JPH02105153A - ホトマスク修正方法 - Google Patents
ホトマスク修正方法Info
- Publication number
- JPH02105153A JPH02105153A JP63257336A JP25733688A JPH02105153A JP H02105153 A JPH02105153 A JP H02105153A JP 63257336 A JP63257336 A JP 63257336A JP 25733688 A JP25733688 A JP 25733688A JP H02105153 A JPH02105153 A JP H02105153A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electron beam
- photomask
- patterns
- resist film
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、半導体集積回路の生産工程に用いられるホト
マスク修正方法に関し、さらに具体的に述べれば、クロ
ムパターンの所定パターン以外のクロム膜を除去するホ
トマスク修正方法に関するものである。
マスク修正方法に関し、さらに具体的に述べれば、クロ
ムパターンの所定パターン以外のクロム膜を除去するホ
トマスク修正方法に関するものである。
（従来の技術）
高密度、高精度のホトマスクの製造過程で生じる欠陥に
は、所要のクロムパターン部分が消失する欠陥と、残っ
てはいけないクロム膜が残ってしまう欠陥（以ド黒欠陥
という）とがある。従来、黒欠陥の修正には、矩形のレ
ーザ光線を黒欠陥の部分に照射して不要なりロム膜を蒸
発させ、除去する方法が用いられてきた。
は、所要のクロムパターン部分が消失する欠陥と、残っ
てはいけないクロム膜が残ってしまう欠陥（以ド黒欠陥
という）とがある。従来、黒欠陥の修正には、矩形のレ
ーザ光線を黒欠陥の部分に照射して不要なりロム膜を蒸
発させ、除去する方法が用いられてきた。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら、上記修正方法は、修正部分のパターン精
度が悪くなるため、高精度のホトマスク修正には適用で
きないという問題があった。本発明は上記の問題を解決
するもので、既存の装置を用いた高精度のホトマスク修
正方法を提供するものである。
度が悪くなるため、高精度のホトマスク修正には適用で
きないという問題があった。本発明は上記の問題を解決
するもので、既存の装置を用いた高精度のホトマスク修
正方法を提供するものである。
（課題を解決するための手段）
上記の課題を解決するため、本発明は、島状に薄膜パタ
ーンが形成されたホトマスク上に導電性電子ビームレジ
ストを塗布し、電子ビームで黒欠陥を有する所定部を露
光した後、現像、エツチングを行うことにより、黒欠陥
のクロム膜を除去するものである。
ーンが形成されたホトマスク上に導電性電子ビームレジ
ストを塗布し、電子ビームで黒欠陥を有する所定部を露
光した後、現像、エツチングを行うことにより、黒欠陥
のクロム膜を除去するものである。
（作 用）
上記の構成により、導電性電子ビームレジストを通じて
、電子ビーム露光中に、ホトマスク上に蓄積される電荷
を逃がすことができるので、歪みのない正確なパターン
が描け、レーザ光照射に比へで高精度な黒欠陥の修正が
可能となる。
、電子ビーム露光中に、ホトマスク上に蓄積される電荷
を逃がすことができるので、歪みのない正確なパターン
が描け、レーザ光照射に比へで高精度な黒欠陥の修正が
可能となる。
（実施例）
本発明の一実施例について、第１図および第２図により
説明する。第１図（ａ）ないしくｄ）は本発明によるホ
トマスク修正方法の修正過程を示す断面図である。
説明する。第１図（ａ）ないしくｄ）は本発明によるホ
トマスク修正方法の修正過程を示す断面図である。
第１図（ａ）において、まず、マスク基板１の表面には
、黒欠陥部を有するクロムパターンの９０２１層２が形
成されている。上記のマスク基板１の表面に、導電性電
子ビームレジスト膜；３を形成した後、マスクホルダ４
に取り付け、電子ビーム５を図中の矢印のように照射す
る。なお、本実施例では、導電性電子ビームレジストと
してＡＭＳ Ｓ（ポリスチレンスルホン酸）を用い、膜
厚を１戸の被膜を形成し、電子ビームによる露光量は１
５０μｃ ／ ｃＡであった。この時、クロムパターン
および黒欠陥部は、既に島状に分離されているので。
、黒欠陥部を有するクロムパターンの９０２１層２が形
成されている。上記のマスク基板１の表面に、導電性電
子ビームレジスト膜；３を形成した後、マスクホルダ４
に取り付け、電子ビーム５を図中の矢印のように照射す
る。なお、本実施例では、導電性電子ビームレジストと
してＡＭＳ Ｓ（ポリスチレンスルホン酸）を用い、膜
厚を１戸の被膜を形成し、電子ビームによる露光量は１
５０μｃ ／ ｃＡであった。この時、クロムパターン
および黒欠陥部は、既に島状に分離されているので。
通常の電子ビームレジストを用いると、電子ビーム露光
中に電荷が蓄積し、パターンが歪んだり描画位置がずれ
たりするが、導電性電子ビームレジストを用いれば、導
電性電子ビームレジストを通して、１１ｉ荷が逃げるの
で、パターンの歪みや描画位置のずれは生じない。
中に電荷が蓄積し、パターンが歪んだり描画位置がずれ
たりするが、導電性電子ビームレジストを用いれば、導
電性電子ビームレジストを通して、１１ｉ荷が逃げるの
で、パターンの歪みや描画位置のずれは生じない。
次に、マスク基板１を現像すると第１図（ｂ）の状態と
なり、さらに下のクロム層２をエツチングすると第１図
（ｃ）となる。次に導電性電子ビームレジスト膜３を除
去すると第１図（ｄ）のホトマスクが得られる。
なり、さらに下のクロム層２をエツチングすると第１図
（ｃ）となる。次に導電性電子ビームレジスト膜３を除
去すると第１図（ｄ）のホトマスクが得られる。
第２図（ａ）および（ｂ）は、本発明により黒欠陥を修
正したパターン寸法精度および従来のレーザ光により黒
欠陥を修正したパターン寸法精度をそれぞれ示す。これ
らは、共に４μｍのパターンの寸法をル１す定したもの
で、これらの分布図から判るように本発明によるホトマ
スク修正方法、ばらつきは、従来例より小さく高精度の
パターン修正が可能であることを示している。
正したパターン寸法精度および従来のレーザ光により黒
欠陥を修正したパターン寸法精度をそれぞれ示す。これ
らは、共に４μｍのパターンの寸法をル１す定したもの
で、これらの分布図から判るように本発明によるホトマ
スク修正方法、ばらつきは、従来例より小さく高精度の
パターン修正が可能であることを示している。
（発明の効果）
以上説明したように本発明によれば、従来のレーザ光に
よるホトマスク修正方法に較べて、高精度のパターン修
正が可能である。
よるホトマスク修正方法に較べて、高精度のパターン修
正が可能である。
第１図（ａ）、 （ｂ）、 （ｃ）および（ｄ）はそれ
ぞれ本発明によるホトマスク修正方法の修正過程を示す
断面図で、（、）図は電子ビーム露光時、（ｂ）図は現
像後、（Ｃ）図はクロムエツチング後、（ｄ）図は完成
時の断面図、第２図（ａ）および（ｂ）は本発明による
ホトマスク修正方法および従来のホトマスク修正方法を
それぞれ用いて修正したパターンの寸法分布図である。 １ ・・・マスク基板、 ２・・・クロム層、３ ・・
・導電性電子ビームレジスト膜、４ ・・・マスクホル
ダ、 ５ ・・・電子ビーム。 特許出願人 松下電子工業株式会社
ぞれ本発明によるホトマスク修正方法の修正過程を示す
断面図で、（、）図は電子ビーム露光時、（ｂ）図は現
像後、（Ｃ）図はクロムエツチング後、（ｄ）図は完成
時の断面図、第２図（ａ）および（ｂ）は本発明による
ホトマスク修正方法および従来のホトマスク修正方法を
それぞれ用いて修正したパターンの寸法分布図である。 １ ・・・マスク基板、 ２・・・クロム層、３ ・・
・導電性電子ビームレジスト膜、４ ・・・マスクホル
ダ、 ５ ・・・電子ビーム。 特許出願人 松下電子工業株式会社
Claims (1)
- 島状に薄膜パターンが形成されているマスク基板の表面
に、導電性電子ビームレジスト膜を形成する工程と、電
子ビームで所定部の露光を行なう工程と上記のレジスト
膜を現像する工程と、現像された所定部レジスト膜をマ
スクとしてエッチングする工程と、上記のレジスト膜を
除去する工程とからなるホトマスクの修正方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63257336A JPH02105153A (ja) | 1988-10-14 | 1988-10-14 | ホトマスク修正方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63257336A JPH02105153A (ja) | 1988-10-14 | 1988-10-14 | ホトマスク修正方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02105153A true JPH02105153A (ja) | 1990-04-17 |
Family
ID=17304947
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63257336A Pending JPH02105153A (ja) | 1988-10-14 | 1988-10-14 | ホトマスク修正方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02105153A (ja) |
-
1988
- 1988-10-14 JP JP63257336A patent/JPH02105153A/ja active Pending
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