JPH0211904B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0211904B2 JPH0211904B2 JP55100087A JP10008780A JPH0211904B2 JP H0211904 B2 JPH0211904 B2 JP H0211904B2 JP 55100087 A JP55100087 A JP 55100087A JP 10008780 A JP10008780 A JP 10008780A JP H0211904 B2 JPH0211904 B2 JP H0211904B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- potential
- control
- output
- data
- electrostatic latent
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 22
- 108091008695 photoreceptors Proteins 0.000 claims description 21
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims description 8
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 claims description 8
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 21
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 21
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 12
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 9
- 238000011161 development Methods 0.000 description 7
- 102100035709 Acetyl-coenzyme A synthetase, cytoplasmic Human genes 0.000 description 6
- 101000783232 Homo sapiens Acetyl-coenzyme A synthetase, cytoplasmic Proteins 0.000 description 6
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 6
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 6
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 4
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 4
- 102100022907 Acrosin-binding protein Human genes 0.000 description 3
- 101000756551 Homo sapiens Acrosin-binding protein Proteins 0.000 description 3
- 101100333868 Homo sapiens EVA1A gene Proteins 0.000 description 3
- 102100031798 Protein eva-1 homolog A Human genes 0.000 description 3
- 101100310674 Tenebrio molitor SP23 gene Proteins 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- 102100035167 Coiled-coil domain-containing protein 54 Human genes 0.000 description 2
- 101000737052 Homo sapiens Coiled-coil domain-containing protein 54 Proteins 0.000 description 2
- 101000824971 Homo sapiens Sperm surface protein Sp17 Proteins 0.000 description 2
- 101001067830 Mus musculus Peptidyl-prolyl cis-trans isomerase A Proteins 0.000 description 2
- 101100015484 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) GPA1 gene Proteins 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 101000642536 Apis mellifera Venom serine protease 34 Proteins 0.000 description 1
- 101100365087 Arabidopsis thaliana SCRA gene Proteins 0.000 description 1
- 101000927330 Pithecopus azureus Dermaseptin-H6 Proteins 0.000 description 1
- 101100438139 Vulpes vulpes CABYR gene Proteins 0.000 description 1
- 102100040791 Zona pellucida-binding protein 1 Human genes 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000005461 lubrication Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G15/00—Apparatus for electrographic processes using a charge pattern
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Dot-Matrix Printers And Others (AREA)
- Printers Or Recording Devices Using Electromagnetic And Radiation Means (AREA)
- Control Or Security For Electrophotography (AREA)
Description
〔技術分野〕
本発明は感光体上に静電潜像を形成した後現像
することにより画像形成するものであつて、特に
感光体の特性の変化に拘らず表面電位を安定化す
ることが可能な静電記録装置に関する。 〔従来技術〕 感光体あるいは絶縁体等の記録体上に静電潜像
を形成する静電記録装置は従来周知であり、本明
細書では特公昭42年23910号公報に開示された電
子写真法を用いた複写装置を例にとり説明する。 かかる複写装置の複写プロセスの各処理位置に
おいて、原稿の明部(光の反射が多い部分)と暗
部(光の反射が少ない部分)に対応する感光ドラ
ムの表面電位がどのように変化するかを第2図に
示す。最終的な静電潜像として必要なのは図中
点に於ける表面電位であるが、そこでの暗部と明
部の表面電位イ,ロは感光ドラムの周囲温度が上
昇した場合、第3図イ′,ロ′の如く変化し、又感
光ドラムの経年変化に対しても第4図イ′,ロ′の
如く変化し、暗部と明部のコントラストが得られ
なくなる。 かかる表面電位の変化に対する補償方法につい
ては、本出願人の出願にかかわる特開昭55−
29857号公報に開示されている。 しかしながら装置内の感光体を特性の異なる感
光体に変えると、前の感光体に合わせて作られた
制御プログラムが、特性が異なる為に全く無効と
なり、新たに制御プログラムを組み直さなければ
ならない。 〔目的〕 本発明は上記点に鑑みてなされたもので、その
目的とするところは、感光体の特性が変わつても
常に表面電位を安定化させることが可能な静電記
録装置を提供することにある。 即ち本発明は、感光体上に静電潜像を形成する
静電潜像形成手段、前記感光体上に形成された静
電潜像を現像する現像手段、前記感光体の表面電
位を検出する検出手段、前記感光体の表面電位を
目標電位にするべく前記検出手段の出力に基づい
て電位制御プログラムを実行することにより前記
静電潜像形成手段の動作条件を設定する制御手
段、を有し、前記制御手段は、前記静電潜像形成
手段を制御データに基づいて動作させ、その状態
で前記検出手段により検出される表面電位データ
に対し、前記感光体の感度に応じた係数を備えた
演算式に従つて演算を行なうことにより補正デー
タを求め、前記制御データに前記補正データを加
算することによりえられるデータを新たな制御デ
ータとし、前記新たな制御データに基づいて前記
静電潜像形成手段を動作させることにより表面電
位を安定化する第1の電位制御プログラムと、繰
返しの回数に応じて順次小さくなる所定のデータ
を前記検出手段により繰返し検出される表面電位
データに対し加減算しその結果に基づいて前記静
電潜像形成手段を動作させることにより表面電位
を安定化する第2の電位制御プログラムを内蔵す
るとともに、前記第1、第2プログラムのいずれ
かを選択するための入力端子を備え、前記入力端
子の信号レベルを判別することにより前記第1、
第2の電位制御プログラムのいずれかを選択し、
前記検出手段の出力値に対して選択された電位制
御プログラムを実行することを特徴とする画像形
成装置を提供するものである。 〔実施例〕 以下本発明の実施例を説明する。 (複写装置の概略構成) 第1図aは本発明を適用し得る複写装置の断面
図である。 ドラム47の表面は、CdS光導電体を用いた三
層構成のシームレス感光体より成り、軸上に回動
可能に軸支され、コピーキーのオンにより作動す
るメインモータ71により矢印の方向に回転を開
始する。 ドラム47が所定角度回転すると、原稿台ガラ
ス54上に置かれた原稿は、第1走査ミラー44
と一体に構成された照明ランプ46で照射され、
その反射光は、第1走査ミラー44及び第2走査
ミラー53で走査される。第1走査ミラー44と
第2走査ミラー53は1:1/2の速比で動くこと
によりレンズ52の前方の光路長が常に一定に保
たれたまま原稿の走査が行なわれる。 上記の反射光像はレンズ52、第3ミラー55
を経た後、露光部で、ドラム47上に結像する。 ドラム47は、前露光ランプ50と前AC帯電
器51aにより同時除電され、その後一次帯電器
51によりコロナ帯電(例えば+)される。その
後ドラム47は前記露光部で、照明ランプ46に
より照射された像がスリツト露光される。 それと同時に、AC又は一次と逆極性(例えば
−)のコロナ除電を除電器69で行ない、その後
更に全面露光ランプ68による表面均一露光によ
り、ドラム47上に高コントラストの静電潜像を
形成する。感光ドラム47上の静電潜像は、次に
現像器62の現像ローラ65により、液体現像さ
れトナー像として可視化され、トナー像は前転写
帯電器61により転写易くされる。 上段カセツト10、もしくは下段カセツト11
内の転写紙は、給紙ローラ59により機内に送ら
れ、レジスタローラ60で正確なタイミングをと
つて、感光ドラム47方向に送られ、潜像先端と
紙の先端とを転写部で一致させることができる。 次いで、転写帯電器42とドラム47の間を転
写紙が通る間に転写紙上にドラム47上のトナー
像が転写される。 転写終了後、転写紙は分離ローラ43によりド
ラム47より分離され、搬送ローラ41に送ら
れ、熱板38と押えローラ39,40との間に導
かれて、加圧・加熱により定着され、その後排出
ローラ37により紙検出用ローラ36を介してト
レー34へ排出される。 又、転写後のドラム47は回転続行しクリーニ
ングローラ48と弾性ブレード49で構成された
クリーニング装置でその表面を清掃し、次サイク
ルへ進む。 ここで表面電位を測定する表面電位計67は全
面露光ランプ68と現像器62の間のドラム47
の表面に近接して取付けられている。 上記コピーサイクルに先立つて実行するサイク
ルとして、電源スイツチ投入後ドラム47を停止
したままクリーニングブレード49に現像液を注
ぐステツプがある。以下、これをプリウエツトと
称す。これはクリーニングブレード49付近に蓄
積しているトナーを流し出すとともに、ブレード
49とドラム47の接触面に潤滑を与えるためで
ある。又プリウエツト時間(4秒)後ドラム47
を回転させ前露光ランプ50や前AC除電器51
a等によりドラム47の残留電荷やメモリを消去
し、ドラム表面をクリーニングローラ48、クリ
ーニングブレード49によりクリーニングするス
テツプがある。以下、これを前回転INTRと称
す。これはドラム47の感度を適正にするととも
にクリーンな面に像形成するためである。 又セツトされた数のコピーサイクルが終了した
後のサイクルとして、ドラム47を数回転させ2
次帯電器69等によりドラムの残留電荷やメモリ
を除去し、ドラム表面をクリーニングするステツ
プがある。以下、これを後回転LSTRと称す。こ
れはドラム47を静電的、物理的にクリーンにし
て放置するためである。 (ブランク露光ランプ) 第1図bは第1図aのブランク露光ランプ70
付近の平面図である。ブランク露光ランプ70−
1〜70−5は、ドラム回転中で露光時以外のと
き点灯させ、ドラム表面電荷を消去して、余分な
トナーがドラムに付着するのを防止している。た
だし、ブランク露光ランプ70−1は表面電位計
67に対応するドラム面を照射するので、表面電
位計67で暗部電位を測定するとき一瞬消してい
る。またBサイズのコピーでは、画像領域がA4
やA3サイズにくらべ小さくなるので非画像領域
に対し、ブランク露光ランプ70−5を光学系前
進中でも点灯させる。ランプ70−0はシヤープ
カツトランプと称するもので、分離ガイド板43
−1と接触しているドラム部分に光を照射し、そ
の部分の電荷を完全に消去して、トナーの付着を
防ぎ、分離欠け幅分を汚さぬようにしている。こ
のシヤープカツトランプは、ドラム回転中常時点
灯している。 (表面電位制御) 次に、斯かる温度変化又は、経年変化に伴う表
面電位の変化を補償する表面電位制御方式につい
て概要を説明する。 本実施例に於いては明部及び暗部のドラム表面
電位を検出する為に第1図の原稿照明用ランプ4
6を用いないでブランク露光ランプ70を用いて
いる。前記ブランク露光ランプ70の光を照射し
たドラム表面の部分の表面電位を明部表面電位と
して測定し、前記ブランク露光ランプの光を照射
しないドラム表面の部分の表面電位を暗部表面電
位として電位計67で測定する。電位計について
は前記特開昭55−29857号公報等に開示されてい
るので参照されたい。 まず適正な画像コントラストを得ることができ
る明部電位と暗部電位の値を目標値として設定す
る。明部電位目標値をVLO、暗部電位目標値VDO
とする。また、n回目(n=1,2,3,……)
の明部電位測定値をVLo、暗部電位測定値をVDo
とする。 (第1の表面電位制御方式) まず明部、暗部電位を前記目標値に一致させる
為の第1の制御プログラムについて説明する。 一次帯電器電流初期値をDCO、n回制御時の一
次帯電器電流をDCoとする。同様に、二次帯電器
電流初期値をACO、n回制御時の二次帯電器電流
をACoとする。 n回制御時の一次帯電器電流DCo、二次帯電器
電流ACoは次式で与えられる。 DCo=α1・(VDo−VDO)+α2・(VLo −VLO)+DCo-1 (1) ACo=β1・(VDo−VDO)+β2・(VLo −VLO)+ACo-1 (2) 但し、n=1,2,3,…… α1=△DC(一次帯電器電流の変化)
/△VD(暗部電位の変化)(=定数)(3) α2=△DC(一次帯電器電流の変化)
/△VL(明部電位の変化)(=定数)(4) β1=△AC(二次帯電器電流の変化)
/△VD(暗部電位の変化)(=定数)(5) β2=△AC(二次帯電器電流の変化)
/△VL(明部電位の変化)(=定数)(6) α1,α2,β1,β2は感光ドラム47の特性によつ
て定まる定数で、感光ドラムの種類により異な
る。 まず、DCO、ACOを一次帯電器51b、二次帯
電器69に出力する。このとき、ブランク露光ラ
ンプ70−1を点滅させ、表面電位計67で明部
電位VL1、暗部電位VD1を測定し、(1)式(2)式によ
り、DC1、AC1を計算し、出力する。同様に、
VL2、VD2を測定し、DC2、AC2を計算・出力し、
これを繰り返し、n回目の制御値DCo、ACoを得
る。 (第2の表面電位制御方式) 次に第2の制御プログラムの概要を説明する。 暗部電位VDの制御についてのみ説明すると、
最初に基準電流DCSAを一次帯電器51に流し、
感光体のその部分の表面電位VD1が目標値VDOに
対して大きいか小さいか判断し、大きい時はパラ
メータPをDCOから引いた値を一次帯電器51に
流す。そしてパラメータPの値を順次小さくする
と共にこの制御をくり返すことにより暗部電位
VDが目標値VDOに漸次、近づく。 明部電位VLについては、二次帯電器69に流
す電流に対して、暗部電位と同様の制御を行な
う。 上述の如く、第1の制御プログラムはある程
度、感光体の感度特性が分つている場合には、検
出制御回数が少なく済み有効であり、又第2の制
御プログラムを用いた場合には感光体の感度特性
の如何にかかわらず、目標値に表面電位を収束さ
せることができる。 (制御回路) 次に本発明を実施しうる制御回路について説明
する。 (電位制御ユニツト) 第5図は電位制御ユニツト回路図である。
CPU1は複写装置の各部を駆動制御する信号を
出力する為のプログラムを格納したマイクロコン
ピユータで、ドラム47の回転に同期したドラム
クロツクパルスDCK、ジヤム検出信号JAM、キ
ーマトリツクスKMからの信号等の入力信号に基
づいてドラム回転信号DRMD、原稿台前進信号
SCFW、後進信号SCRV、原稿照明ランプ駆動信
号IEXP、一次帯電駆動信号HVDC、AC除電器
駆動信号HVAC及び表示器DPYへの出力信号等
を出力する。 それと共に電位制御用マイクロコンピユータ
CPU2を制御する信号を出力するものである。 シーケンス制御用マイクロコンピユータCPU
1からの一次帯電駆動信号HVDC、AC除電器駆
動信号HVAC、明部電位検出タイミングパルス
VLCTP、暗部電位検出タイミングパルスVD
CTP、標準明部電位検出タイミングパルスvL
CTP、現像器駆動信号DBTPはインバータバツ
フアQ20、Q21を介して電位制御用マイクロコン
ピユータCPU2の入力端子T0、T1及びデータバ
スDB0〜DB3へ接続される。又初期リセツトパル
スはインバータQ20-7を介して、CPU2の端子
RESETへ入力される。 これらのタイミング信号によりCPU2は後述
の表面電位A/D変換データを取り込み、内部で
所定の演算処理を行ない、その結果を、一次電流
制御値、二次電流制御値、現像バイアス制御値と
してD/A変換器へ出力する。又モード切換えス
イツチSW1の切り換えで前記制御値の如何にかか
わらず一次、二次帯電器に基準電流を流すような
値を、又現像バイアスについては0V相当をCPU
2より出力する事も可能である。 表面電位計で測定された表面電位は端子TP1
に入力される。更に表面電位は抵抗R40−4を
介してオペ・アンプQ23−3の反転入力端子に
入力され、抵抗R40−4とR40−5の比で定
まる利得で反転増幅される。Q23−3の非反転
入力端子には抵抗R45−1,R45−2で分割
し得る+6Vのバイアスが与えられてレベルシフ
トを行う。Q23−3の出力はオペ・アンプQ2
3−4によるゲイン1の反転バツフアへ入力され
る。Q23−4の非反転入力へ与える電圧を可変
抵抗VR7で可変することで測定電位のレベル調
整を行う。Q23−4の出力は表面電位の変位に
比例して12Vから17Vまで変化する低インピーダ
ンス信号としてオペ・アンプQ23−1,Q23
−2等で構成されるA/D変換部へ入力される。
CPU2からのA/Dコマンド信号ADCは通常は
“H”であり、インバータQ16−4の出力は
“L”となり、FETスイツチQ24のソース・ゲ
ート間は零バイアスとなり、Q24のソース・ド
レイン間は導通し、オペ・アンプQ23−2の出
力は+12Vに保たれる。 CPU2はCPU1から与えられるタイミングパ
ルスVLCTP、VDCTP、υLCTPの立ち下がりを検
出してA/Dコマンド信号を“H”から“L”へ
変え、インバータQ16−4へ出力する。この時
Q16−4の出力は“H”となりFETQ24のゲ
ートに逆バイアスがかかりQ24は遮断する。Q
23−2の非反転入力端子には抵抗R45−6を
介して+12Vが与えられているので、Q24が遮
断されるとQ23−2の出力とコンデンサC4
0、抵抗R46の積分回路ループが構成されてQ
23−2の出力は12Vを初期電圧としてA/Dコ
マンド信号が“H”となつてFETQ24が導通す
るまでR46に流れる電流が直線的にコンデンサ
C40を充電する。FETQ24が導通するとC4
0に蓄えられた電荷がR41−4を介して放電さ
れ、Q23−2の出力は急速に12Vまで下がる
A/Dコマンドにより上述の如く積分が開始され
た後、一定時間後にCPU2の内部では計数を開
始する。この計数開始時点をQ23−4の出力の
最小値12Vと一致させる為、Q23−2の出力は
抵抗R41−2,R41−3によりレベルシフト
されて比較器を構成するオペ・アンプQ23−1
の非反転入力端子へ抵抗R45−7を介して入力
される。一方Q23−1の反転入力には前記測定
電位が抵抗R27−6を介して入力される。前記
測定電位よりも積分回路の出力電圧が低い間はQ
23−1の出力は“L”であり、この間にCPU
2の内部で計数を行う。両電圧が一致するとQ2
3−1の出力は“H”となりこのレベル変化がツ
エナーダイオードZD3、インバータQ21−1
を介して計数終了パルスとしてCPU2の割込端
子に入力される。CPU2では計数終了まで
の内部カウント値を前記測定電位A/D変換値と
して処理する。このようにしてタイミングパルス
VLCTP、VDCTP、vLCTPの各々のパルス同期し
て明部電位、暗部電位、標準明部電位の各電位を
A/D変換することができる。 CPU2は本実施例ではNMOS1チツプ8ビツト
マイクロコンピユータ(μPD8048C)を用いてい
る。CPUの端子には下表の様な信号が入力又は
出力されている。 ここでCPU2の入力端子P26には信号CS1が
入力しており、CPU2は後述する如くこの信号
CS1のレベルに応じて第1の制御プログラム及び
第2の制御プログラムのいずれかを選択し実行す
る。又、入力端子P27には信号CS2が入力して
おり、CPU2は後述する如くCS2のレベルに応じ
て第1の表面電位方式の第1制御プログラムにお
いて使用される演算係数α1、α2、β1、β2の選択を
行う。
することにより画像形成するものであつて、特に
感光体の特性の変化に拘らず表面電位を安定化す
ることが可能な静電記録装置に関する。 〔従来技術〕 感光体あるいは絶縁体等の記録体上に静電潜像
を形成する静電記録装置は従来周知であり、本明
細書では特公昭42年23910号公報に開示された電
子写真法を用いた複写装置を例にとり説明する。 かかる複写装置の複写プロセスの各処理位置に
おいて、原稿の明部(光の反射が多い部分)と暗
部(光の反射が少ない部分)に対応する感光ドラ
ムの表面電位がどのように変化するかを第2図に
示す。最終的な静電潜像として必要なのは図中
点に於ける表面電位であるが、そこでの暗部と明
部の表面電位イ,ロは感光ドラムの周囲温度が上
昇した場合、第3図イ′,ロ′の如く変化し、又感
光ドラムの経年変化に対しても第4図イ′,ロ′の
如く変化し、暗部と明部のコントラストが得られ
なくなる。 かかる表面電位の変化に対する補償方法につい
ては、本出願人の出願にかかわる特開昭55−
29857号公報に開示されている。 しかしながら装置内の感光体を特性の異なる感
光体に変えると、前の感光体に合わせて作られた
制御プログラムが、特性が異なる為に全く無効と
なり、新たに制御プログラムを組み直さなければ
ならない。 〔目的〕 本発明は上記点に鑑みてなされたもので、その
目的とするところは、感光体の特性が変わつても
常に表面電位を安定化させることが可能な静電記
録装置を提供することにある。 即ち本発明は、感光体上に静電潜像を形成する
静電潜像形成手段、前記感光体上に形成された静
電潜像を現像する現像手段、前記感光体の表面電
位を検出する検出手段、前記感光体の表面電位を
目標電位にするべく前記検出手段の出力に基づい
て電位制御プログラムを実行することにより前記
静電潜像形成手段の動作条件を設定する制御手
段、を有し、前記制御手段は、前記静電潜像形成
手段を制御データに基づいて動作させ、その状態
で前記検出手段により検出される表面電位データ
に対し、前記感光体の感度に応じた係数を備えた
演算式に従つて演算を行なうことにより補正デー
タを求め、前記制御データに前記補正データを加
算することによりえられるデータを新たな制御デ
ータとし、前記新たな制御データに基づいて前記
静電潜像形成手段を動作させることにより表面電
位を安定化する第1の電位制御プログラムと、繰
返しの回数に応じて順次小さくなる所定のデータ
を前記検出手段により繰返し検出される表面電位
データに対し加減算しその結果に基づいて前記静
電潜像形成手段を動作させることにより表面電位
を安定化する第2の電位制御プログラムを内蔵す
るとともに、前記第1、第2プログラムのいずれ
かを選択するための入力端子を備え、前記入力端
子の信号レベルを判別することにより前記第1、
第2の電位制御プログラムのいずれかを選択し、
前記検出手段の出力値に対して選択された電位制
御プログラムを実行することを特徴とする画像形
成装置を提供するものである。 〔実施例〕 以下本発明の実施例を説明する。 (複写装置の概略構成) 第1図aは本発明を適用し得る複写装置の断面
図である。 ドラム47の表面は、CdS光導電体を用いた三
層構成のシームレス感光体より成り、軸上に回動
可能に軸支され、コピーキーのオンにより作動す
るメインモータ71により矢印の方向に回転を開
始する。 ドラム47が所定角度回転すると、原稿台ガラ
ス54上に置かれた原稿は、第1走査ミラー44
と一体に構成された照明ランプ46で照射され、
その反射光は、第1走査ミラー44及び第2走査
ミラー53で走査される。第1走査ミラー44と
第2走査ミラー53は1:1/2の速比で動くこと
によりレンズ52の前方の光路長が常に一定に保
たれたまま原稿の走査が行なわれる。 上記の反射光像はレンズ52、第3ミラー55
を経た後、露光部で、ドラム47上に結像する。 ドラム47は、前露光ランプ50と前AC帯電
器51aにより同時除電され、その後一次帯電器
51によりコロナ帯電(例えば+)される。その
後ドラム47は前記露光部で、照明ランプ46に
より照射された像がスリツト露光される。 それと同時に、AC又は一次と逆極性(例えば
−)のコロナ除電を除電器69で行ない、その後
更に全面露光ランプ68による表面均一露光によ
り、ドラム47上に高コントラストの静電潜像を
形成する。感光ドラム47上の静電潜像は、次に
現像器62の現像ローラ65により、液体現像さ
れトナー像として可視化され、トナー像は前転写
帯電器61により転写易くされる。 上段カセツト10、もしくは下段カセツト11
内の転写紙は、給紙ローラ59により機内に送ら
れ、レジスタローラ60で正確なタイミングをと
つて、感光ドラム47方向に送られ、潜像先端と
紙の先端とを転写部で一致させることができる。 次いで、転写帯電器42とドラム47の間を転
写紙が通る間に転写紙上にドラム47上のトナー
像が転写される。 転写終了後、転写紙は分離ローラ43によりド
ラム47より分離され、搬送ローラ41に送ら
れ、熱板38と押えローラ39,40との間に導
かれて、加圧・加熱により定着され、その後排出
ローラ37により紙検出用ローラ36を介してト
レー34へ排出される。 又、転写後のドラム47は回転続行しクリーニ
ングローラ48と弾性ブレード49で構成された
クリーニング装置でその表面を清掃し、次サイク
ルへ進む。 ここで表面電位を測定する表面電位計67は全
面露光ランプ68と現像器62の間のドラム47
の表面に近接して取付けられている。 上記コピーサイクルに先立つて実行するサイク
ルとして、電源スイツチ投入後ドラム47を停止
したままクリーニングブレード49に現像液を注
ぐステツプがある。以下、これをプリウエツトと
称す。これはクリーニングブレード49付近に蓄
積しているトナーを流し出すとともに、ブレード
49とドラム47の接触面に潤滑を与えるためで
ある。又プリウエツト時間(4秒)後ドラム47
を回転させ前露光ランプ50や前AC除電器51
a等によりドラム47の残留電荷やメモリを消去
し、ドラム表面をクリーニングローラ48、クリ
ーニングブレード49によりクリーニングするス
テツプがある。以下、これを前回転INTRと称
す。これはドラム47の感度を適正にするととも
にクリーンな面に像形成するためである。 又セツトされた数のコピーサイクルが終了した
後のサイクルとして、ドラム47を数回転させ2
次帯電器69等によりドラムの残留電荷やメモリ
を除去し、ドラム表面をクリーニングするステツ
プがある。以下、これを後回転LSTRと称す。こ
れはドラム47を静電的、物理的にクリーンにし
て放置するためである。 (ブランク露光ランプ) 第1図bは第1図aのブランク露光ランプ70
付近の平面図である。ブランク露光ランプ70−
1〜70−5は、ドラム回転中で露光時以外のと
き点灯させ、ドラム表面電荷を消去して、余分な
トナーがドラムに付着するのを防止している。た
だし、ブランク露光ランプ70−1は表面電位計
67に対応するドラム面を照射するので、表面電
位計67で暗部電位を測定するとき一瞬消してい
る。またBサイズのコピーでは、画像領域がA4
やA3サイズにくらべ小さくなるので非画像領域
に対し、ブランク露光ランプ70−5を光学系前
進中でも点灯させる。ランプ70−0はシヤープ
カツトランプと称するもので、分離ガイド板43
−1と接触しているドラム部分に光を照射し、そ
の部分の電荷を完全に消去して、トナーの付着を
防ぎ、分離欠け幅分を汚さぬようにしている。こ
のシヤープカツトランプは、ドラム回転中常時点
灯している。 (表面電位制御) 次に、斯かる温度変化又は、経年変化に伴う表
面電位の変化を補償する表面電位制御方式につい
て概要を説明する。 本実施例に於いては明部及び暗部のドラム表面
電位を検出する為に第1図の原稿照明用ランプ4
6を用いないでブランク露光ランプ70を用いて
いる。前記ブランク露光ランプ70の光を照射し
たドラム表面の部分の表面電位を明部表面電位と
して測定し、前記ブランク露光ランプの光を照射
しないドラム表面の部分の表面電位を暗部表面電
位として電位計67で測定する。電位計について
は前記特開昭55−29857号公報等に開示されてい
るので参照されたい。 まず適正な画像コントラストを得ることができ
る明部電位と暗部電位の値を目標値として設定す
る。明部電位目標値をVLO、暗部電位目標値VDO
とする。また、n回目(n=1,2,3,……)
の明部電位測定値をVLo、暗部電位測定値をVDo
とする。 (第1の表面電位制御方式) まず明部、暗部電位を前記目標値に一致させる
為の第1の制御プログラムについて説明する。 一次帯電器電流初期値をDCO、n回制御時の一
次帯電器電流をDCoとする。同様に、二次帯電器
電流初期値をACO、n回制御時の二次帯電器電流
をACoとする。 n回制御時の一次帯電器電流DCo、二次帯電器
電流ACoは次式で与えられる。 DCo=α1・(VDo−VDO)+α2・(VLo −VLO)+DCo-1 (1) ACo=β1・(VDo−VDO)+β2・(VLo −VLO)+ACo-1 (2) 但し、n=1,2,3,…… α1=△DC(一次帯電器電流の変化)
/△VD(暗部電位の変化)(=定数)(3) α2=△DC(一次帯電器電流の変化)
/△VL(明部電位の変化)(=定数)(4) β1=△AC(二次帯電器電流の変化)
/△VD(暗部電位の変化)(=定数)(5) β2=△AC(二次帯電器電流の変化)
/△VL(明部電位の変化)(=定数)(6) α1,α2,β1,β2は感光ドラム47の特性によつ
て定まる定数で、感光ドラムの種類により異な
る。 まず、DCO、ACOを一次帯電器51b、二次帯
電器69に出力する。このとき、ブランク露光ラ
ンプ70−1を点滅させ、表面電位計67で明部
電位VL1、暗部電位VD1を測定し、(1)式(2)式によ
り、DC1、AC1を計算し、出力する。同様に、
VL2、VD2を測定し、DC2、AC2を計算・出力し、
これを繰り返し、n回目の制御値DCo、ACoを得
る。 (第2の表面電位制御方式) 次に第2の制御プログラムの概要を説明する。 暗部電位VDの制御についてのみ説明すると、
最初に基準電流DCSAを一次帯電器51に流し、
感光体のその部分の表面電位VD1が目標値VDOに
対して大きいか小さいか判断し、大きい時はパラ
メータPをDCOから引いた値を一次帯電器51に
流す。そしてパラメータPの値を順次小さくする
と共にこの制御をくり返すことにより暗部電位
VDが目標値VDOに漸次、近づく。 明部電位VLについては、二次帯電器69に流
す電流に対して、暗部電位と同様の制御を行な
う。 上述の如く、第1の制御プログラムはある程
度、感光体の感度特性が分つている場合には、検
出制御回数が少なく済み有効であり、又第2の制
御プログラムを用いた場合には感光体の感度特性
の如何にかかわらず、目標値に表面電位を収束さ
せることができる。 (制御回路) 次に本発明を実施しうる制御回路について説明
する。 (電位制御ユニツト) 第5図は電位制御ユニツト回路図である。
CPU1は複写装置の各部を駆動制御する信号を
出力する為のプログラムを格納したマイクロコン
ピユータで、ドラム47の回転に同期したドラム
クロツクパルスDCK、ジヤム検出信号JAM、キ
ーマトリツクスKMからの信号等の入力信号に基
づいてドラム回転信号DRMD、原稿台前進信号
SCFW、後進信号SCRV、原稿照明ランプ駆動信
号IEXP、一次帯電駆動信号HVDC、AC除電器
駆動信号HVAC及び表示器DPYへの出力信号等
を出力する。 それと共に電位制御用マイクロコンピユータ
CPU2を制御する信号を出力するものである。 シーケンス制御用マイクロコンピユータCPU
1からの一次帯電駆動信号HVDC、AC除電器駆
動信号HVAC、明部電位検出タイミングパルス
VLCTP、暗部電位検出タイミングパルスVD
CTP、標準明部電位検出タイミングパルスvL
CTP、現像器駆動信号DBTPはインバータバツ
フアQ20、Q21を介して電位制御用マイクロコン
ピユータCPU2の入力端子T0、T1及びデータバ
スDB0〜DB3へ接続される。又初期リセツトパル
スはインバータQ20-7を介して、CPU2の端子
RESETへ入力される。 これらのタイミング信号によりCPU2は後述
の表面電位A/D変換データを取り込み、内部で
所定の演算処理を行ない、その結果を、一次電流
制御値、二次電流制御値、現像バイアス制御値と
してD/A変換器へ出力する。又モード切換えス
イツチSW1の切り換えで前記制御値の如何にかか
わらず一次、二次帯電器に基準電流を流すような
値を、又現像バイアスについては0V相当をCPU
2より出力する事も可能である。 表面電位計で測定された表面電位は端子TP1
に入力される。更に表面電位は抵抗R40−4を
介してオペ・アンプQ23−3の反転入力端子に
入力され、抵抗R40−4とR40−5の比で定
まる利得で反転増幅される。Q23−3の非反転
入力端子には抵抗R45−1,R45−2で分割
し得る+6Vのバイアスが与えられてレベルシフ
トを行う。Q23−3の出力はオペ・アンプQ2
3−4によるゲイン1の反転バツフアへ入力され
る。Q23−4の非反転入力へ与える電圧を可変
抵抗VR7で可変することで測定電位のレベル調
整を行う。Q23−4の出力は表面電位の変位に
比例して12Vから17Vまで変化する低インピーダ
ンス信号としてオペ・アンプQ23−1,Q23
−2等で構成されるA/D変換部へ入力される。
CPU2からのA/Dコマンド信号ADCは通常は
“H”であり、インバータQ16−4の出力は
“L”となり、FETスイツチQ24のソース・ゲ
ート間は零バイアスとなり、Q24のソース・ド
レイン間は導通し、オペ・アンプQ23−2の出
力は+12Vに保たれる。 CPU2はCPU1から与えられるタイミングパ
ルスVLCTP、VDCTP、υLCTPの立ち下がりを検
出してA/Dコマンド信号を“H”から“L”へ
変え、インバータQ16−4へ出力する。この時
Q16−4の出力は“H”となりFETQ24のゲ
ートに逆バイアスがかかりQ24は遮断する。Q
23−2の非反転入力端子には抵抗R45−6を
介して+12Vが与えられているので、Q24が遮
断されるとQ23−2の出力とコンデンサC4
0、抵抗R46の積分回路ループが構成されてQ
23−2の出力は12Vを初期電圧としてA/Dコ
マンド信号が“H”となつてFETQ24が導通す
るまでR46に流れる電流が直線的にコンデンサ
C40を充電する。FETQ24が導通するとC4
0に蓄えられた電荷がR41−4を介して放電さ
れ、Q23−2の出力は急速に12Vまで下がる
A/Dコマンドにより上述の如く積分が開始され
た後、一定時間後にCPU2の内部では計数を開
始する。この計数開始時点をQ23−4の出力の
最小値12Vと一致させる為、Q23−2の出力は
抵抗R41−2,R41−3によりレベルシフト
されて比較器を構成するオペ・アンプQ23−1
の非反転入力端子へ抵抗R45−7を介して入力
される。一方Q23−1の反転入力には前記測定
電位が抵抗R27−6を介して入力される。前記
測定電位よりも積分回路の出力電圧が低い間はQ
23−1の出力は“L”であり、この間にCPU
2の内部で計数を行う。両電圧が一致するとQ2
3−1の出力は“H”となりこのレベル変化がツ
エナーダイオードZD3、インバータQ21−1
を介して計数終了パルスとしてCPU2の割込端
子に入力される。CPU2では計数終了まで
の内部カウント値を前記測定電位A/D変換値と
して処理する。このようにしてタイミングパルス
VLCTP、VDCTP、vLCTPの各々のパルス同期し
て明部電位、暗部電位、標準明部電位の各電位を
A/D変換することができる。 CPU2は本実施例ではNMOS1チツプ8ビツト
マイクロコンピユータ(μPD8048C)を用いてい
る。CPUの端子には下表の様な信号が入力又は
出力されている。 ここでCPU2の入力端子P26には信号CS1が
入力しており、CPU2は後述する如くこの信号
CS1のレベルに応じて第1の制御プログラム及び
第2の制御プログラムのいずれかを選択し実行す
る。又、入力端子P27には信号CS2が入力して
おり、CPU2は後述する如くCS2のレベルに応じ
て第1の表面電位方式の第1制御プログラムにお
いて使用される演算係数α1、α2、β1、β2の選択を
行う。
【表】
【表】
(電位表示モード)
端子DB4〜DB7には切換スイツチSW1から
の信号DMS1,2、EPC、DBCが入力されてい
る。各信号状態におけるCPU2の制御モードを
下表に示す。
の信号DMS1,2、EPC、DBCが入力されてい
る。各信号状態におけるCPU2の制御モードを
下表に示す。
【表】
(D/A変換部)
次にD/A変換部について説明する。
CPU2とD/A変換器Q18は4本のデータ
ラインDA0〜DA3、1本の制御ラインLD1に
より接続される。CPU2はLD1の立ち上がりに
於いてD/A変換すべきデータが1次電流制御デ
ータか、2次電流制御データか現像バイアス制御
データのいずれであるかをDA0〜DA3で指定
する。LD1の立ち下がりで、CPU2から送出さ
れるDA0〜DA3上のデータをD/A変換器Q
18内部へラツチする。D/A変換器Q18は、
内部にラツチされたデータとコンデンサC37,
C38,C39、抵抗R41−1、コイルL5に
よつて発振する内部クロツクにより計数される4
ビツト、6ビツト、12ビツトのバイナリーカウン
タとの一致検出によつて行う。すなわち、データ
に応じて得られるデユーテイーの変化するパルス
を積分することでアナログ値を得ている。 D/A出力、DAC3,4には各々4ビツト分
解能のパルスが、DAC1には12ビツトの、DAC
2には6ビツト分解能のパルスが各々得られる様
に構成されている。これらのパルスは抵抗R3
9、コンデンサC34による積分回路によりアナ
ログ電圧に変換される。又、R36は該出力がオ
ープンドレインである為に付加されているプルア
ツプ抵抗である。 D/A変換された1次電流制御値はDAC4に
上位4ビツト、DAC3に下位4ビツト相当の電
圧値となる。これらはオペアンプQ22−3,Q
22−4による非反転バツフアーを介したのちR
57−2,R35−2によつて抵抗加算され8ビ
ツト相当の電圧値となり、切換スイツチSW2の
1番端子へ与えられる。 2次電流制御値は12ビツト相当の電圧値に変換
されDAC1より出力されオペアンプQ22−2
による非反転バツフアーを介したのち切換スイツ
チSW3の1番端子へ与えられる。 現像バイアス制御値は積分されたのち切換スイ
ツチSW4の一番端子へ与えられる。 切換スイツチSW2,SW3,SW4はCPU2
による電位制御と、CPU2を介さずに帯電器に
基準電流を流し、又現像バイアスを所定値にする
回路とを切りかえる為に設けてある。この切り換
えによつてCPU2が何らかの事故により動作不
能になる事態に於いても、帯電器に基準電流を流
し、現像バイアスを所定値にすることが可能とな
つている。 1次側についてはR57−4とR57−8にて
抵抗分割により基準電流を与える様な電圧を切換
スイツチSW−2の2番端子に与える。一方2次
については、ACと弱ACを切り換える為信号
HVDCによりインバータQ16−3をオン・オ
フしている。HVDCが“H”のときはQ16−
3出力は“L”となりR57−5,R57−6,
R57−7によつて定まる電圧が切換スイツチ
SW−3の2番端子へ与えられる。この電圧は
AC基準電流を与える様に設定されている。次に
HVDCが“L”となり弱ACを流す場合にはQ1
6−3はオフし、R57−5,R57−7によつ
て定まる電圧に切りかわることで弱AC電流を与
える。 現像バイアスについては、1次の場合と同様R
57−2,R30−1で抵抗分割して得た電圧を
現像バイアス基準電圧として切換スイツチSW−
4の2番端子へ与えている。 以上の如く、D/A変換器以前の回路が動作異
常になつたとき、切り換え手段SW2〜SW4に
より後段の高圧帯電器、現像バイアス回路に異常
が及ばないようにし、更に高圧帯電器、現像バイ
アス回路が基準電流もしくは基準電圧を出力する
様所定値に設定している。従つてD/A変換器以
前が故障しても画像形成を遂行できると共に、画
質の極端な悪化を防ぐことができる。 一次帯電器制御電圧VPはSW−2の端子1−3
間を通りオペアンプQ14−1の非反転入力端子
に抵抗R19−1を介して入力される。Q14−
1の反転入力端子にかかる電圧VFPと前記VPとの
差電圧が−R23/R19−1倍されてQ14−1より出 力される。1次帯電器駆動信号HVDCが“L”
の時はQ20−2出力は“H”、Q16−5出力
は“L”となりダイオードD12−1が順方向に
バイアスされて導通し、Q14−1出力は約
0.6Vにクランプされ1次帯電器はオフとなる。
前記HVDCが“H”となるとQ14−1出力が
1次高圧トランスTDCに出力される。1次トラ
ンスTDCに与えられた電圧は2次側にトランス
の巻線比に応じて昇圧され、ダイオード、コンデ
ンサで整流平滑され1次帯電器51に印加され
る。一次帯電器51に流れる1次コロナ電流Ipは
抵抗R11で検出されR20−4,VR4,R2
0−3の組み合わせでレベルシフトされ、Q14
−1の反転入力端子へ抵抗R19−2を介して入
力され、前記電圧VFpと前記1次帯電器制御電
圧Vpが一致するように一次コロナ電流Ipが制御
される。 同様AC除電器制御電圧VACはオペアンプQ1
4−2の反転入力端子に抵抗R19−2を介して
入力される。Q14−2の非反転入力端子にかか
る電圧VFACと前記補正電圧VACとの差電圧が−
R24/R19−2倍されてQ14−2より出力される。 AC除電器駆動信号HVACが“L”のときはQ2
0−1出力は“H”、Q16−6出力は“L”と
なりダイオードD12−3が導通しQ14−2の
出力は約0.6Vにクランプされ、AC除電器はオフ
である。 前記HVACが“H”になるとQ14−2出力
電圧がAC高圧トランスTACに印加される。トラ
ンスの巻線比に応じて2次側に昇圧された出力は
ダイオード、コンデンサで整流平滑され、直流分
出力となる。又AC高圧トランスTACは交流高電
圧をも出力し、前記直流分出力を重畳して2次
AC帯電器69に出力する。2次AC帯電器69を
流れるACコロナ電流IACは抵抗R12で検出され
る。該検出出力は増幅器Q9−1で増幅されたの
ちR14−6,C38で積分され、その後Q9−
2でバツフアリングされたのち、R20−5,R
20−7,VR3によりレベルシフトされQ14
−2の非反転入力端子に入力され前記VFACと前
記2次AC補正電圧VACが一致するようにACコロ
ナ電流IACを制御する。 以上の様に、ダイオードD12-1,D12-3で高圧帯
電器51,69の出力を阻止している。これは最
初CPU2はリセツトされていないので、デジタ
ルコンピユータの出力は不確定であるので信号
HVDC、HVACを用いて、デジタルコンピユー
タの出力にかかわらず高圧帯電器即ち1次帯電器
51、AC除電器の出力を阻止しており、不確定
な制御電圧により高圧コロナ放電がおこり像形成
サイクル上極めて好ましくない状態になるのを防
止している。 Q15−2はバツフアー回路で、24Vを可変抵
抗VR2で分割した値をQ15−2出力に得る。
オペアンプQ14−1はインバータであり1次帯
電器制御信号Vpが下がれば高圧出力電流が増加
する。1次帯電器制御信号Vpが最小値よりも下
がろうとするとQ14−1出力は最大まで増加し
従つて1次高圧トランスTDCへの入力が最大ま
で増加していく。この最大値を定める様なQ14
−1出力よりも約1.2V低い値に前記Q15−2
出力をVR2で調整しておくと、Q14−1出力
が前記、最大値以上になろうとするとダイオード
D12−4,D13−3が導通しQ14−1出力
は最大値以上には増加しなくなる。AC除電器側
のリミツタについても同様である。 SW−4の1番端子に与えられた現像バイアス
制御信号は3番端子よりオペアンプQ22−1へ
抵抗R30−3を介して入力され、R30−4,
VR6とR30−3の比で定まるゲインで増幅さ
れ、Q22−1出力よりトランジスタQ10,Q
11で構成される電流ブースタを経てインバータ
トランスT2の中点に加えられる。Q22−1の
非反転入力端子には24Vを可変抵抗VR5で分割
した電圧が加わりVR5を調整することで現像バ
イアスのレベルを可変できる。又前記VR6を調
整することで現像バイアスのゲイン調整が行なえ
る。 ドラム回転中で現像を行なつていない場合に
は、前記バイアス電圧が−75Vになる様に設定さ
れ、ドラムに現像剤がつくのを防止している。ス
タンバイ中には、前記バイアス電圧が0Vになる
ように設定され、ドラムが回転していない時に、
電荷を有する液体現像剤が淀むのを防止してい
る。 現像中には前記D/A変換器からの現像バイア
ス制御信号により、標準明部電位に対して、現像
バイアス値が+102Vになる様に制御される。 前記電流ブースタ出力によつて発振出力の変化
する可変出力インバータトランスT2と、固定出
力インバータトランスT1の組み合わせによつて
上記現像バイアス値を得ている。 可変出力インバータはトランジスタQ5,Q6
による自励発振インバータでQ5,Q6が交互に
オン、オフをくりかえすことによりT2の中点に
加わる現像バイアス制御電圧に応じてT2の1次
側に誘起される電圧はT2の巻線比で決まる2次
側電圧まで昇圧されD11により半波整流された
のちC27で平滑され、直流高圧出力がR17を
介して現像ローラへ供給される。一方固定出力イ
ンバータはT1の1次側の中点に24Vが加えら
れ、トランス巻線比に応じた2次高圧出力をD
2,C10で整流平滑することで負の固定直流高
圧電圧を得る。抵抗R3−1,R3−2の中央か
ら分割電圧を前記可変出力インバータ出力に重畳
し、現像バイアス電圧は、入力制御電圧に対応し
て正から負まで直線的に変化する。 固定出力インバータT1では、前記現像バイア
ス用の固定出力の他に−12V電源及び表面電位測
定回路への24Vと40Vのフローテイング用電源電
圧及び表面電位測定回路への−600Vの電源電圧
を得ている。 これらを通常のレギユレータ等で構成する場
合、スペースを取り部品点数を多くなり、又特に
フローテイング用電源については煩雑になつてし
まう。本構成によれば極めて効率良く前記の各種
電源電圧を得ることができる。 (フローチヤート) マイクロコンピユータCPU2は前述した表面
電位制御方式を実施する為の第1、第2の制御プ
ログラムを内蔵しており、そのプログラムフロー
チヤートを第6図A〜Kに示す。フローチヤート
においてDCは一次帯電器を制御するためのデイ
ジタル値、同様にAC、DBは各々AC除電器、現
像バイアスの制御デジタル値である。又、
DCSA、ACSA、DBSAは前記デイジタル値DC、
AC、DBをセーブするCPU2内のRAMエリアを
示す。 <ステツプSP0> CPU1からのリセツト信号RESETが入力され
ると、RAMのすべての記憶エリアをクリアし、
CPU2のポートを入力ポートは入力可能状態に、
出力ポートは出力可能状態にセツトを行う。又
ACSA、DCSA、DBSAを初期セツトする。又、
一次帯電器及びAC除電器に流れる電流をOμAと
し、現像バイアス電圧も0Vとする。そして端子
P26をみて信号CS1が“1”だつたらステツプ
SP1〜SP23までの第1制御プログラムを実行し、
“0”ならばSP24にとび第2制御プログラムを実
行する。 (第1制御プログラム) <ステツプSP1> エリアACSAに160μAに対応するデジタル値、
DCSAに350μAに対応するデジタル値をセーブさ
せる。 <ステツプSP2> コピーが開始されたことを示すAC除電器駆動
信号HVACが“0”か“1”か判断し“0”な
らばSP23に進み、“1”ならばSP3に進む。 <SP3> CPU2のポートP25を再びセツトして、セ
ンサ駆動信号を出力する。又、HVAC、及び
HVDCが“1”であることを示すLED24、
LED25を点灯する。 <SP4> 切換スイツチSW1の信号EPCを判定し、1次
帯電器及びAC除電器に標準値を出力するか、そ
れとも電位計の検出出力による制御値を出力する
か判断する。 <SP5> ステツプSP4の判断に基づき、1次帯電器、
AC除電器に基準電流又はエリアACSA、DCSA
内の記憶値を出力する。又、現像バイアスを−
72Vとする様出力する。 <SP6> 各信号HVAC、HVDC、VLCTP、VDCTP、
υLCTP、DBTPを判断し、各処理ステツプに進
む。表示用サブルーチンにおいては電位表示モー
ド、電位測定モードの指定があつた時にLED1
0〜17に電位を8ビツトで表示する。電位測定
モード電位表示モードでは切換スイツチSW1で
指定される電位をCPU2内のアキユームレータ
内に転送してLED10〜LED17に表示する。 <SP7> 明部電位VL検出信号VLCTPが出力されるとそ
れを示す発光ダイオードLED20が点灯する。
それと共にVLを測定し、測定結果をセーブする。
その後(VL−VLO)を演算し演算値をセーブす
る。次にCPU2の端子P27に入力される信号
CS2を判断し係数α2の選択を行う。次いでα2(VL
−VLO)を計算、セーブし、同様にβ2(VL−VLO)
を計算、セーブする。以上がおわると発光ダイオ
ードLED20を消灯してSP4に戻る。 <SP8> 暗部電位VD検出信号VDCTPが出力されるとそ
れを示す発光ダイオードLED21が点灯する。
VDを測定し、測定結果をセーブする。 <SP9> スイツチSW1をみて電位制御の有無を判断
し、ない場合SP17に進む。有る場合にはSP10に
進む。 <SP10> (VD−VDO)、α1(VD−VDO)、β1(VD−VDO)の
計算を行いα1(VD−VDO)、β1(VD−VDO)の計算結
果をセーブする。 <SP11> α1(VD−VDO)+α2(VL−VLO)=△DC′を計算し、
前回の1次帯電器制御電流値DCに加える。この
ときDCは8ビツトで△DC′が16ビツトなので
(DC×8+△DC′)の演算を行いDC′(16ビツト)
とする。 <SP12> DC′が制御範囲内にあるか否かを判断し、オー
バーフローの場合、それを示すLED12を点灯
させ、DC′を所定値に設定する。アンダーフロー
の場合、それを示すLED13を点灯させDC′を所
定値に設定する。 <SP13> DC′(16ビツト)をDC(8ビツト)に変換し、
DCSAにセーブする。 <SP14> AC除電器制御電流値AC′(16ビツト)を求める
為にβ1(VD−VDO)+β2(VL−VLO)を計算し△
AC′(16ビツト)を求め前回の制御電流値ACに8
をかけて加える。 <SP15> AC′が制御範囲内にあるか否か判断する。オー
バーフローの場合それを示すLED10を点灯さ
せ、AC′を所定値に設定する。アンダーフローの
場合LED11を点灯させ、AC′を所定値に設定す
る。 <SP16> AC′(16ビツト)をAC(8ビツト)に変換し、
ACSAにセーブする。 <SP17> 暗部電位VDと明部電位VLの差即ちコントラス
トCNTを求める。CNTが0V以下の場合或は
396V以下の場合LED14,LED15を共に点灯
させる。CNTが396V以上498V以下の場合LED
14のみを点灯させる。CNTが498V以上の場合
はLEDは点灯させない。 以上が終了したのちLED21を消灯する。 <SP18> 標準明部電位υL検出信号υLCTPが出力される
と、発光ダイオードLED22が点灯すると共に
υLを測定、セーブする。υLが制御可能な範囲にあ
るか否か判断し、υLが−474V以下の場合及びυL
が288V以上の場合現像バイアス電圧DBを各々所
定値に設定しエリアDBSAにセーブする。υLが制
御可能範囲内のときは(υL+120V)を計算して
計算結果をDBSAにセーブする。以上が終了する
と発光ダイオードを消灯する。 <SP19> 現像が開始されるとCPU1より現像バイアス
信号DBTPが出力され、発光ダイオードLED2
3が点灯する。切換スイツチSW1の信号DBCを
みて現像バイアス制御の有無を判断し、制御なし
の場合は現像バイアス電圧を0Vとする。制御あ
りの場合はSP18で求めた現像バイアス電圧DBを
出力する。以下信号DBTPが“0”になるまで
表示用サブルーチンを実行し、“0”になると発
光ダイオードLED23が点灯する。 <SP20> HVACが“1”でHVDCが“0”のときは後
回転LSTR中なのでHVDCが“1”を示すLED
25は消灯し、一次帯電器には電流を流さずAC
除電器に弱AC電流(60μA)を流す。 <SP21> 電位測定モードであるか否かの判断を行い、電
位測定モードでないときは電位センサをオフす
る。後回転LSTRが終了するまで表示用サブルー
チンをくり返す。後回転中にHVDCが“1”に
なつた場合はSP3に戻る。 <SP22> HVACが“0”になるとコピー中ではないの
で、LED24を消灯すると共に、一次帯電器及
びAC除電器の出力をオフし、現像バイアス電圧
を0Vとする。 <SP23> 電位測定モードであるか否かの判断を行い、電
位測定モードの時は電位センサを駆動し、測定値
をLED10〜LED17に表示する。 (第2制御プログラム) 次に第2制御プログラムについて説明する。 <SP24> まずパラメータを(10000000)としてアドレス
Pにセツトすると同時に制御回数Nをセツトす
る。この場合パラメータを7回半分にすると最終
的に(00000001)となるのでNを7とする。また
1次帯電器電流、AC除電器電流をその中間値
400μA、200μAに各々セツトする。また現像バイ
アス電圧を0Vにセツトする。 <SP25〜SP29> は第1制御プログラムのSP2〜SP6と同様であ
る。 <SP30> VLCTPがでると、明部電位を測定セーブする。 <SP31> 電位制御の有無を検知し、有の場合はSP32に
進み、無い場合はSP33でVLLEDを消灯する。 <SP32> SP24で設定したPを右にシフトする。Pは
“80”であるから、2進で表すと次の如くなる。 10000000 ↓ 01000000 <SP33> 明部電位はAC除電器出力に大きく影響を受け
るのでVLはAC帯電電流の制御を行う。明部電位
VLは制御目標値VLOと比較され、 VL>VLOの時は〔AC+P→AC〕を行い、 VL<VLOの時は〔AC−P→AC〕を行う。 VL=VLOの時はACを変更しない。そしてACの
値をエリアACSAにセーブし、VLLEDを消灯す
る。 <SP34> 暗部電位検出信号VDCTPが出力されると、VD
LEDが点灯すると共に暗部電位VDを検出しその
値をDCSAにセーブする。 <SP35> 電位制御有りの場合は、SP36に進み、無しの
場合はSP37に進む。 <SP36> 暗部電位VDは1次帯電器出力に大きく影響を
受けるのでVDは1次帯電器電流の制御を行う。
暗部電位VDは制御目標値VDOと比較され、 VD>VDOの時は〔DC−P→DC〕を行い、 VD<VDOの時は〔DC+P→DC〕を行い、 出力値DCを変更する。VD=VDOの時はVDの変更
は行わない。 <SP37> 明部、暗部電位の両方の制御が1度おわつたの
で制御回数Nから−1する。Nが0になるまでス
テツプSP27〜SP36を繰返す。その際ステツプ
SP32でパラメータPを右へシフトする。 <SP38> ここでは測定値VDとVLの差即ちコントラスト
を求め、コントラストが所定値以下の場合LED
を点灯する。そしてVDLEDを消灯する。 つまりPの値を2進数で表わすと、 N=7 01000000 ↓ N=6 00100000 ↓ N=5 00010000 ↓ N=4 00001000 ↓ N=3 00000100 ↓ N=2 00000010 ↓ N=1 00000001 と変化する。 したがつて、前述の操作により、このPをDC
及びACに加減するためDC、ACの値(デジタル
16進)は、“00”〜“FF”の間で、1ビツトの間
隔でとることができる。 <SP39〜SP44> これはSP18〜23と同様の動作をおこなう。 以上の第2制御プログラムによる制御の特徴と
しては、明部電位VLを測定して変化させる量が、
AC除電器電流だけにもかかわらず、続いて測定
する暗部電位VDにAC電流の変化に対する影響が
加味され、うまく収束することができることであ
る。もちろん、1次帯電器電流の変化に対する明
部電位の影響も加味される。 また、制御に必要な演算がシフト、比較、加
算、減算なので、マイクロコンピユータのプログ
ラムが非常に簡単になる。又、感光体が変わつた
場合、又環境が変つた場合、その帯電特性係数
α1、α2、β1、β2が変つても、一次帯電器電流を増
せば暗部電位が単調増加、AC除電器電流を増せ
ば明部電位が単調減少するのは変わらないので、
帯電特性変化に拘らず、常に目標値に近い値に制
御できるなどの特徴がある。 以上の様に本発明によれば、静電潜像形成手段
を制御データに基づいて動作させ、その状態で検
出される表面電位データに対し、感光体の感度に
応じた係数を備えた演算式に従つて演算を行つて
補正データを求め、前記制御データに補正データ
を加算して得られるデータを新たな制御データと
して静電潜像形成手段を動作する方式と、繰返し
の回数に応じて順次小さくなるデータを繰返し検
出される表面電位検出値に対し加減算しその結果
に基づいて静電潜像形成手段を動作する方式のい
ずれかを選択して表面電位制御を行うことができ
るので、感光体の特性が予め分かつている場合
は、前者の方式で表面電位の制御を行うことによ
り短時間で表面電位を安定化でき、又、感光体の
交換等により感度が変わつたような場合は前者の
方式から後者の方式に切り替えて表面電位制御を
行うことにより、常に安定した表面電位を得るこ
とが可能になる。 尚、本実施例においては装置として同時露光・
同時除電方式の電子写真法を用いた装置について
説明したが、カールソンプロセス等記録体上の表
面電位が得られる可視像に影響する他のあらゆる
静電記録装置に適用可能である。
ラインDA0〜DA3、1本の制御ラインLD1に
より接続される。CPU2はLD1の立ち上がりに
於いてD/A変換すべきデータが1次電流制御デ
ータか、2次電流制御データか現像バイアス制御
データのいずれであるかをDA0〜DA3で指定
する。LD1の立ち下がりで、CPU2から送出さ
れるDA0〜DA3上のデータをD/A変換器Q
18内部へラツチする。D/A変換器Q18は、
内部にラツチされたデータとコンデンサC37,
C38,C39、抵抗R41−1、コイルL5に
よつて発振する内部クロツクにより計数される4
ビツト、6ビツト、12ビツトのバイナリーカウン
タとの一致検出によつて行う。すなわち、データ
に応じて得られるデユーテイーの変化するパルス
を積分することでアナログ値を得ている。 D/A出力、DAC3,4には各々4ビツト分
解能のパルスが、DAC1には12ビツトの、DAC
2には6ビツト分解能のパルスが各々得られる様
に構成されている。これらのパルスは抵抗R3
9、コンデンサC34による積分回路によりアナ
ログ電圧に変換される。又、R36は該出力がオ
ープンドレインである為に付加されているプルア
ツプ抵抗である。 D/A変換された1次電流制御値はDAC4に
上位4ビツト、DAC3に下位4ビツト相当の電
圧値となる。これらはオペアンプQ22−3,Q
22−4による非反転バツフアーを介したのちR
57−2,R35−2によつて抵抗加算され8ビ
ツト相当の電圧値となり、切換スイツチSW2の
1番端子へ与えられる。 2次電流制御値は12ビツト相当の電圧値に変換
されDAC1より出力されオペアンプQ22−2
による非反転バツフアーを介したのち切換スイツ
チSW3の1番端子へ与えられる。 現像バイアス制御値は積分されたのち切換スイ
ツチSW4の一番端子へ与えられる。 切換スイツチSW2,SW3,SW4はCPU2
による電位制御と、CPU2を介さずに帯電器に
基準電流を流し、又現像バイアスを所定値にする
回路とを切りかえる為に設けてある。この切り換
えによつてCPU2が何らかの事故により動作不
能になる事態に於いても、帯電器に基準電流を流
し、現像バイアスを所定値にすることが可能とな
つている。 1次側についてはR57−4とR57−8にて
抵抗分割により基準電流を与える様な電圧を切換
スイツチSW−2の2番端子に与える。一方2次
については、ACと弱ACを切り換える為信号
HVDCによりインバータQ16−3をオン・オ
フしている。HVDCが“H”のときはQ16−
3出力は“L”となりR57−5,R57−6,
R57−7によつて定まる電圧が切換スイツチ
SW−3の2番端子へ与えられる。この電圧は
AC基準電流を与える様に設定されている。次に
HVDCが“L”となり弱ACを流す場合にはQ1
6−3はオフし、R57−5,R57−7によつ
て定まる電圧に切りかわることで弱AC電流を与
える。 現像バイアスについては、1次の場合と同様R
57−2,R30−1で抵抗分割して得た電圧を
現像バイアス基準電圧として切換スイツチSW−
4の2番端子へ与えている。 以上の如く、D/A変換器以前の回路が動作異
常になつたとき、切り換え手段SW2〜SW4に
より後段の高圧帯電器、現像バイアス回路に異常
が及ばないようにし、更に高圧帯電器、現像バイ
アス回路が基準電流もしくは基準電圧を出力する
様所定値に設定している。従つてD/A変換器以
前が故障しても画像形成を遂行できると共に、画
質の極端な悪化を防ぐことができる。 一次帯電器制御電圧VPはSW−2の端子1−3
間を通りオペアンプQ14−1の非反転入力端子
に抵抗R19−1を介して入力される。Q14−
1の反転入力端子にかかる電圧VFPと前記VPとの
差電圧が−R23/R19−1倍されてQ14−1より出 力される。1次帯電器駆動信号HVDCが“L”
の時はQ20−2出力は“H”、Q16−5出力
は“L”となりダイオードD12−1が順方向に
バイアスされて導通し、Q14−1出力は約
0.6Vにクランプされ1次帯電器はオフとなる。
前記HVDCが“H”となるとQ14−1出力が
1次高圧トランスTDCに出力される。1次トラ
ンスTDCに与えられた電圧は2次側にトランス
の巻線比に応じて昇圧され、ダイオード、コンデ
ンサで整流平滑され1次帯電器51に印加され
る。一次帯電器51に流れる1次コロナ電流Ipは
抵抗R11で検出されR20−4,VR4,R2
0−3の組み合わせでレベルシフトされ、Q14
−1の反転入力端子へ抵抗R19−2を介して入
力され、前記電圧VFpと前記1次帯電器制御電
圧Vpが一致するように一次コロナ電流Ipが制御
される。 同様AC除電器制御電圧VACはオペアンプQ1
4−2の反転入力端子に抵抗R19−2を介して
入力される。Q14−2の非反転入力端子にかか
る電圧VFACと前記補正電圧VACとの差電圧が−
R24/R19−2倍されてQ14−2より出力される。 AC除電器駆動信号HVACが“L”のときはQ2
0−1出力は“H”、Q16−6出力は“L”と
なりダイオードD12−3が導通しQ14−2の
出力は約0.6Vにクランプされ、AC除電器はオフ
である。 前記HVACが“H”になるとQ14−2出力
電圧がAC高圧トランスTACに印加される。トラ
ンスの巻線比に応じて2次側に昇圧された出力は
ダイオード、コンデンサで整流平滑され、直流分
出力となる。又AC高圧トランスTACは交流高電
圧をも出力し、前記直流分出力を重畳して2次
AC帯電器69に出力する。2次AC帯電器69を
流れるACコロナ電流IACは抵抗R12で検出され
る。該検出出力は増幅器Q9−1で増幅されたの
ちR14−6,C38で積分され、その後Q9−
2でバツフアリングされたのち、R20−5,R
20−7,VR3によりレベルシフトされQ14
−2の非反転入力端子に入力され前記VFACと前
記2次AC補正電圧VACが一致するようにACコロ
ナ電流IACを制御する。 以上の様に、ダイオードD12-1,D12-3で高圧帯
電器51,69の出力を阻止している。これは最
初CPU2はリセツトされていないので、デジタ
ルコンピユータの出力は不確定であるので信号
HVDC、HVACを用いて、デジタルコンピユー
タの出力にかかわらず高圧帯電器即ち1次帯電器
51、AC除電器の出力を阻止しており、不確定
な制御電圧により高圧コロナ放電がおこり像形成
サイクル上極めて好ましくない状態になるのを防
止している。 Q15−2はバツフアー回路で、24Vを可変抵
抗VR2で分割した値をQ15−2出力に得る。
オペアンプQ14−1はインバータであり1次帯
電器制御信号Vpが下がれば高圧出力電流が増加
する。1次帯電器制御信号Vpが最小値よりも下
がろうとするとQ14−1出力は最大まで増加し
従つて1次高圧トランスTDCへの入力が最大ま
で増加していく。この最大値を定める様なQ14
−1出力よりも約1.2V低い値に前記Q15−2
出力をVR2で調整しておくと、Q14−1出力
が前記、最大値以上になろうとするとダイオード
D12−4,D13−3が導通しQ14−1出力
は最大値以上には増加しなくなる。AC除電器側
のリミツタについても同様である。 SW−4の1番端子に与えられた現像バイアス
制御信号は3番端子よりオペアンプQ22−1へ
抵抗R30−3を介して入力され、R30−4,
VR6とR30−3の比で定まるゲインで増幅さ
れ、Q22−1出力よりトランジスタQ10,Q
11で構成される電流ブースタを経てインバータ
トランスT2の中点に加えられる。Q22−1の
非反転入力端子には24Vを可変抵抗VR5で分割
した電圧が加わりVR5を調整することで現像バ
イアスのレベルを可変できる。又前記VR6を調
整することで現像バイアスのゲイン調整が行なえ
る。 ドラム回転中で現像を行なつていない場合に
は、前記バイアス電圧が−75Vになる様に設定さ
れ、ドラムに現像剤がつくのを防止している。ス
タンバイ中には、前記バイアス電圧が0Vになる
ように設定され、ドラムが回転していない時に、
電荷を有する液体現像剤が淀むのを防止してい
る。 現像中には前記D/A変換器からの現像バイア
ス制御信号により、標準明部電位に対して、現像
バイアス値が+102Vになる様に制御される。 前記電流ブースタ出力によつて発振出力の変化
する可変出力インバータトランスT2と、固定出
力インバータトランスT1の組み合わせによつて
上記現像バイアス値を得ている。 可変出力インバータはトランジスタQ5,Q6
による自励発振インバータでQ5,Q6が交互に
オン、オフをくりかえすことによりT2の中点に
加わる現像バイアス制御電圧に応じてT2の1次
側に誘起される電圧はT2の巻線比で決まる2次
側電圧まで昇圧されD11により半波整流された
のちC27で平滑され、直流高圧出力がR17を
介して現像ローラへ供給される。一方固定出力イ
ンバータはT1の1次側の中点に24Vが加えら
れ、トランス巻線比に応じた2次高圧出力をD
2,C10で整流平滑することで負の固定直流高
圧電圧を得る。抵抗R3−1,R3−2の中央か
ら分割電圧を前記可変出力インバータ出力に重畳
し、現像バイアス電圧は、入力制御電圧に対応し
て正から負まで直線的に変化する。 固定出力インバータT1では、前記現像バイア
ス用の固定出力の他に−12V電源及び表面電位測
定回路への24Vと40Vのフローテイング用電源電
圧及び表面電位測定回路への−600Vの電源電圧
を得ている。 これらを通常のレギユレータ等で構成する場
合、スペースを取り部品点数を多くなり、又特に
フローテイング用電源については煩雑になつてし
まう。本構成によれば極めて効率良く前記の各種
電源電圧を得ることができる。 (フローチヤート) マイクロコンピユータCPU2は前述した表面
電位制御方式を実施する為の第1、第2の制御プ
ログラムを内蔵しており、そのプログラムフロー
チヤートを第6図A〜Kに示す。フローチヤート
においてDCは一次帯電器を制御するためのデイ
ジタル値、同様にAC、DBは各々AC除電器、現
像バイアスの制御デジタル値である。又、
DCSA、ACSA、DBSAは前記デイジタル値DC、
AC、DBをセーブするCPU2内のRAMエリアを
示す。 <ステツプSP0> CPU1からのリセツト信号RESETが入力され
ると、RAMのすべての記憶エリアをクリアし、
CPU2のポートを入力ポートは入力可能状態に、
出力ポートは出力可能状態にセツトを行う。又
ACSA、DCSA、DBSAを初期セツトする。又、
一次帯電器及びAC除電器に流れる電流をOμAと
し、現像バイアス電圧も0Vとする。そして端子
P26をみて信号CS1が“1”だつたらステツプ
SP1〜SP23までの第1制御プログラムを実行し、
“0”ならばSP24にとび第2制御プログラムを実
行する。 (第1制御プログラム) <ステツプSP1> エリアACSAに160μAに対応するデジタル値、
DCSAに350μAに対応するデジタル値をセーブさ
せる。 <ステツプSP2> コピーが開始されたことを示すAC除電器駆動
信号HVACが“0”か“1”か判断し“0”な
らばSP23に進み、“1”ならばSP3に進む。 <SP3> CPU2のポートP25を再びセツトして、セ
ンサ駆動信号を出力する。又、HVAC、及び
HVDCが“1”であることを示すLED24、
LED25を点灯する。 <SP4> 切換スイツチSW1の信号EPCを判定し、1次
帯電器及びAC除電器に標準値を出力するか、そ
れとも電位計の検出出力による制御値を出力する
か判断する。 <SP5> ステツプSP4の判断に基づき、1次帯電器、
AC除電器に基準電流又はエリアACSA、DCSA
内の記憶値を出力する。又、現像バイアスを−
72Vとする様出力する。 <SP6> 各信号HVAC、HVDC、VLCTP、VDCTP、
υLCTP、DBTPを判断し、各処理ステツプに進
む。表示用サブルーチンにおいては電位表示モー
ド、電位測定モードの指定があつた時にLED1
0〜17に電位を8ビツトで表示する。電位測定
モード電位表示モードでは切換スイツチSW1で
指定される電位をCPU2内のアキユームレータ
内に転送してLED10〜LED17に表示する。 <SP7> 明部電位VL検出信号VLCTPが出力されるとそ
れを示す発光ダイオードLED20が点灯する。
それと共にVLを測定し、測定結果をセーブする。
その後(VL−VLO)を演算し演算値をセーブす
る。次にCPU2の端子P27に入力される信号
CS2を判断し係数α2の選択を行う。次いでα2(VL
−VLO)を計算、セーブし、同様にβ2(VL−VLO)
を計算、セーブする。以上がおわると発光ダイオ
ードLED20を消灯してSP4に戻る。 <SP8> 暗部電位VD検出信号VDCTPが出力されるとそ
れを示す発光ダイオードLED21が点灯する。
VDを測定し、測定結果をセーブする。 <SP9> スイツチSW1をみて電位制御の有無を判断
し、ない場合SP17に進む。有る場合にはSP10に
進む。 <SP10> (VD−VDO)、α1(VD−VDO)、β1(VD−VDO)の
計算を行いα1(VD−VDO)、β1(VD−VDO)の計算結
果をセーブする。 <SP11> α1(VD−VDO)+α2(VL−VLO)=△DC′を計算し、
前回の1次帯電器制御電流値DCに加える。この
ときDCは8ビツトで△DC′が16ビツトなので
(DC×8+△DC′)の演算を行いDC′(16ビツト)
とする。 <SP12> DC′が制御範囲内にあるか否かを判断し、オー
バーフローの場合、それを示すLED12を点灯
させ、DC′を所定値に設定する。アンダーフロー
の場合、それを示すLED13を点灯させDC′を所
定値に設定する。 <SP13> DC′(16ビツト)をDC(8ビツト)に変換し、
DCSAにセーブする。 <SP14> AC除電器制御電流値AC′(16ビツト)を求める
為にβ1(VD−VDO)+β2(VL−VLO)を計算し△
AC′(16ビツト)を求め前回の制御電流値ACに8
をかけて加える。 <SP15> AC′が制御範囲内にあるか否か判断する。オー
バーフローの場合それを示すLED10を点灯さ
せ、AC′を所定値に設定する。アンダーフローの
場合LED11を点灯させ、AC′を所定値に設定す
る。 <SP16> AC′(16ビツト)をAC(8ビツト)に変換し、
ACSAにセーブする。 <SP17> 暗部電位VDと明部電位VLの差即ちコントラス
トCNTを求める。CNTが0V以下の場合或は
396V以下の場合LED14,LED15を共に点灯
させる。CNTが396V以上498V以下の場合LED
14のみを点灯させる。CNTが498V以上の場合
はLEDは点灯させない。 以上が終了したのちLED21を消灯する。 <SP18> 標準明部電位υL検出信号υLCTPが出力される
と、発光ダイオードLED22が点灯すると共に
υLを測定、セーブする。υLが制御可能な範囲にあ
るか否か判断し、υLが−474V以下の場合及びυL
が288V以上の場合現像バイアス電圧DBを各々所
定値に設定しエリアDBSAにセーブする。υLが制
御可能範囲内のときは(υL+120V)を計算して
計算結果をDBSAにセーブする。以上が終了する
と発光ダイオードを消灯する。 <SP19> 現像が開始されるとCPU1より現像バイアス
信号DBTPが出力され、発光ダイオードLED2
3が点灯する。切換スイツチSW1の信号DBCを
みて現像バイアス制御の有無を判断し、制御なし
の場合は現像バイアス電圧を0Vとする。制御あ
りの場合はSP18で求めた現像バイアス電圧DBを
出力する。以下信号DBTPが“0”になるまで
表示用サブルーチンを実行し、“0”になると発
光ダイオードLED23が点灯する。 <SP20> HVACが“1”でHVDCが“0”のときは後
回転LSTR中なのでHVDCが“1”を示すLED
25は消灯し、一次帯電器には電流を流さずAC
除電器に弱AC電流(60μA)を流す。 <SP21> 電位測定モードであるか否かの判断を行い、電
位測定モードでないときは電位センサをオフす
る。後回転LSTRが終了するまで表示用サブルー
チンをくり返す。後回転中にHVDCが“1”に
なつた場合はSP3に戻る。 <SP22> HVACが“0”になるとコピー中ではないの
で、LED24を消灯すると共に、一次帯電器及
びAC除電器の出力をオフし、現像バイアス電圧
を0Vとする。 <SP23> 電位測定モードであるか否かの判断を行い、電
位測定モードの時は電位センサを駆動し、測定値
をLED10〜LED17に表示する。 (第2制御プログラム) 次に第2制御プログラムについて説明する。 <SP24> まずパラメータを(10000000)としてアドレス
Pにセツトすると同時に制御回数Nをセツトす
る。この場合パラメータを7回半分にすると最終
的に(00000001)となるのでNを7とする。また
1次帯電器電流、AC除電器電流をその中間値
400μA、200μAに各々セツトする。また現像バイ
アス電圧を0Vにセツトする。 <SP25〜SP29> は第1制御プログラムのSP2〜SP6と同様であ
る。 <SP30> VLCTPがでると、明部電位を測定セーブする。 <SP31> 電位制御の有無を検知し、有の場合はSP32に
進み、無い場合はSP33でVLLEDを消灯する。 <SP32> SP24で設定したPを右にシフトする。Pは
“80”であるから、2進で表すと次の如くなる。 10000000 ↓ 01000000 <SP33> 明部電位はAC除電器出力に大きく影響を受け
るのでVLはAC帯電電流の制御を行う。明部電位
VLは制御目標値VLOと比較され、 VL>VLOの時は〔AC+P→AC〕を行い、 VL<VLOの時は〔AC−P→AC〕を行う。 VL=VLOの時はACを変更しない。そしてACの
値をエリアACSAにセーブし、VLLEDを消灯す
る。 <SP34> 暗部電位検出信号VDCTPが出力されると、VD
LEDが点灯すると共に暗部電位VDを検出しその
値をDCSAにセーブする。 <SP35> 電位制御有りの場合は、SP36に進み、無しの
場合はSP37に進む。 <SP36> 暗部電位VDは1次帯電器出力に大きく影響を
受けるのでVDは1次帯電器電流の制御を行う。
暗部電位VDは制御目標値VDOと比較され、 VD>VDOの時は〔DC−P→DC〕を行い、 VD<VDOの時は〔DC+P→DC〕を行い、 出力値DCを変更する。VD=VDOの時はVDの変更
は行わない。 <SP37> 明部、暗部電位の両方の制御が1度おわつたの
で制御回数Nから−1する。Nが0になるまでス
テツプSP27〜SP36を繰返す。その際ステツプ
SP32でパラメータPを右へシフトする。 <SP38> ここでは測定値VDとVLの差即ちコントラスト
を求め、コントラストが所定値以下の場合LED
を点灯する。そしてVDLEDを消灯する。 つまりPの値を2進数で表わすと、 N=7 01000000 ↓ N=6 00100000 ↓ N=5 00010000 ↓ N=4 00001000 ↓ N=3 00000100 ↓ N=2 00000010 ↓ N=1 00000001 と変化する。 したがつて、前述の操作により、このPをDC
及びACに加減するためDC、ACの値(デジタル
16進)は、“00”〜“FF”の間で、1ビツトの間
隔でとることができる。 <SP39〜SP44> これはSP18〜23と同様の動作をおこなう。 以上の第2制御プログラムによる制御の特徴と
しては、明部電位VLを測定して変化させる量が、
AC除電器電流だけにもかかわらず、続いて測定
する暗部電位VDにAC電流の変化に対する影響が
加味され、うまく収束することができることであ
る。もちろん、1次帯電器電流の変化に対する明
部電位の影響も加味される。 また、制御に必要な演算がシフト、比較、加
算、減算なので、マイクロコンピユータのプログ
ラムが非常に簡単になる。又、感光体が変わつた
場合、又環境が変つた場合、その帯電特性係数
α1、α2、β1、β2が変つても、一次帯電器電流を増
せば暗部電位が単調増加、AC除電器電流を増せ
ば明部電位が単調減少するのは変わらないので、
帯電特性変化に拘らず、常に目標値に近い値に制
御できるなどの特徴がある。 以上の様に本発明によれば、静電潜像形成手段
を制御データに基づいて動作させ、その状態で検
出される表面電位データに対し、感光体の感度に
応じた係数を備えた演算式に従つて演算を行つて
補正データを求め、前記制御データに補正データ
を加算して得られるデータを新たな制御データと
して静電潜像形成手段を動作する方式と、繰返し
の回数に応じて順次小さくなるデータを繰返し検
出される表面電位検出値に対し加減算しその結果
に基づいて静電潜像形成手段を動作する方式のい
ずれかを選択して表面電位制御を行うことができ
るので、感光体の特性が予め分かつている場合
は、前者の方式で表面電位の制御を行うことによ
り短時間で表面電位を安定化でき、又、感光体の
交換等により感度が変わつたような場合は前者の
方式から後者の方式に切り替えて表面電位制御を
行うことにより、常に安定した表面電位を得るこ
とが可能になる。 尚、本実施例においては装置として同時露光・
同時除電方式の電子写真法を用いた装置について
説明したが、カールソンプロセス等記録体上の表
面電位が得られる可視像に影響する他のあらゆる
静電記録装置に適用可能である。
第1図aは本発明を適用しうる複写装置の断面
図、第1図bはブランク露光ランプ付近の平面
図、第2図は感光ドラムの各部における表面電位
を示す特性図、第3図、第4図は表面電位の変化
を示す特性図、第5図は電位制御ユニツト回路、
第6図A〜JはCPU2に格納されたプログラム
フローチヤートを示す図である。 図において、47は感光ドラム、51は一次帯
電器、69はAC帯電器、70はブランク露光ラ
ンプ、65は現像ローラ、67は表面電位計、
CPU1はシーケンス制御用マイクロコンピユー
タ、CPU2は電位制御用マイクロコンピユータ、
Q18はD/A変換器を各々示す。
図、第1図bはブランク露光ランプ付近の平面
図、第2図は感光ドラムの各部における表面電位
を示す特性図、第3図、第4図は表面電位の変化
を示す特性図、第5図は電位制御ユニツト回路、
第6図A〜JはCPU2に格納されたプログラム
フローチヤートを示す図である。 図において、47は感光ドラム、51は一次帯
電器、69はAC帯電器、70はブランク露光ラ
ンプ、65は現像ローラ、67は表面電位計、
CPU1はシーケンス制御用マイクロコンピユー
タ、CPU2は電位制御用マイクロコンピユータ、
Q18はD/A変換器を各々示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 感光体上に静電潜像を形成する静電潜像形成
手段、 前記感光体上に形成された静電潜像を現像する
現像手段、 前記感光体の表面電位を検出する検出手段、 前記感光体の表面電位を目標電位にするべく前
記検出手段の出力に基づいて電位制御プログラム
を実行することにより前記静電潜像形成手段の動
作条件を設定する制御手段、 を有し、 前記制御手段は、前記静電潜像形成手段を制御
データに基づいて動作させ、その状態で前記検出
手段により検出される表面電位データに対し、前
記感光体の感度に応じた係数を備えた演算式に従
つて演算を行なうことにより補正データを求め、
前記制御データに前記補正データを加算すること
によりえられるデータを新たな制御データとし、
前記新たな制御データに基づいて前記静電潜像形
成手段を動作させることにより表面電位を安定化
する第1の電位制御プログラムと、繰返しの回数
に応じて順次小さくなる所定のデータを前記検出
手段により繰返し検出される表面電位データに対
し加減算しその結果に基づいて前記静電潜像形成
手段を動作させることにより表面電位を安定化す
る第2の電位制御プログラムを内蔵するととも
に、前記第1、第2プログラムのいずれかを選択
するための入力端子を備え、前記入力端子の信号
レベルを判別することにより前記第1、第2の電
位制御プログラムのいずれかを選択し、前記検出
手段の出力値に対して選択された電位制御プログ
ラムを実行することを特徴とする画像形成装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10008780A JPS5724959A (en) | 1980-07-22 | 1980-07-22 | Electrostatic recorder |
| DE19813128801 DE3128801A1 (de) | 1980-07-22 | 1981-07-21 | "bilderzeugungsgeraet" |
| GB8122520A GB2082349B (en) | 1980-07-22 | 1981-07-22 | An image forming device |
| US06/661,117 US4573788A (en) | 1980-07-22 | 1984-10-15 | Image forming device |
| US06/795,420 US4618246A (en) | 1980-07-22 | 1985-11-06 | Image forming device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10008780A JPS5724959A (en) | 1980-07-22 | 1980-07-22 | Electrostatic recorder |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5724959A JPS5724959A (en) | 1982-02-09 |
| JPH0211904B2 true JPH0211904B2 (ja) | 1990-03-16 |
Family
ID=14264636
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10008780A Granted JPS5724959A (en) | 1980-07-22 | 1980-07-22 | Electrostatic recorder |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5724959A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0182504A3 (en) * | 1984-11-15 | 1987-08-12 | Molex Incorporated | An assembly of flexible carrier and solid components, and methods and apparatus for making and for handling same. |
| JPH02138166U (ja) * | 1989-04-19 | 1990-11-19 |
-
1980
- 1980-07-22 JP JP10008780A patent/JPS5724959A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5724959A (en) | 1982-02-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4618246A (en) | Image forming device | |
| US4420247A (en) | Computer control means for an electrostatic recording apparatus | |
| US8787783B2 (en) | Image forming apparatus having voltage control | |
| JP2738749B2 (ja) | 画像形成装置 | |
| EP0751440B1 (en) | Image forming apparatus | |
| JPH11194557A (ja) | 画像形成装置 | |
| JPH0211904B2 (ja) | ||
| JPH0211905B2 (ja) | ||
| US5043765A (en) | Image forming apparatus including control means responsive to image forming conditions | |
| US6208820B1 (en) | Electrophotographic apparatus having pre-exposure means | |
| JPH07253691A (ja) | 画像形成装置の画質補償装置 | |
| JPS6210425B2 (ja) | ||
| JP3114767B2 (ja) | 画像形成装置 | |
| JPH0337184B2 (ja) | ||
| US5488457A (en) | Image forming apparatus with power source control | |
| JP4266944B2 (ja) | 画像形成装置 | |
| JP3128453B2 (ja) | 画像形成装置 | |
| JP2514638B2 (ja) | 画像形成装置の作像条件制御方法 | |
| JPS6313080A (ja) | 反転現像を行なう電子写真装置 | |
| JP2978497B2 (ja) | 画像形成装置 | |
| JPS6220850Y2 (ja) | ||
| JP2801198B2 (ja) | 画像濃度制御方法 | |
| JPH0358073A (ja) | 画像形成装置のクリーニング装置 | |
| JP2839788B2 (ja) | 画像形成装置 | |
| JPS6129502B2 (ja) |