JPH0244029A - 酸化物超伝導薄膜の製造方法 - Google Patents
酸化物超伝導薄膜の製造方法Info
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- JPH0244029A JPH0244029A JP63191499A JP19149988A JPH0244029A JP H0244029 A JPH0244029 A JP H0244029A JP 63191499 A JP63191499 A JP 63191499A JP 19149988 A JP19149988 A JP 19149988A JP H0244029 A JPH0244029 A JP H0244029A
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- JP
- Japan
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- thin film
- film
- superconducting
- oxide
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、酸化物超伝導薄膜に関するものである。
（従来技術）
超伝導性薄膜はジョセフソン接合を形成する事でジョセ
フソン素子や量子磁気干渉計を製造するためには欠かせ
ない物で従来、様々な種類の薄膜が作られた。当初鉛な
どを用いたジョセフソン素子では単純なスパッタリング
、もしくは真空蒸着法により製造された。鉛系薄膜は冷
却剤として液体ヘリウムを用いるがこの沸点、４．２Ｋ
に対し、薄膜の臨界温度が７．２にと温度マージンが小
さい事、接合のばらつきが多く安定な動作が得られない
などの欠点があった。このため鉛よりも高い超伝導臨界
温度を持つニオブ（Ｎｂ）系薄膜か用いられるようにな
った。ニオブ薄膜もしくは窒化ニオブ薄膜はそれぞれ９
．２３に、 １５．７にの超伝導臨界温度を持つ。この
ニオブ又は窒化ニオブ薄膜は超高真空蒸着又はニオブタ
ーゲットに対するアルゴンと窒素ガスによる反応性スパ
ッタリングなどによって良質膜が得られた。以上はすべ
て冷却剤として液体Ｈｅを用いなければならない超伝導
薄膜であったが１９８７年２月米国ヒユーストン大学の
ボール・チュウ等により発見されたＹ−Ｂａ−Ｃｕ系の
酸化物超伝導体は超伝導転移温度９３Ｋを持ち、液体窒
素を冷却剤として超伝導が実現された物質として大いに
注目された。
フソン素子や量子磁気干渉計を製造するためには欠かせ
ない物で従来、様々な種類の薄膜が作られた。当初鉛な
どを用いたジョセフソン素子では単純なスパッタリング
、もしくは真空蒸着法により製造された。鉛系薄膜は冷
却剤として液体ヘリウムを用いるがこの沸点、４．２Ｋ
に対し、薄膜の臨界温度が７．２にと温度マージンが小
さい事、接合のばらつきが多く安定な動作が得られない
などの欠点があった。このため鉛よりも高い超伝導臨界
温度を持つニオブ（Ｎｂ）系薄膜か用いられるようにな
った。ニオブ薄膜もしくは窒化ニオブ薄膜はそれぞれ９
．２３に、 １５．７にの超伝導臨界温度を持つ。この
ニオブ又は窒化ニオブ薄膜は超高真空蒸着又はニオブタ
ーゲットに対するアルゴンと窒素ガスによる反応性スパ
ッタリングなどによって良質膜が得られた。以上はすべ
て冷却剤として液体Ｈｅを用いなければならない超伝導
薄膜であったが１９８７年２月米国ヒユーストン大学の
ボール・チュウ等により発見されたＹ−Ｂａ−Ｃｕ系の
酸化物超伝導体は超伝導転移温度９３Ｋを持ち、液体窒
素を冷却剤として超伝導が実現された物質として大いに
注目された。
さらに１９８８年１月通産省金属材料技術研究所前田等
により発見されたＢ１−８ｒ−Ｃｕ−Ｃｕ系酸化物超伝
導体は１１０Ｋを示す超伝導相を含み、薄膜デバイス等
への応用がさらに現実的なものとなってきた。
により発見されたＢ１−８ｒ−Ｃｕ−Ｃｕ系酸化物超伝
導体は１１０Ｋを示す超伝導相を含み、薄膜デバイス等
への応用がさらに現実的なものとなってきた。
しかし、バルクの焼結体を高温の熱平衡で作製する方法
では、単一の１１０に超伝導相を得る事がきわめて困難
であり、等２の８０に超伝導相の混入がさ′けられなか
った。このＢｉ系酸化物超伝導体は、Ｙ系酸化物超伝導
体に比べ、酸素欠損による構造変化がない事、また水分
等などの雰囲気に対して安定であるなどの特性を持ちデ
バイス応用上極めて有望である。このＢｉ系超伝導薄膜
の製造例としては、ジャパニーズ・ジャーナル・オプ・
アプライド・フィジックス（ＪＪＡＰ ２７ Ｎｏ、
４（１９８８） Ｌ６４３〜６４５）に高周波マグネト
ロンスパッタを用いた方法が述べられている。
では、単一の１１０に超伝導相を得る事がきわめて困難
であり、等２の８０に超伝導相の混入がさ′けられなか
った。このＢｉ系酸化物超伝導体は、Ｙ系酸化物超伝導
体に比べ、酸素欠損による構造変化がない事、また水分
等などの雰囲気に対して安定であるなどの特性を持ちデ
バイス応用上極めて有望である。このＢｉ系超伝導薄膜
の製造例としては、ジャパニーズ・ジャーナル・オプ・
アプライド・フィジックス（ＪＪＡＰ ２７ Ｎｏ、
４（１９８８） Ｌ６４３〜６４５）に高周波マグネト
ロンスパッタを用いた方法が述べられている。
この装置は第２図に示すように単一のＢ１−８ｒ−Ｃａ
−Ｃｕ−０の化合物セラミックスターゲット１６を用い
、これをスパッタし、基板温度２００〜６００°Ｃ程度
の酸化マグネシウム基板に成膜する方法である。８は基
板ホルダー、１０はゲートバルブ、１１はポンプ、１２
は真空チャンバーである。基板温度２００°Ｃ程度の低
温基板を用いた場合、成膜直後の膜はアモルファス状で
あり半導体的電気特性の膜である。この膜を８９０°Ｃ
程度の高温酸素雰囲気中でアニールする事に・より、８
０に程度の超伝導特性を示す薄膜が得られるが１１０に
の超伝導転移温度を示す結晶構造は得られない。また６
００°Ｃ程度の高温基板を用いた場合には、成膜直後で
も８０に程度で超伝導を示す膜が得られ、さらにこれを
８９０°Ｃ程度の高温酸素雰囲気中でアニールする事で
、部分的に１１０に超伝導相が得られるものの最終的な
零抵抗はやはり８０に程度になってしまう。これはＢｉ
、 Ｓｒ、 Ｃａ、 Ｃｕ、 Ｏの各原子が規則的に層
状構造を形成している１１０にの超伝導結晶構造へ５種
類の原子がアモルファス状に混じった状態から熱平衡的
に移行する事が非常に困難である事を示している。また
、たとえ、１１０に超伝導相が出現しても、８０に超伝
導相との混存した薄膜となってしまい、その膜の超伝導
臨界電流が上がらない。
−Ｃｕ−０の化合物セラミックスターゲット１６を用い
、これをスパッタし、基板温度２００〜６００°Ｃ程度
の酸化マグネシウム基板に成膜する方法である。８は基
板ホルダー、１０はゲートバルブ、１１はポンプ、１２
は真空チャンバーである。基板温度２００°Ｃ程度の低
温基板を用いた場合、成膜直後の膜はアモルファス状で
あり半導体的電気特性の膜である。この膜を８９０°Ｃ
程度の高温酸素雰囲気中でアニールする事に・より、８
０に程度の超伝導特性を示す薄膜が得られるが１１０に
の超伝導転移温度を示す結晶構造は得られない。また６
００°Ｃ程度の高温基板を用いた場合には、成膜直後で
も８０に程度で超伝導を示す膜が得られ、さらにこれを
８９０°Ｃ程度の高温酸素雰囲気中でアニールする事で
、部分的に１１０に超伝導相が得られるものの最終的な
零抵抗はやはり８０に程度になってしまう。これはＢｉ
、 Ｓｒ、 Ｃａ、 Ｃｕ、 Ｏの各原子が規則的に層
状構造を形成している１１０にの超伝導結晶構造へ５種
類の原子がアモルファス状に混じった状態から熱平衡的
に移行する事が非常に困難である事を示している。また
、たとえ、１１０に超伝導相が出現しても、８０に超伝
導相との混存した薄膜となってしまい、その膜の超伝導
臨界電流が上がらない。
また膜中の各グレインで超伝導特性が異なるために膜に
微細加工を施しジョセフソンジャンクション等の超伝導
デバイスを形成した際に、デバイス特性の不均質を生じ
るなどの問題がある。さらに、熱処理温度が９００°Ｃ
程度と非常に高く工業生産プロセス上大きな障害となる
。
微細加工を施しジョセフソンジャンクション等の超伝導
デバイスを形成した際に、デバイス特性の不均質を生じ
るなどの問題がある。さらに、熱処理温度が９００°Ｃ
程度と非常に高く工業生産プロセス上大きな障害となる
。
（発明が解決しようとする問題点）
単一ターゲットのスパッタもしくは、共蒸着等のにより
、アモルファス又は、不完全結晶相を高温アニールする
事により、Ｂｉ系超伝導性膜を得る方法では、必然的に
１１０に相と８０に相の混合相が形成される。またこの
熱処理温度は８８０〜９００°Ｃ程度の高温処理が必要
で、デバイス作製プロセス上好ましくない。さらに、熱
処理後の膜はおおむねＣ軸配向膜となるが、その面内方
位はランダムである。
、アモルファス又は、不完全結晶相を高温アニールする
事により、Ｂｉ系超伝導性膜を得る方法では、必然的に
１１０に相と８０に相の混合相が形成される。またこの
熱処理温度は８８０〜９００°Ｃ程度の高温処理が必要
で、デバイス作製プロセス上好ましくない。さらに、熱
処理後の膜はおおむねＣ軸配向膜となるが、その面内方
位はランダムである。
本発明の目的は、１１０に単一相かつＣ軸配向でエピタ
キシャル成長した、Ｂ１−８ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０系酸化
物超伝導膜を従来法よりも低温でかつ容易に製造する方
法を提供することにある。
キシャル成長した、Ｂ１−８ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０系酸化
物超伝導膜を従来法よりも低温でかつ容易に製造する方
法を提供することにある。
（問題を解決するための手段）
本発明は、酸化ビスマス（Ｂｉ２０３）とストロンチウ
ム・カルシウム・銅酸化物（Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏｘ）
を蒸着源として、酸化マグネシウム基板上にＢｉ２０３
（たとえば４人）、とＳｒ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏｘ（１４人
）のアモルファスの多層周期構造を作製し、後にこの膜
をアニールする事により、超伝導転移温度１１０にの単
一相酸化物超伝導薄膜を得る酸化物超伝導薄膜の製造方
法であり、さらに酸化マグネシウム基板上に第一層とし
て岩塩型結晶構造の酸化ビスマスエピタキシャル層を形
成し、この後前記周期構造を形成し、最終熱処理後にａ
、 ｂ、 ｃ軸のそろったエピタキシャル酸化物超伝導
薄膜を製造する方法である。従来単一ターゲットのスパ
ッタリングもししくは共蒸着で行なわれてきたＢ１−８
ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０酸化物超伝導膜では、その超伝導相
が１８人の周期構造を持ち、融点が約９００°Ｃ１１１
０に超伝導相が約８９０°Ｃで形成され、８０に超伝導
相は８４０°Ｃ程度で形成される。このため通常のセラ
ミックス焼成時には８０に超伝導相が先に形成され、融
点ぎりぎりの温度で１１０に超伝導相とが競合して成長
する。本発明においては、薄膜の成長を単原子層のオー
ダーで制御し、最初から１１０に超伝導相と同じ周期の
アキルファス周期構造を膜に持たせる事により、熱処理
過程における８０に相と１１０に相の競合をさけ、単一
相の１１０に相超伝導薄膜を得、また同時に結晶構造形
成に要する原子移動距離を少なくする事で、その必要熱
処理温度を下げている。
ム・カルシウム・銅酸化物（Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏｘ）
を蒸着源として、酸化マグネシウム基板上にＢｉ２０３
（たとえば４人）、とＳｒ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏｘ（１４人
）のアモルファスの多層周期構造を作製し、後にこの膜
をアニールする事により、超伝導転移温度１１０にの単
一相酸化物超伝導薄膜を得る酸化物超伝導薄膜の製造方
法であり、さらに酸化マグネシウム基板上に第一層とし
て岩塩型結晶構造の酸化ビスマスエピタキシャル層を形
成し、この後前記周期構造を形成し、最終熱処理後にａ
、 ｂ、 ｃ軸のそろったエピタキシャル酸化物超伝導
薄膜を製造する方法である。従来単一ターゲットのスパ
ッタリングもししくは共蒸着で行なわれてきたＢ１−８
ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０酸化物超伝導膜では、その超伝導相
が１８人の周期構造を持ち、融点が約９００°Ｃ１１１
０に超伝導相が約８９０°Ｃで形成され、８０に超伝導
相は８４０°Ｃ程度で形成される。このため通常のセラ
ミックス焼成時には８０に超伝導相が先に形成され、融
点ぎりぎりの温度で１１０に超伝導相とが競合して成長
する。本発明においては、薄膜の成長を単原子層のオー
ダーで制御し、最初から１１０に超伝導相と同じ周期の
アキルファス周期構造を膜に持たせる事により、熱処理
過程における８０に相と１１０に相の競合をさけ、単一
相の１１０に相超伝導薄膜を得、また同時に結晶構造形
成に要する原子移動距離を少なくする事で、その必要熱
処理温度を下げている。
さらに酸化マグネシウム基板上にバッファー層としてＢ
ｉ２Ｏ３をヘテロエピタキシャル成長させておく事によ
り、基板上に形成された（Ｂｉ−０）／（Ｓｒ−Ｃａ−
Ｃｕ−０）のアモルファス多層膜は熱処理過程において
エピタキシャル単結晶薄膜とすることができる。
ｉ２Ｏ３をヘテロエピタキシャル成長させておく事によ
り、基板上に形成された（Ｂｉ−０）／（Ｓｒ−Ｃａ−
Ｃｕ−０）のアモルファス多層膜は熱処理過程において
エピタキシャル単結晶薄膜とすることができる。
（実施例）
この多層周期構造薄膜を製造するために用いたデュアル
のイオンビームスパッタ装置を第１図に示す。真空チャ
ンバー１２は２基のカウフマン型イオン源１，２を装備
し、それぞれＢｉ２Ｏ３ターゲット３．Ｓｒ−Ｃａ−Ｃ
ｕ−０（組成比２：２：３）ターゲット４をスパッタす
る。スパッタされた粒子３’、 ４’は天板５で発散視
野が制限され、さらに真空チャンバー外部から駆動され
るシャッター６．７及び水晶振動子膜厚計１５により膜
厚をモニターしながらシャッターの交互開閉により、多
層周期構造が形成される。９はヒータ、１３は電子銃、
１４はスクリーンである。この時、チャンバー内の真空
度は４Ｘ１０−’ｔｏｒｒ、基板付近は酸化促進のため
に、酸素ガスを吹き付は局部的に２Ｘ１０＝ｔｏｒｒの
酸素分圧した。基板温度は２００°Ｃとし、基板面内の
膜厚分布を極力さけるように６０ｒｐｐｍの回転を与え
ている。チャンバー内はニュートラライザでイオン源か
らでるＡｒ＋を中和している。イオン源１の出力を１．
０００Ｖ ７０ｍＡとした時にＢｉ２Ｏ３の成膜速度は
０．５１／ｓｅｅであり、イオン源２の出力を１００Ｏ
Ｖ １２０ｍＡとした時のＳｒ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏｘの成
膜速度はＬＡ／ｓｅｃであった。
のイオンビームスパッタ装置を第１図に示す。真空チャ
ンバー１２は２基のカウフマン型イオン源１，２を装備
し、それぞれＢｉ２Ｏ３ターゲット３．Ｓｒ−Ｃａ−Ｃ
ｕ−０（組成比２：２：３）ターゲット４をスパッタす
る。スパッタされた粒子３’、 ４’は天板５で発散視
野が制限され、さらに真空チャンバー外部から駆動され
るシャッター６．７及び水晶振動子膜厚計１５により膜
厚をモニターしながらシャッターの交互開閉により、多
層周期構造が形成される。９はヒータ、１３は電子銃、
１４はスクリーンである。この時、チャンバー内の真空
度は４Ｘ１０−’ｔｏｒｒ、基板付近は酸化促進のため
に、酸素ガスを吹き付は局部的に２Ｘ１０＝ｔｏｒｒの
酸素分圧した。基板温度は２００°Ｃとし、基板面内の
膜厚分布を極力さけるように６０ｒｐｐｍの回転を与え
ている。チャンバー内はニュートラライザでイオン源か
らでるＡｒ＋を中和している。イオン源１の出力を１．
０００Ｖ ７０ｍＡとした時にＢｉ２Ｏ３の成膜速度は
０．５１／ｓｅｅであり、イオン源２の出力を１００Ｏ
Ｖ １２０ｍＡとした時のＳｒ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏｘの成
膜速度はＬＡ／ｓｅｃであった。
以上の条件で、Ｂｉ層から順に（Ｂｉ２０３）層４人（
Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０）層１４人を総計２００周期を酸
化マグネシウム（１００）面上に成膜した。第３図にこ
の成膜直後のＸ線回折パタンを示す。膜はＸ線回折で低
角側に２次程度までの長周期による反射が見られ、（Ｂ
ｉ−０）と（Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０）層による周期長約
１８人の多層周期構造が作られている事が分かる。また
Ｘ線中角回折領域にはハローパターンが観測されること
から膜はアモルファスの多層周期構造膜である。このア
モルファス多層周期構造膜を酸素雰囲気中で８００°Ｃ
の熱処理を１時間行うことにより超伝導転移温度（零抵
抗）１０７Ｋを示す薄膜が得られた。熱処理後の膜のＸ
線回折パターンを第４図に示す。Ｘ線回折パターンは３
７人を基本周期とするＣ軸配向を示し、各ピークは（０
，Ｏｎ）で指数付けされ、他の異相は認められない事か
ら単一相の超伝導薄膜となっている事が分かる。同時に
従来法でｂｕｌｋセラミックスの合成と同じ８９０°Ｃ
の熱処理が必要であったのに対し、８００°Ｃの熱処理
で１１０に超伝導薄膜が合成された。
Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０）層１４人を総計２００周期を酸
化マグネシウム（１００）面上に成膜した。第３図にこ
の成膜直後のＸ線回折パタンを示す。膜はＸ線回折で低
角側に２次程度までの長周期による反射が見られ、（Ｂ
ｉ−０）と（Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０）層による周期長約
１８人の多層周期構造が作られている事が分かる。また
Ｘ線中角回折領域にはハローパターンが観測されること
から膜はアモルファスの多層周期構造膜である。このア
モルファス多層周期構造膜を酸素雰囲気中で８００°Ｃ
の熱処理を１時間行うことにより超伝導転移温度（零抵
抗）１０７Ｋを示す薄膜が得られた。熱処理後の膜のＸ
線回折パターンを第４図に示す。Ｘ線回折パターンは３
７人を基本周期とするＣ軸配向を示し、各ピークは（０
，Ｏｎ）で指数付けされ、他の異相は認められない事か
ら単一相の超伝導薄膜となっている事が分かる。同時に
従来法でｂｕｌｋセラミックスの合成と同じ８９０°Ｃ
の熱処理が必要であったのに対し、８００°Ｃの熱処理
で１１０に超伝導薄膜が合成された。
次に、酸化マグネシウム基板上にバッファー層として酸
化ビスマスをヘテロエピタキシャル成長させておく。本
実施例では基板温度を４５０°Ｃとし、基板付近の酸素
ガス分圧を２ Ｘ １Ｏ−２ｔｏｒｒとし、５００Ａ成
長される。この場合γ型立方晶酸化ビスマスが、マネシ
ア基板の方位と一致して成長する。この後基板温度を下
げ前述の例に従い、アモルファス多層周期構造膜を成膜
し、熱処理を加える事で、エピタキシャル成長したＢ１
−８ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０系１１０に超伝導薄膜か得られ
た。
化ビスマスをヘテロエピタキシャル成長させておく。本
実施例では基板温度を４５０°Ｃとし、基板付近の酸素
ガス分圧を２ Ｘ １Ｏ−２ｔｏｒｒとし、５００Ａ成
長される。この場合γ型立方晶酸化ビスマスが、マネシ
ア基板の方位と一致して成長する。この後基板温度を下
げ前述の例に従い、アモルファス多層周期構造膜を成膜
し、熱処理を加える事で、エピタキシャル成長したＢ１
−８ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０系１１０に超伝導薄膜か得られ
た。
（発明の効果）
以上のように本発明を適応する事により１１０にで超伝
導を示しかつ単一相からなるエピタキシャル膜が容易に
得られ実用上非常に有効である。
導を示しかつ単一相からなるエピタキシャル膜が容易に
得られ実用上非常に有効である。
第１図は本発明を実施した、デュアルイオン源によるイ
オンビームスパッタ装置の構造概略図である。第２図は
従来用いられている高周波マグネトロンスパッタ装置で
ある。第３．４図はＸ線回折パターンを示す図である。 図において、 １，２・・・イオン源、３・・・Ｂｉ２Ｏ３ターゲット
、４・・・Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ酸化物ターゲット、５・・
・天板、６，７・・・シャッター、８・・・基板ホルダ
ー、９・・・ヒーター、１０・・・ゲートバルブ、１１
・・・真空排気ポンプ、１２・・・真空チャンバー、１
３１００反射高エネルギー電子線回折用電子銃、１４・
・・スクリーン、１５・・・水晶振動子膜厚モニタ、１
６−Ｂｉ−８ｒ−Ｃａ−Ｃｕ酸化物ターゲット。
オンビームスパッタ装置の構造概略図である。第２図は
従来用いられている高周波マグネトロンスパッタ装置で
ある。第３．４図はＸ線回折パターンを示す図である。 図において、 １，２・・・イオン源、３・・・Ｂｉ２Ｏ３ターゲット
、４・・・Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ酸化物ターゲット、５・・
・天板、６，７・・・シャッター、８・・・基板ホルダ
ー、９・・・ヒーター、１０・・・ゲートバルブ、１１
・・・真空排気ポンプ、１２・・・真空チャンバー、１
３１００反射高エネルギー電子線回折用電子銃、１４・
・・スクリーン、１５・・・水晶振動子膜厚モニタ、１
６−Ｂｉ−８ｒ−Ｃａ−Ｃｕ酸化物ターゲット。
Claims (2)
- （１）酸化ビスマス（Ｂｉ＿２Ｏ＿３）とストロンチウ
ム・カルシウム・銅酸化物（Ｓｒ＿２Ｃａ＿２Ｃｕ＿３
Ｏ＿ｘ）をターゲットとして基板上にアモルファスのＢ
ｉ＿２Ｏ＿３とＳｒ＿２Ｃａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿ｘによる
多層周期構造を作製し、後にこの膜を熱処理する事によ
り単一相酸化物超伝導薄膜を得ることを特徴とする酸化
物超伝導薄膜の製造方法。 - （２）酸化マグネシウム基板上に第一層としてγ相立方
晶のＢｉ酸化物エピタキシャル層を形成し、この上にア
モルファスのＳｒ＿２Ｃａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿ｘとＢｉ＿
２Ｏ＿３の多層周期構造を作製し、熱処理することによ
り、エピタキシャル酸化物超伝導薄膜を得ることを特徴
とする酸化物超伝導薄膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63191499A JPH0244029A (ja) | 1988-07-29 | 1988-07-29 | 酸化物超伝導薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63191499A JPH0244029A (ja) | 1988-07-29 | 1988-07-29 | 酸化物超伝導薄膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0244029A true JPH0244029A (ja) | 1990-02-14 |
Family
ID=16275667
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63191499A Pending JPH0244029A (ja) | 1988-07-29 | 1988-07-29 | 酸化物超伝導薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0244029A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02149401A (ja) * | 1988-11-29 | 1990-06-08 | Fujitsu Ltd | 超伝導膜の製造方法 |
| JP2010507506A (ja) * | 2006-11-03 | 2010-03-11 | ザ プロクター アンド ギャンブル カンパニー | 水への浸漬前に溶解耐性を有する水溶性基材 |
-
1988
- 1988-07-29 JP JP63191499A patent/JPH0244029A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02149401A (ja) * | 1988-11-29 | 1990-06-08 | Fujitsu Ltd | 超伝導膜の製造方法 |
| JP2010507506A (ja) * | 2006-11-03 | 2010-03-11 | ザ プロクター アンド ギャンブル カンパニー | 水への浸漬前に溶解耐性を有する水溶性基材 |
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