JPH02120230A - 酸化物超伝導薄膜の製造方法 - Google Patents
酸化物超伝導薄膜の製造方法Info
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- JPH02120230A JPH02120230A JP63272208A JP27220888A JPH02120230A JP H02120230 A JPH02120230 A JP H02120230A JP 63272208 A JP63272208 A JP 63272208A JP 27220888 A JP27220888 A JP 27220888A JP H02120230 A JPH02120230 A JP H02120230A
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Classifications
-
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
Landscapes
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は酸化物超伝導薄膜の製造方法に関するものであ
る。
る。
（従来の技術）
超伝導性薄膜は、ジョセフソン接合による量子磁気干渉
素子や、超伝導ＬＳＩ配線、さらに超伝導能動素子等へ
の応用上欠かせないものである。近年、１９８２年２月
米国ヒユーストン大学のチュー（Ｃｈｕ）らにより発見
された臨界温度９０に級のＹ系酸化物超伝導体を始めと
し、無機材料研究所の前出らによる臨界温度１１０に級
のＢｉ系酸化物超伝導体、さらに米国アーカンサス大学
のチェノ（Ｚ、 Ｚ、 Ｃｈｅｎｇ）らによる臨界温度
１２０に級のＴＩ系酸化物超伝導体と液体窒素温度を越
える臨界温度を持つ酸化物超伝導体が相次いで発見され
た。このことにより、従来液体Ｈｅを用いなければなら
なかった超伝導応用デバイスが液体窒素で実現できるこ
とになり、特にこれら酸化物超伝導体の薄膜化は液体窒
素温度以上で動くジョセフソン接合による量子磁気干渉
素子や、超伝導ＬＳＩ配線、さらに超伝導能動素子等を
実現し、その応用は広く利用され得る。さて、Ｂｉ系超
伝導体薄膜は、従来基本的に次の３つの方法において製
造されてきた。
素子や、超伝導ＬＳＩ配線、さらに超伝導能動素子等へ
の応用上欠かせないものである。近年、１９８２年２月
米国ヒユーストン大学のチュー（Ｃｈｕ）らにより発見
された臨界温度９０に級のＹ系酸化物超伝導体を始めと
し、無機材料研究所の前出らによる臨界温度１１０に級
のＢｉ系酸化物超伝導体、さらに米国アーカンサス大学
のチェノ（Ｚ、 Ｚ、 Ｃｈｅｎｇ）らによる臨界温度
１２０に級のＴＩ系酸化物超伝導体と液体窒素温度を越
える臨界温度を持つ酸化物超伝導体が相次いで発見され
た。このことにより、従来液体Ｈｅを用いなければなら
なかった超伝導応用デバイスが液体窒素で実現できるこ
とになり、特にこれら酸化物超伝導体の薄膜化は液体窒
素温度以上で動くジョセフソン接合による量子磁気干渉
素子や、超伝導ＬＳＩ配線、さらに超伝導能動素子等を
実現し、その応用は広く利用され得る。さて、Ｂｉ系超
伝導体薄膜は、従来基本的に次の３つの方法において製
造されてきた。
第一の方法は、例えばアプライドフィジックスレター（
Ａｐｐｌ、 Ｐｈｙｓ、 Ｌｅｔｔ、）巻５３．４２７
頁のようにマグネトロンスパッタ法を用い、Ｂｉ、 Ｓ
ｒ、 Ｃａ、 Ｃｕの組成からなる単一ターゲットを用
いて成膜を行い、この膜を後から酸素中８８０°Ｃ熱処
理を加えることにより８３にでゼロ抵抗を示すＣ軸配向
膜が得られている。
Ａｐｐｌ、 Ｐｈｙｓ、 Ｌｅｔｔ、）巻５３．４２７
頁のようにマグネトロンスパッタ法を用い、Ｂｉ、 Ｓ
ｒ、 Ｃａ、 Ｃｕの組成からなる単一ターゲットを用
いて成膜を行い、この膜を後から酸素中８８０°Ｃ熱処
理を加えることにより８３にでゼロ抵抗を示すＣ軸配向
膜が得られている。
また第二の方法としては例えばアプライドフィジックス
レター（Ａｐｐｌ、 Ｐｈｙｓ、 Ｌｅｔｔ、）巻５３
．３３７頁のようにパルスレーザ−を用い、第一の方法
と同様単一ターゲットを用いて成膜を行い、後に８７５
°Ｃの酸素中熱処理を行うことで８０にの超伝導薄膜を
得ている。
レター（Ａｐｐｌ、 Ｐｈｙｓ、 Ｌｅｔｔ、）巻５３
．３３７頁のようにパルスレーザ−を用い、第一の方法
と同様単一ターゲットを用いて成膜を行い、後に８７５
°Ｃの酸素中熱処理を行うことで８０にの超伝導薄膜を
得ている。
さらに第三の方法としては、例えば、アプライドフィジ
ックスレター（Ａｐｐｌ、 Ｐｈｙｓ、 Ｌｅｔｔ、）
巻５３．６２４頁のようにＢｉ、 Ｓｒ、 Ｃａ、 Ｃ
ｕをそれぞれ独立した蒸着源から同時に蒸発させ、成膜
後８６０°Ｃの酸素中熱処理をおこなうことで、３５に
でゼロ抵抗超伝導膜を得ている。
ックスレター（Ａｐｐｌ、 Ｐｈｙｓ、 Ｌｅｔｔ、）
巻５３．６２４頁のようにＢｉ、 Ｓｒ、 Ｃａ、 Ｃ
ｕをそれぞれ独立した蒸着源から同時に蒸発させ、成膜
後８６０°Ｃの酸素中熱処理をおこなうことで、３５に
でゼロ抵抗超伝導膜を得ている。
（発明が解決しようとした課題）
しかし、いずれの場合も従来の超伝導膜製造法では超伝
導膜を作るために８５０°Ｃ以上の高温熱処理が必要な
こと、また、膜はＣ軸配向しているものの表面が荒れて
いること、及び超伝導のオンセットは１１０Ｋに見えて
いるものの、最終的なゼロ抵抗温度が低いこと等の理由
により、デバイス応用を困難にしている。また、ジョセ
フソンジャンクションの均質性を高めるためには単結晶
膜であることが望ましい。
導膜を作るために８５０°Ｃ以上の高温熱処理が必要な
こと、また、膜はＣ軸配向しているものの表面が荒れて
いること、及び超伝導のオンセットは１１０Ｋに見えて
いるものの、最終的なゼロ抵抗温度が低いこと等の理由
により、デバイス応用を困難にしている。また、ジョセ
フソンジャンクションの均質性を高めるためには単結晶
膜であることが望ましい。
本発明の目的は、このＢｉ系酸化物超伝導薄膜を、基板
上に単結晶膜として低温で合成する方法を提供すること
にある。
上に単結晶膜として低温で合成する方法を提供すること
にある。
（課題を解決するための手段）
本発明は、ターゲット組成酸化物としてＢｉ −８ｒ
Ｃａ −Ｃｕ −０で１＜ｗ＜５，１＜ｘく５，１＜ｙ
く５゜Ｗ ｚｙｚｖ １≦２≦５，０≦Ｖ）のターゲットをもちいてイオンビ
ームスパッタ法により、成長させることを特徴とした酸
化物超伝導薄膜の製造方法と、成膜プロセス中に真空中
容器内に高周波（ＲＦ）を導入する酸化物超伝導薄膜の
製造方法と、成膜プロセス中に基板上の膜成長面に酸素
イオンを加速して照射することを特徴とした前記酸化物
超伝導薄膜の製造方法と、ターゲット（Ｂｉ、−ａＰｂ
ａ）ｗ−８ｒｘ、Ｃａ、・Ｃｕ、・ｏＶ（ただし０＜ａ
＜０．１．１＜ｗ＜５．１＜ｘ＜５．１＜ｙ＜５．１＜
ｚ＜５゜０＜ｖ）の組成を用いる前記酸化物超伝導薄膜
の製造方法である。
Ｃａ −Ｃｕ −０で１＜ｗ＜５，１＜ｘく５，１＜ｙ
く５゜Ｗ ｚｙｚｖ １≦２≦５，０≦Ｖ）のターゲットをもちいてイオンビ
ームスパッタ法により、成長させることを特徴とした酸
化物超伝導薄膜の製造方法と、成膜プロセス中に真空中
容器内に高周波（ＲＦ）を導入する酸化物超伝導薄膜の
製造方法と、成膜プロセス中に基板上の膜成長面に酸素
イオンを加速して照射することを特徴とした前記酸化物
超伝導薄膜の製造方法と、ターゲット（Ｂｉ、−ａＰｂ
ａ）ｗ−８ｒｘ、Ｃａ、・Ｃｕ、・ｏＶ（ただし０＜ａ
＜０．１．１＜ｗ＜５．１＜ｘ＜５．１＜ｙ＜５．１＜
ｚ＜５゜０＜ｖ）の組成を用いる前記酸化物超伝導薄膜
の製造方法である。
本方法では望ましくは基板温度を５００°Ｃ〜８００°
Ｃとし基板上の酸素ガス分圧を２Ｘ１０ Ｔｏｒｒ以
上に保つとエピタキシャル成長したＢｉ系酸化物超伝導
薄膜が合成される。この時積層プロセスの間に１０秒以
上の緩和時間を例えば３０人積層ごとに設けることで、
表面のスパッタ粒子のマイグレーションと積層相の結晶
性の改質が起こる。さらに、酸化ビスマス、またはスト
ロンチウム・カルシウム・銅酸化物は基板上にヘテロエ
ピタキシャル成長させることができ、エピタキシャル層
を初期に約１０〜１００人程度成長させることによりそ
の後の膜成長プロセスにより単結晶のＢｉ系酸化物超伝
導薄膜が成長する。さらに真空チャンバー内にＲＦを導
入することでスパッタ粒子を活性化し膜の結晶化温度を
下げることができると共に酸素もイオン化されることに
より各構成元素の酸化が促進される。さらにＲＦもしく
は酸素イオン源より生成された酸素イオンをＩＯＶ〜８
０ｖに加速して膜成長面に照射することにより膜成長面
での酸化とマイグレーションが促進され膜の結晶性の改
善と膜表面の平坦性化がよくなる。さらにＢｉの一部を
ｐｂで置換することにより超伝導特性が改善され転移が
シャープになる。これらのエピタキシャル膜は酸化マグ
ネシウム（ＭｇＯ）単結晶、チタン酸ストロンチウム（
ＳｒＴｉＯ３）単結晶、イツトリウム安定化ジルコニア
（ＹＳＺ）単結晶、ジルコニア（ＺｒＯ２）単結晶いず
れの基板上にも合成することができる。
Ｃとし基板上の酸素ガス分圧を２Ｘ１０ Ｔｏｒｒ以
上に保つとエピタキシャル成長したＢｉ系酸化物超伝導
薄膜が合成される。この時積層プロセスの間に１０秒以
上の緩和時間を例えば３０人積層ごとに設けることで、
表面のスパッタ粒子のマイグレーションと積層相の結晶
性の改質が起こる。さらに、酸化ビスマス、またはスト
ロンチウム・カルシウム・銅酸化物は基板上にヘテロエ
ピタキシャル成長させることができ、エピタキシャル層
を初期に約１０〜１００人程度成長させることによりそ
の後の膜成長プロセスにより単結晶のＢｉ系酸化物超伝
導薄膜が成長する。さらに真空チャンバー内にＲＦを導
入することでスパッタ粒子を活性化し膜の結晶化温度を
下げることができると共に酸素もイオン化されることに
より各構成元素の酸化が促進される。さらにＲＦもしく
は酸素イオン源より生成された酸素イオンをＩＯＶ〜８
０ｖに加速して膜成長面に照射することにより膜成長面
での酸化とマイグレーションが促進され膜の結晶性の改
善と膜表面の平坦性化がよくなる。さらにＢｉの一部を
ｐｂで置換することにより超伝導特性が改善され転移が
シャープになる。これらのエピタキシャル膜は酸化マグ
ネシウム（ＭｇＯ）単結晶、チタン酸ストロンチウム（
ＳｒＴｉＯ３）単結晶、イツトリウム安定化ジルコニア
（ＹＳＺ）単結晶、ジルコニア（ＺｒＯ２）単結晶いず
れの基板上にも合成することができる。
（実施例）
Ｂｉ系１１０に超伝導薄膜を製造するために用いたデュ
アルのイオンビームスパッタ装置を第１図に示す。真空
チャンバー１２には２基のカウフマン型イオン源１，２
を装備し、イオン源１は緩衝層用のＢｉ２Ｏ３または（
Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕｂ）ターゲット３をスパッタし、イオ
ン源２はＢ１−８ｒ−Ｃａ−ＣｕＯ−０ターゲツト４を
スパッタする。スパッタされた粒子３’、 ４’は天板
５で発散視野が制限され、さらに真空チャンバー外部か
ら駆動されるシャッター６．７及び水晶振動子膜厚計１
５により膜厚をモニターしながら薄膜を成長させる。９
はヒータ、１３はＲＨＥＥＤ用電子銃、１４はＲＨＥＥ
Ｄスクリーンである。この時例えばチャンバー内の真空
度は４Ｘ１０ ｔｏｒｒ、基板付近は酸化促進のため
に酸素ガスを吹き付は局部的に４Ｘ１０ ｔｏｒｒの
酸素分圧であった。また基板面内の膜厚分布を極力避け
るように６０ｒｐｐｍの回転を与えている。チャンバー
内は、ニュートラライザでイオン源からでるＡｒを中和
している。イオン源１の出力を６００■、３０ｍＡとし
た時にＢｉ２Ｏ３の成膜速度は０．２ｕｓｅｃであり、
イオン源２の出力を６００Ｖ 、４０ｍＡとした時のＢ
１−８ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−ＯＸの成膜速度は０．１８１／
ｓｅｅであった。
アルのイオンビームスパッタ装置を第１図に示す。真空
チャンバー１２には２基のカウフマン型イオン源１，２
を装備し、イオン源１は緩衝層用のＢｉ２Ｏ３または（
Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕｂ）ターゲット３をスパッタし、イオ
ン源２はＢ１−８ｒ−Ｃａ−ＣｕＯ−０ターゲツト４を
スパッタする。スパッタされた粒子３’、 ４’は天板
５で発散視野が制限され、さらに真空チャンバー外部か
ら駆動されるシャッター６．７及び水晶振動子膜厚計１
５により膜厚をモニターしながら薄膜を成長させる。９
はヒータ、１３はＲＨＥＥＤ用電子銃、１４はＲＨＥＥ
Ｄスクリーンである。この時例えばチャンバー内の真空
度は４Ｘ１０ ｔｏｒｒ、基板付近は酸化促進のため
に酸素ガスを吹き付は局部的に４Ｘ１０ ｔｏｒｒの
酸素分圧であった。また基板面内の膜厚分布を極力避け
るように６０ｒｐｐｍの回転を与えている。チャンバー
内は、ニュートラライザでイオン源からでるＡｒを中和
している。イオン源１の出力を６００■、３０ｍＡとし
た時にＢｉ２Ｏ３の成膜速度は０．２ｕｓｅｃであり、
イオン源２の出力を６００Ｖ 、４０ｍＡとした時のＢ
１−８ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−ＯＸの成膜速度は０．１８１／
ｓｅｅであった。
次にＭｇ０（１００）基板を用いた成膜例を示す。基板
温度６３０°Ｃ１基板付近の酸素ガス分圧Ｉ Ｘ １０
Ｔｏｒｒの条件でＢｉ系１１０に超伝導相の膜を、
成膜中はＲＨＥＥＤパターンで確認しながら形成した。
温度６３０°Ｃ１基板付近の酸素ガス分圧Ｉ Ｘ １０
Ｔｏｒｒの条件でＢｉ系１１０に超伝導相の膜を、
成膜中はＲＨＥＥＤパターンで確認しながら形成した。
ＭｇＯ基板上にＢ１−０を成長させるとＭｇＯの基板方
位を一致させてバッファー層としてのＢ１−０がヘテロ
エピタキシャルする。この場合のＢｉ・０層は３０人で
ある。ヘテロエピタキシャル層成膜後４分間の緩衛時間
の後、Ｂｉ２５ｒ２Ｃａ２Ｃｕ３ｏＸのターゲットを用
いてＢ１−３ｒ−Ｃａ−Ｃｕ・ＯＸがエピタキシャル成
長する。これを５０Ａ成長させた後さらに４分間の緩衝
時間を経て膜成長→緩衝時間→膜成長のプロセスを交互
に繰り返す。ＲＨＥＥＤの回折スポットはストリーク状
になり膜表面の平坦性が良好であること、さらにエピタ
キシャル成長が持続していることがわかる。総膜厚３０
０人の時の膜のＸ線回折パターンを第２図に示す。この
Ｘ線回折パターンより、Ｂｉ系超伝導体の１１０に相が
きれいにＣ軸配向してできていることが分かる。この膜
の電気抵抗は、１１０Ｋにオンセットを持ち１０７にで
超伝導となることが確認された。以上はＢｉ系１１０に
相の極薄エピタキシャル超伝導性薄膜の合成方法の例で
あるが、第１表にこれ以外の成膜結果を示す。同様の手
段において、 Ｂｉ２５ｒ２ＣａＩＣｕｚ０ｘをターゲットを用い基板
温度６２０°Ｃ１基板付近の酸素ガス分圧Ｉ Ｘ １０
Ｔｏｒｒと設定することによりＢｉ系８０に超伝導
相の膜も容易に作製できた。
位を一致させてバッファー層としてのＢ１−０がヘテロ
エピタキシャルする。この場合のＢｉ・０層は３０人で
ある。ヘテロエピタキシャル層成膜後４分間の緩衛時間
の後、Ｂｉ２５ｒ２Ｃａ２Ｃｕ３ｏＸのターゲットを用
いてＢ１−３ｒ−Ｃａ−Ｃｕ・ＯＸがエピタキシャル成
長する。これを５０Ａ成長させた後さらに４分間の緩衝
時間を経て膜成長→緩衝時間→膜成長のプロセスを交互
に繰り返す。ＲＨＥＥＤの回折スポットはストリーク状
になり膜表面の平坦性が良好であること、さらにエピタ
キシャル成長が持続していることがわかる。総膜厚３０
０人の時の膜のＸ線回折パターンを第２図に示す。この
Ｘ線回折パターンより、Ｂｉ系超伝導体の１１０に相が
きれいにＣ軸配向してできていることが分かる。この膜
の電気抵抗は、１１０Ｋにオンセットを持ち１０７にで
超伝導となることが確認された。以上はＢｉ系１１０に
相の極薄エピタキシャル超伝導性薄膜の合成方法の例で
あるが、第１表にこれ以外の成膜結果を示す。同様の手
段において、 Ｂｉ２５ｒ２ＣａＩＣｕｚ０ｘをターゲットを用い基板
温度６２０°Ｃ１基板付近の酸素ガス分圧Ｉ Ｘ １０
Ｔｏｒｒと設定することによりＢｉ系８０に超伝導
相の膜も容易に作製できた。
第１表
また、バッファー層として５ｕＣｕＯ，ＣａＣｕＯ１も
しくは５ｒＣａＣｕＯを持ちいることも可能であり、前
述のプロセスを行うことで単結晶膜を合成することがで
きた。これらのプロセスにおいて、膜特性と基板温度及
び基板付近の酸素ガス分圧は基板温度５００〜８００°
Ｃが適当であり、５００°Ｃ以下では結晶性が悪く超伝
導特性が得られなくなり、８００°Ｃ以上では膜の組成
ずれ及び銅が還元されて非超伝導相が成長してしまう。
しくは５ｒＣａＣｕＯを持ちいることも可能であり、前
述のプロセスを行うことで単結晶膜を合成することがで
きた。これらのプロセスにおいて、膜特性と基板温度及
び基板付近の酸素ガス分圧は基板温度５００〜８００°
Ｃが適当であり、５００°Ｃ以下では結晶性が悪く超伝
導特性が得られなくなり、８００°Ｃ以上では膜の組成
ずれ及び銅が還元されて非超伝導相が成長してしまう。
酸素分圧は結晶成長させるためには最低でも２Ｘ１０
ｔｏｒｒ必要である。また真空チャンバー内にＲＦを
導入することにより、ＲＦコイル内でスパッタ粒子が活
性化され同時に酸素プラズマが発生する。この環境での
上記同様の成膜をおこなうことにより膜の超伝導臨界温
度の向上が確認され、さらにＲＦプラズマにバイアス電
位をかけて酸素イオンを１０ｖ〜８０ｖに加速して基板
に照射することにより膜表面の平坦性を改善の見られた
。また加速酸素イオンの発生源として別に酸素イオンガ
ンを真空チャンバー内に設置することによっても同様の
平坦性の改善効果がみられた。
ｔｏｒｒ必要である。また真空チャンバー内にＲＦを
導入することにより、ＲＦコイル内でスパッタ粒子が活
性化され同時に酸素プラズマが発生する。この環境での
上記同様の成膜をおこなうことにより膜の超伝導臨界温
度の向上が確認され、さらにＲＦプラズマにバイアス電
位をかけて酸素イオンを１０ｖ〜８０ｖに加速して基板
に照射することにより膜表面の平坦性を改善の見られた
。また加速酸素イオンの発生源として別に酸素イオンガ
ンを真空チャンバー内に設置することによっても同様の
平坦性の改善効果がみられた。
次にＢｉをｐｂで置換した前記ターゲットを用いてエピ
タキシャル膜を作製した。成膜中の酸素ガス分圧はｌＸ
ｌ０ Ｔｏｒｒと固定しである。ａ ＝ ０．１程度
まで超伝導特性は改善される（Ｔｃが５〜１５にの上昇
した）が、これ以上では膜中に異相が発生することによ
り単結晶膜としての品質が落ちるのであまり実用的でな
くなる。
タキシャル膜を作製した。成膜中の酸素ガス分圧はｌＸ
ｌ０ Ｔｏｒｒと固定しである。ａ ＝ ０．１程度
まで超伝導特性は改善される（Ｔｃが５〜１５にの上昇
した）が、これ以上では膜中に異相が発生することによ
り単結晶膜としての品質が落ちるのであまり実用的でな
くなる。
以上は酸化マグネシウム（ＭｇＯ）単結晶基板上に合成
されたエピタキシャル膜について述べたが、チタン酸ス
トロンチウム（ＳｒＴｉＯ３）単結晶、イツトリウム安
定化ジルコニア（ｙｓｚ）単結晶、ジルコニア（Ｚｒ０
２）単結晶いずれの基板上にも同様に合成することがで
きた。
されたエピタキシャル膜について述べたが、チタン酸ス
トロンチウム（ＳｒＴｉＯ３）単結晶、イツトリウム安
定化ジルコニア（ｙｓｚ）単結晶、ジルコニア（Ｚｒ０
２）単結晶いずれの基板上にも同様に合成することがで
きた。
（発明の効果）
以上のように本発明を適応することにより、１０７にで
の超伝導を示し、かつ単一相のエピタキシャル膜が低温
で容易に合成され、デバイス等への応用上非常に有効で
ある。
の超伝導を示し、かつ単一相のエピタキシャル膜が低温
で容易に合成され、デバイス等への応用上非常に有効で
ある。
第１図は、本発明を実施したデュアルイオン系によるイ
オンビームスパッタ装置の構造概略図である。第２図は
Ｘ線回折図である。 図において、１．２はイオン源、３はＢｉ２Ｏ３ターゲ
ット、４はＢ１−８ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０酸化物ターゲツ
ト、５は天板１．６，７はシャッター、８は基板ホルダ
ー、９はヒーター、１０はゲートバルブ、１１は真空排
気ポンプ、１２は真空チャンバー、１３は反射高エネル
ギー電子線回折（ＲＨＥＥＤ）用電子銃、１４はＲＨＥ
ＥＤスクリーン、１５は水晶振動子膜厚モニタである。
オンビームスパッタ装置の構造概略図である。第２図は
Ｘ線回折図である。 図において、１．２はイオン源、３はＢｉ２Ｏ３ターゲ
ット、４はＢ１−８ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０酸化物ターゲツ
ト、５は天板１．６，７はシャッター、８は基板ホルダ
ー、９はヒーター、１０はゲートバルブ、１１は真空排
気ポンプ、１２は真空チャンバー、１３は反射高エネル
ギー電子線回折（ＲＨＥＥＤ）用電子銃、１４はＲＨＥ
ＥＤスクリーン、１５は水晶振動子膜厚モニタである。
Claims (3)
- （１）ターゲット組成酸化物として Ｂｉ＿ｗ・Ｓｒ＿ｘ・Ｃａ＿ｙ・Ｃｕ＿ｚ・Ｏ＿ｖ（た
だし１≦ｗ≦５、１≦ｘ≦５、１≦ｙ≦５、１≦ｚ≦５
、０＜ｖ）のターゲットをもちいてイオンビームスパッ
タ法により、成長させることを特徴とした酸化物超伝導
薄膜の製造方法。 - （２）ターゲットとして（Ｂｉ＿１＿−＿ａＰｂａ）＿
ｗ・Ｓｒ＿ｘ・Ｃａ＿ｙ・Ｃｕ＿ｚ・Ｏ＿ｖ（ただし０
＜ａ≦０．１、１＜ｗ＜５、１＜ｘ＜５、１＜ｙ＜５、
１＜ｚ＜５、０＜ｖ）の組成を用いることを特徴とした
特許請求の範囲第１項記載の酸化物超伝導薄膜の製造方
法。 - （３）成膜プロセス中に真空中容器内に高周波（ＲＦ）
を導入することを特徴とした特許請求の範囲第１項又は
第２項記載の酸化物超伝導薄膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63272208A JPH02120230A (ja) | 1988-10-27 | 1988-10-27 | 酸化物超伝導薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63272208A JPH02120230A (ja) | 1988-10-27 | 1988-10-27 | 酸化物超伝導薄膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02120230A true JPH02120230A (ja) | 1990-05-08 |
Family
ID=17510614
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63272208A Pending JPH02120230A (ja) | 1988-10-27 | 1988-10-27 | 酸化物超伝導薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02120230A (ja) |
-
1988
- 1988-10-27 JP JP63272208A patent/JPH02120230A/ja active Pending
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