JPH0210526B2 - - Google Patents
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- JPH0210526B2 JPH0210526B2 JP58172140A JP17214083A JPH0210526B2 JP H0210526 B2 JPH0210526 B2 JP H0210526B2 JP 58172140 A JP58172140 A JP 58172140A JP 17214083 A JP17214083 A JP 17214083A JP H0210526 B2 JPH0210526 B2 JP H0210526B2
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Landscapes
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
- Coating Of Shaped Articles Made Of Macromolecular Substances (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はポリエーテルスルフオン(以下PESと
略す)またはポリスルフオン(以下PSと略す)
を透明基板とし、この少なくとも片面に紫外線硬
化樹脂層を形成し、該樹脂層の上に酸化インジウ
ムを主成分とする薄膜を形成する積層透明導電フ
イルムの製造法に係るものである。 詳しくはPESおよびPSフイルムの欠点を改良
したコーテイングフイルムを得、この上に導電薄
膜を形成して優れた性質を有する透明導電性フイ
ルムを得んとするものである。 近年液晶を用いる表示素子の伸長は著じるしい
ものが有り、これに用いられる透明電極の重要性
も増しつつある。 従来液晶表示素子用透明電極としては薄いガラ
ス板上に半導体薄膜を形成した謂ゆるネサガラス
が広く用いられて来たが、素子の薄型化、軽量
化、量産化が要求され、高分子フイルム上に半導
体薄膜を形成した透明電極の検討が広範に行なわ
れるようになり、一部実用化され始めている。 然しながら、高分子フイルムを用いた導電性フ
イルムは薄型化、軽量化、連続製造、打抜きが可
能であることの為の量産化等の要求は満足するも
のの各種の問題を有していることも事実である。 即ち、 (1) 液晶の配向処理に際してのラビング処理工程
で耐摩耗性が悪く表面抵抗が悪くなる。 (2) 一般にポリエステルフイルムが高分子フイル
ム支持体として用いられるが耐熱性に劣る。 (3) 水蒸気透過性の大きい支持体の場合、液晶に
悪影響を及ぼす。 (4) 高分子支持体によつては薄膜のエツチング等
の加工に耐えない場合が有る。 (5) 光学異方性を有する支持体の場合、光学異方
性軸を偏光板軸と厳密に一致させなくてはなら
ず作業性に劣る。 (6) 形成された薄膜との密着性に劣る。 等である。 これ等欠点のうち(2)および(5)項の問題を解消す
る為には、基板フイルムの選定が重要になる。そ
こで本発明者らは各種フイルムを巾広く検討した
結果、耐熱性を有し、透明であり、且つ光学的に
等方性を有するPESフイルム若しくはPSフイル
ムが優れていることを見い出した。 また他の(1)(3)(4)(6)項の問題を解消する方法とし
て、従来半導体層とフイルム支持体との間に謂ゆ
るアンダーコート層を設ける方法が提案されてい
る。この様なアンダーコート剤としては、一般に
エポキシ樹脂、メラミン樹脂、アルキツドメラミ
ン樹脂等の熱硬化性樹脂およびアクリル系プレポ
リマーをモノマーによつて希釈したUV硬化樹脂
等が提案されている。 然しながらPESフイルムまたはPSフイルムは、
周知の如く耐溶剤性に劣ること、コーテイング樹
脂との密着性に劣ることのために、これらフイル
ムへのアンダーコートは未だ成功していない。 即ち熱硬化性樹脂をコーテイング材料として用
いた場合、硬化に長時間を要す上に、薄い膜を形
成しなければならないため、硬化剤、架橋剤の飛
散のために樹脂が未硬化状態になつてしまうとい
う不都合さも有り、薄膜化に限界が有る。 また紫外線、電子線等の放射線硬化樹脂系が提
案されているが、これとて塗布における問題は解
消されず、希釈モノマーによつてフイルムが劣化
してしまうとか、密着性が悪いといつた現象の他
に、更に薄膜化した場合酸素禁止効果による重合
阻害が生じるといつた問題も生じて来る。 本願発明者らは放射線硬化樹脂によるコーテイ
ング法を用いてPESフイルムおよびPSフイルム
を支持体とした透明導電フイルムの製造法につい
て鋭意検討を行ない本願発明に到達した。 即ちPESおよびPSフイルムの少くとも片面に、
本発明の重要な構成要件である特定の塗液をコー
テイングし、乾燥により室温状態でタツクフリー
の透明なコート膜を形成した後、放射線を該塗膜
に照射してこれを硬化せしめ、透明コーテイング
膜を形成させた後、酸化インジウムを主成分とす
る半導体薄膜を形成せしめる方法を見い出した。 この方法によれば上記の問題点はことごとく解
消され、優れた工業的に有用な透明導電フイルム
が得られる。 以下に本発明の詳細につき述べる。 本発明に用いられるPESフイルムおよびPSフ
イルムは常法(押出機法、カレンダー法等)によ
り得られたフイルムであればすべて使用可能であ
るが、フイルム厚みは20〜100μmのものが好ん
で用いられる。また本発明達成の為に用いる塗液
は増感剤を添加したエポキシアクリレートプレポ
リマーおよび/またはウレタンアクリレートプレ
ポリマーの溶液が用いられるが、該プレポリマー
の融点は50℃以上のものが好ましい。 この理由としては50℃以上の融点を有している
場合、溶剤を除去した際未硬化ながら良好な、室
温でタツクフリーの膜を形成する能力があるた
め、急速に溶剤を除去しても均一な膜を形成出来
るため、ピンホール、ハジキ等が生じ難いこと
と、乾燥したものを一旦ロール状に巻き取ること
が出来ること、PESおよびPSが液状物に長時間
晒されることが無くなるため支持フイルムの劣化
が少ないといつた理由による。 また該溶液に密着性を改良する目的でビニルシ
ラン等のカツプリング剤を添加することも効果の
ある方法である。 また該塗液作製に際して溶剤の選定も支持フイ
ルムの劣化防止の観点から本発明の重要な構成要
件である。 即ち該支持フイルム(PES、PS)に対して良
溶媒である溶剤と貧溶媒である溶剤の混合溶媒で
あり、且つプレポリマーに対しては該混合溶液が
良溶媒であることが不可欠であり、良溶媒の量が
貧溶媒のそれより少ないことが望ましい。 特に好ましくは良溶媒と貧溶媒の混合比率が
30/70〜15/85であり、良溶媒がこれより多いと
PESまたはPSフイルムの塗布工程での劣化が問
題になつて来る。またこれより少ない場合は支持
フイルムと塗膜との密着性が低下してしまう。極
端な場合貧溶媒のみでは全く接着しない。 エポキシアクリレートプレポリマーおよびウレ
タンアクリレートプレポリマーに対しては良溶媒
であり、且つPSまたはPESフイルムに対しても
良溶媒であるものとしては、アセトン、メチルエ
チルケトン、ジメチルホルムアミド、セロソルブ
アセテート、カルビトールアセテート等があげら
れる。 一方該プレポリマーに対しては良溶媒であつ
て、且つPES、PSフイルムに対しては貧溶媒で
あるものとしては、セロソルブ類、カルビトール
類、酢酸ブチル、キシレン、トルエン等があげら
れる。 更に該プレポリマーと混合溶媒の量的な関係は
所望する塗膜の厚みにより適宜調整可能である。
塗布厚みは乾燥物で0.1〜10μmが通常の厚みであ
り、これより厚い場合は最終的に得られるフイル
ムの可撓性に問題が生じる場合が有る。 塗布方法としてはデイツプ法、バーコーター
法、ロールコーター法、スプレー法、カーテンコ
ーター法等の通常の塗布方法が用いられるが、可
及的速かに塗布後溶剤を除去することが好まし
い。 また溶剤除去の温度は100℃以下が好ましく、
これより高温の場合は増感剤の飛散が懸念され未
硬化になる恐れがある。 かくしてPESフイルムまたはPSフイルムの少
くとも片面に均一に樹脂塗膜が形成されたフイル
ムが得られるが、この塗膜は室温下で完全にタツ
クフリーであり非常に取扱いに便利なものであ
る。 次いで該塗膜面に放射線(一般には紫外線)を
照射し完全硬化せしめる。この場合乾燥塗膜への
照射であり、従来の液状物への照射と根本的に異
なる方法である。 即ち固体状態での照射硬化であり、極端に薄い
塗膜であつても増感剤の飛散、酸素禁止効果の影
響は受け難い。 更に完全を期すために照射硬化後、更に加熱処
理することも効果の有る方法である。 次いで硬化塗膜上に透明半導体層が形成され
る。酸化インジウム、酸化錫、酸化カドミウム等
の酸化物を主体にした謂ゆる薄膜が一般的であ
り、その膜厚は50〜500Å程度であり、形成方法
としてはスパツタリング法やイオンプレーテイン
グ法が好んで用いられる。 かくしてPESフイルムまたはPSフイルムを支
持体とし、少なくとも片面にアンダーコート層を
有する透明導電フイルムが得られる。このものは
以下の特徴を有する工業的に意義のある優れた透
明導電性フイルムである。 導電層の耐摩耗性が大巾に向上するためラビ
ング処理工程での表面抵抗の劣化が防止出来
る。 水蒸気透過性が小さくなるため液晶の信頼性
が向上する。 エツチング加工時の耐薬品性が大巾に向上す
るため、回路加工歩留りが大巾に向上する。 金属酸化薄膜とアンダーコート層との密着が
優れている。 以下に実施例を示す。 実施例 1 分子量1540、融点70℃のエポキシアクリレート
プレポリマー100重量部、酢酸ブチル400重量部、
セロソルブアセテート100重量部、ベンゾインエ
チルエーテル2重量部を50℃にて撹拌し均一な溶
液とした。 得られた溶液を75μm厚のポリエーテルサルフ
オンフイルム両面に塗布し、85℃で乾燥し完全に
溶剤を除去した。 この結果室温においてタツクフリーは塗膜が形
成された。 次いでコーテイング膜に80w/cmの高圧水銀灯
により15cmの距離で紫外線を照射し樹脂層を硬化
させた。 次にこのコートフイルム片面に酸化インジウム
の酸化錫の混合物を真空中で電子ビームで加熱し
ながら蒸着し、これを空気中180℃、1時間熱処
理することにより約300Åの透明導電層を設けた。 この透明導電性フイルムの特性を第1表に記
す。 比較例 1 75μmのポリエーテルサルフオンフイルム上に
アンダーコートを施すこと無く実施例1と全く同
様な方法で透明導電層を設けた。 この透明導電性フイルムの特性を第1表に示
す。 比較例 2 実施例1において100重量部のフイルムに対し
て良溶媒であるセロソルブアセテートを酢酸ブチ
ル100重量部に置き換えた以外は全く同様な方法
で導電フイルムを作製した。 この導電性フイルムの特性を第1表に示す。 比較例 3 実施例1においてフイルムに対して貧溶媒であ
る酢酸ブチルをすべて良溶媒であるセロソルブア
セテートに置換し塗布したところ、フイルム全面
にクラツクが生じ全く塗膜を形成出来なかつた。 【表】
略す)またはポリスルフオン(以下PSと略す)
を透明基板とし、この少なくとも片面に紫外線硬
化樹脂層を形成し、該樹脂層の上に酸化インジウ
ムを主成分とする薄膜を形成する積層透明導電フ
イルムの製造法に係るものである。 詳しくはPESおよびPSフイルムの欠点を改良
したコーテイングフイルムを得、この上に導電薄
膜を形成して優れた性質を有する透明導電性フイ
ルムを得んとするものである。 近年液晶を用いる表示素子の伸長は著じるしい
ものが有り、これに用いられる透明電極の重要性
も増しつつある。 従来液晶表示素子用透明電極としては薄いガラ
ス板上に半導体薄膜を形成した謂ゆるネサガラス
が広く用いられて来たが、素子の薄型化、軽量
化、量産化が要求され、高分子フイルム上に半導
体薄膜を形成した透明電極の検討が広範に行なわ
れるようになり、一部実用化され始めている。 然しながら、高分子フイルムを用いた導電性フ
イルムは薄型化、軽量化、連続製造、打抜きが可
能であることの為の量産化等の要求は満足するも
のの各種の問題を有していることも事実である。 即ち、 (1) 液晶の配向処理に際してのラビング処理工程
で耐摩耗性が悪く表面抵抗が悪くなる。 (2) 一般にポリエステルフイルムが高分子フイル
ム支持体として用いられるが耐熱性に劣る。 (3) 水蒸気透過性の大きい支持体の場合、液晶に
悪影響を及ぼす。 (4) 高分子支持体によつては薄膜のエツチング等
の加工に耐えない場合が有る。 (5) 光学異方性を有する支持体の場合、光学異方
性軸を偏光板軸と厳密に一致させなくてはなら
ず作業性に劣る。 (6) 形成された薄膜との密着性に劣る。 等である。 これ等欠点のうち(2)および(5)項の問題を解消す
る為には、基板フイルムの選定が重要になる。そ
こで本発明者らは各種フイルムを巾広く検討した
結果、耐熱性を有し、透明であり、且つ光学的に
等方性を有するPESフイルム若しくはPSフイル
ムが優れていることを見い出した。 また他の(1)(3)(4)(6)項の問題を解消する方法とし
て、従来半導体層とフイルム支持体との間に謂ゆ
るアンダーコート層を設ける方法が提案されてい
る。この様なアンダーコート剤としては、一般に
エポキシ樹脂、メラミン樹脂、アルキツドメラミ
ン樹脂等の熱硬化性樹脂およびアクリル系プレポ
リマーをモノマーによつて希釈したUV硬化樹脂
等が提案されている。 然しながらPESフイルムまたはPSフイルムは、
周知の如く耐溶剤性に劣ること、コーテイング樹
脂との密着性に劣ることのために、これらフイル
ムへのアンダーコートは未だ成功していない。 即ち熱硬化性樹脂をコーテイング材料として用
いた場合、硬化に長時間を要す上に、薄い膜を形
成しなければならないため、硬化剤、架橋剤の飛
散のために樹脂が未硬化状態になつてしまうとい
う不都合さも有り、薄膜化に限界が有る。 また紫外線、電子線等の放射線硬化樹脂系が提
案されているが、これとて塗布における問題は解
消されず、希釈モノマーによつてフイルムが劣化
してしまうとか、密着性が悪いといつた現象の他
に、更に薄膜化した場合酸素禁止効果による重合
阻害が生じるといつた問題も生じて来る。 本願発明者らは放射線硬化樹脂によるコーテイ
ング法を用いてPESフイルムおよびPSフイルム
を支持体とした透明導電フイルムの製造法につい
て鋭意検討を行ない本願発明に到達した。 即ちPESおよびPSフイルムの少くとも片面に、
本発明の重要な構成要件である特定の塗液をコー
テイングし、乾燥により室温状態でタツクフリー
の透明なコート膜を形成した後、放射線を該塗膜
に照射してこれを硬化せしめ、透明コーテイング
膜を形成させた後、酸化インジウムを主成分とす
る半導体薄膜を形成せしめる方法を見い出した。 この方法によれば上記の問題点はことごとく解
消され、優れた工業的に有用な透明導電フイルム
が得られる。 以下に本発明の詳細につき述べる。 本発明に用いられるPESフイルムおよびPSフ
イルムは常法(押出機法、カレンダー法等)によ
り得られたフイルムであればすべて使用可能であ
るが、フイルム厚みは20〜100μmのものが好ん
で用いられる。また本発明達成の為に用いる塗液
は増感剤を添加したエポキシアクリレートプレポ
リマーおよび/またはウレタンアクリレートプレ
ポリマーの溶液が用いられるが、該プレポリマー
の融点は50℃以上のものが好ましい。 この理由としては50℃以上の融点を有している
場合、溶剤を除去した際未硬化ながら良好な、室
温でタツクフリーの膜を形成する能力があるた
め、急速に溶剤を除去しても均一な膜を形成出来
るため、ピンホール、ハジキ等が生じ難いこと
と、乾燥したものを一旦ロール状に巻き取ること
が出来ること、PESおよびPSが液状物に長時間
晒されることが無くなるため支持フイルムの劣化
が少ないといつた理由による。 また該溶液に密着性を改良する目的でビニルシ
ラン等のカツプリング剤を添加することも効果の
ある方法である。 また該塗液作製に際して溶剤の選定も支持フイ
ルムの劣化防止の観点から本発明の重要な構成要
件である。 即ち該支持フイルム(PES、PS)に対して良
溶媒である溶剤と貧溶媒である溶剤の混合溶媒で
あり、且つプレポリマーに対しては該混合溶液が
良溶媒であることが不可欠であり、良溶媒の量が
貧溶媒のそれより少ないことが望ましい。 特に好ましくは良溶媒と貧溶媒の混合比率が
30/70〜15/85であり、良溶媒がこれより多いと
PESまたはPSフイルムの塗布工程での劣化が問
題になつて来る。またこれより少ない場合は支持
フイルムと塗膜との密着性が低下してしまう。極
端な場合貧溶媒のみでは全く接着しない。 エポキシアクリレートプレポリマーおよびウレ
タンアクリレートプレポリマーに対しては良溶媒
であり、且つPSまたはPESフイルムに対しても
良溶媒であるものとしては、アセトン、メチルエ
チルケトン、ジメチルホルムアミド、セロソルブ
アセテート、カルビトールアセテート等があげら
れる。 一方該プレポリマーに対しては良溶媒であつ
て、且つPES、PSフイルムに対しては貧溶媒で
あるものとしては、セロソルブ類、カルビトール
類、酢酸ブチル、キシレン、トルエン等があげら
れる。 更に該プレポリマーと混合溶媒の量的な関係は
所望する塗膜の厚みにより適宜調整可能である。
塗布厚みは乾燥物で0.1〜10μmが通常の厚みであ
り、これより厚い場合は最終的に得られるフイル
ムの可撓性に問題が生じる場合が有る。 塗布方法としてはデイツプ法、バーコーター
法、ロールコーター法、スプレー法、カーテンコ
ーター法等の通常の塗布方法が用いられるが、可
及的速かに塗布後溶剤を除去することが好まし
い。 また溶剤除去の温度は100℃以下が好ましく、
これより高温の場合は増感剤の飛散が懸念され未
硬化になる恐れがある。 かくしてPESフイルムまたはPSフイルムの少
くとも片面に均一に樹脂塗膜が形成されたフイル
ムが得られるが、この塗膜は室温下で完全にタツ
クフリーであり非常に取扱いに便利なものであ
る。 次いで該塗膜面に放射線(一般には紫外線)を
照射し完全硬化せしめる。この場合乾燥塗膜への
照射であり、従来の液状物への照射と根本的に異
なる方法である。 即ち固体状態での照射硬化であり、極端に薄い
塗膜であつても増感剤の飛散、酸素禁止効果の影
響は受け難い。 更に完全を期すために照射硬化後、更に加熱処
理することも効果の有る方法である。 次いで硬化塗膜上に透明半導体層が形成され
る。酸化インジウム、酸化錫、酸化カドミウム等
の酸化物を主体にした謂ゆる薄膜が一般的であ
り、その膜厚は50〜500Å程度であり、形成方法
としてはスパツタリング法やイオンプレーテイン
グ法が好んで用いられる。 かくしてPESフイルムまたはPSフイルムを支
持体とし、少なくとも片面にアンダーコート層を
有する透明導電フイルムが得られる。このものは
以下の特徴を有する工業的に意義のある優れた透
明導電性フイルムである。 導電層の耐摩耗性が大巾に向上するためラビ
ング処理工程での表面抵抗の劣化が防止出来
る。 水蒸気透過性が小さくなるため液晶の信頼性
が向上する。 エツチング加工時の耐薬品性が大巾に向上す
るため、回路加工歩留りが大巾に向上する。 金属酸化薄膜とアンダーコート層との密着が
優れている。 以下に実施例を示す。 実施例 1 分子量1540、融点70℃のエポキシアクリレート
プレポリマー100重量部、酢酸ブチル400重量部、
セロソルブアセテート100重量部、ベンゾインエ
チルエーテル2重量部を50℃にて撹拌し均一な溶
液とした。 得られた溶液を75μm厚のポリエーテルサルフ
オンフイルム両面に塗布し、85℃で乾燥し完全に
溶剤を除去した。 この結果室温においてタツクフリーは塗膜が形
成された。 次いでコーテイング膜に80w/cmの高圧水銀灯
により15cmの距離で紫外線を照射し樹脂層を硬化
させた。 次にこのコートフイルム片面に酸化インジウム
の酸化錫の混合物を真空中で電子ビームで加熱し
ながら蒸着し、これを空気中180℃、1時間熱処
理することにより約300Åの透明導電層を設けた。 この透明導電性フイルムの特性を第1表に記
す。 比較例 1 75μmのポリエーテルサルフオンフイルム上に
アンダーコートを施すこと無く実施例1と全く同
様な方法で透明導電層を設けた。 この透明導電性フイルムの特性を第1表に示
す。 比較例 2 実施例1において100重量部のフイルムに対し
て良溶媒であるセロソルブアセテートを酢酸ブチ
ル100重量部に置き換えた以外は全く同様な方法
で導電フイルムを作製した。 この導電性フイルムの特性を第1表に示す。 比較例 3 実施例1においてフイルムに対して貧溶媒であ
る酢酸ブチルをすべて良溶媒であるセロソルブア
セテートに置換し塗布したところ、フイルム全面
にクラツクが生じ全く塗膜を形成出来なかつた。 【表】
Claims (1)
- 1 ポリエーテルスルフオンまたはポリスルフオ
ンフイルムの少くとも片面に紫外線硬化樹脂層を
形成し、該塗膜上に酸化インジウムを主成分とす
る薄膜を形成して積層透明導電フイルムを得る製
造方法において、紫外線硬化樹脂層を形成するた
めに塗布される塗液が、エポキシアクリレートプ
レポリマーおよび/またはウレタンアクリレート
プレポリマーを増感剤とともに溶解した溶液であ
り、且つ溶液を構成する溶媒が該フイルムに対し
て良溶媒と貧溶媒の混合溶媒であり、更に該プレ
ポリマーに対しては両者とも良溶媒であり、且つ
良溶媒/貧溶媒の混合比率が30/70〜15/85であ
ることを特徴とする透明導電性フイルムの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58172140A JPS6065036A (ja) | 1983-09-20 | 1983-09-20 | 透明導電性フイルムの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58172140A JPS6065036A (ja) | 1983-09-20 | 1983-09-20 | 透明導電性フイルムの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6065036A JPS6065036A (ja) | 1985-04-13 |
| JPH0210526B2 true JPH0210526B2 (ja) | 1990-03-08 |
Family
ID=15936303
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58172140A Granted JPS6065036A (ja) | 1983-09-20 | 1983-09-20 | 透明導電性フイルムの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6065036A (ja) |
-
1983
- 1983-09-20 JP JP58172140A patent/JPS6065036A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6065036A (ja) | 1985-04-13 |
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