JPS6065036A - 透明導電性フイルムの製造方法 - Google Patents
透明導電性フイルムの製造方法Info
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- JPS6065036A JPS6065036A JP58172140A JP17214083A JPS6065036A JP S6065036 A JPS6065036 A JP S6065036A JP 58172140 A JP58172140 A JP 58172140A JP 17214083 A JP17214083 A JP 17214083A JP S6065036 A JPS6065036 A JP S6065036A
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- Laminated Bodies (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はポリエーテルスルフォン(以下PBSと略す)
またはポリスルフォン(以下PSと略す)を透明基板と
し、この少なくとも片面(1紫外線硬化樹脂層を形成し
、該樹脂層の上ベニ酸化インジウムを主成分とする薄膜
を形成する積層f明9fdフィルムの製造法に係るもの
である。
またはポリスルフォン(以下PSと略す)を透明基板と
し、この少なくとも片面(1紫外線硬化樹脂層を形成し
、該樹脂層の上ベニ酸化インジウムを主成分とする薄膜
を形成する積層f明9fdフィルムの製造法に係るもの
である。
詳しくはPE8およびPaフィルムの欠点を改良したコ
ーティングフィルムを得、この上1:#電薄膜を形成し
て優れた性質を有する透明尋゛ル性フィルムを得んとす
るものである。
ーティングフィルムを得、この上1:#電薄膜を形成し
て優れた性質を有する透明尋゛ル性フィルムを得んとす
るものである。
近年液晶を用いる表示素子の伸長は著じるしいものが有
り、これ(二用いられる透明電極の短要性も増しつつあ
る。
り、これ(二用いられる透明電極の短要性も増しつつあ
る。
従来液晶表示素子用透明電極としては簿いガラス板上に
半導体薄膜を形成した謂ゆるネサガラスが広く用いられ
て来たが、素子の薄型化、軽量化。
半導体薄膜を形成した謂ゆるネサガラスが広く用いられ
て来たが、素子の薄型化、軽量化。
矩産化が要求され、高分子フィルム上に半導体薄膜を形
成した透明電極の検討が広範(1行なわれるよう(=な
り、一部実用化され始めている。
成した透明電極の検討が広範(1行なわれるよう(=な
り、一部実用化され始めている。
然しながら、高分子ブイlシムを用いた導電性フィルム
は薄型化、軽量化、連続塑造、打抜きが可能であること
の為の量産化等の要求は満足するものの各種の問題を有
していることも事実である。
は薄型化、軽量化、連続塑造、打抜きが可能であること
の為の量産化等の要求は満足するものの各種の問題を有
していることも事実である。
即ち、
(1) 液晶の配向処理C1際してのうどング処理工程
で耐摩耗性が悪く表面抵抗が悪くなる。
で耐摩耗性が悪く表面抵抗が悪くなる。
(2) 一般にポリエステルフィルムが高分子フィルム
支持体として用いられるが耐熱性(=劣る。
支持体として用いられるが耐熱性(=劣る。
(3)水蒸気透過性の大きい支持体の場合、液晶に悪影
響を及ぼす。
響を及ぼす。
(4) 高分子支持体によってはM膜のエツチング等の
加工に耐えない場合が有る。
加工に耐えない場合が有る。
(5)光学異方性を有する支持体の場合、光学異方性軸
を偏光板軸と厳密(ニ一致させなくてはならず作業性に
劣る。
を偏光板軸と厳密(ニ一致させなくてはならず作業性に
劣る。
(6)形成された薄膜との蜜漬性に劣る。
等である。
これ等欠点のうち(2)および(5)項の問題を解消す
る為1二は、基板フィルムの選定が重要になる。そこで
本発明者らは各種フィルムをlJ広く検討した結果、耐
熱性を有し、透明であり、且つ光学的(1等方性を有す
るPESフィルム若しくはPSフィルムが優れているこ
とを見い出した。
る為1二は、基板フィルムの選定が重要になる。そこで
本発明者らは各種フィルムをlJ広く検討した結果、耐
熱性を有し、透明であり、且つ光学的(1等方性を有す
るPESフィルム若しくはPSフィルムが優れているこ
とを見い出した。
また他の(+ )(3) (4) (61項の問題を解
消する方法として、従来半導体層とフィルム支持体との
間に謂ゆるアンダーコート層を設ける方法が提案されて
いる。この様なアンダーコート剤としては、一般(二エ
ポキシ樹脂、メラミン樹脂、アルキッドメラミン樹脂等
の熱硬化性樹脂およびアクリル系プレポリマーをモノマ
ーによって希釈したUV硬化樹脂等が提案されている。
消する方法として、従来半導体層とフィルム支持体との
間に謂ゆるアンダーコート層を設ける方法が提案されて
いる。この様なアンダーコート剤としては、一般(二エ
ポキシ樹脂、メラミン樹脂、アルキッドメラミン樹脂等
の熱硬化性樹脂およびアクリル系プレポリマーをモノマ
ーによって希釈したUV硬化樹脂等が提案されている。
然しなからPESフィルムまたはPSフィルムは、周知
の如く耐溶剤性に劣ること、コーティング樹脂との密着
性(−劣ることのためC二、これらフィルムへのアンダ
ーコートは未だ成功していない。
の如く耐溶剤性に劣ること、コーティング樹脂との密着
性(−劣ることのためC二、これらフィルムへのアンダ
ーコートは未だ成功していない。
即ち熱硬化性樹脂をコーティング利料として用いた場合
、硬化口長時間を要す上(=、テυiい膜を形成しなけ
ればならないため、硬化剤、架橋剤の飛散のために樹脂
が未硬化状態になってしまうという不都合さも有り、薄
膜化に限界が有る。
、硬化口長時間を要す上(=、テυiい膜を形成しなけ
ればならないため、硬化剤、架橋剤の飛散のために樹脂
が未硬化状態になってしまうという不都合さも有り、薄
膜化に限界が有る。
また紫外線、電子線等の放射線硬化樹脂系が提案されて
いるが、これとて塗布嘔=おける問題は解消されず、希
釈上ツマ−によってフィルムが劣化してしまうとか、密
a性が悪いといった現象の他(二、更(=薄膜化した場
合酸素禁止効果(二よる重合阻害が生じるといった問題
も生じて来る。
いるが、これとて塗布嘔=おける問題は解消されず、希
釈上ツマ−によってフィルムが劣化してしまうとか、密
a性が悪いといった現象の他(二、更(=薄膜化した場
合酸素禁止効果(二よる重合阻害が生じるといった問題
も生じて来る。
本願発明者らは放射線硬化樹脂(二よるコーティング法
を用いてPESフィルムおよびPSフィルムを支持体と
した透明導電フィルムの製造法(二ついて鋭意検討を行
ない本頼発明(二到達した。
を用いてPESフィルムおよびPSフィルムを支持体と
した透明導電フィルムの製造法(二ついて鋭意検討を行
ない本頼発明(二到達した。
即ちPESおよびP8フィルムの少くとも片面C二、本
発明の重要な構成要件である特定の塗液をコーティング
し、乾燥(二より室温状態でタックフリーの透明なコー
ト膜を形成した後、放射線を該を膜(=照射してこれを
硬化せしめ、透明コーテイング膜を形成させた後、酸化
インジウムを主成分とする半導体薄膜を形成せしめる方
法を見い出した。
発明の重要な構成要件である特定の塗液をコーティング
し、乾燥(二より室温状態でタックフリーの透明なコー
ト膜を形成した後、放射線を該を膜(=照射してこれを
硬化せしめ、透明コーテイング膜を形成させた後、酸化
インジウムを主成分とする半導体薄膜を形成せしめる方
法を見い出した。
この方法(二よれば上記の問題点はことごとく解消され
、優れた工業的に有用な透明導電フィルムが得られる。
、優れた工業的に有用な透明導電フィルムが得られる。
以下C二本発明の詳細(二つき述べる。
本発明に用いられるPESフィルムおよびPSフィルム
は常法(押出機法、カレンダー法等)により得られたフ
ィルムであればすべて使用可能であるが、フィルム厚み
は20〜100μmのものが好んで用いられる。また本
発明達成の為(有用いる塗液は増感剤を添加したエポキ
シアクリレートプレポリマーおよび/またはクレタンア
クリレートブレポリマーの溶液が用いられるが、該プレ
ポリマーの融点は50℃以上のものが好ましい。
は常法(押出機法、カレンダー法等)により得られたフ
ィルムであればすべて使用可能であるが、フィルム厚み
は20〜100μmのものが好んで用いられる。また本
発明達成の為(有用いる塗液は増感剤を添加したエポキ
シアクリレートプレポリマーおよび/またはクレタンア
クリレートブレポリマーの溶液が用いられるが、該プレ
ポリマーの融点は50℃以上のものが好ましい。
このU11由としては50℃以上の融点を有している場
合、溶剤を除去した際未硬化ながら良好な、室温でタッ
クフリーの膜を形成する能力があるため、急速(−溶剤
を除去しても均一な膜を形成出来るため、ピンホール、
ハジキ等が生じ難いことと、乾燥したものを一旦ロール
状(二巻き取ることが出来ること、PESおよびPSが
液状物(二長時間晒されることが無くなるため支持フィ
ルムの劣化が少ないといった月1由(−よる。
合、溶剤を除去した際未硬化ながら良好な、室温でタッ
クフリーの膜を形成する能力があるため、急速(−溶剤
を除去しても均一な膜を形成出来るため、ピンホール、
ハジキ等が生じ難いことと、乾燥したものを一旦ロール
状(二巻き取ることが出来ること、PESおよびPSが
液状物(二長時間晒されることが無くなるため支持フィ
ルムの劣化が少ないといった月1由(−よる。
また該溶液(二密着性を改良する目的でビニルシラン等
のカップリング剤を添加することも効果のある方法であ
る。
のカップリング剤を添加することも効果のある方法であ
る。
また該塗液作製に際して溶剤の選定も支持フィルムの劣
化防止の観点から本発明の重要な構成要件である。
化防止の観点から本発明の重要な構成要件である。
即ち該支持フィルム(PES 、 PS ) l二対し
て良溶媒である溶剤と貧溶媒である溶剤の混合溶媒であ
り、且つプレポリマーに対しては該混合溶媒が良溶媒で
あることが不iJ欠であり、良溶媒の量が旦溶媒のそれ
より少ないことが望ましい。
て良溶媒である溶剤と貧溶媒である溶剤の混合溶媒であ
り、且つプレポリマーに対しては該混合溶媒が良溶媒で
あることが不iJ欠であり、良溶媒の量が旦溶媒のそれ
より少ないことが望ましい。
特に好ましくは良溶媒と貧溶媒の混合比率が(9)7/
70〜15 / 85であり、良溶媒がこれより多いと
PESまたはPSフィルムの塗布工程での劣化が問題に
なって来る。またこれより少ない場合は支持フィルムと
塗膜との密着性が低下してしまう。極端な場合貧溶媒の
みでは全く接着しない。
70〜15 / 85であり、良溶媒がこれより多いと
PESまたはPSフィルムの塗布工程での劣化が問題に
なって来る。またこれより少ない場合は支持フィルムと
塗膜との密着性が低下してしまう。極端な場合貧溶媒の
みでは全く接着しない。
エポキシアクリレートプレポリマーおよびウレタンアク
リレートプレポリマーに対しては良溶媒であり、且つP
SまたはPESフィルムに対しても良溶媒であるものと
しては、アセトン、メブルエチルケトン、ジメチルポル
ムアミド、セロソルブアセテート、カルピトールアセテ
ート等があげられる。
リレートプレポリマーに対しては良溶媒であり、且つP
SまたはPESフィルムに対しても良溶媒であるものと
しては、アセトン、メブルエチルケトン、ジメチルポル
ムアミド、セロソルブアセテート、カルピトールアセテ
ート等があげられる。
一方該ブレポリマー(二対しては良溶媒であって、且つ
PjES 、 PSフィルムに対しては貧溶媒であるも
のとしては、セロソルブ類、カルピトール類、酢酸ブチ
ル、キシレン、トルエン等があげられる。
PjES 、 PSフィルムに対しては貧溶媒であるも
のとしては、セロソルブ類、カルピトール類、酢酸ブチ
ル、キシレン、トルエン等があげられる。
更に該プレポリマーと混合溶媒の量的な関係は所望する
塗膜の厚み(二より適宜調整=1能である。
塗膜の厚み(二より適宜調整=1能である。
塗布厚みは乾燥物で0.1〜10μmが通常の厚みであ
り、これより厚い場合は最終的C:得られるフィルムの
可撓性(二問題が生じる場合が有る。
り、これより厚い場合は最終的C:得られるフィルムの
可撓性(二問題が生じる場合が有る。
塗布方法としてはディップ法、バーコーター法、ロール
コータ−法、ヌブレー法、カーデンコー々−法等の通常
の塗布方法が用いられるが、可及的速か(−塗布後溶剤
を除去することが好ましい。
コータ−法、ヌブレー法、カーデンコー々−法等の通常
の塗布方法が用いられるが、可及的速か(−塗布後溶剤
を除去することが好ましい。
また溶剤除去の温度は100 ’C以下が好ましく、こ
れより高温の場合は増感剤の飛散が懸念され未硬化(二
なる恐れがある。
れより高温の場合は増感剤の飛散が懸念され未硬化(二
なる恐れがある。
かくしてPESフィルムまたはPSフィルンNの少くと
も片面(=均一(=樹脂塗膜が形成されたフィルムが得
られるが、この塗膜は室温下で完全にタックフリーであ
り非常に取扱い(二便利なものである。
も片面(=均一(=樹脂塗膜が形成されたフィルムが得
られるが、この塗膜は室温下で完全にタックフリーであ
り非常に取扱い(二便利なものである。
次いで該塗膜面【二数射線(一般(二は紫外線)を照射
し完全硬化せしめる。この場合乾燥塗膜への照射であり
、従来の液状物への照射と根本的(=異なる方法である
。
し完全硬化せしめる。この場合乾燥塗膜への照射であり
、従来の液状物への照射と根本的(=異なる方法である
。
即ち固体状態での照射硬化であり、極端C1薄い塗膜で
あっても増感剤の飛散、酸素禁止効果の影響は受け難い
。
あっても増感剤の飛散、酸素禁止効果の影響は受け難い
。
更(二完全を期すため(二照射硬化後、更(1加熱処理
することも効果の有る方法である。
することも効果の有る方法である。
次いで硬化塗膜上(=透明半導体層が形成される。
酸化インジクム、酸化錫、酸化カドミウム等の酸化物を
主体にした謂ゆる薄膜が一般的であり、その膜厚は50
〜500先程度であり、形成方法としてはスパッタリン
グ法やイオンブレーティング法が好んで用いられる。
主体にした謂ゆる薄膜が一般的であり、その膜厚は50
〜500先程度であり、形成方法としてはスパッタリン
グ法やイオンブレーティング法が好んで用いられる。
かくしてPESフィルムまたはPSフィルムを支持体と
し、少なくとも片面(二アンダーコート層を有する透明
導電フィルムが得られる。このものは以下の特徴を有す
る工業的に意義のある優れた透明導電性フィルムである
。
し、少なくとも片面(二アンダーコート層を有する透明
導電フィルムが得られる。このものは以下の特徴を有す
る工業的に意義のある優れた透明導電性フィルムである
。
■ 導電層の耐摩耗性が大1↑J(二面上するためラビ
ング処理工穆での表面抵抗の劣化が防止出来る。
ング処理工穆での表面抵抗の劣化が防止出来る。
■ 水蒸気透過性が小さくなるため液晶の信頼性が向上
する。
する。
■ エツチング加工時の耐薬品性が大rl (:向上す
るため、回路加工歩留りが大中(二面」二する。。
るため、回路加工歩留りが大中(二面」二する。。
■ 金属酸化薄膜とアンダーコート層との密着が優れて
いる。
いる。
以下に実施例を示す。
実施例1
分子(11540,7M点70℃のエポキシアクリ;ノ
ートプレポリマ−1oom1部、酢酸ブチル400重6
1″部、セロソルブアセテ−) 100 W Xi部、
ベンゾインエチルエーテル2車■部を50℃(二で撹拌
し均一な溶液とした。
ートプレポリマ−1oom1部、酢酸ブチル400重6
1″部、セロソルブアセテ−) 100 W Xi部、
ベンゾインエチルエーテル2車■部を50℃(二で撹拌
し均一な溶液とした。
得られた溶液を75μWt 庁のポリエーテルサルフォ
ンフィルム両面(二塗布し、85℃で乾燥し完全(二溶
剤を除去した。
ンフィルム両面(二塗布し、85℃で乾燥し完全(二溶
剤を除去した。
この結果室温においてタックフリーは塗膜が形成された
。
。
次いでコーテイング膜(二80ψの高圧水銀灯(二より
15cmの距離で紫外線を照射し樹脂層を硬化させた。
15cmの距離で紫外線を照射し樹脂層を硬化させた。
次C二このコートフィルム片面に酸化インジウムと酸化
錫の混合物を真空中で電子ビームで加熱しながら蒸着し
、これを空気中180℃、1時間熱処理すること1:よ
り約3001の透明等電層を設けた。
錫の混合物を真空中で電子ビームで加熱しながら蒸着し
、これを空気中180℃、1時間熱処理すること1:よ
り約3001の透明等電層を設けた。
この透明導電性フィルムの特性を第1表(二記す。
比較例1
75μmのポリエーテルサルフォンフィルム上(二アン
ダーコートを施すこと無〈実施例1と全く同様な方法で
透明導電部を設けた。
ダーコートを施すこと無〈実施例1と全く同様な方法で
透明導電部を設けた。
この透明導電性フィルムの特性を第1表(=示す。
比較例2
実施例1において100重量部のフィルムC二対して良
溶媒であるセロソルブアセテートを酢酸ブチル100重
量部(−置き換えた以外は全く同様な方法で導電フィル
ムを作製した。
溶媒であるセロソルブアセテートを酢酸ブチル100重
量部(−置き換えた以外は全く同様な方法で導電フィル
ムを作製した。
この導電性フィルムの特性を第1表(−示す。
比較例3
実施例1においてフィルムに対して貧溶媒である酢酸ブ
チルをすべて良溶媒であるセロソルブアセテ−)cl&
換し塗布したところ、フィルム全面(=クラックが生じ
全く塗膜を形成出来なかった。
チルをすべて良溶媒であるセロソルブアセテ−)cl&
換し塗布したところ、フィルム全面(=クラックが生じ
全く塗膜を形成出来なかった。
第1表
Claims (1)
- ポリエーテルスルフォンまたはポリスルフォンフィルム
の少くとも片面に紫外線硬化樹脂層を形成し、該塗膜上
(二酸化インジウムを主成分とする薄膜を形成して積層
透明導電フィルムを得る製造方法(=おいて、紫外線硬
化樹脂層を形成するためじ塗布される塗液が、エポキシ
アクリレートプレポリマーおよび/またはクレタンアク
リレートプレポリマーを増感剤とともC二溶解した溶液
であり、且つ溶液を構成する溶媒が該フィルム(二対し
て良溶媒と貧溶媒の混合溶媒であり、更(=該プレポリ
マーC二対しては両者とも良溶媒であり、且つ良溶媒/
貧溶媒の混合比率が30 / 70〜15 / 85で
あることを特徴とする透明導電性フィルムの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58172140A JPS6065036A (ja) | 1983-09-20 | 1983-09-20 | 透明導電性フイルムの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58172140A JPS6065036A (ja) | 1983-09-20 | 1983-09-20 | 透明導電性フイルムの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6065036A true JPS6065036A (ja) | 1985-04-13 |
| JPH0210526B2 JPH0210526B2 (ja) | 1990-03-08 |
Family
ID=15936303
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58172140A Granted JPS6065036A (ja) | 1983-09-20 | 1983-09-20 | 透明導電性フイルムの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6065036A (ja) |
-
1983
- 1983-09-20 JP JP58172140A patent/JPS6065036A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0210526B2 (ja) | 1990-03-08 |
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