JPH0210578B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0210578B2 JPH0210578B2 JP59072425A JP7242584A JPH0210578B2 JP H0210578 B2 JPH0210578 B2 JP H0210578B2 JP 59072425 A JP59072425 A JP 59072425A JP 7242584 A JP7242584 A JP 7242584A JP H0210578 B2 JPH0210578 B2 JP H0210578B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heat sink
- protrusion
- power transistor
- groove
- manufacturing
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/01—Manufacture or treatment
- H10W70/02—Manufacture or treatment of conductive package substrates serving as an interconnection, e.g. of metal plates
- H10W70/027—Mechanical treatments, e.g. deforming, punching or cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/073—Connecting or disconnecting of die-attach connectors
- H10W72/07351—Connecting or disconnecting of die-attach connectors characterised by changes in properties of the die-attach connectors during connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/30—Die-attach connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/30—Die-attach connectors
- H10W72/381—Auxiliary members
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/30—Die-attach connectors
- H10W72/381—Auxiliary members
- H10W72/387—Flow barriers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
- H10W74/10—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition
- H10W74/111—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition the semiconductor body being completely enclosed
- H10W74/127—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition the semiconductor body being completely enclosed characterised by arrangements for sealing or adhesion
Landscapes
- Shaping Metal By Deep-Drawing, Or The Like (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(イ) 産業上の利用分野
本発明はヘツダーの製造方法、特に混成集積回
路に組込むパワートランジスタの固着に用いるヘ
ツダーの製造方法に関する。
路に組込むパワートランジスタの固着に用いるヘ
ツダーの製造方法に関する。
(ロ) 従来技術
従来の混成集積回路は第１図に示す如く、セラ
ミツクあるいは表面を陽極酸化したアルミニウム
等の絶縁基板１と、該基板１上に任意の形状に設
けた導電路２と、該導電路２上に半田で固着され
たヒートシンク３と、ヒートシンク３に固着され
たパワートランジスタ４と、パワートランジスタ
４を被覆保護する封止樹脂層５と、基板１の周端
に接着シート６で接着され全体を覆う蓋体７とで
構成されていた。
ミツクあるいは表面を陽極酸化したアルミニウム
等の絶縁基板１と、該基板１上に任意の形状に設
けた導電路２と、該導電路２上に半田で固着され
たヒートシンク３と、ヒートシンク３に固着され
たパワートランジスタ４と、パワートランジスタ
４を被覆保護する封止樹脂層５と、基板１の周端
に接着シート６で接着され全体を覆う蓋体７とで
構成されていた。
斯る構造の混成集積回路はテレビ、ラジオ、ス
テレオ等の比較的良好な使用環境を有する電子機
器では十分な封止と評価されていた。しかしなが
ら自動車の電装部品等の如く極めて使用環境の悪
いものにおいては十分な封止構造とは言えず、特
に電力を消費するパワートランジスタの劣化が極
めて問題となつていた。即ちヒートサイクルの結
果、封止樹脂層５にクラツクが発生し、クラツク
から入る酸素により半田酸化が起こり、パワート
ランジスタ４とヒートシンク３との熱抵抗が増大
してパワートランジスタ４が二次破壊されるので
ある。
テレオ等の比較的良好な使用環境を有する電子機
器では十分な封止と評価されていた。しかしなが
ら自動車の電装部品等の如く極めて使用環境の悪
いものにおいては十分な封止構造とは言えず、特
に電力を消費するパワートランジスタの劣化が極
めて問題となつていた。即ちヒートサイクルの結
果、封止樹脂層５にクラツクが発生し、クラツク
から入る酸素により半田酸化が起こり、パワート
ランジスタ４とヒートシンク３との熱抵抗が増大
してパワートランジスタ４が二次破壊されるので
ある。
斯る欠点を改良するために第２図に示す如く、
ヒートシンク３の周辺に溝８を設け、パワートラ
ンジスタ４を溝８の内側に半田で固着しエポキシ
樹脂等の封止樹脂層５を塗布してパワートランジ
スタ４を被覆して保護している。この際封止樹脂
層５は溝８内に充填され、ヒートサイクルによる
封止樹脂層５の剥離を防止している。なお斯る従
来技術は特公昭55−41022号公報（HOIL23／28）
に記載されている。
ヒートシンク３の周辺に溝８を設け、パワートラ
ンジスタ４を溝８の内側に半田で固着しエポキシ
樹脂等の封止樹脂層５を塗布してパワートランジ
スタ４を被覆して保護している。この際封止樹脂
層５は溝８内に充填され、ヒートサイクルによる
封止樹脂層５の剥離を防止している。なお斯る従
来技術は特公昭55−41022号公報（HOIL23／28）
に記載されている。
上述した改良型の混成集積回路に用いるヒート
シンク３は第３図ＡおよびＢに示す如く形成され
る。先ず第３図Ａに示す如く、13mm角で厚さ３mm
の銅片をヒートシンク３として用い、ヒートシン
ク３の上面周辺にループ状の巾500μｍ、深さ
300μｍの溝８をプレスして形成する。この工程
で溝８端部は変形されて約40μｍ程度の突起部９
ができる。特に溝８の内側端部にできる突起部９
はパワートランジスタ４の固着の障害となるので
除去する必要がある。そこで第３図Ｂに示す如
く、プレス金型１０により少くとも内側の突起部
９を平打ちする。しかしプレス金型１０と突起部
９の空間に油１１が密閉して介在するために平打
ちによりこの突起部９を解消できない欠点があつ
た。
シンク３は第３図ＡおよびＢに示す如く形成され
る。先ず第３図Ａに示す如く、13mm角で厚さ３mm
の銅片をヒートシンク３として用い、ヒートシン
ク３の上面周辺にループ状の巾500μｍ、深さ
300μｍの溝８をプレスして形成する。この工程
で溝８端部は変形されて約40μｍ程度の突起部９
ができる。特に溝８の内側端部にできる突起部９
はパワートランジスタ４の固着の障害となるので
除去する必要がある。そこで第３図Ｂに示す如
く、プレス金型１０により少くとも内側の突起部
９を平打ちする。しかしプレス金型１０と突起部
９の空間に油１１が密閉して介在するために平打
ちによりこの突起部９を解消できない欠点があつ
た。
(ハ) 発明の目的
本発明は斯点に鑑みてなされ、従来の欠点を改
良したヒートシンクの製号方法を実現することを
目的とする。
良したヒートシンクの製号方法を実現することを
目的とする。
(ニ) 発明の構成
本発明は平板状のヒートシンクの上面周辺に溝
を形成した後、該溝の形成時に生じた突起部を通
気孔を有する金型で平打ちする様に構成されてい
る。
を形成した後、該溝の形成時に生じた突起部を通
気孔を有する金型で平打ちする様に構成されてい
る。
(ホ) 実施例
本発明に依るヒートシンクの製造方法の一実施
例を第４図ＡおよびＢを参照して詳述する。なお
共通する構成部分は共通図番を付した。
例を第４図ＡおよびＢを参照して詳述する。なお
共通する構成部分は共通図番を付した。
第４図Ａに於いては13mm角で厚さ３mmの銅片を
ヒートシンク３として用い、ヒートシンク３の上
面周辺にループ状の巾500μｍ、深さ300μｍの溝
８をプレスして形成する。この工程で溝８端部は
変形されて約40μｍ程度の突起部９ができる。特
に溝８の内側端部にできる突起部９はパワートラ
ンジスタ４の固着の障害となるので除去する必要
がある。
ヒートシンク３として用い、ヒートシンク３の上
面周辺にループ状の巾500μｍ、深さ300μｍの溝
８をプレスして形成する。この工程で溝８端部は
変形されて約40μｍ程度の突起部９ができる。特
に溝８の内側端部にできる突起部９はパワートラ
ンジスタ４の固着の障害となるので除去する必要
がある。
第４図Ｂに於いて突起部９を平打ちにより除去
する。本工程は本発明の最も特徴とする点であ
り、平打ち用のプレス金型１０に通気孔１２を設
けている。そうするとプレス金型１０と突起部９
で形成される空間に油１１が介在しても通気孔１
２より外部への逃げ道があるので容易に平打ちを
行なえ、突起部９は約5μｍ程度までに平坦化さ
れる。通気孔１２はプレス金型１０の中央より側
面に貫通しているが、その形状は任意であり外気
との接続ができれば十分である。
する。本工程は本発明の最も特徴とする点であ
り、平打ち用のプレス金型１０に通気孔１２を設
けている。そうするとプレス金型１０と突起部９
で形成される空間に油１１が介在しても通気孔１
２より外部への逃げ道があるので容易に平打ちを
行なえ、突起部９は約5μｍ程度までに平坦化さ
れる。通気孔１２はプレス金型１０の中央より側
面に貫通しているが、その形状は任意であり外気
との接続ができれば十分である。
(ヘ) 発明の効果
本発明に依ればヒートシンクの平打ちを容易に
実現でき、パワートランジスタ４の封止構造に最
適のヒートシンク３を量産できる。
実現でき、パワートランジスタ４の封止構造に最
適のヒートシンク３を量産できる。
第１図は従来の混成集積回路を説明する断面
図、第２図は溝付のヒートシンクを用いた混成集
積回路を説明する断面図、第３図ＡおよびＢは従
来の溝付のヒートシンクの製造方法を説明する断
面図、第４図ＡおよびＢは本発明に依るヒートシ
ンクの製造方法を説明する断面図である。 主な図番の説明 ３はヒートシンク、８は溝、
９は突起部、１０はプレス金型、１２は通気孔で
ある。
図、第２図は溝付のヒートシンクを用いた混成集
積回路を説明する断面図、第３図ＡおよびＢは従
来の溝付のヒートシンクの製造方法を説明する断
面図、第４図ＡおよびＢは本発明に依るヒートシ
ンクの製造方法を説明する断面図である。 主な図番の説明 ３はヒートシンク、８は溝、
９は突起部、１０はプレス金型、１２は通気孔で
ある。
Claims (1)
- １ 平板状のヒートシンクの上面周辺に溝を形成
した後該溝の形成時に生じた突起部を通気孔を有
する金型で平打ちをすることを特徴とするヒート
シンクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59072425A JPS60216572A (ja) | 1984-04-11 | 1984-04-11 | ヒ−トシンクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59072425A JPS60216572A (ja) | 1984-04-11 | 1984-04-11 | ヒ−トシンクの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60216572A JPS60216572A (ja) | 1985-10-30 |
| JPH0210578B2 true JPH0210578B2 (ja) | 1990-03-08 |
Family
ID=13488922
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59072425A Granted JPS60216572A (ja) | 1984-04-11 | 1984-04-11 | ヒ−トシンクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60216572A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62238026A (ja) * | 1986-04-08 | 1987-10-19 | Sanyo Electric Co Ltd | ヒ−トシンクの製造方法 |
| DE10333329B4 (de) * | 2003-07-23 | 2011-07-21 | SEMIKRON Elektronik GmbH & Co. KG, 90431 | Leistungshalbleitermodul mit biegesteifer Grundplatte |
-
1984
- 1984-04-11 JP JP59072425A patent/JPS60216572A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60216572A (ja) | 1985-10-30 |
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