JPH02108242A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は磁気記録媒体の製造方法に係り、特に磁気ディ
スク、フロッピーディスク、磁気テープ等の磁気記録製
質に用いられる磁気記録媒体であって、その保磁力特性
が改善された磁気記録媒体の製造方法に関するものであ
る。

［従来の技術］ 磁気ディスク、フロッピーディスク、磁気テープ等の磁
気記録媒体に用いられる磁気記録媒体には、近年、高記
録密度化の観点から、金属薄膜型の磁気記録媒体がバイ
ンダーを用いる塗布型の磁気記録媒体に代わって用いら
れ始めた。

この金属薄膜型の磁気記録媒体は、無電解めっき、電気
めっき、スパッタ、蒸着等の方法で容易に作成される。

これらのうち無電解めっき法は、高い生産性と長年の技
術蓄積による技術面の向上から、広く実用化が進められ
ている。

従来、無電解めっき法により製造される磁気記録媒体は
、その磁性薄膜がＣｏ（コバルト）−Ｐ（リン）又はＣ
ｏ−Ｎｉにニッケル）−ｐよりなるものが主流であり、
一部は既に製品化されている。

［発明が解決しようとする課題］ しかしながら、従来の無電解めっき法により無電解めっ
き浴を用いて磁性膜を作成する場合、同一浴組成で無電
解めっき浴を調製しても、使用する薬品の実際上管理不
可能なわずかな純度の差異によるめっき浴の組成誤差、
或いはめつき日数の経過によるめっき浴の組成変化、即
ち、めっき浴の消耗度合又はめっき浴の昇温、降温の繰
り返し回数によるめっき浴の組成変化により、得られる
磁性膜はその電磁変換特性に強く影響する保磁力が著し
く変化する現象が見られる。このようなことから、従来
においては特定の無電解めっき浴から、許容範囲内の保
磁力を有する磁性膜は、限られた数量しか得ることかで
鮒ないという欠点があった。

本発明は上記従来の問題点を解決し、所望とする比較的
低い保磁力を有する磁気記録媒体を製造することができ
る方法を提供することを目的とする。

［課題を解決するための手段］ 本発明の磁気記録媒体の製造方法は、金属イオンとして
少なくともコバルトイオン及びニッケルイオンを含み、
さらにこれら金属イオンの還元剤と、前記金属イオンの
錯化剤とを含む無電解めっき浴を用いて非磁性基板上に
コバルト及びニッケルを含む磁性層を形成する方法にお
いて、前記めっき浴中にニオブ化合物及び／又はルテニ
ウム化合物を含有させることを特徴とする。

以下に本発明の詳細な説明する。

本発明において、磁性膜を形成する非磁性基板としては
、金属、プラスチック、セラミック、ガラス等の基板が
用いられ、通常、これらは公知の方法に従ってＮ１−Ｐ
無電解めっき、Ｐｄ触媒化処理等の表面処理を施した後
、磁性膜の形成に供される。

また、本発明で磁性膜の形成に用いる無電解めっき浴中
のコバルトイオン及びニッケルイオンは各々その水溶性
化合物を用いて調製され、例えば、硫酸塩、塩化物、硝
酸塩、酢酸塩等の水溶性コバルト化合物又は水溶性ニッ
ケル化合物を用いて調製される。通常は硫酸塩、塩化物
が好適に用いられる。還元剤としては、次亜リン酸塩、
水素化ホウ素化合物、ヒドラジン、ジメチルアミンボラ
ン等、好ましくは次亜リン酸塩が用いられる。

錯化剤としては、ジカルボン酸、オキシカルボン酸、ア
ミノ酸等の有機酸及びそれらの可溶性塩から選ばれる１
種又は２種以上が適宜用いられる。

なお、本発明において、無電解めっぎ浴中のコバルトイ
オン濃度は０．０１〜０．５モル／Ｕであることが好ま
しく、またニッケルイオン濃度は０００１〜０１モル／
ｊ２であることが好ましい。

本発明の方法において、無電解めつぎ浴中に添加するニ
オブ化合物としては、ニオブのハロゲン化物、ニオブ酸
化合物等が挙げられる。また、ルテニウム化合物として
は、ルテニウムのハロゲン化物、ヘキサクロロルテニウ
ム酸化合物、ヘキサアンミンルテニウム化合物等が挙げ
られる。これらのニオブ化合物及び／又はルテニウム化
合物は、１種を単独で用いても、２種以上を併用して用
いても良く、その添加濃度は、めつき浴中のコバルトイ
オンとニッケルイオンとの合計４度に対するニオブイオ
ン及び／又はルテニウムイオンの濃度が０．０１〜１０
モル％、好ましくは０．　１〜５モル％となるようにす
るのが望ましい。

本発明においては、上記成分により調製される無電解め
っき浴を、苛性ソーダ又はアンモニア化合物等のｐＨ調
節剤、ｐＨ緩衝剤により、ｐＨ８〜１１に調整し、また
浴温を６０〜９０℃に調整した後、前記非磁性基板を浸
漬するのが好適である。非磁性基板の浸漬時間は、目的
とする磁性膜の厚さにより適宜決定される。

このような本発明の方法により製造される磁気記録媒体
の磁性層中のＣＯ愈は、磁性層の総量に対して５０〜９
８重量％、特に７０〜９８ｆｉｉ％であることが望まし
い。また、ＮｉはＣＯに対し−Ｃｏ、１〜ｓｏ！！ｘｆ
ｆｉ％、特ニ１〜４　ｏ！１ｆｆｆ１％ｉ’することが
好ましい。

［作用］ 無電解めっき法により形成されるＣｏ−Ｎｉ系磁性膜に
おいて、ニオブ化合物又はルテニウム化合物は他の磁気
特性を悪化させることなく保磁力を低下させる働きがあ
る。このため、保磁力が許容範囲の上限を超えるような
場合、保磁力を許容範囲内に保つことができる。

［実施例］ 以下に実施例及び比較例を挙げて本発明をより具体的に
説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の
実施例に限定されるものではない。

実施例１ アルミニウム合金非磁性基板上に公知の方法に従って非
磁性Ｎ１−Ｐ層の無電解めっき被覆を施した後、下記の
めつき浴組成及びめっき条件にて磁性膜を形成した。

めっき浴組成（モル／ρ　） 硫酸コバルト　　　　　　　：０．０５硫酸ニツケル　
　　　　　：０．０１ 塩化ニオブ　　　　　　　：　　ｏ、ｏｏｔ次亜リン酸
ナトリウム　　：０．２０ ホウ酸　　　　　　　　　：０．５０ 酒石酸カリウムナトリウム：０．５０ めっき条件 めっき浴のｐＨ：９．０ （２５℃にてＮａＯＨでｐＨ調整） 浴温　　　　　：８０℃ めっき時間　　：１００秒 得られた磁気記録媒体の保磁力（Ｈｃ）、角形性（Ｓ）
、保磁力角形性（Ｓ“）を測定し、結果を第１表に示し
た。

実施例２ 実施例１において、塩化ニオブの代わりに塩化ルテニウ
ムｏ、ｏｏｔモル／Ｉｔを用い、たこと以外は全く同様
にして磁性膜を形成し、得られた磁気記録媒体の保磁力
（Ｈｃ）、角形性（Ｓ）、保磁力角形性（Ｓ′）の測定
結果を第１表に示した。

比較例１ 実施例１において、塩化ニオブを用いなかったこと以外
は全く同様にして磁性膜を形成し、得られた磁気記録媒
体の保磁力（Ｈｃ）、角形性（Ｓ）、保磁力角形性（Ｓ
”）の測定結果を第１表に示した。

第　　１　　表 第１表より、本発明の方法により得られる磁気記録媒体
によれば、他の磁気特性を悪化させることなく、保磁力
を低下させることができることが明らかである。

［発明の効果］ 以上詳述した通り、本発明に係る磁気記録媒体の製造方
法によれば、他の磁気特性を悪化させることなく、保磁
力を低下させることができ、このため、製造条件等の誤
差により保磁力が許容範囲の上限を超えるような場合に
おいて、保磁力を許容範囲内に容易に保つことが可能な
磁気記録媒体が提供される。

ｌ　事件の表示 昭和６３年特許願第２６２０２８号 ２　発明の名称 磁気記録媒体の製造方法 ３　補正をする者 ｌ！１１件との関係　特許出願人 名　称　　　　（５９６）三菱化成株式会社４　代理人 住　所　　東京都港区虎ノ門１丁目１５番７号〒１０５
　　ＴＧ１１５ビル　８階 代理人　　弁理士　　重　野　　剛 ７　補正の内容 （１）　明細書第１頁第１８行に「その保磁力特性が改
善された」とあるのを「保磁力を所望の範囲に容易にコ
ントロールすることができる１と訂正する。

（２）　同第２頁第８行及び第１８行に「作成」とある
のをそれぞれｒ作製」と訂正する。

（３）　同第９頁下から第５行に「誤差」とあるのをｒ
変動１と訂正する。

以　　上

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）金属イオンとして少なくともコバルトイオン及び
   ニッケルイオンを含み、さらにこれら金属イオンの還元
   剤と、前記金属イオンの錯化剤とを含む無電解めっき浴
   を用いて非磁性基板上にコバルト及びニッケルを含む磁
   性層を形成する方法において、前記めっき浴中にニオブ
   化合物及び／又はルテニウム化合物を含有させることを
   特徴とする磁気記録媒体の製造方法。