JPH02112208A - ソレノイド駆動回路 - Google Patents
ソレノイド駆動回路Info
- Publication number
- JPH02112208A JPH02112208A JP26413288A JP26413288A JPH02112208A JP H02112208 A JPH02112208 A JP H02112208A JP 26413288 A JP26413288 A JP 26413288A JP 26413288 A JP26413288 A JP 26413288A JP H02112208 A JPH02112208 A JP H02112208A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solenoid
- field effect
- effect transistor
- source
- gate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/06—Modifications for ensuring a fully conducting state
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、インダクタンス成分をもつ負荷であるソレノ
イドを駆動するためのソレノイド駆動回路に関する。
イドを駆動するためのソレノイド駆動回路に関する。
〈従来の技術〉
従来のソレノイド駆動回路として、第３図に示すように
、電源■８とソレノイド１との間に電源側にドレインＤ
を接続しソレノイド側にソースＳを接続して駆動段の電
界効果トランジスタ（ＦＥＴ）２を介装し、この電界効
果トランジスタ２のゲートＧへの入力電圧ＶＩＮを制御
して、ソレノイド１をオン・オフ制御するようにしたも
のがある。
、電源■８とソレノイド１との間に電源側にドレインＤ
を接続しソレノイド側にソースＳを接続して駆動段の電
界効果トランジスタ（ＦＥＴ）２を介装し、この電界効
果トランジスタ２のゲートＧへの入力電圧ＶＩＮを制御
して、ソレノイド１をオン・オフ制御するようにしたも
のがある。
尚、図中３は入力電圧ＶＩＮを昇圧するだめのチャージ
ポンプ回路である。
ポンプ回路である。
すなわち、入力電圧ＶＩＮが立上がって、電界効果トラ
ンジスタ２のゲートＧ電圧がＨレベルになると、電界効
果トランジスタ２がＯＮになって電流Ｉｔによりソレノ
イド１が駆動され、入力端子ＶＩＮが立下がって、電界
効果トランジスタ２のゲートＧ電圧がＬレベルになると
、電界効果トランジスタ２がＯＦＦになってソレノイド
ｌの駆動が停止される（第４図参照）。
ンジスタ２のゲートＧ電圧がＨレベルになると、電界効
果トランジスタ２がＯＮになって電流Ｉｔによりソレノ
イド１が駆動され、入力端子ＶＩＮが立下がって、電界
効果トランジスタ２のゲートＧ電圧がＬレベルになると
、電界効果トランジスタ２がＯＦＦになってソレノイド
ｌの駆動が停止される（第４図参照）。
〈発明が解決しようとする課題〉
しかしながら、ソレノイド１を駆動する場合、インダク
タンス成分を持つため、そのオン・オフ制御において、
オフ制御時、インダクタンスに蓄積されているエネルギ
ーが電界効果トランジスタ２で放電されるため、ソレノ
イド１がオフとなるのが遅くなり、特にデフー−ティ制
御において速い制御ができないという問題点があった。
タンス成分を持つため、そのオン・オフ制御において、
オフ制御時、インダクタンスに蓄積されているエネルギ
ーが電界効果トランジスタ２で放電されるため、ソレノ
イド１がオフとなるのが遅くなり、特にデフー−ティ制
御において速い制御ができないという問題点があった。
すなわち、電界効果トランジスタ２のゲー１− Ｇ電圧
が■７レヘル（０■）になると、電界効果トランジスタ
２はＯＦＦになるが、インダクタンス成分を持つソレノ
イド１の場合、エネルギー放電のため、電流を流し続け
ようとする。そのため、ソースＳ電圧はマイナス値とな
ってゲートＧ電圧より低くなり、電界効果１−ランジス
タ２をＯＮ状態にして、インダクタンス放電を行う。従
って、電界効果トランジスタ２はゲーｈ Ｇ・ソースＳ
間の電位差が所定電圧■７０．以下となるまでＯＮ状態
を継続してしまう。尚、第４図中Ａは弁駆動の場合の開
弁電流レヘル、Ｂば閉弁電流レヘルを示している。
が■７レヘル（０■）になると、電界効果トランジスタ
２はＯＦＦになるが、インダクタンス成分を持つソレノ
イド１の場合、エネルギー放電のため、電流を流し続け
ようとする。そのため、ソースＳ電圧はマイナス値とな
ってゲートＧ電圧より低くなり、電界効果１−ランジス
タ２をＯＮ状態にして、インダクタンス放電を行う。従
って、電界効果トランジスタ２はゲーｈ Ｇ・ソースＳ
間の電位差が所定電圧■７０．以下となるまでＯＮ状態
を継続してしまう。尚、第４図中Ａは弁駆動の場合の開
弁電流レヘル、Ｂば閉弁電流レヘルを示している。
本発明は、このような従来の問題点に鑑み、ソレノイド
のオン・オフ制御を良好に行いうるソレノイド駆動回路
を提供することを目的とする。
のオン・オフ制御を良好に行いうるソレノイド駆動回路
を提供することを目的とする。
く課題を解決するための手段）
このため、本発明は、電源とソレノイドとの間にソレノ
イド側にソースを接続して駆動段の電界効果トランジス
タを介装し、この電界効果Ｉ・ランジスタのゲートへの
入力端子を制御してソレノイドをオン・オフ制御するソ
レノイド駆動回路において、前記駆動段の電界効果１−
ランジスタのゲート・ソース間を別の電界効果トランジ
スタを介して接続し、この別の電界効果トランジスタの
ゲートに所定の電圧源を接続する一方、前記駆動段の電
界効果トランジスタのドレイン・ソース間に定電圧ダイ
オードを介装する構成としたものである。
イド側にソースを接続して駆動段の電界効果トランジス
タを介装し、この電界効果Ｉ・ランジスタのゲートへの
入力端子を制御してソレノイドをオン・オフ制御するソ
レノイド駆動回路において、前記駆動段の電界効果１−
ランジスタのゲート・ソース間を別の電界効果トランジ
スタを介して接続し、この別の電界効果トランジスタの
ゲートに所定の電圧源を接続する一方、前記駆動段の電
界効果トランジスタのドレイン・ソース間に定電圧ダイ
オードを介装する構成としたものである。
〈作用〉
上記の構成においては、入力電圧が立下がって、駆動段
の電界効果トランジスタのゲート電圧が■。
の電界効果トランジスタのゲート電圧が■。
レヘル（０■）になると、電界効果トランジスタはＯＦ
Ｆになるが、ソレノイドはインダクタンス成分を持つた
め、電流を流し続けようとする。この結果、ソース電圧
はマイナス値となり、電界効果トランジスタのケート・
ソース間に電位差を生じるが、別の電界効果トランジス
タのゲー１〜には所定の電圧源が接続されているため、
そのゲートソース間の電位差の方が大きく、この別の電
界効果トランジスタの方が先にＯＮになるため、微小電
流が流れ込んで、駆動段の電界効果Ｉ・ランジスタのゲ
ートとソースとを同電位に保つから、駆動段の電界効果
トランジスタはＯＮにならない。
Ｆになるが、ソレノイドはインダクタンス成分を持つた
め、電流を流し続けようとする。この結果、ソース電圧
はマイナス値となり、電界効果トランジスタのケート・
ソース間に電位差を生じるが、別の電界効果トランジス
タのゲー１〜には所定の電圧源が接続されているため、
そのゲートソース間の電位差の方が大きく、この別の電
界効果トランジスタの方が先にＯＮになるため、微小電
流が流れ込んで、駆動段の電界効果Ｉ・ランジスタのゲ
ートとソースとを同電位に保つから、駆動段の電界効果
トランジスタはＯＮにならない。
そして、ソレノイドは定電圧ダイオードを介してインダ
クタンス放電を行う。これにより、ソレノイドのオフ状
態への移行を早めることができる。
クタンス放電を行う。これにより、ソレノイドのオフ状
態への移行を早めることができる。
〈実施例）
以下に本発明の一実施例を第１図及び第２図に基づいて
説明する。
説明する。
第１図を参照し、電源Ｖｌｌ （＝１２Ｖ）とソレノイ
ド１との間に電源側にドレインＤを接続しソレノイド側
にソースＳを接続して駆動段の電界効果１〜ランシスタ
（以下ＦＥＴという）２を介装し、このＦＥＴ２のゲー
１− Ｇヘチャージボンブ回路３を介して与える入力電
圧ＶＩＮを制御して、第２区１に示すように、ソレノイ
ド１をオン・オフ制御する。
ド１との間に電源側にドレインＤを接続しソレノイド側
にソースＳを接続して駆動段の電界効果１〜ランシスタ
（以下ＦＥＴという）２を介装し、このＦＥＴ２のゲー
１− Ｇヘチャージボンブ回路３を介して与える入力電
圧ＶＩＮを制御して、第２区１に示すように、ソレノイ
ド１をオン・オフ制御する。
ここにおいて、ＦＥＴ２のゲーｆＧ・ソースＳ間を別の
Ｆ Ｅ Ｔ ４を介し゛ζ接続し、この別のＦ１０Ｔ４
のゲー１− Ｇに所定の電圧源（Ｖ＋）５を接続する。
Ｆ Ｅ Ｔ ４を介し゛ζ接続し、この別のＦ１０Ｔ４
のゲー１− Ｇに所定の電圧源（Ｖ＋）５を接続する。
ＦＥＴ２，４の動作電圧（ゲート・ソース間電圧） Ｖ
ＴＩ＋−１，５Ｖとすれば、Ｖ、＝ ０．８■程度とす
る。
ＴＩ＋−１，５Ｖとすれば、Ｖ、＝ ０．８■程度とす
る。
また、ＦＥＴ２のドレインＤ・ソースＳ間に定電圧ダイ
オード６を介装する。
オード６を介装する。
次に作用を説明する。
入力電圧ＶＩＮが立−トがって、ＦＥＴ２のゲートＧ電
圧が■］レベルになると、該Ｆ ＹＦ、’Ｔ” ２がＯ
Ｎとなってソレノイドｌが駆動される。
圧が■］レベルになると、該Ｆ ＹＦ、’Ｔ” ２がＯ
Ｎとなってソレノイドｌが駆動される。
入力電圧■、が立下がって、Ｆ Ｅ Ｔ ２のゲートＧ
電圧がＬレヘルになると、ＦＥＴ２はＯＦＦになるが、
インダクタンス成分を持つソレノイド１の場合、エネル
ギー放電のため、電流を流し続けようとする。このとき
、ソースＳ電圧はマイナス値となり、ＦＥＴ２のゲート
Ｇ・ソースＳ間に電位差を生じるが、別のＦＥＴ４のゲ
ートＧには所定の電圧源５が接続されているため、その
ゲートＧ・ソースＳ間の電位差の方が大きく、この別の
ＦＥＴ４の方が先にＯＮになるため、ＦＥＴ４を介し微
小電流がＦＥＴ２のソースＳ側に流れ込んで、ＦＥＴ２
のゲー１− ＧとソースＳとを同電位に保つから、ＦＥ
Ｔ２はＯＮにならない。一方、定電圧ダイオード６が動
作し、ソレノイド１は定電圧ダイオード６を介してイン
ダクタンス放電を行う。これにより、遮断を早めること
ができる。
電圧がＬレヘルになると、ＦＥＴ２はＯＦＦになるが、
インダクタンス成分を持つソレノイド１の場合、エネル
ギー放電のため、電流を流し続けようとする。このとき
、ソースＳ電圧はマイナス値となり、ＦＥＴ２のゲート
Ｇ・ソースＳ間に電位差を生じるが、別のＦＥＴ４のゲ
ートＧには所定の電圧源５が接続されているため、その
ゲートＧ・ソースＳ間の電位差の方が大きく、この別の
ＦＥＴ４の方が先にＯＮになるため、ＦＥＴ４を介し微
小電流がＦＥＴ２のソースＳ側に流れ込んで、ＦＥＴ２
のゲー１− ＧとソースＳとを同電位に保つから、ＦＥ
Ｔ２はＯＮにならない。一方、定電圧ダイオード６が動
作し、ソレノイド１は定電圧ダイオード６を介してイン
ダクタンス放電を行う。これにより、遮断を早めること
ができる。
〈発明の効果）
以上説明したように本発明によれば、ソレノイドのオン
・オフ制御に際し、オフを早めることができ、制御性を
向上できるという効果が得られる。
・オフ制御に際し、オフを早めることができ、制御性を
向上できるという効果が得られる。
第１図は本発明の一実施例を示す回路図、第２図は同上
の動作特性図、第３図は従来例を示す回路図、第４図は
同上の動作特性図である。 １・・・ソレノイド ２・・・駆動段の電界効果トラ
ンジスタ（ＦＥＴ） ３・・・チャージポンプ回路
４・・・電界効果１〜ランジスタ（Ｆ Ｅ Ｔ ）
５・・・電圧源 ６・・・定電圧ダイオード 特許出願人 日本電子機器株式会社 代 理 人 弁理士 笹島 冨二雄
の動作特性図、第３図は従来例を示す回路図、第４図は
同上の動作特性図である。 １・・・ソレノイド ２・・・駆動段の電界効果トラ
ンジスタ（ＦＥＴ） ３・・・チャージポンプ回路
４・・・電界効果１〜ランジスタ（Ｆ Ｅ Ｔ ）
５・・・電圧源 ６・・・定電圧ダイオード 特許出願人 日本電子機器株式会社 代 理 人 弁理士 笹島 冨二雄
Claims (1)
- 電源とソレノイドとの間にソレノイド側にソースを接続
して駆動段の電界効果トランジスタを介装し、この電界
効果トランジスタのゲートへの入力電圧を制御してソレ
ノイドをオン・オフ制御するソレノイド駆動回路におい
て、前記駆動段の電界効果トランジスタのゲート・ソー
ス間を別の電界効果トランジスタを介して接続し、この
別の電界効果トランジスタのゲートに所定の電圧源を接
続する一方、前記駆動段の電界効果トランジスタのドレ
イン・ソース間に定電圧ダイオードを介装したことを特
徴とするソレノイド駆動回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26413288A JPH02112208A (ja) | 1988-10-21 | 1988-10-21 | ソレノイド駆動回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26413288A JPH02112208A (ja) | 1988-10-21 | 1988-10-21 | ソレノイド駆動回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02112208A true JPH02112208A (ja) | 1990-04-24 |
| JPH0583161B2 JPH0583161B2 (ja) | 1993-11-25 |
Family
ID=17398906
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26413288A Granted JPH02112208A (ja) | 1988-10-21 | 1988-10-21 | ソレノイド駆動回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02112208A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04111293U (ja) * | 1991-03-18 | 1992-09-28 | 日本サーボ株式会社 | ブレーキ駆動回路 |
| JPH04354106A (ja) * | 1991-05-31 | 1992-12-08 | Hitachi Ltd | ソレノイド駆動回路と車輌搭載用ａｔ制御装置 |
| FR2683687A1 (fr) * | 1991-11-13 | 1993-05-14 | Nokia Consumer Electronics Fra | Interrupteur de puissance a commutateur mos. |
-
1988
- 1988-10-21 JP JP26413288A patent/JPH02112208A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04111293U (ja) * | 1991-03-18 | 1992-09-28 | 日本サーボ株式会社 | ブレーキ駆動回路 |
| JPH04354106A (ja) * | 1991-05-31 | 1992-12-08 | Hitachi Ltd | ソレノイド駆動回路と車輌搭載用ａｔ制御装置 |
| FR2683687A1 (fr) * | 1991-11-13 | 1993-05-14 | Nokia Consumer Electronics Fra | Interrupteur de puissance a commutateur mos. |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0583161B2 (ja) | 1993-11-25 |
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