JPH0210633B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はビデオ信号をFM記録する磁気記録装
置に関するものである。

VTRはプリエンフアシス回路を有するので、
方形波を入力させると過渡応答でオーバシユート
が生じ、これが過大になるとFM再生出力に反転
現象（信号の急な立上り部分に於ける再生画の破
れ現象）が生じる。このため、VTRにはホワイ
トクリツプ回路が設けられ、FM入力信号がホワ
イトクリツプレベル以上になることが制限され
る。

ところで、ホワイトクリツプレベルを低く設定
すれば、反転現象を防止する効果が大きくなる
が、高周波での波形歪が大きくなる。他方、ホワ
イトクリツプレベルを高く設定すれば、波形歪は
少なくなるが、反転現象が生じ易くなる。このた
め、一般のVTRではホワイトクリツプの値が
EIA規格内の信号に対して最適値となるように設
定されている。反転現象又は波形歪を減少させる
ために、直流のホワイトクリツプレベルを入力信
号レベルの変化に応じて単純に変えることが考え
られるが、反転現象と波形歪との両方を阻止する
ことは困難である。

そこで、本発明の目的は、反転現象と波形歪み
との両方を制限することが可能な磁気記録装置を
提供することにある。

上記目的を達成するための本発明は、記録信号
の伝送路に接続されたプリエンフアシス回路と、
前記プリエンフアシス回路に接続されており、且
つ前記プリエンフアシス回路から出力された記録
信号の位相を反転するように形成されている位相
反転回路と、前記位相反転回路に接続されており
且つ前記位相反転回路の出力から交流成分を抽出
するように形成されているバントパスフイルタ
と、前記プリエンフアシス回路と前記バントパス
フイルタとに接続されており、且つ前記プリエン
フアシス回路から出力された記録信号をクリツプ
するためのレベルが前記バントパスフイルタから
出力された前記交流成分の変化に対応して変化す
るように形成されているホワイトクリツプ回路
と、前記ホワイトクリツプ回路に接続された周波
数変調回路と、前記周波数変調回路に接続された
記録磁気ヘツドとから成る磁気記録装置に係わる
ものである。

上記発明によれば、プリエンフアシス回路を通
すことによつてオーバシユートが生じたとして
も、これに対応する位相反転された交流成分をホ
ワイトクリツプ回路に与えることにより、クリツ
プレベルが交流成分に対応して変化し、オーバシ
ユート部分の波形が幅狭になる。このため、周波
数変調（FM）記録再生で問題なにる反転現象が
発生し難くなる。

第１図に示す本発明の実施例に係わるVTRの
映像信号記録系は、順次に接続されたそれぞれ公
知の映像信号入力端子１、ローパスフイルタ２、
プリエンフアシス回路３、結合コンデンサ４、ク
ランプ回路５、ホワイトクリツプ回路６、FM変
調回路７、記録増幅器８、記録再生切換スイツチ
９、及び回転ヘツド１０を有し、更に、本発明に
係わるホワイトクリツプレベル変調回路１１を有
する。

ホワイトクリツプレベル変調回路１１はプリエ
ンフアシス回路３の出力段の分岐ライン１２に、
抵抗R₁，R₂，R₃とトランジスタQ₁とから成る反
転増幅回路１３を接続し、この反転増幅回路１３
の出力端子即ちトランジスタQ₁のコレクタとホ
ワイトクリツプ回路６のホワイトクリツプレベル
設定ラインとの間にインダクタンス素子L₁とコ
ンデンサC₁とから成るバンドパスフイルタ１４
を接続することによつて形成されている。尚反転
増幅回路１３のトランジスタQ₁のベースは抵抗
R₁を介してプリエンフアシス回路３に接続され、
そのコレクタは抵抗R₂を介して正の電源＋V_CCに
接続され、そのエミツタは抵抗R₃を介して接地
されている。また、バンドパスフイルタ１４は、
100μFのインダクタンス素子L₁と220pFのコンデ
ンサC₁との直列回路から成る。

案内ドラムに沿つて斜め走行し、ヘツド１０で
斜め走査される磁気テープ１５から再生信号を得
る再生系は、順次に接続される公知の回転ヘツド
１０、切換スイツチ９、再生増幅回路１６、リミ
ツタ１７、FM復調回路１８、デイエンフアシス
回路１９、ビデオ増幅回路２０、及び再生出力端
子２１から成る。

第２図は第１図に於けるホワイトクリツプレベ
ル変調回路１１とホワイトクリツプ回路６との接
続関係の１例を示すものである。ホワイトクリツ
プ回路６は、＋V_CC電源とグランドとの間に接続
されたホワイトクリツプレベル調整用抵抗R₄と
分圧用の抵抗R₅との直列回路を有する。抵抗R₄
から得られる電圧は抵抗R₆とホワイトクリツプ
設定入力ライン２２とを介してトランジスタQ₂
のベースに接続されている。＋V_CC電源とグラン
ドとの間にはトランジスタQ₂ともう１つのトラ
ンジスタQ₃と抵抗R₇とが順次接続されているの
で、ホワイトクリツプ設定入力に対応したトラン
ジスタQ₂の抵抗値と、トランジスタQ₃の抵抗値
と抵抗R₇の値との合計値との分圧比で決定され
る電圧が点P₁に得られる。一方、第１図に示す
クランプ回路５でクランプされた映像信号はライ
ン２３から抵抗R₈を介してトランジスタQ₄のベ
ースに入力する。トランジスタQ₄のベースと点
P₁との間にはダイオードD₁，D₂が接続されてい
るので、P₁点の電位よりもダイオードD₁，D₂の
順方向電圧降下分だけ高い映像信号が入力する
と、ダイオードD₁，D₂がオンになつてクリツプ
される。従つて、トランジスタQ₄のベースに一
定レベル（ホワイトクリツプレベル）以上の電圧
が入力しない。このため、トランジスタQ₄のエ
ミツタから導出されたホワイトクリツプ出力ライ
ン２４に一定レベル以上の映像信号が出力されな
い。

ところで、本実施例では本発明に基づいてホワ
イトクリツプレベル変調回路１１の出力ライン２
５がホワイトクリツプ設定入力ライン２２に結合
されている。このため、バンドパスフイルタ１４
から得られる交流成分が直流のホワイトクリツプ
レベルに加算された状態になる。

第３図は第１図のＡ〜Ｆの状態を説明的に示す
電圧波形図である。今、プリエンフアシス回路３
に極めて短時間幅（例えば200nsec）のドツト
（DOT）状の映像信号を入力させると、プリエン
フアシス回路３の働きによつて第３図Ｂに示す波
形が得られる。この波形はクランプ回路５を介し
てホワイトクリツプ回路６に送られると共に、分
岐ライン１２によつて反転増幅回路１３に送ら
れ、第３図Ｃに示す位相反転信号とされる。そし
て第３図Ｃの信号がバンドパスフイルタ１４に送
られると、その出力ラインに第３図Ｄに示すよう
な交流成分が得られ、これが直流のホワイトクリ
ツプレベル設定入力に加算されて、第３図Ｅに示
すように変調されたホワイトクリツプレベルV_R
が得られる。ホワイトクリツプ回路６には第３図
Ｅで点線と実線とで示す映像信号V_Sが入力する
が、ホワイトクリツプレベルV_R以上の部分があ
るので、点線で示す部分は除去されて第３図Ｆに
示すような出力が得られる。

もし、従来の平坦なホワイトクリツプレベルで
あるとすれば、第４図に示すホワイトクリツプ出
力となる。従つて、第３図Ｆと第４図との比較か
ら明らかな如く、本発明の変調ホワイトクリツプ
レベルによると、クリツプされた波形の頭が平坦
にならずに先細になる。即ち、映像信号の波形が
ホワイトクリツプレベルV_Rに交差する近傍時点
よりホワイトクリツプV_Rレベルが徐々に低下し、
しかる後上昇するように変調されているので、オ
ーバーシユートした映像信号波形の幅が狭くなる
ようにクリツプされる。このように、クリツプ波
形が先細になると、過大レベル信号期間が短くな
り、FM変調波の高周波期間も短くなる。そし
て、再生出力に於ける反転現象が生じにくくな
る。もし、第４図に示す如く平坦なホワイトクリ
ツプレベルV_R1でクリツプすると、過大レベル信
号期間が長くなり、FM変調波の高周波期間も長
くなり、再生出力の反転現象が出じる恐れがあ
る。従つて、従来のホワイトクリツプ方式で反転
現象を防ぐためには、ホワイトクリツプレベルを
第４図のV_R2に示すように更に下げなければなら
なかつた。このため、従来、反転現象を防止しよ
うとすると、必然的に高周波での波形歪が大きく
なり、また、信号レベルを増加することが出来な
いのでSN比も悪くなつた。

第５図〜第７図はホワイトクリツプレベルと反
転現象との関係を示すものである。従来のホワイ
トクリツプ方式であつても、第５図Ａに示すよう
に映像入力信号V_Sのレベルが低く、プリエンフ
アシスによるオーバーシユートがホワイトクリツ
プレベルV_R1を大幅に越えない場合には反転現象
が生じない。即ちこの場合には過大レベル期間が
短いので、第５図ＢのFM変調波の高周波期間も
短い。従つて、VTRのテープ及びヘツド系、ア
ンプ系等の周波数位相特性が悪いために第５図Ｃ
に示す如く高周波部分の再生出力が低下しても、
直ちに回復する。このため、ゼロクロスが欠落し
て反転現象が生じる恐れは少ない。これに対し
て、従来の方式で第６図Ａに示す如く入力信号
V_Sのレベルが大きくなると、オーバーシユート
部分のホワイトクリツプレベルV_R1を横切る量が
多くなり、第６図Ｂに示す如く、高周波期間が長
くなる。このため、再生出力が第６図Ｃに示す如
く、ゼロクロスの欠落が生じるような状態とな
り、反転現象が生じる。従つて、反転現象を防ぐ
ためには、ホワイトクリツプレベルを更に下げて
V_R2にしなければならない。しかし、これによ
り、高周波の波形歪の増大、及びSN比の低下が
生じる。

第７図は本発明の原理を示すものであり、第７
図Ａに示すように第６図Ａと同一のレベルの入力
信号V_S及びホワイトクリツプレベルV_R1であつて
も、反転現象が生じないことを示すものである。
本発明ではホワイトクリツプレベルの最大が第５
図及び第６図と同様にV_R1であるが、このV_R1に
一定に保たれずに入力信号レベルの変動に応じて
変化される。このため、第７図Ａの斜線の部分が
変調ホワイトクリツプレベルによつて除去され
る。これにより、オーバーシユート部分が先細に
なり、第７図Ｂに示す如く高周波期間が短くな
る。従つて、第７図Ｃに示す如く、再生出力のゼ
ロクロスの欠落が生じる恐れが少なくなる。尚、
レベルV_R2以下では反転現象が生じないので、変
調ホワイトクリツプレベルで除去する部分はV_R2
以上にすることが望ましい。

上述から明らかなように、本実施例には次の利
点がある。

(a) ホワイトクリツプレベルを入力信号のレベル
の変化に対応するように変調し、入力信号レベ
ルの大小に実質的に無関係にホワイトクリツプ
後の波形の先端の時間幅がほぼ一定になるよう
にクリツプするので、FM変調波の高周波期間
が短くなり、反転現象が生じにくくなる。

(b) 反転現象を防ぐためにホワイトクリツプレベ
ルを下げることが不要であるので、高周波の波
形歪の低減及びSN比の向上が可能になる。

以上、本発明の実施例について述べたが、本発
明はこれに限定されるものでなく、更に変形可能
なものである。例えば、ホワイトクリツプ回路６
を第８図に示すように変形してもよい。即ち、ホ
ワイトクリツプレベル設定抵抗R₄，R₅から得ら
れる直流のホワイトクリツプレベルをダイオード
D₁とコンデンサC₂との間の点P₁に与えると共に、
ここにホワイトクリツプレベル変調回路１１から
交流成分を与えるようにしてもよい。

また、記録信号に含まれるドツト信号の時間幅
の変化等に応じてバンドパスフイルタ１４の定数
を変えてもよい。

また、急な波形の立上りに応答してCR等の時
定数回路の動作を開始させ、ホワイトクリツプレ
ベルが徐々に低下するように変調するための成分
を形成し、これを一定直流のホワイトクリツプ設
定レベルに加算してもよい。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例に係わるVTRの映像
信号系を示すブロツク図、第２図は第１図のホワ
イトクリツプ回路を詳しく示す回路図、第３図は
第１図の各部の状態を示す電圧波形図、第４図は
従来のホワイトクリツプを示す波形図、第５図、
第６図及び第７図は入力信号レベル変化とホワイ
トクリツプによる再生出力変化との関係を示す波
形図、第８図はホワイトクリツプ回路の変形例を
示す回路図である。 尚図面に用いられている符号に於いて、３はプ
リエンフアシス回路、６はホワイトクリツプ回
路、７はFM変調回路、１１はホワイトクリツプ
レベル変調回路、１３は反転増幅回路、１４はバ
ンドパスフイルタである。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 記録信号の伝送路に接続されたプリエンフア
   シス回路と、 前記プリエンフアシス回路に接続されており、
   且つ前記プリエンフアシス回路から出力された記
   録信号の位相を反転するように形成されている位
   相反転回路と、 前記位相反転回路に接続されており且つ前記位
   相反転回路の出力から交流成分を抽出するように
   形成されているバントパスフイルタと、 前記プリエンフアシス回路と前記バントパスフ
   イルタとに接続されており、且つ前記プリエンフ
   アシス回路から出力された記録信号をクリツプす
   るためのレベルが前記バントパスフイルタから出
   力された前記交流成分の変化に対応して変化する
   ように形成されているホワイトクリツプ回路と、 前記ホワイトクリツプ回路に接続された周波数
   変調回路と、 前記周波数変調回路に接続された記録磁気ヘツ
   ドと から成る磁気記録装置。