JPH0210948B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0210948B2 JPH0210948B2 JP56046548A JP4654881A JPH0210948B2 JP H0210948 B2 JPH0210948 B2 JP H0210948B2 JP 56046548 A JP56046548 A JP 56046548A JP 4654881 A JP4654881 A JP 4654881A JP H0210948 B2 JPH0210948 B2 JP H0210948B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- photoconductor
- recording medium
- layer
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electrophotography Using Other Than Carlson'S Method (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電子写真法にかかり特に電気的潜像を
形成する光導電体とその記録法に関する。
形成する光導電体とその記録法に関する。
第１図は本発明が適用されうるレーザビームプ
リンタの構成を示したものである。光導電ドラム
１を帯電器２にて一様に帯電する。次に、レーザ
ビーム光像３をドラム軸と平行に走査しながら照
射する。こうして作られたドラム上の電荷潜像を
現像器４にて現像し、トナー像をドラム上に形成
する。次にこれを記録紙５に転写器６による転写
用のコロナ電荷を作用せしめながら転写する。転
写後消去ランプにて残像を消去した後、ドラム上
に残留するトナー像をクリーナにて清掃する。
リンタの構成を示したものである。光導電ドラム
１を帯電器２にて一様に帯電する。次に、レーザ
ビーム光像３をドラム軸と平行に走査しながら照
射する。こうして作られたドラム上の電荷潜像を
現像器４にて現像し、トナー像をドラム上に形成
する。次にこれを記録紙５に転写器６による転写
用のコロナ電荷を作用せしめながら転写する。転
写後消去ランプにて残像を消去した後、ドラム上
に残留するトナー像をクリーナにて清掃する。
以上の如くにして形成されたトナー像は、ドラ
ム上の電荷像に対応したものが得られるが、使用
する光像がレーザビームで代表される可干渉性単
色光であるため不都合が生ずる。すなわち、レー
ザビーム光をドラムに照射した際レーザ光が光導
電体層の感光部で干渉を起し、光の縞模様を形成
するため、光照射により作られた電荷潜像も縞模
様となる。そのため、現像転写されたトナー像も
濃淡の模様が重畳したものとなる。この模様は、
像の中間調や背景部に生じやすい。こうして生じ
た模様をなくすには従来現像を便調となし、露光
オーバにする手段がとられたが、中間調の再現が
乏しくなつたり、細線が飛んでしまう等の欠点が
あつた。また、現像方法も、このような模様がで
きにくい反転現像（露光した部分にトナーを付着
させる）をとり、正規現像方法を用いることはさ
けざるを得なかつた。
ム上の電荷像に対応したものが得られるが、使用
する光像がレーザビームで代表される可干渉性単
色光であるため不都合が生ずる。すなわち、レー
ザビーム光をドラムに照射した際レーザ光が光導
電体層の感光部で干渉を起し、光の縞模様を形成
するため、光照射により作られた電荷潜像も縞模
様となる。そのため、現像転写されたトナー像も
濃淡の模様が重畳したものとなる。この模様は、
像の中間調や背景部に生じやすい。こうして生じ
た模様をなくすには従来現像を便調となし、露光
オーバにする手段がとられたが、中間調の再現が
乏しくなつたり、細線が飛んでしまう等の欠点が
あつた。また、現像方法も、このような模様がで
きにくい反転現像（露光した部分にトナーを付着
させる）をとり、正規現像方法を用いることはさ
けざるを得なかつた。
本発明はかかる不都合が生じないような光導電
体とその記録方法を提供することを目的とし、そ
のために、光導電体層内におけるレーザビーム光
の干渉を減少または防止するようにしたものであ
る。
体とその記録方法を提供することを目的とし、そ
のために、光導電体層内におけるレーザビーム光
の干渉を減少または防止するようにしたものであ
る。
第２図〜５図は、従来の種々の光導電体の例と
干渉縞の出来る様子を示したものである。
干渉縞の出来る様子を示したものである。
第２図は光導体層の中間部に主感光層をもつ構
造になつているもので、基板９上に１０，１１，
１２の光導電体，，が積層してある。この
光導体の主感光層は光導電体層１１である。例え
ば鏡面仕上したAl基板上に、光導層１０とし
てSe50μ、光導電層１１としてSe―Te1μ、光
導電層１２としてSe2μを蒸着したもので、光
導電層のSe―Teを５〜20原子％を含むものを
用いると600〜900nmの光に高感度をも光導電体
となる。しかも、光導電体層，は600nm以上
の光を良く通すものとなる。かかる構成の光導電
体に例えば780nmの半導体レーザ光l1 l2を照射す
ると、レーザ光l1 l2は光導電層を通過し、光導
電層で１部は吸光され感光するが、１部は通過
し、１部は光導電層との境界面で反射する。
光導電層を通過し、光導電層を通過したレー
ザビーム光は基板９で反射し、再び光導電層を
通り、光導電層へと進む。このとき反射光l1′と
l2″，l3′とl1とが干渉し、光導電層の内部で光
の強弱縞模様をつくる。この光の強弱縞模様で光
導電層を感光するため、電荷潜像はこれに対応
したものとなる。上の説明では縞模様を形成する
代表的な光の経路を示したが、他にも光導電層の
境界面での反射光が存在し干渉縞を形成する原因
となる。
造になつているもので、基板９上に１０，１１，
１２の光導電体，，が積層してある。この
光導体の主感光層は光導電体層１１である。例え
ば鏡面仕上したAl基板上に、光導層１０とし
てSe50μ、光導電層１１としてSe―Te1μ、光
導電層１２としてSe2μを蒸着したもので、光
導電層のSe―Teを５〜20原子％を含むものを
用いると600〜900nmの光に高感度をも光導電体
となる。しかも、光導電体層，は600nm以上
の光を良く通すものとなる。かかる構成の光導電
体に例えば780nmの半導体レーザ光l1 l2を照射す
ると、レーザ光l1 l2は光導電層を通過し、光導
電層で１部は吸光され感光するが、１部は通過
し、１部は光導電層との境界面で反射する。
光導電層を通過し、光導電層を通過したレー
ザビーム光は基板９で反射し、再び光導電層を
通り、光導電層へと進む。このとき反射光l1′と
l2″，l3′とl1とが干渉し、光導電層の内部で光
の強弱縞模様をつくる。この光の強弱縞模様で光
導電層を感光するため、電荷潜像はこれに対応
したものとなる。上の説明では縞模様を形成する
代表的な光の経路を示したが、他にも光導電層の
境界面での反射光が存在し干渉縞を形成する原因
となる。
第３図は基板９上に光導電層（）１３、光導
電層（）１４を形成し、光導電層（）が感光
層として働き、光導電層（）は電荷を搬送する
機能を持たせた光導電体を示す図である。第３図
においてレーザ光l1は光導電層（）内で反射
し、レーザ光l2と干渉する。
電層（）１４を形成し、光導電層（）が感光
層として働き、光導電層（）は電荷を搬送する
機能を持たせた光導電体を示す図である。第３図
においてレーザ光l1は光導電層（）内で反射
し、レーザ光l2と干渉する。
以上のようにして光導電体内で干渉を起した
り、上記説明以外に光導電体を含む記録体の構成
要素である表面保護層、表面絶縁層、下地層内で
干渉を起しその光が光導電層を感光するので前述
した縞模様が画像に発生する。
り、上記説明以外に光導電体を含む記録体の構成
要素である表面保護層、表面絶縁層、下地層内で
干渉を起しその光が光導電層を感光するので前述
した縞模様が画像に発生する。
本発明はかかる干渉縞模様を減少、除去するた
めのもので、第２，３図における多層感光層の境
界面での反射を減少、除去することで、上記目的
を達成する方法を提供するものである。干渉は多
層構造の層の境界での反射あるいは基板での反射
があるために生じるものである。基板との反射に
基づく干渉を防ぐには 基板を光吸収体にする。
めのもので、第２，３図における多層感光層の境
界面での反射を減少、除去することで、上記目的
を達成する方法を提供するものである。干渉は多
層構造の層の境界での反射あるいは基板での反射
があるために生じるものである。基板との反射に
基づく干渉を防ぐには 基板を光吸収体にする。
基板の表面を光散乱性にする。
ことが考えられる。しかし、層間の境界面での反
射は、この互いに隣接する光導電体層の境界での
屈折率の急激な変化がある場合（たとえば、隣接
する層の組成物が異なる場合）に生じるものであ
るから、この反射をなくすには境界面での屈折率
を急激に変化させずに、反射が起こらない程度に
徐々に変化させることである。このための方法と
しては、層を蒸着する際に、金属の蒸発量を制御
すること、すなわち、層の界面での組成を徐々に
変えることがある。第４図〜第６図は本発明の実
施例である。
射は、この互いに隣接する光導電体層の境界での
屈折率の急激な変化がある場合（たとえば、隣接
する層の組成物が異なる場合）に生じるものであ
るから、この反射をなくすには境界面での屈折率
を急激に変化させずに、反射が起こらない程度に
徐々に変化させることである。このための方法と
しては、層を蒸着する際に、金属の蒸発量を制御
すること、すなわち、層の界面での組成を徐々に
変えることがある。第４図〜第６図は本発明の実
施例である。
第４図において光導電体層（）１１の境界に
おける光学的性質（屈折率）が徐々に変化するよ
うになし、境界面での反射を抑え第２図における
l1′l2″の干渉を減少せしめたものである。第２図
の具体例としてあげたSe―Te層である場合、Te
の含有量を光導電層の境界面で徐々に変わる様、
蒸着時にTeの蒸発量を抑制することにより得ら
れる。この方法を第３図の光導電体層（）１４
にも適用すると、光導電体層（）１３と光導電
体層（）１４との境界での反射を減少させるこ
とができる。
おける光学的性質（屈折率）が徐々に変化するよ
うになし、境界面での反射を抑え第２図における
l1′l2″の干渉を減少せしめたものである。第２図
の具体例としてあげたSe―Te層である場合、Te
の含有量を光導電層の境界面で徐々に変わる様、
蒸着時にTeの蒸発量を抑制することにより得ら
れる。この方法を第３図の光導電体層（）１４
にも適用すると、光導電体層（）１３と光導電
体層（）１４との境界での反射を減少させるこ
とができる。
第５図は、第４図の方法に基板９での反射を防
止するため、光吸収層１５を設ける方法を併用し
たものである。光吸収層１５は例えばAl基板を
黒色アルマイト処理（酸化皮膜処理）や、樹脂中
にカーボン、着色顔料、染料を混入したものを
0.1〜1μｍ程度に塗工しても良い。かかる方法を
併用すれば、干渉縞は全く発生しなくなる。
止するため、光吸収層１５を設ける方法を併用し
たものである。光吸収層１５は例えばAl基板を
黒色アルマイト処理（酸化皮膜処理）や、樹脂中
にカーボン、着色顔料、染料を混入したものを
0.1〜1μｍ程度に塗工しても良い。かかる方法を
併用すれば、干渉縞は全く発生しなくなる。
第６図は、第４図の方法に基板９として光散乱
性表面をもつものを用い、基板表面での反射光を
散乱せしむることで干渉をなくす方法を併用した
もので、かかる表面は、梨地処理仕上げ、サンド
ブラスト仕上げ等により得ることができる。
性表面をもつものを用い、基板表面での反射光を
散乱せしむることで干渉をなくす方法を併用した
もので、かかる表面は、梨地処理仕上げ、サンド
ブラスト仕上げ等により得ることができる。
かかる、第５，６図の方法は、第３図の如き構
成の光導電体の場合にも適用できる。
成の光導電体の場合にも適用できる。
本発明では以上の如く、干渉が発生しない様多
層光導電体の境界における反射を減少、除去した
電子写真用光導電記録体を用い、記録体の１部又
は全部を透過する可干渉性光像を上述記録体に照
射し、電荷潜像を形成するものであるから、画像
中に干渉性縞状の像が生じないので良画像が得ら
れる。
層光導電体の境界における反射を減少、除去した
電子写真用光導電記録体を用い、記録体の１部又
は全部を透過する可干渉性光像を上述記録体に照
射し、電荷潜像を形成するものであるから、画像
中に干渉性縞状の像が生じないので良画像が得ら
れる。
第１図はレーザビームプリンタの説明図、第
２，３図はレーザビームによる干渉縞が生ずる例
を説明する図、第４〜６図は本発明の実施例であ
る。 ９…基板、１０〜１２…光導電層〜。
２，３図はレーザビームによる干渉縞が生ずる例
を説明する図、第４〜６図は本発明の実施例であ
る。 ９…基板、１０〜１２…光導電層〜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 記録体に可干渉性光による光像を照射し、電
気的潜像を形成する電子写真法において、 可干渉性光として、記録体を透過する波長の光
を用い、 記録体として、多層構造の光導電体を用い、互
いに隣接する光導電体の境界における屈折率を
徐々に変化せしめた光導電体を用い、かつ基板と
前記光導電体との境界に光吸収層を設けて電荷潜
像を形成することを特徴とする電子写真法。 ２ 記録体に可干渉性光による光像を照射し、電
気的潜像を形成する電子写真法において、 可干渉性光として、記録体を透過する波長の光
を用い、 記録体として、多層構造の光導電体を用い、互
いに隣接する光導電体の境界における屈折率を
徐々に変化せしめた光導電体を用い、かつ基板の
光導電体層側の表面を光散乱性表面として電荷潜
像を形成することを特徴とする電子写真法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4654881A JPS57161869A (en) | 1981-03-31 | 1981-03-31 | Electrophotographic method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4654881A JPS57161869A (en) | 1981-03-31 | 1981-03-31 | Electrophotographic method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57161869A JPS57161869A (en) | 1982-10-05 |
| JPH0210948B2 true JPH0210948B2 (ja) | 1990-03-12 |
Family
ID=12750360
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4654881A Granted JPS57161869A (en) | 1981-03-31 | 1981-03-31 | Electrophotographic method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57161869A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60112049A (ja) * | 1983-11-22 | 1985-06-18 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 電子写真用感光体 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55166648A (en) * | 1979-06-15 | 1980-12-25 | Hitachi Ltd | Photosensitive film and its production |
-
1981
- 1981-03-31 JP JP4654881A patent/JPS57161869A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57161869A (en) | 1982-10-05 |
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