JPH02113622A - Ｍｏｓｆｅｔトランジスタ駆動回路 - Google Patents
Ｍｏｓｆｅｔトランジスタ駆動回路Info
- Publication number
- JPH02113622A JPH02113622A JP63265545A JP26554588A JPH02113622A JP H02113622 A JPH02113622 A JP H02113622A JP 63265545 A JP63265545 A JP 63265545A JP 26554588 A JP26554588 A JP 26554588A JP H02113622 A JPH02113622 A JP H02113622A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- mosfet transistor
- mosfet
- output side
- gate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はＭＯＳＦＥＴ トランジスタ駆動回路に関し、
特にＯＦＦ時の高速化を図ったＭＯＳＦＥＴ Ｉ−ラン
ジスタ駆動回路に関する。
特にＯＦＦ時の高速化を図ったＭＯＳＦＥＴ Ｉ−ラン
ジスタ駆動回路に関する。
従来のＭＯＳＦＥＴ トランジスタ駆動回路における肋
５ＦＥＴ トランジスタＱ１のＯＦＦ時における高速化
の手段として、第２図に示すようにゲート抵抗Ｒ１の両
端にダイオードＤ１を並列接続し、ＭＯ３ＦＦ、Ｔ Ｉ
−ランジスタの入力容量による充電電荷が放電し易いよ
うに低インピーダンス回路を構成していた。
５ＦＥＴ トランジスタＱ１のＯＦＦ時における高速化
の手段として、第２図に示すようにゲート抵抗Ｒ１の両
端にダイオードＤ１を並列接続し、ＭＯ３ＦＦ、Ｔ Ｉ
−ランジスタの入力容量による充電電荷が放電し易いよ
うに低インピーダンス回路を構成していた。
しかしながら、上述した従来のＭＯＳＦＥＴ トランジ
スタ駆動回路はパルス発生回路１の出力部のいわゆる吸
い込み電流に限度があり、充分な放電電流を流すことが
できずにトランジスタ駆動回路の高速化を図ることが困
難な場合がある。
スタ駆動回路はパルス発生回路１の出力部のいわゆる吸
い込み電流に限度があり、充分な放電電流を流すことが
できずにトランジスタ駆動回路の高速化を図ることが困
難な場合がある。
本発明の目的は前記課題を解決したＭＯＳＦＥＴ トラ
ンジスタ駆動回路を提供することにある。
ンジスタ駆動回路を提供することにある。
前記目的を達成するため、本発明は繰り返しパルスを発
生するパルス発生回路の出力により抵抗を介してＭＯＳ
ＦＥＴ トランジスタをＯＮ、ＯＦＦさぜるＭＯＳＦＥ
ＴＩ−ランジスタ駆動回路において、前記ＭＯＳＦＥＴ
トランジスタのゲート・ソース間に１−ランジスタの
エミッタ・コレクタを並列接続し、かつ前記トランジス
タのベースを前記パルス発生回路の出力側に接続したも
のである。
生するパルス発生回路の出力により抵抗を介してＭＯＳ
ＦＥＴ トランジスタをＯＮ、ＯＦＦさぜるＭＯＳＦＥ
ＴＩ−ランジスタ駆動回路において、前記ＭＯＳＦＥＴ
トランジスタのゲート・ソース間に１−ランジスタの
エミッタ・コレクタを並列接続し、かつ前記トランジス
タのベースを前記パルス発生回路の出力側に接続したも
のである。
以下、本発明の一実施例を図により説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す回路図である。
図において、１は繰り返しパルスを発生するパルス発生
回路、Ｒ１はゲート抵抗、ＱｌはＭＯＳＦＥＴ トラン
ジスタである。
回路、Ｒ１はゲート抵抗、ＱｌはＭＯＳＦＥＴ トラン
ジスタである。
本発明は前記ＭＯＳＦＥＴ トランジスタＱ１のゲート
・ソース間にｐｎｐ型１−ランジスタＱ２のエミッタ・
コレクタを並列接続し、かつベース端子を前記パルス発
生回路］の出力側ａに接続したものである。
・ソース間にｐｎｐ型１−ランジスタＱ２のエミッタ・
コレクタを並列接続し、かつベース端子を前記パルス発
生回路］の出力側ａに接続したものである。
次に、第１図の動作について説明する。
ＭＯＳＦＥＴ トランジスタＱ１のＯＮ時にその入力容
量Ｃ１に蓄えられた電荷による充電電圧ｖ２は、パルス
発生回路１の出力側ａが零になると、グー１〜抵抗Ｒ１
を介して放電し、電圧降下ｖ１を生じさせる。この電圧
がトランジスタＱ２のエミッタ・ベース電圧（ＶＢＥ）
より大きくなると、ベース電流■Ｂが流れ始める。これ
に伴い、コレクタ電流■ｃが流れ、放電回路を形成する
。
量Ｃ１に蓄えられた電荷による充電電圧ｖ２は、パルス
発生回路１の出力側ａが零になると、グー１〜抵抗Ｒ１
を介して放電し、電圧降下ｖ１を生じさせる。この電圧
がトランジスタＱ２のエミッタ・ベース電圧（ＶＢＥ）
より大きくなると、ベース電流■Ｂが流れ始める。これ
に伴い、コレクタ電流■ｃが流れ、放電回路を形成する
。
以−ト説明したように本発明は、パルス発生回路とゲー
ト抵抗とＭＯＳＦＥＴ トランジスタよりなるＭＯ３Ｉ
；”ＥＴＩ−ランジスタ駆動回路において、ＭＯＳＦＥ
Ｔ トランジスタのゲート・ソース間にトランジスタの
エミッタ・コレクタを並列接続し、ベース端子をパルス
発生回路の出力に接続することにより、ＭＯＳＦＥＴト
ランジスタの入力容量に蓄えられた電荷を、肋５ＦＩＥ
Ｔ トランジスタのＯＦＦ時において急速に放電するこ
とが可能であり、ＭＯＳＦＥＴ トランジスタのＯＦＦ
時における高速化を実現できる効果がある。
ト抵抗とＭＯＳＦＥＴ トランジスタよりなるＭＯ３Ｉ
；”ＥＴＩ−ランジスタ駆動回路において、ＭＯＳＦＥ
Ｔ トランジスタのゲート・ソース間にトランジスタの
エミッタ・コレクタを並列接続し、ベース端子をパルス
発生回路の出力に接続することにより、ＭＯＳＦＥＴト
ランジスタの入力容量に蓄えられた電荷を、肋５ＦＩＥ
Ｔ トランジスタのＯＦＦ時において急速に放電するこ
とが可能であり、ＭＯＳＦＥＴ トランジスタのＯＦＦ
時における高速化を実現できる効果がある。
第１図は本発明の−・実施例を示す回路図、第２図は従
来例を示す回路図である。 トパルス発生回路 Ｒ１・・ゲート抵抗Ｑ１・・Ｍ
ＯＳＦＥＴ Ｉ−ランジスタ Ｑ２−１〜ランジスタｃ
ｊ−ＭＯＳＦＥＴ トランジスタの人力容量間・・ダイ
オード
来例を示す回路図である。 トパルス発生回路 Ｒ１・・ゲート抵抗Ｑ１・・Ｍ
ＯＳＦＥＴ Ｉ−ランジスタ Ｑ２−１〜ランジスタｃ
ｊ−ＭＯＳＦＥＴ トランジスタの人力容量間・・ダイ
オード
Claims (1)
- （１）繰り返しパルスを発生するパルス発生回路の出力
により抵抗を介してＭＯＳＦＥＴトランジスタをＯＮ、
ＯＦＦさせるＭＯＳＦＥＴトランジスタ駆動回路におい
て、前記ＭＯＳＦＥＴトランジスタのゲート・ソース間
にトランジスタのエミッタ・コレクタを並列接続し、か
つ前記トランジスタのベースを前記パルス発生回路の出
力側に接続したことを特徴とするＭＯＳＦＥＴトランジ
スタ駆動回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63265545A JPH02113622A (ja) | 1988-10-21 | 1988-10-21 | Ｍｏｓｆｅｔトランジスタ駆動回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63265545A JPH02113622A (ja) | 1988-10-21 | 1988-10-21 | Ｍｏｓｆｅｔトランジスタ駆動回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02113622A true JPH02113622A (ja) | 1990-04-25 |
Family
ID=17418607
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63265545A Pending JPH02113622A (ja) | 1988-10-21 | 1988-10-21 | Ｍｏｓｆｅｔトランジスタ駆動回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02113622A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997045946A1 (en) * | 1996-05-28 | 1997-12-04 | Hitachi, Ltd. | Switching power source circuit |
| US6804096B2 (en) | 2001-07-27 | 2004-10-12 | Denso Corporation | Load driving circuit capable of raised accuracy detection of disconnection and short circuit of the load |
| JP2005026732A (ja) * | 2003-06-30 | 2005-01-27 | Sony Corp | 電界効果トランジスタのドライブ回路 |
| DE102011001691A1 (de) * | 2011-04-13 | 2012-10-18 | Vossloh-Schwabe Deutschland Gmbh | Transistorschalteranordnung mit verbesserter Abschaltcharakteristik |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS586440B2 (ja) * | 1975-09-02 | 1983-02-04 | 松下電器産業株式会社 | オンキヨウキキヨウシンドウバン |
| JPS6323829B2 (ja) * | 1980-06-10 | 1988-05-18 | Toyo Boseki |
-
1988
- 1988-10-21 JP JP63265545A patent/JPH02113622A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS586440B2 (ja) * | 1975-09-02 | 1983-02-04 | 松下電器産業株式会社 | オンキヨウキキヨウシンドウバン |
| JPS6323829B2 (ja) * | 1980-06-10 | 1988-05-18 | Toyo Boseki |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997045946A1 (en) * | 1996-05-28 | 1997-12-04 | Hitachi, Ltd. | Switching power source circuit |
| US6804096B2 (en) | 2001-07-27 | 2004-10-12 | Denso Corporation | Load driving circuit capable of raised accuracy detection of disconnection and short circuit of the load |
| JP2005026732A (ja) * | 2003-06-30 | 2005-01-27 | Sony Corp | 電界効果トランジスタのドライブ回路 |
| DE102011001691A1 (de) * | 2011-04-13 | 2012-10-18 | Vossloh-Schwabe Deutschland Gmbh | Transistorschalteranordnung mit verbesserter Abschaltcharakteristik |
| DE102011001691B4 (de) * | 2011-04-13 | 2013-02-07 | Vossloh-Schwabe Deutschland Gmbh | Transistorschalteranordnung mit verbesserter Abschaltcharakteristik |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0965644A (ja) | 絶縁ゲートトランジスタ駆動回路 | |
| CN100474746C (zh) | Pfc控制器的乘除器电路 | |
| JPH0519914A (ja) | 半導体装置の内部降圧回路 | |
| JPH0154890B2 (ja) | ||
| JPH02113622A (ja) | Ｍｏｓｆｅｔトランジスタ駆動回路 | |
| KR950026102A (ko) | 입력 신호에 대한 향상된 응납 속도를 가진 전류 버퍼 회로 | |
| JPH0482319A (ja) | 論理回路 | |
| KR930009152B1 (ko) | Ecl논리회로 | |
| JP3209522B2 (ja) | 入力遷移に応答して高速出力遷移を行う出力回路 | |
| JPH04133516A (ja) | Ｍｏｓ ｆｅｔトランジスタ駆動回路 | |
| JP4581231B2 (ja) | 電圧駆動型半導体素子のゲート駆動回路 | |
| JPH0430816Y2 (ja) | ||
| SU1598158A1 (ru) | Трехкаскадный ТТЛШ-вентиль | |
| JPS61131613A (ja) | 駆動回路 | |
| JPS6243367B2 (ja) | ||
| SU1026289A1 (ru) | Реверсивный мультивибратор | |
| RU2028724C1 (ru) | Формирователь пилообразных импульсов удвоенной частоты | |
| SU1081778A1 (ru) | Многофазный мультивибратор | |
| JPH04128435U (ja) | パワーｍｏｓ ｆｅｔ用絶縁形ドライブ回路 | |
| SU1691948A1 (ru) | Широтно-импульсный модул тор | |
| JPH073828Y2 (ja) | オンゲ−ト回路 | |
| JP2776621B2 (ja) | 出力回路 | |
| SU930594A1 (ru) | Генератор пр моугольных импульсов | |
| EP0146211A1 (en) | High current diode pulse modulator | |
| JPH0687653B2 (ja) | 電力制御回路 |