の厚さ（０，２μｍ）
の方が大きい。このようなシールド型ＭＲヘッドにおい
ては、上シールド４と電極２間の短絡事故が発生しない
。従って、信頼性の高いＭＲヘッドを得ることができる
。
第２図は本発明の第２の実施例を示す斜視図である。
セラミック基板上に、厚さ１μｍのパーマロイを用いた
下シールド３が、スパッタリング法により成膜される。
下シールド３が、スパッタリング法により成膜される。
さらに、厚さ０．０４μｍのパーマロイ膜、厚さ０．０
２μｍのＴｉ膜、および厚さ０．０４．ｃｚ ｍのＣｏ
ＺｒＭｏ膜が積層されたＭＲ素子１がスパッタリング法
により成膜される。ＣｏＺｒＭｏ膜は、パーマロイ膜と
磁気的に結合してバイアスを与え、パーマロイ膜の磁気
抵抗効果が検出される。Ｔｉ膜は、パーマロイ膜とＣｏ
ＺｒＭｏ膜を磁気的に分離する。
２μｍのＴｉ膜、および厚さ０．０４．ｃｚ ｍのＣｏ
ＺｒＭｏ膜が積層されたＭＲ素子１がスパッタリング法
により成膜される。ＣｏＺｒＭｏ膜は、パーマロイ膜と
磁気的に結合してバイアスを与え、パーマロイ膜の磁気
抵抗効果が検出される。Ｔｉ膜は、パーマロイ膜とＣｏ
ＺｒＭｏ膜を磁気的に分離する。
尚、第２図において、ＭＲ素子１中のパーマロイ膜、Ｔ
ｉ膜、およびＣｏＺｒＭｏ膜は、図の繁雑さを避けるた
め、分けて表示していない。その上に、厚さ０．２μｍ
のＡｕを用いた電極２が蒸着法により成膜され、フォト
リソグラフィー技術とイオンエツチング技術を用いてＭ
Ｒ素子１と電極２が同時にパターン化される。次に、Ｍ
Ｒ素子１の検出部分のみ、電極２が化学エツチングによ
り除去される。
ｉ膜、およびＣｏＺｒＭｏ膜は、図の繁雑さを避けるた
め、分けて表示していない。その上に、厚さ０．２μｍ
のＡｕを用いた電極２が蒸着法により成膜され、フォト
リソグラフィー技術とイオンエツチング技術を用いてＭ
Ｒ素子１と電極２が同時にパターン化される。次に、Ｍ
Ｒ素子１の検出部分のみ、電極２が化学エツチングによ
り除去される。
さらに、厚さ０．３μｍの５ｉ０２膜を用いた上シール
ド間ギャップ６がスパッタリング法により成膜され、そ
の上に、厚さ１μｍのパーマロイを用いた上シールド４
がスパッタリング法により成膜され、フォトリソグラフ
ィー技術とイオンエツチング技術を用いて矩形上のパタ
ーンに形成される。
ド間ギャップ６がスパッタリング法により成膜され、そ
の上に、厚さ１μｍのパーマロイを用いた上シールド４
がスパッタリング法により成膜され、フォトリソグラフ
ィー技術とイオンエツチング技術を用いて矩形上のパタ
ーンに形成される。
以上のようにして形成されたシールド型ＭＲヘッドにお
いて、電極２の厚さ（０，２μｍ）より上シールド間ギ
ャップ６の厚さ（０，３μｍ）が大きいので、上シール
ド４と電極２の短絡事故が発生しない。従って、信頼性
の高いＭＲヘッドを得ることができる。
いて、電極２の厚さ（０，２μｍ）より上シールド間ギ
ャップ６の厚さ（０，３μｍ）が大きいので、上シール
ド４と電極２の短絡事故が発生しない。従って、信頼性
の高いＭＲヘッドを得ることができる。
第３図は本発明の第３の実施例を示す斜視図である。
セラミック基板上に、厚さ１μｍのパーマロイを用いた
下シールド３が、スパッタリング法により成膜される。
下シールド３が、スパッタリング法により成膜される。
さらに、厚さ０．０４μｍのパーマロイ膜、厚さ０．０
２μｍのＴｉ膜、および厚さ０．０４．ｃｚ ｍＣｏＺ
ｒＭｏ膜が積層されたＭＲ素子１がスパッタリング法に
より成膜される。ＣｏＺｒＭｏ膜は、パーマロイ膜と磁
気的に結合してバイアスを与え、パーマロイ膜の磁気抵
抗効果が検出される。Ｔｉ膜は、パーマロイ膜とＣｏＺ
ｒＭｏ膜を磁気的に分離する。尚、第３図において、Ｍ
Ｒ素子１中のパーマロイ膜、Ｔｉ膜、およびＣｏ２ｒＭ
ｏ膜は、図の繁雑さを避けるため、分けて表示していな
い。ＭＲ素子１は、フォトリソグラフィー技術およびイ
オンエツチング技術を用いて矩形状のパターンに形成さ
れる。その上に、厚さ０．２μｍの八〇を用いた電極２
が蒸着法により成膜され、フォトリソグラフィー技術と
化学エツチング技術を用いてＭＲ素子１と電極２が一部
重なるようにしてパターン化される。さらに、厚さ０．
３μｍの５ｉ０２膜を用いた上シールド間ギャップ６が
スパッタリング法により成膜され、その上に、厚さ１μ
ｍのパーマロイを用いた上シールド４がスパッタリング
法により成膜され、フォトリソグラフィー技術とイオン
エツチング技術を用いて矩形上のパターンに形成される
。
２μｍのＴｉ膜、および厚さ０．０４．ｃｚ ｍＣｏＺ
ｒＭｏ膜が積層されたＭＲ素子１がスパッタリング法に
より成膜される。ＣｏＺｒＭｏ膜は、パーマロイ膜と磁
気的に結合してバイアスを与え、パーマロイ膜の磁気抵
抗効果が検出される。Ｔｉ膜は、パーマロイ膜とＣｏＺ
ｒＭｏ膜を磁気的に分離する。尚、第３図において、Ｍ
Ｒ素子１中のパーマロイ膜、Ｔｉ膜、およびＣｏ２ｒＭ
ｏ膜は、図の繁雑さを避けるため、分けて表示していな
い。ＭＲ素子１は、フォトリソグラフィー技術およびイ
オンエツチング技術を用いて矩形状のパターンに形成さ
れる。その上に、厚さ０．２μｍの八〇を用いた電極２
が蒸着法により成膜され、フォトリソグラフィー技術と
化学エツチング技術を用いてＭＲ素子１と電極２が一部
重なるようにしてパターン化される。さらに、厚さ０．
３μｍの５ｉ０２膜を用いた上シールド間ギャップ６が
スパッタリング法により成膜され、その上に、厚さ１μ
ｍのパーマロイを用いた上シールド４がスパッタリング
法により成膜され、フォトリソグラフィー技術とイオン
エツチング技術を用いて矩形上のパターンに形成される
。
以上のようにして形成されたシールド型ＭＲヘッドにお
いて、上シールド４の下地には、電極２およびＭＲ素子
１の厚さにより最大０，２ミクロンの段差が生ずる。し
かし、この段差より上シールド間ギャップ６の厚さ（０
，３ミクロン）が大きいので、上シールド４と電極２の
短絡事故が発生しない。従って、信頼性の高いＭＲヘッ
ドを得ることができる。
いて、上シールド４の下地には、電極２およびＭＲ素子
１の厚さにより最大０，２ミクロンの段差が生ずる。し
かし、この段差より上シールド間ギャップ６の厚さ（０
，３ミクロン）が大きいので、上シールド４と電極２の
短絡事故が発生しない。従って、信頼性の高いＭＲヘッ
ドを得ることができる。
第４図は本発明の第４の実施例を示す斜視図である。
この実施例においては、基板として軟磁性フェライト基
板８が用いられ、下シールドがないことを除いて、第１
の実施例と同じ構成である。また、軟磁性フェライト基
板８が下シールドを兼ねており、下シールドの平坦化処
理は不要である。
板８が用いられ、下シールドがないことを除いて、第１
の実施例と同じ構成である。また、軟磁性フェライト基
板８が下シールドを兼ねており、下シールドの平坦化処
理は不要である。
第４の実施例においても、電極２により生ずる段差より
、上シールドギャップ６の厚さが大きいので、上シール
ド４と電極２の短絡事故は起らない。従って、信頼性の
高いシールド型ＭＲヘッドを得ることができる。
、上シールドギャップ６の厚さが大きいので、上シール
ド４と電極２の短絡事故は起らない。従って、信頼性の
高いシールド型ＭＲヘッドを得ることができる。
また、同様に、第２および第３の実施例においても、基
板として軟磁性フェライト基板を用い、下シールドを兼
ねる場合においても、本発明が適用されることは言うま
でもない。
板として軟磁性フェライト基板を用い、下シールドを兼
ねる場合においても、本発明が適用されることは言うま
でもない。
以上のように、本発明による磁気抵抗効果型ヘッドにお
いては、電極と上シールド間の短絡事故が発生しないの
で、信頼性の高い磁気抵抗効果型ヘッドを得ることがで
きる。
いては、電極と上シールド間の短絡事故が発生しないの
で、信頼性の高い磁気抵抗効果型ヘッドを得ることがで
きる。
第１図は本発明の第１の実施例の磁気抵抗効果型ヘッド
を示す斜視図、第２図は本発明の第２の実施例の磁気抵
抗効果型ヘッドを示す斜視図、第３図は本発明の第３の
実施例の磁気抵抗効果型ヘッドを示す斜視図、第４図は
本発明の第４の実施例の磁気抵抗効果型ヘッドを示す斜
視図、第５図＜ａ）〜（Ｃ）は本発明の詳細な説明する
ための断面図、第６図は従来の磁気抵抗効果型ヘッドの
一例を示す斜視図である。 １・・・ＭＲ素子、２・・・電極、３・・・下シールド
、４・・・上シールド、５・・・下シールド間ギャップ
、６・・・上シールド間ギャップ、７・・・短絡点、８
・・・軟磁性フェライト基板。
を示す斜視図、第２図は本発明の第２の実施例の磁気抵
抗効果型ヘッドを示す斜視図、第３図は本発明の第３の
実施例の磁気抵抗効果型ヘッドを示す斜視図、第４図は
本発明の第４の実施例の磁気抵抗効果型ヘッドを示す斜
視図、第５図＜ａ）〜（Ｃ）は本発明の詳細な説明する
ための断面図、第６図は従来の磁気抵抗効果型ヘッドの
一例を示す斜視図である。 １・・・ＭＲ素子、２・・・電極、３・・・下シールド
、４・・・上シールド、５・・・下シールド間ギャップ
、６・・・上シールド間ギャップ、７・・・短絡点、８
・・・軟磁性フェライト基板。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、下シールド、下シールド間ギャップ、電極、磁気抵
抗効果素子、上シールド間ギャップ、上シールドが順次
積層して形成され、前記電極の側面で前記磁気抵抗効果
素子と前記電極が接続されている磁気抵抗効果ヘッドに
おいて、前記磁気抵抗効果素子と前記上シールド間ギャ
ップの厚さの和が、前記電極の厚さより大なることを特
徴とする磁気抵抗効果ヘッド。 ２、下シールド、下シールド間ギャップ、磁気抵抗効果
素子、電極、上シールド間ギャップ、上シールドが順次
積層して形成され、トラック幅に相当する幅だけ前記磁
気抵抗効果素子上の前記電極が除去されている磁気抵抗
効果ヘッドにおいて、前記上シールド間ギャップの厚さ
が前記電極の厚さより大なることを特徴とする磁気抵抗
効果ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63161495A JP2845450B2 (ja) | 1988-06-28 | 1988-06-28 | 磁気抵抗効果ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63161495A JP2845450B2 (ja) | 1988-06-28 | 1988-06-28 | 磁気抵抗効果ヘッド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0210511A true JPH0210511A (ja) | 1990-01-16 |
| JP2845450B2 JP2845450B2 (ja) | 1999-01-13 |
Family
ID=15736156
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63161495A Expired - Lifetime JP2845450B2 (ja) | 1988-06-28 | 1988-06-28 | 磁気抵抗効果ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2845450B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5555147A (en) * | 1992-04-20 | 1996-09-10 | Nec Corporation | MR/inductive combined thin film magnetic head capable of reducing occurrence of a short circuit |
| EP0756269A3 (en) * | 1995-07-28 | 1998-01-07 | Read-Rite Corporation | Variable gap magnetoresistive transducer and method of making the same |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5987616A (ja) * | 1982-11-09 | 1984-05-21 | Sharp Corp | 薄膜磁気ヘツド |
-
1988
- 1988-06-28 JP JP63161495A patent/JP2845450B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5987616A (ja) * | 1982-11-09 | 1984-05-21 | Sharp Corp | 薄膜磁気ヘツド |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5555147A (en) * | 1992-04-20 | 1996-09-10 | Nec Corporation | MR/inductive combined thin film magnetic head capable of reducing occurrence of a short circuit |
| EP0756269A3 (en) * | 1995-07-28 | 1998-01-07 | Read-Rite Corporation | Variable gap magnetoresistive transducer and method of making the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2845450B2 (ja) | 1999-01-13 |
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