JPH02108222A - 磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は磁気記録媒体に係り、特に磁気ディスク、フロ
ッピーディスク、磁気テープ等の磁気記録装置に用いら
れる磁気記録媒体であって、その保磁力特性が改善され
た磁気記録媒体に関するものである。

［従来の技術］ 磁気ディスク、フロッピーディスク、磁気テープ等の磁
気記録装置に用いられる磁気記録媒体には、近年、高記
録密度化の観点から、金属薄膜型の磁気記録媒体が一バ
インダーを用いる塗布型の磁気記録媒体に代わって用い
られ始めている。

この金属薄膜型の磁気記録媒体は、無電解めっき、電気
めっき、スパッタ、蒸着等の方法で容易に作成される。

これらのうち無電解めっき法は、高い生産性と長年の技
術蓄積による技術面の向上から、広く実用化が進められ
ている。

従来、無電解めっき法により製造される磁気記録媒体は
、その磁性薄膜がＣｏ（コバルト）−Ｐ（リン）又はＣ
ｏ−Ｎｉにッケル）−ｐよりなるものが主流であり、一
部は既に製品化されている。

［発明が解決しようとする課題］ しかしながら、従来の無電解めっき法により無電解めっ
き浴を用いて磁性膜を作成する場合、同一浴組成で無電
解めっき浴を調製しても、使用する薬品の実際上管理不
可能なわずかな純度の差異によるめっき浴の組成誤差、
或いはめつき日数の経過によるめっき浴の組成変化、即
ち、めっき浴の消耗度合又はめっき浴の昇温、降温の繰
り返し回数によるめっき浴の組成変化により、得られる
磁性膜はその電磁変換特性に強く影響する保磁力が著し
く変化する現象が見られる。このようなことから、従来
においては特定の無電解めっき浴から、許容範囲内の保
磁力を有する磁性膜は、限られた数量しか得ることがで
きないという欠点があった。

本発明は上記従来の問題点を解決し、所望とする比較的
低い保磁力を有する磁気記録媒体を提供することを目的
とする。

［課題を解決するための手段］ 本発明の磁気記録媒体は、非磁性基板上にＣ。

−Ｐ糸斑性膜が形成されてなる磁気記録媒体において、
該Ｃｏ−Ｐ系磁性膜がＣＯに対して０゜０１〜１５瓜量
％のＧａ（ガリウム）及び／又はＧｅ（ゲルマニウム）
を含有することを特徴とする。

以下に本発明の詳細な説明する。

本発明の磁気記録媒体は、Ｃｏに対して０．０１〜１５
重量％のＧａ及び／又はＧｅを含む、Ｃｏ−Ｃａ−Ｐ系
、Ｃｏ−Ｇｅ−Ｐ系又はＣｏ−Ｇａ−Ｇｅ−Ｐ糸斑性膜
を非磁性基板上に形成したものである。Ｇａ及び／又は
Ｇｅの量がＣｏに対して０．０１重量％未満であっても
、１５重量％を超えても、十分な保磁力の改善効果は得
られない。Ｇａ及び／又はＧｅの含有量は特にＣｏに対
して０．１〜１０！ｉ量％、とりわけ０．１〜５重量％
であることが望ましい。

なお、本発明の磁気記録媒体において、Ｃｏ−Ｇ　ａ　
／　Ｇ　ｅ　−Ｐ系磁性膜中のＣｏ量は、磁性膜の総量
に対して５０〜９８重景％、特に７０〜９８重量％であ
ることが望ましい。また、ＰはＣｏに対して１〜１０重
量％、特に２〜７重量％であることが望ましい。この、
Ｃｏ　−Ｇ　ａ　／　Ｇ　ｅ　−Ｐ糸斑性膜は、更にＣ
ｏに対して０．１〜６０重量％、とりわけ１〜４０重量
％のＮｉを含有することが望ましい。

本発明に係る磁気記録媒体は、無電解めっき、電気めっ
き、スパッタリング、蒸着等の方法で常法に従って容易
に作成することが可能である。これらの方法のうち、無
電解めっき法は前述の如く生産性が高く、しかも長年の
技術蓄積がある点で極めて有利である。従って、本発明
の磁気記録媒体の作成方法としては、無電解めっき法が
最適である。

無電解めっき洛中のコバルトイオン及びニッケルイオン
は水溶性化合物を用いて調製され、例えば、硫酸塩、塩
化物、硝酸塩、酢酸塩等の水溶性コバルト化合物又は水
溶性ニッケル化合物を用いて調製される。通常は硫酸塩
、塩化物が好適に用いられる。還元剤としては、次亜リ
ン酸塩、水素化ホウ素化合物、ヒドラジン、ジメチルア
ミンボラン等、好ましくは次亜リン酸塩が用いられる。

錯化剤としては、ジカルボン酸、オキシカルボン酸、ア
ミノ酸等の有機酸及びそれらの可溶性塩から選ばれる１
種又は２種以上が適宜用いられる。

なお、無電解めっき浴中のコバルトイオン濃度は０．０
１〜０．５モル／ｌであることが好ましく、ニッケルイ
オン濃度はｏ、ｏｏｔ〜０．１モル／Ａであることが好
ましい。

本発明に係る、Ｃｏ　−Ｇ　ａ　／　Ｇ　ｅ　−Ｐ　、
ｆ−ｂｎ性膜を形成するための無電解めっき浴は、例え
ば、上記原料より調製される従来のＣｏ−Ｐ糸斑性膜の
製造に用いる無電解めっき浴組成のものに、コバルト化
合物の総量に対して０．０５〜１５モル％のガリウム化
合物及び／又はゲルマニウム化合物を添加することによ
り調製することができる。ここで、ガリウム化合物とし
ては、ハロゲン化物、硫酸塩、硝酸塩、酢酸塩等、好ま
しくは硫酸塩、塩化物を用いることができる。また、ゲ
ルマニウム化合物としては、ハロゲン化物、ヘキサフル
オロゲルマニウム酸化物等、好ましくは塩化物を用いる
ことができる。

無電解めっき法による磁性膜の形成には、このようにし
て調製される無電解めっき浴を、苛性ソーダ又はアンモ
ニア化合物によりＰＨ８〜１１に調整し、また浴温を６
０〜９０℃に調整した後、非磁性基板上 間は目的とする磁性膜の厚さにより適宜決定される。

なお、磁性膜を形成する非磁性基板としては、金属、プ
ラスチック、セラミック、ガラス等の基板が用いられ、
通常、これらは公知の方法に従ってＮ１−Ｐ無電解めっ
き、Ｐｄ触媒化処理等の表面処理を施した後、磁性膜の
形成に供される。

［作用］ 特定量のＧａ及び／又はＧｅは、Ｃｏ−Ｐ糸斑性膜にお
いて、その保磁力を低減させる作用を奏する。従って、
Ｃｏに対してＧａ及び／又はＧｅを０．０１〜１５重量
％含有するＣｏ−Ｇａ／Ｇｅ−Ｐ糸斑性膜によれば、他
の磁気特性を悪化させることなく保磁力を低下させ、容
易に所望の保磁力を得ることができる。

［実施例］ 以下に実施例及び比較例を挙げて本発明をより具体的に
説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の
実施例に限定されるものではない。

実施例１ 硫酸コバルト０．０５　ｍｏｌ／ｊ２、硫酸ニッケル０
　、　０１　　ｍｏ１／ｆ、塩化ガリウムＯ，ＯＯ１ｍ
ｏｌ／Ｌ、次亜リン酸ナトリウム０．　２０ｍｏｌ　／
１１、ホウ酸０　、　５０　　ｍｏｌ／Ｉｌ、酒石酸カ
リウムナトリウム０．　５０　　ｍｏｌ／ｕの組成を有
する無電解めっき浴（２５℃）に、苛性ソーダ溶液を加
えｐＨを９．０に調整した。この浴を８０℃に加温し、
常法に従って、脱脂、活性化処理の前処理を施したＮ１
−Ｐ無電解めっき被覆アルミニウム基板を９０〜１２０
秒浸漬して、磁性膜を形成した。この磁性膜の組成はＣ
ｏ：８７重量％、Ｎｉ　：８重量％、Ｇａ１１重量％、
Ｐ：４重量％であり、ＧａはＣＯに対して１．１重量％
含有されていた。

得られた磁気記録媒体の保磁力（Ｈｅ）、角形性（Ｓ）
、保磁力角形性（Ｓ″）を測定し、結果を第２表に示し
た。

実施例２ 実施例１において、塩化ガリウムの代わりに塩化ゲルマ
ニウムＯ，ＯＯ１ｍｏｌ／ｆ１を用いたこと以外は全く
同様にして磁性膜を形成した。

形成された磁性膜の組成はＣｏ：８５重量％、Ｎｉ　：
８重量％、Ｇｅ：３重量％、Ｐ：４重量％であり、Ｇｅ
はＣｏに対して３．５重量％含有されていた。

得られた磁気記録媒体の保磁力（Ｈｅ）、角形性（Ｓ）
、保磁力角形性（Ｓ″）を測定し、結果を第１表に示し
た。

比較例１ 実施例１において、塩化ガリウムを用いないほかは全く
同様にして磁性膜を形成し、得られた磁気記録媒体の保
磁力（Ｈｃ）、角形性（Ｓ）、保磁力角形性（Ｓ“）を
測定し、結果を第１表に示した。

第　　１　　表 の磁気特性を悪化させることなく、保磁力を低下させる
ことができることが明らかである。

［発明の効果］ 以上詳述した通り、本発明に係る磁気記録媒体は、ＣＯ
に対して０．０１〜１５重量％のＧａ及び／又はＧｅを
含有するＣ　ｏ　−Ｇ　ａ　／　Ｇ　ｅ　−Ｐ糸斑性膜
を形成してなるものであって、この磁気記録媒体によれ
ば、他の磁気特性を悪化させることなく、保磁力を低下
させることができ、このため、製造条件等の変動により
保磁力が許容範囲の上限を超えるような場合において、
保磁力を許容範囲内に容易に保つことが可能な磁気記録
媒体が提供される。

代理人　　弁理士　重　野　　剛 第１表より、本発明に係る磁気記録媒体は、他手続補正
書 ＪＳ件の表示 昭和６３年特許願第２６２０２７号 発明の名称 磁気記録媒体 補正をする者 事件との関係　特許出願人

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）非磁性基板上にＣｏ−Ｐ系磁性膜が形成されてな
   る磁気記録媒体において、該Ｃｏ−Ｐ系磁性膜がＣｏに
   対して０．０１〜１５重量％のＧａ及び／又はＧｅを含
   有することを特徴とする磁気記録媒体。