JPH0212261A - 電子写真感光体の製造方法 - Google Patents
電子写真感光体の製造方法Info
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- JPH0212261A JPH0212261A JP63164480A JP16448088A JPH0212261A JP H0212261 A JPH0212261 A JP H0212261A JP 63164480 A JP63164480 A JP 63164480A JP 16448088 A JP16448088 A JP 16448088A JP H0212261 A JPH0212261 A JP H0212261A
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- photoconductive layer
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
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- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/08235—Silicon-based comprising three or four silicon-based layers
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- G03G5/08214—Silicon-based
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａ）産業上の利用分野
この発明は、電子写真方式の画像形成装置に用いられる
電子写真感光体に関し、特に半導体レーザを光源とする
レーザプリンタの感光体に関する（ｂ）従来の技術 近年、電子写真方式を用いた画像形成装置には半導体レ
ーザを光源として用いるものが出現している。現在実用
化されている半導体レーザにおいて安定した高出力が得
られる最長発振波長は７８０〜８３０ｎｍである。とこ
ろが、−ｉ的な画像形成装置に用いられている感光体や
、Ｇｅを含まないアモルファスシリコンを光導電層とし
て用いた感光体では長波長域の感度が低いという問題が
あり、そのため長波長域の感度が高いＧｅを含むアモル
ファスシリコン（以下、ａ−ＳｉＧｅという。）を光導
電層として用いた感光体の実用化が期待されているａ
−５ｉＧｅには、 ■ 長寿命である。
電子写真感光体に関し、特に半導体レーザを光源とする
レーザプリンタの感光体に関する（ｂ）従来の技術 近年、電子写真方式を用いた画像形成装置には半導体レ
ーザを光源として用いるものが出現している。現在実用
化されている半導体レーザにおいて安定した高出力が得
られる最長発振波長は７８０〜８３０ｎｍである。とこ
ろが、−ｉ的な画像形成装置に用いられている感光体や
、Ｇｅを含まないアモルファスシリコンを光導電層とし
て用いた感光体では長波長域の感度が低いという問題が
あり、そのため長波長域の感度が高いＧｅを含むアモル
ファスシリコン（以下、ａ−ＳｉＧｅという。）を光導
電層として用いた感光体の実用化が期待されているａ
−５ｉＧｅには、 ■ 長寿命である。
■ 人体に対して無害である。
■ 長波長に対して高感度である。
という利点がある。従来ａ−３ｉＧｅを光導電層として
形成（積層）するにはプラズマＣＶＤ法、スバフタ法等
が用いられており、このような方法により形成さる光導
電層中のＨ，ハロゲンの合計含有量（原料ガスによりＨ
またはハロゲンが含有される）は１０〜４０ａｔχが限
度であった。
形成（積層）するにはプラズマＣＶＤ法、スバフタ法等
が用いられており、このような方法により形成さる光導
電層中のＨ，ハロゲンの合計含有量（原料ガスによりＨ
またはハロゲンが含有される）は１０〜４０ａｔχが限
度であった。
（Ｃ）発明が解決しようとする課題
ところが従来のａ−５ｉＧｅを光導電層とした感光体（
以下、ａ−５ｉＧｅ感光体という。）はＧｅを含まない
ものに比べて光学的バンドギャップを小さくして長波長
域の感度を上げることができるものの、暗比抵抗が小さ
くなって帯電保持能力が著しく劣り、また明導電率が低
く充分な光感度を得ることができずカールソン・プロセ
スを用いた感光体として使用するには依然として不充分
なものであった。これは、光導電層中のＨ，ハロゲンの
合計含有量が１０〜４０ ａｔχ程度であったためＨ，
ハロゲンがＧｅ原子に結合せず、Ｇｅ原子自身のダング
リング・ボンドがＧｅの添加とともに増加するためであ
ると考えられる。
以下、ａ−５ｉＧｅ感光体という。）はＧｅを含まない
ものに比べて光学的バンドギャップを小さくして長波長
域の感度を上げることができるものの、暗比抵抗が小さ
くなって帯電保持能力が著しく劣り、また明導電率が低
く充分な光感度を得ることができずカールソン・プロセ
スを用いた感光体として使用するには依然として不充分
なものであった。これは、光導電層中のＨ，ハロゲンの
合計含有量が１０〜４０ ａｔχ程度であったためＨ，
ハロゲンがＧｅ原子に結合せず、Ｇｅ原子自身のダング
リング・ボンドがＧｅの添加とともに増加するためであ
ると考えられる。
この発明は上記問題に鑑み、ａ −３ｉＧｅからなる光
導電層の電気的特性を向上させた電子写真感光体を提供
することを目的とする。
導電層の電気的特性を向上させた電子写真感光体を提供
することを目的とする。
（ｄ１課題を解決するための手段
この発明の電子写真感光体は導電性基体と、Ｓｉ （１
００−Ｘ−Ｙ−Ｚ） Ｇｅｘ Ｈｖ Ｘｚ （ａｔＸ
）（ただしＸ：ハロゲン。
００−Ｘ−Ｙ−Ｚ） Ｇｅｘ Ｈｖ Ｘｚ （ａｔＸ
）（ただしＸ：ハロゲン。
ｏ ＜、 ＜１００ 、 ０≦Ｙ、Ｚ ＜１００ 。
４０≦、＋２≦６５）
のアモルファス光導電層とから構成されているこを特徴
としている。
としている。
またアモルファス光導電層のＳｉに対するＧｅの含有量
を５．３〜１５０ａｔχにすればさらに望ましい。
を５．３〜１５０ａｔχにすればさらに望ましい。
（ｅ）作用
本発明者等の実験によれば、ａ −５ｉＧｅ光導電層中
に含まれるＨ、ハロゲンの合計含有量がほぼ４０ａｔ％
以上であれば暗比抵抗が１０１１０ｃｍ以上となり、電
荷保持率を向上させることができた。またＨ、ハロゲン
の合計含有量がほぼ６５ａｔχを越えると光学的バンド
ギャップが上昇し、Ｇｅ添加による光学的バンドギャッ
プ減少効果を打ち消して長波長域感度が低下してレーザ
半導体用の感光体としては不十分なものとなった。
に含まれるＨ、ハロゲンの合計含有量がほぼ４０ａｔ％
以上であれば暗比抵抗が１０１１０ｃｍ以上となり、電
荷保持率を向上させることができた。またＨ、ハロゲン
の合計含有量がほぼ６５ａｔχを越えると光学的バンド
ギャップが上昇し、Ｇｅ添加による光学的バンドギャッ
プ減少効果を打ち消して長波長域感度が低下してレーザ
半導体用の感光体としては不十分なものとなった。
また、ａ−５ｉＧｅ光導電層におけるＧｅの添加量がＳ
ｉｌに対して５．３ａｔ％以下であれば、Ｇｅ添加の効
果がみられず光学的バンドギャップが高く長波長域の感
度が悪かった。さらにＧｅ添加量をＳｉ量に対して１５
０ａｔ％以上にすると、暗比抵抗が小さ（なって電荷保
持率が悪くなった。
ｉｌに対して５．３ａｔ％以下であれば、Ｇｅ添加の効
果がみられず光学的バンドギャップが高く長波長域の感
度が悪かった。さらにＧｅ添加量をＳｉ量に対して１５
０ａｔ％以上にすると、暗比抵抗が小さ（なって電荷保
持率が悪くなった。
（ｆｌ実施例
第９図は、電子サイクロトロン共鳴法（以下、ＥＣＲ法
という。）によるａ −５ｉＧｅ層の堆積装置の概略図
である。なおａ −Ｓｉ層を堆積する場合にも同様の装
置が用いられる。
という。）によるａ −５ｉＧｅ層の堆積装置の概略図
である。なおａ −Ｓｉ層を堆積する場合にも同様の装
置が用いられる。
装置はプラズマを発生させるプラズマ室１と、ａ−３＋
Ｇｅ層を堆積させる堆積室２とを有している。プラズマ
室１と堆積室２とはプラズマ引出窓で通じており、図示
しない油拡散ポンプ、油回転ポンプにより真空排気され
る。
Ｇｅ層を堆積させる堆積室２とを有している。プラズマ
室１と堆積室２とはプラズマ引出窓で通じており、図示
しない油拡散ポンプ、油回転ポンプにより真空排気され
る。
プラズマ室ｌは空胴共振器構成でなり、導波管４から２
．４５Ｇｌｌｚのマイクロ波が導入される。なお、マイ
クロ波導入窓５はマイクロ波が通過できる石英ガラス板
でできている。プラズマ室１には１１□ガスが導入され
る。プラズマ室１の周囲には磁気コイル６．７が配置さ
れている。磁気コイル６はプラズマ発生磁界（８７５Ｇ
）を発生させ、磁気コイル７はプラズマ室１で発生した
プラズマを堆積室２に引き出すための発散磁界を形成す
る。
．４５Ｇｌｌｚのマイクロ波が導入される。なお、マイ
クロ波導入窓５はマイクロ波が通過できる石英ガラス板
でできている。プラズマ室１には１１□ガスが導入され
る。プラズマ室１の周囲には磁気コイル６．７が配置さ
れている。磁気コイル６はプラズマ発生磁界（８７５Ｇ
）を発生させ、磁気コイル７はプラズマ室１で発生した
プラズマを堆積室２に引き出すための発散磁界を形成す
る。
堆積室２にはたとえばＡｆ等からなるドラム状の導電性
基体８が装着される。導電性基体８は支持体により回転
可能に支持され、それにより表面上に均一にａ ５ｉ
Ｇｅが堆積される。また、堆積室２にはａ ５ｉＧｅ
の原料ガスが導入される。原料ガスは、Ｈまたはハロゲ
ンを含むＳｉ化合物、Ｈまたはハロゲンを含むＧｅ化合
物等であり、具体的にはＳｉ化合物としてＳｉＨ４，５
ｉｚ１１６．ＳｉＦ４，５ｉＣ１４，５ｉｔ（ＣＩ、。
基体８が装着される。導電性基体８は支持体により回転
可能に支持され、それにより表面上に均一にａ ５ｉ
Ｇｅが堆積される。また、堆積室２にはａ ５ｉＧｅ
の原料ガスが導入される。原料ガスは、Ｈまたはハロゲ
ンを含むＳｉ化合物、Ｈまたはハロゲンを含むＧｅ化合
物等であり、具体的にはＳｉ化合物としてＳｉＨ４，５
ｉｚ１１６．ＳｉＦ４，５ｉＣ１４，５ｉｔ（ＣＩ、。
５ｉＨ２Ｃ１２等、Ｇｅ化合物としてＧｅ１１４＋Ｇｅ
Ｆ４．ＧｅＣ１，、ＧｅＦ４．ＧｅＣＩｚ等があげられ
る。また、正帯電用の光導電層を形成する場合にはＢ化
合物等、負帯電用の光導電層を形成する場合にはＰ化合
物等が原料ガスとして導入され、さらに表面層を形成す
る場合には０１１４等が導入される。
Ｆ４．ＧｅＣ１，、ＧｅＦ４．ＧｅＣＩｚ等があげられ
る。また、正帯電用の光導電層を形成する場合にはＢ化
合物等、負帯電用の光導電層を形成する場合にはＰ化合
物等が原料ガスとして導入され、さらに表面層を形成す
る場合には０１１４等が導入される。
このような構成により導電性基体８上にａ −ＳｉＧｅ
層を形成するには、まず排気系によりプラズマ室１．堆
積室２を排気し、プラズマ室１には１１□ガスを、堆積
室２には原料ガスをそれぞれ導入する。次に、プラズマ
室１にマイクロ波を導入するとともに、磁気コイル６．
７にて磁界を発生させてプラズマを励起する。プラズマ
化されたＨ２および原料ガスは発散磁場により導電性基
体８へ導かれ、ａ ５ｉＧｅが導電性基体８上に堆積
する。導電性基体８は支持体により回転されるため導電
性基体８表面上に均一に堆積される。またプラズマの引
出窓の位置、大きさ等を調整することによりａＳｉＧｅ
層の均一性が向上する。
層を形成するには、まず排気系によりプラズマ室１．堆
積室２を排気し、プラズマ室１には１１□ガスを、堆積
室２には原料ガスをそれぞれ導入する。次に、プラズマ
室１にマイクロ波を導入するとともに、磁気コイル６．
７にて磁界を発生させてプラズマを励起する。プラズマ
化されたＨ２および原料ガスは発散磁場により導電性基
体８へ導かれ、ａ ５ｉＧｅが導電性基体８上に堆積
する。導電性基体８は支持体により回転されるため導電
性基体８表面上に均一に堆積される。またプラズマの引
出窓の位置、大きさ等を調整することによりａＳｉＧｅ
層の均一性が向上する。
このような装置においてａ −３ｉＧｅ層を形成する場
合、原料ガスの圧力の設定によりａ −３ｉＧｅ層中の
Ｈ，ハロゲンの含有量を調整することができる第１図は
ａ−ＳｉＧｅ層中のＨ含有量と、ガス圧との関係を表し
た図であり、用いた原料ガスおよびその他の実験条件は
以下のとおりである。
合、原料ガスの圧力の設定によりａ −３ｉＧｅ層中の
Ｈ，ハロゲンの含有量を調整することができる第１図は
ａ−ＳｉＧｅ層中のＨ含有量と、ガス圧との関係を表し
た図であり、用いた原料ガスおよびその他の実験条件は
以下のとおりである。
マイクロ波出力 ： ２．５ｋｗ
原料ガス ： ５ｉｌ１４．Ｇｅ１１４ガス流ＦＪ
： ＳｉＨ，＋ＧｅＨ４”１２０（ｓｃｃｍ）Ｓｉｆｔ
４／ （Ｓｉｌｌ＜ 十ＧＯＩＩ４） ＝０．８８ガ
ス圧 ：２．５〜５．Ｏｍｔｏｒｒ基体加熱 ：施さ
ず 上記の範囲でガス圧を振って、形成されたａ −５ｉＧ
ｅ光導電層の１１含有量が第１図に示されており、図か
ら分かるように、はぼ３．５ｍｔｏｒｒ以下であれば１
］含有量は４０ ａｔ％以上、それを越えると著しく低
くなって２５８ｔＸ以下となる。このようにして形成さ
れたａ−３ｉＧｅ層の暗比抵抗、半導体レーザ（８３０
Ωｍ）を光源とした場合の明導電率（ημτ）をそれぞ
れ第２図、第３図に示した。図から分かるように、ガス
圧をほぼ３．５ｍｔｏｒｒ以下に選ぶ、すなわち層中の
Ｈｆｌを４０ａ Ｌ２以上とすることによって始めて暗
比抵抗が１０１Ωｃｍ以上となり、かつ明導電率が１０
−６以上と半導体レーザを光源とする電子写真感光体の
光導電層にとって好ましい特性を得たなおａ −５ｉＧ
ｅ層中のＨ含有量がほぼ６５ ａｔＸを越えると光学的
バンドギャップが上昇し、Ｇｅ添加による長波長感度特
性を打ち消してしまう。そのため、Ｈ含有量は４０〜６
５ ａｔ！程度が好ましく、最も好ましくは４０〜５５
ａｔＺ程度であった。
： ＳｉＨ，＋ＧｅＨ４”１２０（ｓｃｃｍ）Ｓｉｆｔ
４／ （Ｓｉｌｌ＜ 十ＧＯＩＩ４） ＝０．８８ガ
ス圧 ：２．５〜５．Ｏｍｔｏｒｒ基体加熱 ：施さ
ず 上記の範囲でガス圧を振って、形成されたａ −５ｉＧ
ｅ光導電層の１１含有量が第１図に示されており、図か
ら分かるように、はぼ３．５ｍｔｏｒｒ以下であれば１
］含有量は４０ ａｔ％以上、それを越えると著しく低
くなって２５８ｔＸ以下となる。このようにして形成さ
れたａ−３ｉＧｅ層の暗比抵抗、半導体レーザ（８３０
Ωｍ）を光源とした場合の明導電率（ημτ）をそれぞ
れ第２図、第３図に示した。図から分かるように、ガス
圧をほぼ３．５ｍｔｏｒｒ以下に選ぶ、すなわち層中の
Ｈｆｌを４０ａ Ｌ２以上とすることによって始めて暗
比抵抗が１０１Ωｃｍ以上となり、かつ明導電率が１０
−６以上と半導体レーザを光源とする電子写真感光体の
光導電層にとって好ましい特性を得たなおａ −５ｉＧ
ｅ層中のＨ含有量がほぼ６５ ａｔＸを越えると光学的
バンドギャップが上昇し、Ｇｅ添加による長波長感度特
性を打ち消してしまう。そのため、Ｈ含有量は４０〜６
５ ａｔ！程度が好ましく、最も好ましくは４０〜５５
ａｔＺ程度であった。
次に、ａ −５ｉＧｅ層中のＳｉとＧｅとの比率につい
て述べる。ａ −３ｉＧｅ層中のＨ含有量が４３〜４８
ａｔＸとなるようにガス圧（はぼ２．５〜３，５ｍｔ
ｏｒｒ）を規制し、Ｓｉ系の原料ガスとＧｅ系の原料ガ
スとの比率を変化させてａ ５ｉＧｅ層を形成し、層
中のＳｉ：Ｇｃの比率とａ ５ｉＧｅの特性との関係
を調べた。その結果、Ｓｉに対しＧｅがほぼ５．３ａｔ
％以下では、Ｇｅ添加による光学的バンドギャップの減
少がほとんどみられず、長波長域の感度が悪く半導体レ
ーザ用感光体の光導電層としては不十分であった。また
、Ｓｉに対しＧｅ量がほぼ１５０ａｔ％以上になると光
学的バンドギャップは減少するが、暗比抵抗が小さくな
り過ぎて電荷保持能力が低下し、電子写真感光体の光導
電層には適さないことが分かった。すなわちａ −５ｉ
Ｇｅ層中のＧｅ量は５ｉｉｌに対して５．３〜１５０ａ
ｔχ、好ましくは１８〜８２ａｔχ、最も好ましくは４
３〜６７ａｔＸであった。
て述べる。ａ −３ｉＧｅ層中のＨ含有量が４３〜４８
ａｔＸとなるようにガス圧（はぼ２．５〜３，５ｍｔ
ｏｒｒ）を規制し、Ｓｉ系の原料ガスとＧｅ系の原料ガ
スとの比率を変化させてａ ５ｉＧｅ層を形成し、層
中のＳｉ：Ｇｃの比率とａ ５ｉＧｅの特性との関係
を調べた。その結果、Ｓｉに対しＧｅがほぼ５．３ａｔ
％以下では、Ｇｅ添加による光学的バンドギャップの減
少がほとんどみられず、長波長域の感度が悪く半導体レ
ーザ用感光体の光導電層としては不十分であった。また
、Ｓｉに対しＧｅ量がほぼ１５０ａｔ％以上になると光
学的バンドギャップは減少するが、暗比抵抗が小さくな
り過ぎて電荷保持能力が低下し、電子写真感光体の光導
電層には適さないことが分かった。すなわちａ −５ｉ
Ｇｅ層中のＧｅ量は５ｉｉｌに対して５．３〜１５０ａ
ｔχ、好ましくは１８〜８２ａｔχ、最も好ましくは４
３〜６７ａｔＸであった。
以上のようにしてＥＣＲ法の堆積装置を用い、原料ガス
のガス圧および原料ガス比を調整することにより良好な
光導電層を得ることができる。また、ａ−５ｉＧ４を形
成する場合、良好な特性を持つａ ＳｉＧ＋＋層が形
成されたガス圧（２，５〜３．５ ｍｔｏｒｒ）での成
膜速度は０．５μｍ／ｍｉｎと他のガス圧で成膜を行っ
たときよりも速く、また従来法に比べても５〜６倍の速
い速度で成膜を行うことができた。すなわち、この実施
例では高品質の光導電層を速い成膜速度で形成すること
ができる利点がある。また、成膜中には（Ｓｉｌｌｚ）
ｎを主としたポリマー扮の発生がなく、成膜欠陥が生し
ることがないので感光体の歩留まりを向上させてコスト
の安価な感光体を創出することが可能となった。
のガス圧および原料ガス比を調整することにより良好な
光導電層を得ることができる。また、ａ−５ｉＧ４を形
成する場合、良好な特性を持つａ ＳｉＧ＋＋層が形
成されたガス圧（２，５〜３．５ ｍｔｏｒｒ）での成
膜速度は０．５μｍ／ｍｉｎと他のガス圧で成膜を行っ
たときよりも速く、また従来法に比べても５〜６倍の速
い速度で成膜を行うことができた。すなわち、この実施
例では高品質の光導電層を速い成膜速度で形成すること
ができる利点がある。また、成膜中には（Ｓｉｌｌｚ）
ｎを主としたポリマー扮の発生がなく、成膜欠陥が生し
ることがないので感光体の歩留まりを向上させてコスト
の安価な感光体を創出することが可能となった。
なお、上記の実施例ではａ −３ｉＧｅ層の原料ガスと
してＳｉ、 ＧｅのＨ化合物を用いているためａ −５
ｉＧｅ層中のＨｉについて述べているが、Ｓｉ、 Ｇｅ
のハロゲン化合物を用いた場合にはａ −３ｉＧｅ層中
のＩ（ハロゲンの合計量が４０〜６５ａｔχ、最も好ま
しくは４０〜５５ａｔχとなる。
してＳｉ、 ＧｅのＨ化合物を用いているためａ −５
ｉＧｅ層中のＨｉについて述べているが、Ｓｉ、 Ｇｅ
のハロゲン化合物を用いた場合にはａ −３ｉＧｅ層中
のＩ（ハロゲンの合計量が４０〜６５ａｔχ、最も好ま
しくは４０〜５５ａｔχとなる。
く実験例〉
以上は光導電層として用いるａ −３ｉＧｅＪｉについ
て述べたが、実際の電子写真感光体は第４図に示すよう
に、Ａβ等からなる導電性基体８上に、中間層１１．光
導電層１２９表面層１３を積層したものである。中間層
１１．光導電層１２１表面層１３は全てアモルファスシ
リコンで構成され、原料ガスの種類、流量等の成膜条件
を変えることによりＧｅ、 Ｃ等を含有した層が形成
される。以下、実際のａ −５ｉＧｅ％光体の形成につ
いて述べる。
て述べたが、実際の電子写真感光体は第４図に示すよう
に、Ａβ等からなる導電性基体８上に、中間層１１．光
導電層１２９表面層１３を積層したものである。中間層
１１．光導電層１２１表面層１３は全てアモルファスシ
リコンで構成され、原料ガスの種類、流量等の成膜条件
を変えることによりＧｅ、 Ｃ等を含有した層が形成
される。以下、実際のａ −５ｉＧｅ％光体の形成につ
いて述べる。
実験例：１
第５図は正帯電用感光体（ｐ型）の形成条件を表した図
である。中間層はＢが多量にドープされたａ−５ｉ層、
光導電層は少量のＢがドープされたａ−５ｉＧｅ層、表
面層はａ−３ｉＣ層となっている。
である。中間層はＢが多量にドープされたａ−５ｉ層、
光導電層は少量のＢがドープされたａ−５ｉＧｅ層、表
面層はａ−３ｉＣ層となっている。
図示するような条件で形成された光導電層のＨ含有量は
４６ ａｔＸであり、形成された感光体の特性を測定し
たところ良好な結果が得られ、特に帯電特性に優れてい
た。また、この感光体を用いて正帯電用レーザプリンタ
で画像形成を行ったところ、高品質の画像を得ることが
できた。
４６ ａｔＸであり、形成された感光体の特性を測定し
たところ良好な結果が得られ、特に帯電特性に優れてい
た。また、この感光体を用いて正帯電用レーザプリンタ
で画像形成を行ったところ、高品質の画像を得ることが
できた。
また成膜時には（Ｓｉｌｌ□）ｎを主としたポリマー粉
が発生することがないので成膜欠陥が発生せず、成膜速
度、原料ガスの利用効率も従来法に比べて６〜１０倍と
かなり良い結果を得ることができた実験例２ 第５図に示したａ −３ｉＧｅ感光体の製造条件におい
て、光導電層を形成する場合のガス圧のみを変化させて
ａ−３ｉＧｅｉ光体を作成した。なお、ガス圧は、 ２．５．３．０ 、３．５．４．０．４．５．５．０
（ｍｔｏｒｒ）の６種類とし、作成された感光体の帯電
特性およびその感光体により形成された画像の品質を第
６図に示した。なお、上記ガス圧のうち形成されるａ
−５ｉＧｅ感光体の■１含有量が４０〜６５ ａｔＸと
なるのは２．５．３．０．３．５の各ガス圧のときであ
る。図から分かるように、Ｈ含有量が４０〜６５ ａｔ
Ｘであるとき（２，５，３，０，３，５のガス圧のとき
）には帯電特性、形成画像品質とも良好な状態であった
。
が発生することがないので成膜欠陥が発生せず、成膜速
度、原料ガスの利用効率も従来法に比べて６〜１０倍と
かなり良い結果を得ることができた実験例２ 第５図に示したａ −３ｉＧｅ感光体の製造条件におい
て、光導電層を形成する場合のガス圧のみを変化させて
ａ−３ｉＧｅｉ光体を作成した。なお、ガス圧は、 ２．５．３．０ 、３．５．４．０．４．５．５．０
（ｍｔｏｒｒ）の６種類とし、作成された感光体の帯電
特性およびその感光体により形成された画像の品質を第
６図に示した。なお、上記ガス圧のうち形成されるａ
−５ｉＧｅ感光体の■１含有量が４０〜６５ ａｔＸと
なるのは２．５．３．０．３．５の各ガス圧のときであ
る。図から分かるように、Ｈ含有量が４０〜６５ ａｔ
Ｘであるとき（２，５，３，０，３，５のガス圧のとき
）には帯電特性、形成画像品質とも良好な状態であった
。
なお実験例１．２において、Ｓｉ、 Ｇｅの原料ガスと
して他のＨ化合物やハロゲン化合物を用いてもよ（、Ｂ
を添加するための原料ガスとしてＢ Ｈ３゜ＢＣｌ３等
を用いてもよい。また、正帯電用感光体を形成するには
Ｂの他にＡ１、Ｇａ、Ｉｎ等を添加してもよい。さらに
、表面層にはａ −５ｉＣの他に、ａ−５ｉＮＳａ−Ｓ
ｉＯ等を成膜させてもよい。
して他のＨ化合物やハロゲン化合物を用いてもよ（、Ｂ
を添加するための原料ガスとしてＢ Ｈ３゜ＢＣｌ３等
を用いてもよい。また、正帯電用感光体を形成するには
Ｂの他にＡ１、Ｇａ、Ｉｎ等を添加してもよい。さらに
、表面層にはａ −５ｉＣの他に、ａ−５ｉＮＳａ−Ｓ
ｉＯ等を成膜させてもよい。
実験例３
第７図は負帯電用感光体（ｎ型）の形成条件を表した図
である。中間層はＰが多量にドープされたａ−５ｉ層、
光導電層は少量のＰがドープされたａ ５ｉＧｅ層、
表面層はａ −５ｉＣ層となっている。
である。中間層はＰが多量にドープされたａ−５ｉ層、
光導電層は少量のＰがドープされたａ ５ｉＧｅ層、
表面層はａ −５ｉＣ層となっている。
図示するような条件で形成された光導電層のＨ含有量は
４６ ａｔＸであり、形成された感光体の特性は特に帯
電特性において優れていた。またこの感光体を用いてた
負帯電用レーザプリンタで画像形成を行ったところ、高
品質の画像を得ることができた。
４６ ａｔＸであり、形成された感光体の特性は特に帯
電特性において優れていた。またこの感光体を用いてた
負帯電用レーザプリンタで画像形成を行ったところ、高
品質の画像を得ることができた。
また成膜時、（ＳｉＨｚ）ｎを主としたポリマー粉が発
生することがないので成膜欠陥が発生せず、また成膜速
度、原料ガスの利用効率も従来法に比べて良い結果を得
ることができた。
生することがないので成膜欠陥が発生せず、また成膜速
度、原料ガスの利用効率も従来法に比べて良い結果を得
ることができた。
実験例４
第７図に示したａ ５ｉＧｅ感光体の製造条件におい
て、光導電層を形成する場合のガス圧のみを変化させて
ａ−３ｉＧｅ感光体を作成した。なお、ガス圧は、 ２．５．２．８．３．３．３．８．４．３．４．８ （
ｍｔｏｒｒ）の６種類とし、作成された感光体の帯電特
性およびその感光体により形成された画像の品質を第８
図に示した。上記ガス圧のうら形成されるａ ５ｉＧ
ｅ感光体のＨ含有量が４０〜６５ ａｔＸとなるのは２
．５．２．８．３．３の各ガス圧のときであり、これら
のガス圧で形成されたａ ５ｉＧｅ５光体は帯電特性
。
て、光導電層を形成する場合のガス圧のみを変化させて
ａ−３ｉＧｅ感光体を作成した。なお、ガス圧は、 ２．５．２．８．３．３．３．８．４．３．４．８ （
ｍｔｏｒｒ）の６種類とし、作成された感光体の帯電特
性およびその感光体により形成された画像の品質を第８
図に示した。上記ガス圧のうら形成されるａ ５ｉＧ
ｅ感光体のＨ含有量が４０〜６５ ａｔＸとなるのは２
．５．２．８．３．３の各ガス圧のときであり、これら
のガス圧で形成されたａ ５ｉＧｅ５光体は帯電特性
。
形成画像品質とも良好な状態であった。
なお実験例３，４において、Ｓｉ、 Ｇｅの原料ガスと
しては他のＨ化合物やハロゲン化物を用いてもよく、Ｐ
を添加するための原料ガスとしてｐＨ，。
しては他のＨ化合物やハロゲン化物を用いてもよく、Ｐ
を添加するための原料ガスとしてｐＨ，。
ＰＣｈ等を用いてもよい。また、正帯電用感光体を形成
するにはＰの他にＮ、Ｓｂ、Ｏ等を添加してもよい。さ
らに、表面層にはａ −５ｉＣの他に、ａ −５ｉＮ、
ａ −５ｉＯ等を成膜させてもよい。
するにはＰの他にＮ、Ｓｂ、Ｏ等を添加してもよい。さ
らに、表面層にはａ −５ｉＣの他に、ａ −５ｉＮ、
ａ −５ｉＯ等を成膜させてもよい。
なお、このａ −５ｉＧｅ層は電子写真感光体の他にイ
メージセンサの感光部、液晶と積層された画像記１．α
素子の感光部のように外部からの光情報を電気信号に変
換するデバイスの感光部にも適用できる。また、太陽電
池のようなデバイスにも適用可能である。
メージセンサの感光部、液晶と積層された画像記１．α
素子の感光部のように外部からの光情報を電気信号に変
換するデバイスの感光部にも適用できる。また、太陽電
池のようなデバイスにも適用可能である。
（ｇ）発明の効果
この発明の電子写真感光体は、光導電層中のＨハロゲン
の合計量が４０〜６５ａｔχに規制されることにより暗
比抵抗を上げて感光体の電荷保持能力を向上させるとと
もに、明導電率を高くして光感度を良くすることができ
る。
の合計量が４０〜６５ａｔχに規制されることにより暗
比抵抗を上げて感光体の電荷保持能力を向上させるとと
もに、明導電率を高くして光感度を良くすることができ
る。
またＳｉに対するＧｅの含有量が５．３〜１５０ａｔｚ
に規制されることにより光学的バンドギャップを減少さ
せて半導体レーザに対応して長波長域光の感度を向上さ
せることができる。
に規制されることにより光学的バンドギャップを減少さ
せて半導体レーザに対応して長波長域光の感度を向上さ
せることができる。
このようにこの発明によれば感光体の特性を向上させる
ことかでき、この感光体により形成される画像品質を向
上させることができる。
ことかでき、この感光体により形成される画像品質を向
上させることができる。
第１図はＥＣＲ法により形成されるａ −５ｉＧｅ光導
電層の１１含有星と成膜時の原料ガス圧との関係を表し
た図、第２図、第３図はその原料ガス圧と暗比抵抗、明
導電率との関係を表した図である。 また第４図はａ −３ｉＧｅ感光体の構成を表した図、
第５図は正帯電用のａ −５ｉＧｅ感光体の形成条件を
表した図であり、第６図は第５図における原料ガス圧を
変化させて形成したａ −５ｉＧｅ感光体の特性および
それにより形成される画像の品質を表した図、第７図は
負帯電用のａ −５ｉＧｅ感光体の形成条件を表した図
であり、第８図は第７図における原料ガス圧を変化させ
て形成したａ −５ｉＧｅｉ光体の特性およびそれによ
り形成される画像の品質を表した図である。さらに第９
図はＥＣＲ法によるａＳｉＧｅ堆積装置の概略図である
。 −導電性基体、 １−中間層、 ２−光導電層、 ３−表面層。 第１図
電層の１１含有星と成膜時の原料ガス圧との関係を表し
た図、第２図、第３図はその原料ガス圧と暗比抵抗、明
導電率との関係を表した図である。 また第４図はａ −３ｉＧｅ感光体の構成を表した図、
第５図は正帯電用のａ −５ｉＧｅ感光体の形成条件を
表した図であり、第６図は第５図における原料ガス圧を
変化させて形成したａ −５ｉＧｅ感光体の特性および
それにより形成される画像の品質を表した図、第７図は
負帯電用のａ −５ｉＧｅ感光体の形成条件を表した図
であり、第８図は第７図における原料ガス圧を変化させ
て形成したａ −５ｉＧｅｉ光体の特性およびそれによ
り形成される画像の品質を表した図である。さらに第９
図はＥＣＲ法によるａＳｉＧｅ堆積装置の概略図である
。 −導電性基体、 １−中間層、 ２−光導電層、 ３−表面層。 第１図
Claims (2)
- （１）導電性基体と、 Ｓｉ＿（＿１＿０＿０＿−＿Ｘ＿−＿Ｙ＿−＿Ｚ＿）Ｇ
ｅ＿ＸＨ＿ＹＸ＿Ｚ（ａｔ％）（ただしＸ：ハロゲン、 ０＜＿Ｘ＜１００、０≦＿Ｙ＿、＿Ｚ＜１００、４０≦
＿Ｘ＋＿Ｙ≦６５） のアモルファス光導電層とを有する電子写真感光体。 - （２）前記アモルファス光導電層のＳｉに対するＧｅ含
有量を５．３〜１５０ａｔ％とした請求項１記載の電子
写真感光体。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63164480A JPH07117763B2 (ja) | 1988-06-30 | 1988-06-30 | 電子写真感光体の製造方法 |
| US07/368,807 US4990423A (en) | 1988-06-30 | 1989-06-20 | Photosensitive member for electrophotography |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63164480A JPH07117763B2 (ja) | 1988-06-30 | 1988-06-30 | 電子写真感光体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0212261A true JPH0212261A (ja) | 1990-01-17 |
| JPH07117763B2 JPH07117763B2 (ja) | 1995-12-18 |
Family
ID=15793975
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63164480A Expired - Fee Related JPH07117763B2 (ja) | 1988-06-30 | 1988-06-30 | 電子写真感光体の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4990423A (ja) |
| JP (1) | JPH07117763B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002360109A (ja) * | 2001-06-06 | 2002-12-17 | Asahi Kasei Corp | 格子状増養殖装置及びその製造方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101186446B (zh) * | 2007-11-27 | 2010-08-11 | 西安交通大学 | 光敏特性的二氧化锗基有机-无机复合材料的制备方法 |
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| JPS58186748A (ja) * | 1982-04-26 | 1983-10-31 | Mitsubishi Chem Ind Ltd | 電子写真用感光体 |
| JPS59159167A (ja) * | 1983-03-01 | 1984-09-08 | Zenko Hirose | アモルフアスシリコン膜の形成方法 |
| JPS6183544A (ja) * | 1984-09-29 | 1986-04-28 | Toshiba Corp | 電子写真感光体 |
| JPS632067A (ja) * | 1986-01-23 | 1988-01-07 | Canon Inc | 電子写真用光受容部材 |
| JPS6381361A (ja) * | 1986-09-26 | 1988-04-12 | Canon Inc | 電子写真感光体の製造方法 |
| JPS63107098A (ja) * | 1986-10-23 | 1988-05-12 | 三菱電機株式会社 | 電子部品自動装着機 |
| JPS63161977A (ja) * | 1986-12-26 | 1988-07-05 | 能美防災株式会社 | 防災設備 |
| JPS63169216A (ja) * | 1986-12-31 | 1988-07-13 | Shiyouda Shoji Kk | 配線基板の切断方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4265991A (en) * | 1977-12-22 | 1981-05-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photosensitive member and process for production thereof |
| US4471042A (en) * | 1978-05-04 | 1984-09-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Image-forming member for electrophotography comprising hydrogenated amorphous matrix of silicon and/or germanium |
| JPS57119361A (en) * | 1981-01-16 | 1982-07-24 | Canon Inc | Image forming member for electrophotography |
| DE3322782A1 (de) * | 1983-06-24 | 1985-01-03 | Basf Farben + Fasern Ag, 2000 Hamburg | Hitzehaertbare bindemittelmischung |
| US4760008A (en) * | 1986-01-24 | 1988-07-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electrophotographic photosensitive members and methods for manufacturing the same using microwave radiation in magnetic field |
-
1988
- 1988-06-30 JP JP63164480A patent/JPH07117763B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1989
- 1989-06-20 US US07/368,807 patent/US4990423A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (9)
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| JPS6183544A (ja) * | 1984-09-29 | 1986-04-28 | Toshiba Corp | 電子写真感光体 |
| JPS632067A (ja) * | 1986-01-23 | 1988-01-07 | Canon Inc | 電子写真用光受容部材 |
| JPS6381361A (ja) * | 1986-09-26 | 1988-04-12 | Canon Inc | 電子写真感光体の製造方法 |
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|---|---|---|---|---|
| JP2002360109A (ja) * | 2001-06-06 | 2002-12-17 | Asahi Kasei Corp | 格子状増養殖装置及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4990423A (en) | 1991-02-05 |
| JPH07117763B2 (ja) | 1995-12-18 |
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|---|---|---|---|
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