JPH02110332U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH02110332U JPH02110332U JP1936889U JP1936889U JPH02110332U JP H02110332 U JPH02110332 U JP H02110332U JP 1936889 U JP1936889 U JP 1936889U JP 1936889 U JP1936889 U JP 1936889U JP H02110332 U JPH02110332 U JP H02110332U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chamber
- oxygen plasma
- plasma gas
- holding groove
- boat
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004380 ashing Methods 0.000 claims description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
第１図は本考案の一実施例に係るアツシング装
置のボートを示す斜視図、第２図は本考案の一実
施例に係るアツシング装置を示す構成図、第３図
は従来のアツシング装置を正面側から見て表す構
成図、第４図は従来のアツシング装置を側面側か
ら見て表す構成図である。 １０はチヤンバ、１１は酸素プラズマガス供給
管、１１ａは開口部、１２は排気管、１４はボー
ト、１５は半導体ウエハ、１６は管体、１６ｂは
内部通路、１８は保持溝、１９は噴出孔である。
置のボートを示す斜視図、第２図は本考案の一実
施例に係るアツシング装置を示す構成図、第３図
は従来のアツシング装置を正面側から見て表す構
成図、第４図は従来のアツシング装置を側面側か
ら見て表す構成図である。 １０はチヤンバ、１１は酸素プラズマガス供給
管、１１ａは開口部、１２は排気管、１４はボー
ト、１５は半導体ウエハ、１６は管体、１６ｂは
内部通路、１８は保持溝、１９は噴出孔である。
Claims (1)
- 複数枚の半導体ウエハをボートに支持してチヤ
ンバ内に設置し、該チヤンバ内に酸素プラズマガ
スを導入すると共に当該チヤンバ内を排気して当
該半導体ウエハに塗布されているレジストを灰化
除去するアツシング装置において、前記ボートを
前記チヤンバの酸素プラズマガス導入口に接続さ
れて酸素プラズマガスを流通させる内部通路を有
した管体とし、該管体に半導体ウエハを保持する
保持溝及び当該保持溝に対応して保持溝近傍から
酸素プラズマガスを噴出させる噴出孔を内部通路
に連通させて設けたことを特徴とするアツシング
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1936889U JPH02110332U (ja) | 1989-02-20 | 1989-02-20 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1936889U JPH02110332U (ja) | 1989-02-20 | 1989-02-20 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02110332U true JPH02110332U (ja) | 1990-09-04 |
Family
ID=31234817
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1936889U Pending JPH02110332U (ja) | 1989-02-20 | 1989-02-20 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02110332U (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5460567A (en) * | 1977-10-24 | 1979-05-16 | Hitachi Ltd | Plasma processor |
-
1989
- 1989-02-20 JP JP1936889U patent/JPH02110332U/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5460567A (en) * | 1977-10-24 | 1979-05-16 | Hitachi Ltd | Plasma processor |
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