JPH0210794B2 - - Google Patents

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JPH0210794B2
JPH0210794B2 JP56192308A JP19230881A JPH0210794B2 JP H0210794 B2 JPH0210794 B2 JP H0210794B2 JP 56192308 A JP56192308 A JP 56192308A JP 19230881 A JP19230881 A JP 19230881A JP H0210794 B2 JPH0210794 B2 JP H0210794B2
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JP
Japan
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glass
powder
present
zirconia
hip
Prior art date
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Expired - Lifetime
Application number
JP56192308A
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English (en)
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JPS5895664A (ja
Inventor
Teizo Hase
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toyota Motor Corp
Original Assignee
Toyota Motor Corp
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Publication date
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  • Powder Metallurgy (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はヒツプ処理用被覆材に関するものであ
る。
ヒツプ処理法は熱間静水圧法(Hot Isostatic
Pressing)ともよばれるものであつて、セラミツ
ク粉末、耐熱合金粉末などの焼結に用いられるも
のである。
このヒツプ処理法に用いられる加圧媒体は窒
素、アルゴン等の気体である。そのため被焼結体
(例えば、粉末成形体、半焼結体等)を少なくと
も焼結温度域で密封する必要がある。
従来このような手段としては、 各種の合金でカンをつくり、その中へ原料粉
末を入れ、真空排気後カンを溶封して密封化す
る。
半焼結品の場合には、通常の方法である程度
のかさ密度まで焼結後、焼結体表面にガラス粉
末を塗付し、このガラス塗付物が高温で粘稠性
液体となつた溶融物で密封する、 あるいは、 成形時の気孔が閉気孔化するまで通常の方法
で焼結しておき、次いで密封材なしでヒツプす
る、 等の手段が採用されてきた。
しかしながらこれらの方法では複雑な形状のも
のを処理することが困難である。Si3N4等の難焼
結性の粉末を原料とした場合には適用しにくい等
の問題がある。
本発明はこのような従来技術の問題点を解消す
べくなされたものであつて、その目的とするとこ
ろは、形状の複雑なもの、あるいは難焼結性原料
を用いたものでも容易にヒツプ処理して焼結せし
めることが可能なヒツプ処理用被覆材を提供する
にある。
本発明は、セラミツク繊維とガラス形成物質と
から構成された布状のヒツプ処理用被覆材、によ
つてこの目的を達成するものである。
本発明において用いられるセラミツク繊維とし
ては、例えばジルコニア(ZrO2)繊維、アルミ
ナ(Al2O3)繊維、溶融石英繊維、高珪酸繊維、
炭化珪素繊維等が採用可能である。
またガラス形成物質としては、珪酸ソーダ系、
ホウ珪酸系等各種の所謂ガラスの他、高温状態で
ガラス状となるものも採用可能である。
本発明の好ましい一実施態様としては、ジルコ
ニア質織布のメツシユ間隙に珪酸ソーダガラス粉
末が充填されてなるヒツプ処理用被覆材がある。
この被覆材は、珪酸ソーダ系ガラスの粉末を水等
の液体中に分散させ、次いでこの分散液をジルコ
ニア質織布に吹き付け、該織布のメツシユ間隙に
充填する等の方法によつて製造することができ
る。このような珪酸ソーダガラスとしては例えば
SiO2とNa2Oとのモル比が1〜2のものが好適に
採用される。また上記分散液吹き付けに際してジ
ルコニア質織布を加熱しておいても良い。
本発明の好ましい他の実施態様としては、ジル
コニア等のセラミツク繊維とガラス繊維とから織
製された布状のヒツプ処理用被覆材がある。
本発明の被覆材を用いてヒツプ処理を行うに
は、原料粉末を成形し、次いで所望により軽度に
焼結せしめ、次いで該成形体を本発明の被覆材で
覆い、ヒツプ装置によつて処理する方法、あるい
は、部品Aに部品Bをその接合面に粉末を介在せ
しめてつき合せ、これらを本発明被覆材で囲繞し
た後、ヒツプ装置によつて処理する方法、等が採
用可能である。
実施例 1 りん酸肥料工業副産シリカ200gに炭酸ソーダ
(試薬特級)を166g、240g、332gを湿式
混合し、乾燥後、白金坩堝中で1200℃に加熱し
た。清澄後これを水中に投じて冷却固化させ、固
化物を1μm以下に粉砕した。平均粒径は0.3μmで
あつた。この3種類の粉砕物を各々水中に18重量
%分散させた。この分散液を、180℃に加熱され
たジルコニア質織布(商品名zircar)にくり返し
吹きつけた。分散液中の水分は直ちに蒸発し、メ
ツシユ間隙間に珪酸ソーダガラス粉末が充填され
たヒツプ処理用被覆材が得られた。
焼結助剤として6重量%のY2O3と、8重量%
のAl2O3を含んだSi3N4粉末から成形されたター
ビンブレード材を、この被覆材で覆つた。
これをヒツプ装置の炉心に置き、まず真空中で
1200℃まで加熱し、珪酸ソーダガラス粉末の溶融
によつて生じた液相で、ジルコニア質織布のメツ
シユを密閉した。次いで窒素ガスを導入して3000
気圧にまで加圧した。昇温速度25℃/minで加熱
し、1750℃に4時間保持した。その後ヒツプ装置
より試料を取り出し、試料表面に残留していたジ
ルコニア質織布の形骸とガラス質物質を除去し、
製品を得た。この製品の焼結性は極めて良好であ
つた。
実施例 2 タービンブレードの材質をSiC、AlN、並びに
サイアロンに夫々変えたものについて、実施例1
と同様にしてヒツプ処理した。
その結果焼結性はいずれも極めて良好であつ
た。
実施例 3 直径50mm、厚さ30mm、かさ密度3.01g/cm3
SiC製円盤2枚の間に平均粒径0.15μmのα−SiC
(焼結助剤として3重量%のAl、1重量%のB及
び1重量%のCを含む)の粉末を100μm厚で均一
に狭み、上記実施例1の被覆材(但しガラス組成
はのものである。)で覆つた。これをヒツプ装
置を用いて、アルゴン1500気圧、昇温速度10℃/
minで加熱し、1950℃に1時間保持した。その結
果両円盤は一様に接合していた。
実施例 4 Si3N4製ブレードとハブの半焼結品のブレード
をハブに差し込み、ブレードとハブの間にSi3N4
−SiC−Al−B−C系の接合剤を注入した。これ
を上記実施例1の被覆材(但しガラス組成はの
もの)で覆つた。これを窒素2000気圧、昇温速度
15℃/minで1800℃、2時間ヒツプ処理した。そ
の結果ハブとブレードが緊結されたロータが得ら
れた。
以上の通り、本発明のヒツプ処理用被覆材によ
れば、形状の複雑なもの、あるいは難焼結性のも
のでも容易にヒツプ処理を行うことができる。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 セラミツク繊維とガラス形成物質とから構成
    された布状のヒツプ処理用被覆材。 2 前記ガラス形成物質は、ガラス粉末であるこ
    とを特徴とする特許請求の範囲第1項記載のヒツ
    プ処理用被覆材。 3 前記ガラス形成物質は、ガラス繊維であるこ
    とを特徴とする特許請求の範囲第1項記載のヒツ
    プ処理用被覆材。
JP56192308A 1981-11-30 1981-11-30 ヒツプ処理用被覆材 Granted JPS5895664A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP56192308A JPS5895664A (ja) 1981-11-30 1981-11-30 ヒツプ処理用被覆材

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP56192308A JPS5895664A (ja) 1981-11-30 1981-11-30 ヒツプ処理用被覆材

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS5895664A JPS5895664A (ja) 1983-06-07
JPH0210794B2 true JPH0210794B2 (ja) 1990-03-09

Family

ID=16289106

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP56192308A Granted JPS5895664A (ja) 1981-11-30 1981-11-30 ヒツプ処理用被覆材

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JP (1) JPS5895664A (ja)

Also Published As

Publication number Publication date
JPS5895664A (ja) 1983-06-07

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