JPH02116800A - 放射線装置 - Google Patents
放射線装置Info
- Publication number
- JPH02116800A JPH02116800A JP63271358A JP27135888A JPH02116800A JP H02116800 A JPH02116800 A JP H02116800A JP 63271358 A JP63271358 A JP 63271358A JP 27135888 A JP27135888 A JP 27135888A JP H02116800 A JPH02116800 A JP H02116800A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- light
- beam line
- partition wall
- light beam
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70808—Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
- G03F7/70841—Constructional issues related to vacuum environment, e.g. load-lock chamber
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
Landscapes
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Atmospheric Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
高真空度領域で発する光ビームを低真空度領域にある例
えば露光装置の試料上に照射し、該試料に所定のパター
ン露光を行う放射線装置に関し、光取り出し部分におけ
る光ビームの減衰を抑えることを目的とし、 高真空度領域で発しビームライン中を進行する光ビーム
を大気圧または大気圧に近い低真空度領域にある照射処
理装置に該ビームラインの端部から取り出し、該照射処
理装置の所定位置に配置した試料上に所定の照射処理を
行う放射線装置であって、ビームラインの照射処理装置
側端部近傍に設けた該ビームラインの中心軸垂直面に対
して所定の角度で貫通するスリット孔に、所定の方向か
ら高速の不活性ガスを流しながら光ビームを取り出して
構成する。
えば露光装置の試料上に照射し、該試料に所定のパター
ン露光を行う放射線装置に関し、光取り出し部分におけ
る光ビームの減衰を抑えることを目的とし、 高真空度領域で発しビームライン中を進行する光ビーム
を大気圧または大気圧に近い低真空度領域にある照射処
理装置に該ビームラインの端部から取り出し、該照射処
理装置の所定位置に配置した試料上に所定の照射処理を
行う放射線装置であって、ビームラインの照射処理装置
側端部近傍に設けた該ビームラインの中心軸垂直面に対
して所定の角度で貫通するスリット孔に、所定の方向か
ら高速の不活性ガスを流しながら光ビームを取り出して
構成する。
本発明は高真空度領域で発する光ビームを低真空度領域
にある例えば露光装置の試料上に照射し、該試料に所定
のパターン露光を行う放射線装置に係り、特に人オーダ
の波長領域光の場合の光取り出し窓部分における該光ビ
ームの減衰の抑制を図った放射線装置に関する。
にある例えば露光装置の試料上に照射し、該試料に所定
のパターン露光を行う放射線装置に係り、特に人オーダ
の波長領域光の場合の光取り出し窓部分における該光ビ
ームの減衰の抑制を図った放射線装置に関する。
近年、半導体ウェハ等の製造プロセスにおいてはＸ線等
を使用した露光技術が進展しているが、特にリソグラフ
ィ技術への応用は今後の微細デバイス製造の重要な課題
となっている。
を使用した露光技術が進展しているが、特にリソグラフ
ィ技術への応用は今後の微細デバイス製造の重要な課題
となっている。
これらの技術に使用されるシンクロトロン放射線や他の
Ｘ線（以下光と称する）の光源は通常高真空度中にあり
、これら光源から射出する光を外部すなわち大気中また
はほぼ大気圧に近い低真空度領域にある露光装置に取り
出すためには、光を透過する真空隔壁（窓）が必要とな
る。
Ｘ線（以下光と称する）の光源は通常高真空度中にあり
、これら光源から射出する光を外部すなわち大気中また
はほぼ大気圧に近い低真空度領域にある露光装置に取り
出すためには、光を透過する真空隔壁（窓）が必要とな
る。
一般にこの真空隔壁にはベリリウム（Ｂｅ）が使用され
ているが、リソグラフィ技術等に適用される数人〜１０
人の波長光の場合には該真空隔壁部分での光の減衰が大
きくなることからその解決が望まれている。
ているが、リソグラフィ技術等に適用される数人〜１０
人の波長光の場合には該真空隔壁部分での光の減衰が大
きくなることからその解決が望まれている。
［従来の技術］
第２図は従来の放射線装置を説明する図であり、（八）
は全体の構成を示す概念図、（Ｂ）は隔壁窓近傍を示す
拡大図である。
は全体の構成を示す概念図、（Ｂ）は隔壁窓近傍を示す
拡大図である。
図（八）、（Ｂ）で、例えばＩ Ｘｌ０−９〜Ｉ Ｘｌ
０−” Ｔ。
０−” Ｔ。
ｒｒ程度の高真空度領域にある光源１から射出しビーム
ライン３の内部を進行する光ビーム２は、例えば径が２
０ｍｍ位で厚さが数１０μｍ程度のベリリウム（Ｂｅ）
よりなる隔壁窓４を通って大気圧またはそれに近い低真
空度領域にあるチャンバ５に光ビーム２°となって入り
、更にポリイミド薄膜等よりなる保護膜（以下カプトン
と称する）６を透過した後、該チャンバ５内の露光装置
７の所定位置に配置されたマスク８を通過して試料９０
表面に所要のパターン露光を施すように構成している。
ライン３の内部を進行する光ビーム２は、例えば径が２
０ｍｍ位で厚さが数１０μｍ程度のベリリウム（Ｂｅ）
よりなる隔壁窓４を通って大気圧またはそれに近い低真
空度領域にあるチャンバ５に光ビーム２°となって入り
、更にポリイミド薄膜等よりなる保護膜（以下カプトン
と称する）６を透過した後、該チャンバ５内の露光装置
７の所定位置に配置されたマスク８を通過して試料９０
表面に所要のパターン露光を施すように構成している。
なお、ビームライン３の途中に複数個設けている１０は
光源１０部分を上記の高真空度に保つための差動排気系
をまた１１は緊急遮断弁としてのゲートバルブを示し、
１＋は試料載置台である。
光源１０部分を上記の高真空度に保つための差動排気系
をまた１１は緊急遮断弁としてのゲートバルブを示し、
１＋は試料載置台である。
一方上記隔壁窓４とカプトン６との間には、ビームライ
ン３を横断する形に該ビームライン３より細いパイプ１
３が装着されており、チャンバ５の外部から例えばヘリ
ウム（）ｌｅ）等の不活性ガスを注入することによって
上記隔壁窓４の表面を該領域に存在する酸素（０□）等
の活性ガスに直接接触させないようにして隔壁窓４の変
質を防止する構成になっている。
ン３を横断する形に該ビームライン３より細いパイプ１
３が装着されており、チャンバ５の外部から例えばヘリ
ウム（）ｌｅ）等の不活性ガスを注入することによって
上記隔壁窓４の表面を該領域に存在する酸素（０□）等
の活性ガスに直接接触させないようにして隔壁窓４の変
質を防止する構成になっている。
この場合、ビームライン３内部の斜線部■Ｎは複数の上
記差動排気系１０を介して光源１の高真空度領域と連絡
しており、また隔壁窓４の外側（図示の右側）領域■１
は大気圧またはそれに近い低真空度領域である。
記差動排気系１０を介して光源１の高真空度領域と連絡
しており、また隔壁窓４の外側（図示の右側）領域■１
は大気圧またはそれに近い低真空度領域である。
かかる構成になる放射線装置の隔壁窓４には、光ビーム
２の波長が人オーダ程度の場合にはその透過性に優れて
いると共に圧力を確保するに足る充分な機械的強度を備
え且つ光による変質が起こり難い等の理由から上述の如
くベリリウム（Ｂｅ）が広く用いられている。
２の波長が人オーダ程度の場合にはその透過性に優れて
いると共に圧力を確保するに足る充分な機械的強度を備
え且つ光による変質が起こり難い等の理由から上述の如
くベリリウム（Ｂｅ）が広く用いられている。
しかし光の波長が数〜１０人程度になると、該隔壁窓４
での光の減衰度が急激に大きくなると共に、該隔壁窓４
を保護するためのカプトン６による光の減衰が加わり透
過光が大幅に減少する。
での光の減衰度が急激に大きくなると共に、該隔壁窓４
を保護するためのカプトン６による光の減衰が加わり透
過光が大幅に減少する。
これに対応するには、該窓４のへリリウム（Ｂｅ）の厚
さを更に薄くする必要があるが加工上や強度的に難点が
ある。
さを更に薄くする必要があるが加工上や強度的に難点が
ある。
従来の放射線装置の構成では、光の波長が人オーダ程度
からそれ以上になると窓部分での光の減衰度が大きくな
って試料面に到達する光量が減少するため、充分な露光
処理を施すことができないと言う問題があった。
からそれ以上になると窓部分での光の減衰度が大きくな
って試料面に到達する光量が減少するため、充分な露光
処理を施すことができないと言う問題があった。
上記問題点は、高真空度領域で発しビームライン中を進
行する光ビームを大気圧または大気圧に近い低真空度領
域にある照射処理装置に該ビームラインの端部から取り
出し、該照射処理装置の所定位置に配置した試料上に所
定の照射処理を行う放射線装置であって、 ビームラインの照射処理装置側端部近傍に設けた該ビー
ムラインの中心軸垂直面に対して所定の角度で貫通する
スリット孔に、所定の方向から高速の不活性ガスを流し
ながら光ビームを取り出してなる放射線装置によって解
決される。
行する光ビームを大気圧または大気圧に近い低真空度領
域にある照射処理装置に該ビームラインの端部から取り
出し、該照射処理装置の所定位置に配置した試料上に所
定の照射処理を行う放射線装置であって、 ビームラインの照射処理装置側端部近傍に設けた該ビー
ムラインの中心軸垂直面に対して所定の角度で貫通する
スリット孔に、所定の方向から高速の不活性ガスを流し
ながら光ビームを取り出してなる放射線装置によって解
決される。
ビームラインに設ける従来の隔壁窓に化工て、高速のガ
スを該ビームラインを遮断するエアシャッタのように吹
きつけると、数Ｔｏｒｒから数１０７ｏｒｒ程度の真空
と大気圧に耐える気体隔壁を形成することができる。
スを該ビームラインを遮断するエアシャッタのように吹
きつけると、数Ｔｏｒｒから数１０７ｏｒｒ程度の真空
と大気圧に耐える気体隔壁を形成することができる。
本発明では、従来の隔壁窓対応位置に該ビームライン中
心軸垂直面に対して所定の傾きを持つスリット状の貫通
孔を設け、該スリット孔の光源に近い開口部側からヘリ
ウム（ｌｉｅ）または水素（１１□）等の如きガスを高
速注入して該ビームラインを遮断する気体隔壁すなわち
ガスウオールを構成している。
心軸垂直面に対して所定の傾きを持つスリット状の貫通
孔を設け、該スリット孔の光源に近い開口部側からヘリ
ウム（ｌｉｅ）または水素（１１□）等の如きガスを高
速注入して該ビームラインを遮断する気体隔壁すなわち
ガスウオールを構成している。
従って、従来の隔壁窓およびカプトンが不要となり波長
領域が数Å以上の光でも効率よく透過させることができ
る。
領域が数Å以上の光でも効率よく透過させることができ
る。
第１図は本発明になる放射線装置の構成例を示す図であ
り、（Ａ）は隔壁部を説明する図１（Ｂ）は全体の構成
を示す概念図である。
り、（Ａ）は隔壁部を説明する図１（Ｂ）は全体の構成
を示す概念図である。
図（八）で、（イ）は隔壁部所面図、 （ロ）は図（イ
）をａ”−ａ’面で切断したときの該切断面右側の正面
図、 （ハ）は外観図をそれぞれ示したものである。
）をａ”−ａ’面で切断したときの該切断面右側の正面
図、 （ハ）は外観図をそれぞれ示したものである。
図（イ）、（ロ）で、第２図同様のビームライン１５の
ビーム取り出し口側の端面１５ａの近傍には、−辺ｌが
光通過孔１５ｂの径より多少大きく他辺Ｗが所定の寸法
を持つ四角状のスリット孔１５ｃが該ビームライン１５
の中心軸垂直面に対して所定の角度αを持って貫通した
状態で設けられ、更に該スリット孔１５ｃ内部の上記端
面１５ａ側の面上で該スリット孔１５ｃの上記端面１５
ａから遠い方の開口部（換言すれば第２図における光源
に近い方の開口部）に近い領域の所定位置く図示では光
通過孔１５ｂより下側）には、辺２の全長にわたって堤
状の突起１５ｄを形成しギャップｇを持つスリット状の
ノズル１５ｅを形成している。
ビーム取り出し口側の端面１５ａの近傍には、−辺ｌが
光通過孔１５ｂの径より多少大きく他辺Ｗが所定の寸法
を持つ四角状のスリット孔１５ｃが該ビームライン１５
の中心軸垂直面に対して所定の角度αを持って貫通した
状態で設けられ、更に該スリット孔１５ｃ内部の上記端
面１５ａ側の面上で該スリット孔１５ｃの上記端面１５
ａから遠い方の開口部（換言すれば第２図における光源
に近い方の開口部）に近い領域の所定位置く図示では光
通過孔１５ｂより下側）には、辺２の全長にわたって堤
状の突起１５ｄを形成しギャップｇを持つスリット状の
ノズル１５ｅを形成している。
更に該スリット孔１５ｃの上記端面１５ａから遠い方の
開口部には該開口部に丁度嵌合する大きさの角型パイプ
１６を装着して図（ハ）に示す如き状態に構成している
。
開口部には該開口部に丁度嵌合する大きさの角型パイプ
１６を装着して図（ハ）に示す如き状態に構成している
。
かかる構成になる隔壁部の上記角型バイブ１６に図示さ
れない供給部からヘリウム（ｔｌｅ）または水素（＋１
２）等のガスを高圧で注入すると、ノズル１５ｅから層
状に高速で噴出するガスは上記αの角度で光通過孔１５
ｂを斜め横断しそのまま図（ハ）の矢印で示す如く該ビ
ームライン１５を貫通して他の開口部から射出する。
れない供給部からヘリウム（ｔｌｅ）または水素（＋１
２）等のガスを高圧で注入すると、ノズル１５ｅから層
状に高速で噴出するガスは上記αの角度で光通過孔１５
ｂを斜め横断しそのまま図（ハ）の矢印で示す如く該ビ
ームライン１５を貫通して他の開口部から射出する。
この際、３亥スリツト了Ｌ１５ｃの（頃きαとギャップ
。
。
ｇおよび供給するガスの圧力を適当に設定すると、該ガ
スが光通過孔１５ｂを横切るときに図示Ｈの領域に存在
するガス分子を吸引することから該Ｈの領域の圧力を図
示りの領域より下げることができる。
スが光通過孔１５ｂを横切るときに図示Ｈの領域に存在
するガス分子を吸引することから該Ｈの領域の圧力を図
示りの領域より下げることができる。
このことは、ガスの流れが真空隔壁の機能を持つことを
意味している。
意味している。
ヘリウム（ｌｉｅ）を使用した場合の実験結果によれば
、注入圧力を数１０〜１２０ ｋｇ／ ｃｎ！の範囲と
しギャップｇを１ｍｍ、角度αを１０〜１５°とすると
、図示しの大気圧領域に比べて図示Ｈの領域圧力を５Ｑ
Ｔｏｒｒ程度まで減圧できることを確認している。
、注入圧力を数１０〜１２０ ｋｇ／ ｃｎ！の範囲と
しギャップｇを１ｍｍ、角度αを１０〜１５°とすると
、図示しの大気圧領域に比べて図示Ｈの領域圧力を５Ｑ
Ｔｏｒｒ程度まで減圧できることを確認している。
一方これらのガスは、ベリリウム（Ｂｅ）よりも光透過
性に優れている。
性に優れている。
従って従来のベリリウム（Ｂｅ）よりなる隔壁窓および
カプトンを使用する必要がない。
カプトンを使用する必要がない。
放射線装置の構成例を示す第１図（Ｂ）は、第２図（八
）における隔壁窓４．カブ１−ン６およびチャンバ５の
部分を本発明に対応させて変更した構成にしており、ビ
ームライン１５の途中に各複数個設けている差動排気系
１０．ゲートバルブ１１およびチャンバ１７内の露光装
置７は、第２図（ｔｌ）で説明したものと同様である。
）における隔壁窓４．カブ１−ン６およびチャンバ５の
部分を本発明に対応させて変更した構成にしており、ビ
ームライン１５の途中に各複数個設けている差動排気系
１０．ゲートバルブ１１およびチャンバ１７内の露光装
置７は、第２図（ｔｌ）で説明したものと同様である。
図で、ビームライン１５の隔壁部分には第１図（Ａ）で
説明した隔壁部をそのまま取り入れている七共に、ガス
が充満するチャンバ１７には注入するガスを制御するた
めのガス圧コントローラ１８．コンプレソサ１９．およ
びガス分離器２０を装着している。
説明した隔壁部をそのまま取り入れている七共に、ガス
が充満するチャンバ１７には注入するガスを制御するた
めのガス圧コントローラ１８．コンプレソサ１９．およ
びガス分離器２０を装着している。
この場合には、チャンバ１７内のガスをコンプレッサ１
９で圧縮した後ガス分離器２０で高純度のガスのみをビ
ームライン１５の隔壁部に注入するようにしている。な
おガス圧コントローラ１８は該チャンバ１７内部のガス
圧を一定に保持するためのものである。
９で圧縮した後ガス分離器２０で高純度のガスのみをビ
ームライン１５の隔壁部に注入するようにしている。な
おガス圧コントローラ１８は該チャンバ１７内部のガス
圧を一定に保持するためのものである。
そこで光源１から射出する光ビーム２がビームライン１
５の内部を通って光通過孔１５ｂに到った後高速で移動
する不活性ガス層よりなる隔壁部をそのまま透過して端
面１５ａから取り出されて光ビーム２１′となり、次い
でマスク８でバターニングされて試料９の表面を露光す
ることになる。
５の内部を通って光通過孔１５ｂに到った後高速で移動
する不活性ガス層よりなる隔壁部をそのまま透過して端
面１５ａから取り出されて光ビーム２１′となり、次い
でマスク８でバターニングされて試料９の表面を露光す
ることになる。
上述の如く本発明により、ベリリウム（Ｂｅ）よりなる
隔壁窓および樹脂膜よりなるカプトンを使用することな
しに、数〜１０人帯の波長光まで優れた透過性を示す放
射線装置を安価且つ容易に提供することかできる。
隔壁窓および樹脂膜よりなるカプトンを使用することな
しに、数〜１０人帯の波長光まで優れた透過性を示す放
射線装置を安価且つ容易に提供することかできる。
第１図は本発明になる放射線装置の構成例を示す図、
第２図は従来の放射線装置を説明する図、である。図に
おいて、 １は光源、 ２．２”は光ビーム、８はマス
ク、 ９は試料、 １０は差動排気系、 １１はゲートバルブ、１５は
ビームライン、 １５ａは端面、１５ｂは光通過孔、
１５ｃはスリット孔、１５ｄは突起、
１５ｅはノズル、１６は角型パイプ、 １７はチ
ャンバ、１８はガス圧コントローラ、Ｉ９はコンプレッ
サ、２０はガス分離器、 をそれぞれ表わしている。 （Ａ） 一口＝ ＋９ン八つ′） （Ｂ） １９発８月に２る一１ｈｔ聚り（Ｉのオ后政イ２．１（
元４１０第 ／ＦｉＪ イそ呆０方ズ打碌装置乏力１ｅ月する図′￥１ ２ 口
おいて、 １は光源、 ２．２”は光ビーム、８はマス
ク、 ９は試料、 １０は差動排気系、 １１はゲートバルブ、１５は
ビームライン、 １５ａは端面、１５ｂは光通過孔、
１５ｃはスリット孔、１５ｄは突起、
１５ｅはノズル、１６は角型パイプ、 １７はチ
ャンバ、１８はガス圧コントローラ、Ｉ９はコンプレッ
サ、２０はガス分離器、 をそれぞれ表わしている。 （Ａ） 一口＝ ＋９ン八つ′） （Ｂ） １９発８月に２る一１ｈｔ聚り（Ｉのオ后政イ２．１（
元４１０第 ／ＦｉＪ イそ呆０方ズ打碌装置乏力１ｅ月する図′￥１ ２ 口
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 高真空度領域で発しビームライン中を進行する光ビーム
を大気圧または大気圧に近い低真空度領域にある照射処
理装置に該ビームラインの端部から取り出し、該照射処
理装置の所定位置に配置した試料上に所定の照射処理を
行う放射線装置であって、 ビームラインの照射処理装置側端部近傍に設けた該ビー
ムラインの中心軸垂直面に対して所定の角度で貫通する
スリット孔に、所定の方向から高速の不活性ガスを流し
ながら光ビームを取り出してなることを特徴とした放射
線装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63271358A JPH02116800A (ja) | 1988-10-27 | 1988-10-27 | 放射線装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63271358A JPH02116800A (ja) | 1988-10-27 | 1988-10-27 | 放射線装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02116800A true JPH02116800A (ja) | 1990-05-01 |
Family
ID=17498958
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63271358A Pending JPH02116800A (ja) | 1988-10-27 | 1988-10-27 | 放射線装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02116800A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013072785A (ja) * | 2011-09-28 | 2013-04-22 | Hitachi Ltd | 低真空軟ｘ線実験装置 |
| JP2014219243A (ja) * | 2013-05-07 | 2014-11-20 | 日置電機株式会社 | 回路基板検査装置 |
-
1988
- 1988-10-27 JP JP63271358A patent/JPH02116800A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013072785A (ja) * | 2011-09-28 | 2013-04-22 | Hitachi Ltd | 低真空軟ｘ線実験装置 |
| JP2014219243A (ja) * | 2013-05-07 | 2014-11-20 | 日置電機株式会社 | 回路基板検査装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3127511B2 (ja) | 露光装置および半導体装置の製造方法 | |
| EP0007898B1 (en) | High-resolution x-ray lithographic system and a method for fabricating microminiature devices by irradiating with such a system | |
| JPH038428A (ja) | 局所真空装置並びに方法 | |
| WO1992009103A1 (fr) | Dispositif et procede de transport de substrats ayant la forme d'une mince plaquette | |
| JP2766935B2 (ja) | Ｘ線露光装置 | |
| JPH02116800A (ja) | 放射線装置 | |
| JPS61180440A (ja) | Ｘ線リソグラフイ−装置用のガス制御 | |
| JPH0335774B2 (ja) | ||
| JPH02120700A (ja) | 放射線装置と放射線装置の光取り出し方法 | |
| JPH0419998A (ja) | 放射線取り出し窓 | |
| JPH01181518A (ja) | Ｘ線露光装置用ヘリウムチャンバ | |
| JPH05304084A (ja) | 紫外線照射装置 | |
| JPH10325900A (ja) | Ｘ線装置およびこれを用いたｘ線露光装置ならびにデバイス製造方法 | |
| JPH0426206B2 (ja) | ||
| JPH01225118A (ja) | Ｘ線露光装置 | |
| JP3167382B2 (ja) | Ｘ線露光装置 | |
| JPH0338026A (ja) | 放射光露光装置 | |
| JPS6350853B2 (ja) | ||
| JP3058603B2 (ja) | Ｘ線リソグラフィ用ビームライン | |
| JPH04312799A (ja) | Ｓｏｒ光出射用窓装置 | |
| JPH0770455B2 (ja) | Ｘ線露光装置 | |
| JPH01198021A (ja) | Ｘ線露光装置 | |
| JP2791932B2 (ja) | Ｘ線露光装置 | |
| JPH04237113A (ja) | 放射線露光装置 | |
| JP2513528B2 (ja) | Ｘ線取出し装置 |