JPH0219965B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0219965B2 JPH0219965B2 JP56116215A JP11621581A JPH0219965B2 JP H0219965 B2 JPH0219965 B2 JP H0219965B2 JP 56116215 A JP56116215 A JP 56116215A JP 11621581 A JP11621581 A JP 11621581A JP H0219965 B2 JPH0219965 B2 JP H0219965B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- electron beam
- exposure
- positive
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は例えば大規模集積回路の製作のために
使用されるマスクを電子線露光を利用して精度良
く短時間に製造するための方法に関する。
使用されるマスクを電子線露光を利用して精度良
く短時間に製造するための方法に関する。
電子線露光を利用してマスクを製造する場合、
まずガラス基板に例えばクロムを蒸着してマスク
ブランク材料を形成し、該マスクブランク材料に
例えば、ポジ型電子線感光材料を塗布した後、所
望図形の電子線露光を行つている。該露光後、現
像、エツチング、感光材料の除去の各処理を行う
ことによつて所望図形のマスクを得ることができ
る。このようなマスク製造過程において感光材料
あるいはクロム上にゴミが付着すると、このゴミ
付着部分にエツチング処理によつてもクロムがガ
ラス基板から完全に除去されず、マスクの欠陥部
分となる。このため従来では製造されたマスクを
光学顕微鏡によつて観察して欠陥部分を見出し、
該欠陥部分にレーザ光を照射してクロムを蒸発さ
せており、この作業に多大な時間を費していた。
まずガラス基板に例えばクロムを蒸着してマスク
ブランク材料を形成し、該マスクブランク材料に
例えば、ポジ型電子線感光材料を塗布した後、所
望図形の電子線露光を行つている。該露光後、現
像、エツチング、感光材料の除去の各処理を行う
ことによつて所望図形のマスクを得ることができ
る。このようなマスク製造過程において感光材料
あるいはクロム上にゴミが付着すると、このゴミ
付着部分にエツチング処理によつてもクロムがガ
ラス基板から完全に除去されず、マスクの欠陥部
分となる。このため従来では製造されたマスクを
光学顕微鏡によつて観察して欠陥部分を見出し、
該欠陥部分にレーザ光を照射してクロムを蒸発さ
せており、この作業に多大な時間を費していた。
本発明は上述した点に鑑みてなされたもので、
マスク基板と、該基板上の光マスク物質より成る
マスク材料にポジ型電子線感光材料を塗布した
後、電子線によつて所望図形の第１回目の露光を
行い、現像、マスク基板が露出するまでの光マス
ク物質の完全なエツチング、ポジ型電子線感光材
料除去の各処理を行つた後、該マスク材料に再び
ポジ型電子線感光材料を塗布し、電子線によつて
該第１回目の露光に量ね合わせて、同一規準位置
に基づいて前記所望図形の第２回目の露光を行
い、現像、光マスク物質のエツチング、ポジ型電
子線感光材料の除去を行うようにしており、短時
間に欠陥のない精度の良いマスクを製造すること
ができる電子線露光によるマスク製造方法を提供
する。
マスク基板と、該基板上の光マスク物質より成る
マスク材料にポジ型電子線感光材料を塗布した
後、電子線によつて所望図形の第１回目の露光を
行い、現像、マスク基板が露出するまでの光マス
ク物質の完全なエツチング、ポジ型電子線感光材
料除去の各処理を行つた後、該マスク材料に再び
ポジ型電子線感光材料を塗布し、電子線によつて
該第１回目の露光に量ね合わせて、同一規準位置
に基づいて前記所望図形の第２回目の露光を行
い、現像、光マスク物質のエツチング、ポジ型電
子線感光材料の除去を行うようにしており、短時
間に欠陥のない精度の良いマスクを製造すること
ができる電子線露光によるマスク製造方法を提供
する。
以下本発明の一実施例を添付図面に基づき詳説
する。
する。
添付図面の第１図乃至第１１図は本発明に基づ
くマスク製造方法の工程を示しており、第１図は
表面に、光マスク物質として、例えば、クロム２
が蒸着されたガラス基板１より成るマスクブラン
ク材料を示している。まずこのマスク材料にはポ
ジ型の電子線感光材料３が塗布されるが（第２
図）、例えばこの工程において感光材料表面には
ゴミd1が付着している。該感光材料３が塗布され
たマスク材料は任意の電子線露光装置内に配置さ
れ、第３図に示す如く感光材料上に電子線４が照
射されて所望図形の露光が行われる。該露光が終
了後材料の現像を行うと、電子線が照射された部
分の感光材料は取除かれるが、ゴミd1が付着した
部分の感光材料は実質的に電子線によつて感光さ
れておらず、現像処理によつても、そのままマス
ク材料上に残つている（第４図）。尚d2はこの現
像処理の過程で新たに付着したゴミである。該現
像処理後、材料はエツチング処理され（第５図）、
この処理によつて感光材料の無い部分のクロムは
ガラス基板１から除去される。この時ゴミd2が付
着している部分のクロムは除去されず残つてい
る。該エツチング処理の後、感光材料３はマスク
材料から除去されるが（第６図）、ここまでの工
程は従来のマスク製造方法と同等であり、ゴミが
付着したことによるクロム残としての欠陥部分
p1，p2が存在する。
くマスク製造方法の工程を示しており、第１図は
表面に、光マスク物質として、例えば、クロム２
が蒸着されたガラス基板１より成るマスクブラン
ク材料を示している。まずこのマスク材料にはポ
ジ型の電子線感光材料３が塗布されるが（第２
図）、例えばこの工程において感光材料表面には
ゴミd1が付着している。該感光材料３が塗布され
たマスク材料は任意の電子線露光装置内に配置さ
れ、第３図に示す如く感光材料上に電子線４が照
射されて所望図形の露光が行われる。該露光が終
了後材料の現像を行うと、電子線が照射された部
分の感光材料は取除かれるが、ゴミd1が付着した
部分の感光材料は実質的に電子線によつて感光さ
れておらず、現像処理によつても、そのままマス
ク材料上に残つている（第４図）。尚d2はこの現
像処理の過程で新たに付着したゴミである。該現
像処理後、材料はエツチング処理され（第５図）、
この処理によつて感光材料の無い部分のクロムは
ガラス基板１から除去される。この時ゴミd2が付
着している部分のクロムは除去されず残つてい
る。該エツチング処理の後、感光材料３はマスク
材料から除去されるが（第６図）、ここまでの工
程は従来のマスク製造方法と同等であり、ゴミが
付着したことによるクロム残としての欠陥部分
p1，p2が存在する。
本発明においては第６図の工程によつて製作さ
れたマスク材料に再度第７図に示す如く電子線感
光材料３が塗布される。尚図中d3は新たに付着し
たゴミである。該感光材料が塗布された材料は再
び電子線露光装置内に配置され、第３図に示す工
程における露光と同一の図形の露光が行われる
（第８図）。該露光処理の後、現像処理（第９図）、
エツチング処理（第１０図）、露光材料の除去処
理（第１１図）が行われ、この結果製造されたマ
スクは第１１図に示す欠陥部分p1，p2が除去され
た精度の良いものとなる。
れたマスク材料に再度第７図に示す如く電子線感
光材料３が塗布される。尚図中d3は新たに付着し
たゴミである。該感光材料が塗布された材料は再
び電子線露光装置内に配置され、第３図に示す工
程における露光と同一の図形の露光が行われる
（第８図）。該露光処理の後、現像処理（第９図）、
エツチング処理（第１０図）、露光材料の除去処
理（第１１図）が行われ、この結果製造されたマ
スクは第１１図に示す欠陥部分p1，p2が除去され
た精度の良いものとなる。
このように本発明においては、同一マスク材料
に対して露光、現像、エツチング等の処理を２回
行うようにしており、２回の工程を通じて全く同
じ場所にゴミが付着することはほとんど無いた
め、例えば、１回目の処理工程で生じた欠陥部分
は２回目の工程でエツチングされて除去され、２
回目の処理工程でエツチングすべき部分にゴミが
付着しても、その部分のクロムは１回目にエツチ
ングされて無いため、新たに２回目の処理工程で
欠陥が発生することは無い。尚本発明においては
第１回と第２回の処理工程において同一図形の露
光を精密に重ね合わせて行わなければならない
が、この重ね合せ露光は第１回目の処理工程にお
いて材料の任意の部分に任意のマークを形成し、
第２回目の露光をこのマークを基準にして行うよ
うにすれば良い。又このマークの代りに通常マス
ク基板に設けてあるスクライブラインを利用して
も良い。
に対して露光、現像、エツチング等の処理を２回
行うようにしており、２回の工程を通じて全く同
じ場所にゴミが付着することはほとんど無いた
め、例えば、１回目の処理工程で生じた欠陥部分
は２回目の工程でエツチングされて除去され、２
回目の処理工程でエツチングすべき部分にゴミが
付着しても、その部分のクロムは１回目にエツチ
ングされて無いため、新たに２回目の処理工程で
欠陥が発生することは無い。尚本発明においては
第１回と第２回の処理工程において同一図形の露
光を精密に重ね合わせて行わなければならない
が、この重ね合せ露光は第１回目の処理工程にお
いて材料の任意の部分に任意のマークを形成し、
第２回目の露光をこのマークを基準にして行うよ
うにすれば良い。又このマークの代りに通常マス
ク基板に設けてあるスクライブラインを利用して
も良い。
以上本発明を詳述したが本発明はマスク材料の
露光、現像、エツチング等の処理を２回行う簡単
な工程により、欠陥部分の極めて少いマスクを製
造することができ、従来のレーザによつて欠陥部
分を取り除く方法に比べ短時間に精度の良いマス
クを製造することができる。
露光、現像、エツチング等の処理を２回行う簡単
な工程により、欠陥部分の極めて少いマスクを製
造することができ、従来のレーザによつて欠陥部
分を取り除く方法に比べ短時間に精度の良いマス
クを製造することができる。
第１図乃至第１１図は本発明の一実施例である
マスク製造方法の各工程を示す。 １：ガラス基板、２：クロム、３：感光材料、
４：電子線。
マスク製造方法の各工程を示す。 １：ガラス基板、２：クロム、３：感光材料、
４：電子線。
Claims (1)
- １ マスク基板と、該基板上の光マスク物質より
成るマスク材料にポジ型電子線感光材料を塗布し
た後、電子線によつて所望図形の第１回目の露光
を行い、現像、マスク基板が露出するまでの光マ
スク物質の完全なエツチング、ポジ型電子線感光
材料除去の各処理を行つた後、該マスク材料に再
びポジ型電子線感光材料を塗布し、電子線によつ
て該第１回目の露光に重ね合わせて、同一規準位
置に基づいて前記所望図形の第２回目の露光を行
い、現像、光マスク物質のエツチング、ポジ型電
子線感光材料の除去を行うようにした電子線露光
によるマスク製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56116215A JPS5825231A (ja) | 1981-07-24 | 1981-07-24 | 電子線露光によるマスク製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56116215A JPS5825231A (ja) | 1981-07-24 | 1981-07-24 | 電子線露光によるマスク製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5825231A JPS5825231A (ja) | 1983-02-15 |
| JPH0219965B2 true JPH0219965B2 (ja) | 1990-05-07 |
Family
ID=14681678
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56116215A Granted JPS5825231A (ja) | 1981-07-24 | 1981-07-24 | 電子線露光によるマスク製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5825231A (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5267988A (en) * | 1975-12-04 | 1977-06-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Throuch-hole formation method |
-
1981
- 1981-07-24 JP JP56116215A patent/JPS5825231A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5825231A (ja) | 1983-02-15 |
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