JPH02116186A - 半導体レーザ - Google Patents
半導体レーザInfo
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- JPH02116186A JPH02116186A JP26969588A JP26969588A JPH02116186A JP H02116186 A JPH02116186 A JP H02116186A JP 26969588 A JP26969588 A JP 26969588A JP 26969588 A JP26969588 A JP 26969588A JP H02116186 A JPH02116186 A JP H02116186A
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- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 25
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Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体レーザ素子をケース内に収納した半導体
レーザに関する。
レーザに関する。
従来この種の半導体レーザは、ケース内に収納した半導
体レーザ素子とケースの電極端子とを電気的に接続した
構造を有している。この半導体し一ザ素子とケースの電
極端子とを電気的に接続するリードは、線径２０〜３０
μｍのＡｔＩ線、あるいはＡｕ線等を用いてＴＣ，ＮＴ
Ｃ，ＵＳＢ等のボンディングによって形成されていた。
体レーザ素子とケースの電極端子とを電気的に接続した
構造を有している。この半導体し一ザ素子とケースの電
極端子とを電気的に接続するリードは、線径２０〜３０
μｍのＡｔＩ線、あるいはＡｕ線等を用いてＴＣ，ＮＴ
Ｃ，ＵＳＢ等のボンディングによって形成されていた。
第４図は従来のこの種の半導体レーザの一例を示した斜
視図である。半導体レーザ素子１４２はＡｕＳｎ共晶半
田等を用いてヒートシンク１４１に融着し、これをベー
スブロック４１にＡｕＳｎ共晶半田より融点の低い半田
材で融着した後、半導体レーザ素子１４２の電極面１４
３とケース側の電極パッド４３を線径２０〜３０μｍ、
ＡｔＩあるいはＡｕのボンディングワイヤ１４４で接続
する。電極パッド４３はセラミック等の絶縁体４２によ
ってベースブロック４１と絶縁されている。また、この
電極パッド４３の端部には電極端子４４が接続されてい
る。
視図である。半導体レーザ素子１４２はＡｕＳｎ共晶半
田等を用いてヒートシンク１４１に融着し、これをベー
スブロック４１にＡｕＳｎ共晶半田より融点の低い半田
材で融着した後、半導体レーザ素子１４２の電極面１４
３とケース側の電極パッド４３を線径２０〜３０μｍ、
ＡｔＩあるいはＡｕのボンディングワイヤ１４４で接続
する。電極パッド４３はセラミック等の絶縁体４２によ
ってベースブロック４１と絶縁されている。また、この
電極パッド４３の端部には電極端子４４が接続されてい
る。
上述した従来の半導体レーザにおいては、半導体レーザ
素子とケースの電極端子とを電気的に接続するボンディ
ングワイヤが細いため、インダクタンスが生じ、高周波
変調応答特性を悪化させるという欠点を有する。従来の
リードの構造のままでこの欠点を解決するためにはボン
ディングワイヤを多数本化する、あるいはリボンリード
を用いる等が考えられる。しかし高周波変調用に電極面
積を狭小化した半導体レーザ素子に２本以上のボンディ
ングを行うことは現実には困難である。−方リボンリー
ドを用いたボンディングを行おうとすると、現状技術水
準では荷重が７０ｇを超え、ボンディングワイヤの圧着
に過大の荷重をかけるため、半導体レーザ素子内に結晶
欠陥を生じ、半導体レーザ素子の劣化を招くという欠点
を有していた０本発明はこのような問題点を解決し、高
周波変調応答特性の良い半導体レーザを得ることを目的
としている。
素子とケースの電極端子とを電気的に接続するボンディ
ングワイヤが細いため、インダクタンスが生じ、高周波
変調応答特性を悪化させるという欠点を有する。従来の
リードの構造のままでこの欠点を解決するためにはボン
ディングワイヤを多数本化する、あるいはリボンリード
を用いる等が考えられる。しかし高周波変調用に電極面
積を狭小化した半導体レーザ素子に２本以上のボンディ
ングを行うことは現実には困難である。−方リボンリー
ドを用いたボンディングを行おうとすると、現状技術水
準では荷重が７０ｇを超え、ボンディングワイヤの圧着
に過大の荷重をかけるため、半導体レーザ素子内に結晶
欠陥を生じ、半導体レーザ素子の劣化を招くという欠点
を有していた０本発明はこのような問題点を解決し、高
周波変調応答特性の良い半導体レーザを得ることを目的
としている。
本発明の半導体レーザは半導体レーザ素子をヒートシン
クに固着してケース内に収納した半導体レーザにおいて
、少なくとも片方の端がケースに固定された金属平板バ
ネに半導体レーザ素子の少なくとも一方の電極面を融着
した構成を有している。
クに固着してケース内に収納した半導体レーザにおいて
、少なくとも片方の端がケースに固定された金属平板バ
ネに半導体レーザ素子の少なくとも一方の電極面を融着
した構成を有している。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の実施例１を示す斜視図である。
ヒートシンク１１１を介してベースブロック１１に融着
した半導体レーザ素子１１２の電極面１１３が金属平板
バネ１４によって電極パッド１３に接続されている。電
極パッド１３は絶縁体１２によってベースブロック１１
と絶縁されている。電極パッド１３の端部には電極端子
１５が接続されている。
した半導体レーザ素子１１２の電極面１１３が金属平板
バネ１４によって電極パッド１３に接続されている。電
極パッド１３は絶縁体１２によってベースブロック１１
と絶縁されている。電極パッド１３の端部には電極端子
１５が接続されている。
第５図、第６図は本実施例１の組立工程を示す概念図で
ある０本実施例１によれば、金属平板バネの片方の端が
ケースに固定され、共晶半田等の融着材を用いて半導体
レーザ素子を融着したヒートシンクをケースと金属平板
バネとの間に載せ、上方から荷重を印加した状態で、半
導体レーザ素子の融着材より低温で溶融する融着材を用
いてケース−ヒートシンク間、半導体レーザ素子−金属
平板・バネ間を同時に融着する。半導体レーザ素子を融
着したヒートシンクをケースと金属平板バネとの間に固
定するまでの工程は、第５図Ａ、 Ｂのように予め金属
平板バネ１４とベースブロック１１との間隔を半導体レ
ーザ素子１１２とヒートシンク１１の厚みより広くして
おいて半導体レーザ素子１１２を融着したヒートシンク
１１１を挿入し、金属平板バネ１４の上方から荷重をか
けて加熱融着する（第５図Ｂ）方法や、第６図Ａ、 Ｂ
のように金属平板バネとベースブロックとの間隔を半導
体レーザ素子とヒートシンクの厚みより狭くしておいて
、金属平板バネを上方に持ち上げて半導体レーザ素子を
融着したヒートシンクを挿入しく第６［１２１Ａ＞、金
属平板バネの弾性を利用して押えつけながら加熱融着す
る（第６図Ｂ）方法等がある。いず−れの場合において
も半導体レーザ素子にかかる荷重として容易に１０ｇ以
下の値を採用できるうえ、金属平板バネと半導体レーザ
素子との接触直積が広いため単位面積当りの荷重はワイ
ヤボンディングをする場合に比べてさらに軽減できる。
ある０本実施例１によれば、金属平板バネの片方の端が
ケースに固定され、共晶半田等の融着材を用いて半導体
レーザ素子を融着したヒートシンクをケースと金属平板
バネとの間に載せ、上方から荷重を印加した状態で、半
導体レーザ素子の融着材より低温で溶融する融着材を用
いてケース−ヒートシンク間、半導体レーザ素子−金属
平板・バネ間を同時に融着する。半導体レーザ素子を融
着したヒートシンクをケースと金属平板バネとの間に固
定するまでの工程は、第５図Ａ、 Ｂのように予め金属
平板バネ１４とベースブロック１１との間隔を半導体レ
ーザ素子１１２とヒートシンク１１の厚みより広くして
おいて半導体レーザ素子１１２を融着したヒートシンク
１１１を挿入し、金属平板バネ１４の上方から荷重をか
けて加熱融着する（第５図Ｂ）方法や、第６図Ａ、 Ｂ
のように金属平板バネとベースブロックとの間隔を半導
体レーザ素子とヒートシンクの厚みより狭くしておいて
、金属平板バネを上方に持ち上げて半導体レーザ素子を
融着したヒートシンクを挿入しく第６［１２１Ａ＞、金
属平板バネの弾性を利用して押えつけながら加熱融着す
る（第６図Ｂ）方法等がある。いず−れの場合において
も半導体レーザ素子にかかる荷重として容易に１０ｇ以
下の値を採用できるうえ、金属平板バネと半導体レーザ
素子との接触直積が広いため単位面積当りの荷重はワイ
ヤボンディングをする場合に比べてさらに軽減できる。
金属平板バネの半導体レーザ素子と接触する部分にソル
ダを予め蒸着しておけばさらに有利に融着を行うことが
できる。
ダを予め蒸着しておけばさらに有利に融着を行うことが
できる。
第２図は本発明の実施例２の要部断面図である。本実施
例２も実施例１と同様に、半導体レーザ素子１２２の電
極面１２３が金属平板バネ２４によって電極パッド２３
に接続されている。電極パッドは絶縁体２２によてベー
スブロック２１と絶縁されている。第７図は本実施例２
の組立工程を示す概念図である０本実施例２によれば第
７図Ａにおいて両端をケースに固定した金属平板バネを
上に凸に反らせ、第７図Ｂにおいて、半導体レーザ素子
を融着したヒートシンクを挿入する０次に第７図Ｃにお
いて金属平板バネを下に凸に反らせ、弾性を利用してヒ
ートシンクをケースに固定した後、半導体レーザ素子の
融着材より低温で溶融する融着材を用いてケース−ヒー
トシンク間。
例２も実施例１と同様に、半導体レーザ素子１２２の電
極面１２３が金属平板バネ２４によって電極パッド２３
に接続されている。電極パッドは絶縁体２２によてベー
スブロック２１と絶縁されている。第７図は本実施例２
の組立工程を示す概念図である０本実施例２によれば第
７図Ａにおいて両端をケースに固定した金属平板バネを
上に凸に反らせ、第７図Ｂにおいて、半導体レーザ素子
を融着したヒートシンクを挿入する０次に第７図Ｃにお
いて金属平板バネを下に凸に反らせ、弾性を利用してヒ
ートシンクをケースに固定した後、半導体レーザ素子の
融着材より低温で溶融する融着材を用いてケース−ヒー
トシンク間。
半導体シーザ素子−金属平板バネ間を同時に融着する。
第３図は本発明の実施例３の要部断面図である。本実施
例３によれば、ヒートシンク１３１に融着した半導体レ
ーザ素子１３２の電極面１３３を材料の弾性を利用して
図において上に凸に反らせた金属平板バネ３４に接触さ
せ融着する０本実施例３においては金属平板バネ３４の
両端はベースブロック３１に固定され、電極パッド３３
は絶縁体３２によってベースブロックと絶縁されている
。
例３によれば、ヒートシンク１３１に融着した半導体レ
ーザ素子１３２の電極面１３３を材料の弾性を利用して
図において上に凸に反らせた金属平板バネ３４に接触さ
せ融着する０本実施例３においては金属平板バネ３４の
両端はベースブロック３１に固定され、電極パッド３３
は絶縁体３２によってベースブロックと絶縁されている
。
第８図は本実施例３の組立工程を示す概念図である。本
実施例３によれば、第８図Ａにおいて両端をベースブロ
ック−絶縁体間に固定され、中央部を上に凸にそらせた
金属平板バネ３４の上に、第８図Ｂにおいて半導体レー
ザ素子１３２を融着したヒートシンク１３１を、半導体
レーザ素子１３２を下にして金属平板バネの上に載せ、
ヒートシンクの半導体レーザ素子融着面と電極パッドが
接触するように上から荷重をかけて固定した後、半導体
レーザ素子の融着材より低温で溶融する融着材を用いて
電極パッド−ヒートシンク間、半導体レーザ素子−金属
平板バネ間を同時に融着する。
実施例３によれば、第８図Ａにおいて両端をベースブロ
ック−絶縁体間に固定され、中央部を上に凸にそらせた
金属平板バネ３４の上に、第８図Ｂにおいて半導体レー
ザ素子１３２を融着したヒートシンク１３１を、半導体
レーザ素子１３２を下にして金属平板バネの上に載せ、
ヒートシンクの半導体レーザ素子融着面と電極パッドが
接触するように上から荷重をかけて固定した後、半導体
レーザ素子の融着材より低温で溶融する融着材を用いて
電極パッド−ヒートシンク間、半導体レーザ素子−金属
平板バネ間を同時に融着する。
以上説明したように、本発明によれば、半導体レーザ素
子とケースとを電気的に接続するリードの構造に、従来
のＡＪ線やＡｕ線等によるボンディングでなく、金属平
板バネによる融着を用いることにより接続リードが太く
なりインダクタンスの低減が図れ、半導体レーザ素子内
に結晶欠陥を生じることなしに半導体レーザ素子の高周
波変調応答特性を悪化させることのない電気的接続を実
現でき、さらにケースへの融着後のボンディング接続の
工程自体を省略することができる効果がある。
子とケースとを電気的に接続するリードの構造に、従来
のＡＪ線やＡｕ線等によるボンディングでなく、金属平
板バネによる融着を用いることにより接続リードが太く
なりインダクタンスの低減が図れ、半導体レーザ素子内
に結晶欠陥を生じることなしに半導体レーザ素子の高周
波変調応答特性を悪化させることのない電気的接続を実
現でき、さらにケースへの融着後のボンディング接続の
工程自体を省略することができる効果がある。
第１図は本発明の実施例１を示す斜視図、第２図は実施
例２を示す要部断面図、第３図は実施例３を示す要部断
面図、第４図は従来の半導体レーザの一例を示した斜視
図、第５図、第６図は実施例１の組立工程を示す概念図
、第７図は実施例２の組立工程を示す概念図、第８図は
実施例３の組立工程を示す概念図である。 １１．２１，３１．４１・・・ベースブロック、１２．
２２，３２．４２・・・絶縁体、１３．２３゜３３．４
３・・・電極パッド、１４．２４．３４・・・金属平板
バネ、１１１，１２１，１３１，１４１・・・ヒートシ
ンク、１１２，１２２，１３２．１４２・・・半導体レ
ーザ素子、１１３，１２３，１３３゜１４３・・・電極
面、１４４・・・ポンデイグワイヤ。
例２を示す要部断面図、第３図は実施例３を示す要部断
面図、第４図は従来の半導体レーザの一例を示した斜視
図、第５図、第６図は実施例１の組立工程を示す概念図
、第７図は実施例２の組立工程を示す概念図、第８図は
実施例３の組立工程を示す概念図である。 １１．２１，３１．４１・・・ベースブロック、１２．
２２，３２．４２・・・絶縁体、１３．２３゜３３．４
３・・・電極パッド、１４．２４．３４・・・金属平板
バネ、１１１，１２１，１３１，１４１・・・ヒートシ
ンク、１１２，１２２，１３２．１４２・・・半導体レ
ーザ素子、１１３，１２３，１３３゜１４３・・・電極
面、１４４・・・ポンデイグワイヤ。
Claims (1)
- 半導体レーザ素子をヒートシンクに固着してケース内
に収納した半導体レーザにおいて、少なくとも片方の端
がケースに固定された金属平板バネに半導体レーザ素子
の少なくとも一方の電極面を融着することを特徴とする
半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26969588A JPH02116186A (ja) | 1988-10-25 | 1988-10-25 | 半導体レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26969588A JPH02116186A (ja) | 1988-10-25 | 1988-10-25 | 半導体レーザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02116186A true JPH02116186A (ja) | 1990-04-27 |
Family
ID=17475902
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26969588A Pending JPH02116186A (ja) | 1988-10-25 | 1988-10-25 | 半導体レーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02116186A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0595502A1 (en) * | 1992-10-14 | 1994-05-04 | Fujitsu Limited | Semiconductor optical apparatus having an improved precision for the optical beam position |
| JP2000101202A (ja) * | 1998-09-24 | 2000-04-07 | Emerson Electric Co | レ―ザダイオ―ド列 |
| JP2006032765A (ja) * | 2004-07-20 | 2006-02-02 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体レーザパッケージ |
| WO2008047933A1 (fr) * | 2006-10-17 | 2008-04-24 | C.I.Kasei Company, Limited | Ensemble de paquets pour diodes émettrices de lumière d'électrodes supérieure/inférieure et procédé de fabrication de dispositif émetteur de lumière l'utilisant |
| JP2008258567A (ja) * | 2006-11-08 | 2008-10-23 | C I Kasei Co Ltd | 発光装置および発光装置の製造方法 |
| JP2009182091A (ja) * | 2008-01-30 | 2009-08-13 | C I Kasei Co Ltd | 発光装置 |
-
1988
- 1988-10-25 JP JP26969588A patent/JPH02116186A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0595502A1 (en) * | 1992-10-14 | 1994-05-04 | Fujitsu Limited | Semiconductor optical apparatus having an improved precision for the optical beam position |
| US5404368A (en) * | 1992-10-14 | 1995-04-04 | Fujitsu Limited | Semiconductor optical apparatus having an improved precision for the optical beam position |
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| US8088635B2 (en) | 2006-10-17 | 2012-01-03 | C.I. Kasei Company, Limited | Vertical geometry light emitting diode package aggregate and production method of light emitting device using the same |
| JP2008258567A (ja) * | 2006-11-08 | 2008-10-23 | C I Kasei Co Ltd | 発光装置および発光装置の製造方法 |
| JP2009182091A (ja) * | 2008-01-30 | 2009-08-13 | C I Kasei Co Ltd | 発光装置 |
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