JPH02119228A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、半導体装置に関し、特に、バンプ電極を有す
る半導体装置に間する。

従来の技術 従来、この種の半導体装置は、第３図に示すように装置
内すべてのバンプ電極が正方形となっていた。

第３図はこの種の半導体装置を示す平面図である。第３
図において、３１はバンプ電極を示し、このバンプ電極
３１は正方形に形成されている。

発明が解決しようとする課題 半導体装置は高機能化に伴い、多ビン化の傾向にあり、
その電極引き出し法はワイヤーボンディング法に比べ、
バンプ電極を用いるＴＡＢ法がより高密度化が可能であ
る。

しかしながら、ＴＡＢ法においても内部素子の微細化に
比べ、バンプ電極及び電極間距離の微細化はボンディン
グ強度、バンプ電極の変形による電極間短絡等の面から
技術的に困難な点が多い、従って、従来の半導体装置の
ように正方形のバンプ電極しか有していない場合には、
半導体装置の大きさは、バンプ電極の数、バンプ電極の
一辺の長さ及び電極間間隔で一義的に決まる大きさ以下
にすることは不可能であり、多ピン化に伴い、半導体装
置の大きさを増大させざるを得ないという欠点があった
。

本発明は従来の上記実情に濫みてなされたものであり、
従って本発明の目的は、従来の技術に内在する上記欠点
を解消し、ボンディング強度を低下させることなく装置
面積を縮小化することを可能とした新規な半導体装置を
提供することにある。

発明の従来技術に対する相違点 上述した従来の半導体装置に対し、本発明は、少なくと
も一辺に対し、該辺の垂直方向に長辺を持つ長方形のバ
ンプ電極を有するという相違点を有する。

課題を解決するための手段 前記目的を達成する為に、本発明に係る半導体装１は、
少なくとも一辺に対し、該辺の垂直方向に長辺を持つ長
方形のバンプ電極を備えて構成される。

実施例 次に本発明をその好ましい各実施例について図面を参照
して具体的に説明する。

第１図は本発明による第１の実施例を示す平面図である
。

第１図を参照するに、この第１の実施例においては、半
導体装置１０に設けられたバンプ電極１１は、長方形に
形成されており、半導体装置ｌＯの各辺に対して垂直方
向に長辺を持っている。短辺と長辺の比は例えば１　：
　１．４４となっている。従来の正方形のバンプ電極に
対し、同一電極面積とした場合には短辺は正方形バンプ
電極の一辺に対し、約８３％の長さとなる０本第１の実
施例では第３図に示す従来の半導体装置３０に比べ面積
比で９２％に縮小されている。

一方、バンプ電極１１の゛面積は従来と同一であるため
に、接合強度は従来の場合と殆ど変わらず、問題となら
ない、電極数が多い程縮小効果は大きくなり、電極間隔
を同一とした場合、本実施例の場合には、最大的８０％
までの縮小化が可能である。

第２図は本発明による第２の実施例を示す平面図である
。

第２図を参照するに、本実施例ではバンプ電極２１の短
辺と長辺の比は１：２となっている。同一面積の従来の
バンプ電極の一辺の長さに対し、本実施例の短辺の長さ
は約７０％の長さとなる。短辺の縮小化に伴い、ボンデ
ィング精度の向上、インナーリードの強度の強化が必要
であるが、本実施例の場合には、従来の場合に比べて電
極間隔を同一とした場合に最大的６５％までの縮小化が
可能である。

発明の詳細 な説明したように、本発明によれば、バンプ電極が装置
の大きさの決定要因となるような多ピンの半導体装置の
場合に、少なくとも一辺に対し、該辺の垂直方向に長辺
を持つ長方形のバンプ電極を有することにより、ボンデ
ィング強度を下げることなく半導体装置の面積の縮小化
ができる効果が得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明による第１の実施例を示す平面図、第２
図は本発明による第２の実施例を示す平面図、第３図は
従来におけるこの種の半導体装置の平面図である。 １０．３０・・・半導体装置、１１．２１．３１・・・
バンプ１橿特許出願人　　　日本電気株式会社 代　理　人　　　弁理士　熊谷雄太部

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 少なくとも一辺に対し、該辺の垂直方向に長辺を持つ長
   方形のバンプ電極を有することを特徴とする半導体装置
   。