JPH02123127A - エポキシ樹脂組成物、及びその用途 - Google Patents
エポキシ樹脂組成物、及びその用途Info
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- JPH02123127A JPH02123127A JP63276261A JP27626188A JPH02123127A JP H02123127 A JPH02123127 A JP H02123127A JP 63276261 A JP63276261 A JP 63276261A JP 27626188 A JP27626188 A JP 27626188A JP H02123127 A JPH02123127 A JP H02123127A
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- resin
- epoxy resin
- epoxy
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/01—Manufacture or treatment
- H10W72/015—Manufacture or treatment of bond wires
- H10W72/01515—Forming coatings
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
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- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
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- H—ELECTRICITY
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は200℃以下の温度で速やかに、優れた耐熱性
と可撓性と耐湿性をもつ樹脂に硬化できるエポキシ樹脂
組成物に関する。
と可撓性と耐湿性をもつ樹脂に硬化できるエポキシ樹脂
組成物に関する。
電子部品の分野では、小型軽量化に伴って、半導体素子
ペレットの大型化、能動素子や受動素−fの複合などに
よる多機能化が志向されている。そのため、素子を直接
モールドしても、素子等インサートに対する応力の影響
が小さいような材料が強く要求されている。
ペレットの大型化、能動素子や受動素−fの複合などに
よる多機能化が志向されている。そのため、素子を直接
モールドしても、素子等インサートに対する応力の影響
が小さいような材料が強く要求されている。
(特開昭62−20208号公報)。
従来、半導体などの電子部品や電気機器のモールドに用
いられてきたエポキシ系、シリコーン系、フェノール系
、アリルエステル系などの樹脂のうちでは、フェノール
ノボラック樹脂を硬化剤とするエポキシ樹脂組成物が、
インサー1へに対する接着性や電気特性などが均衡して
いる利点をもち、モールド用樹脂の主流となっている。
いられてきたエポキシ系、シリコーン系、フェノール系
、アリルエステル系などの樹脂のうちでは、フェノール
ノボラック樹脂を硬化剤とするエポキシ樹脂組成物が、
インサー1へに対する接着性や電気特性などが均衡して
いる利点をもち、モールド用樹脂の主流となっている。
しかし、この系統の樹脂組成物は、予め可撓性保護コー
トの設けられていない素子ペレットのモールドに使用さ
れたときに、ペレツ1−の亀裂、ボンディング線の切断
など、モールド樹脂のインサートに対する応力に起因す
る故障を起し、あるいは、金属インサート類に対するそ
の密着性が必らずも十分でないために接着境界面から侵
入する水分によって、アルミニウム電極、並びに、ボン
ディング線の腐食、断線などを生じるという欠点がある
。
トの設けられていない素子ペレットのモールドに使用さ
れたときに、ペレツ1−の亀裂、ボンディング線の切断
など、モールド樹脂のインサートに対する応力に起因す
る故障を起し、あるいは、金属インサート類に対するそ
の密着性が必らずも十分でないために接着境界面から侵
入する水分によって、アルミニウム電極、並びに、ボン
ディング線の腐食、断線などを生じるという欠点がある
。
従って、インサー!・に作用する応力を低減させ、イン
サートとモールド樹脂との接着を緊密・強固にすること
が必要である。具体的に言えば、金、アルミニウム、銀
、ニッケルやコバルトなどの金属に強く密着し、しかも
、低弾性率、低膨張係数、および、高いガラス転移点を
もった硬化物に転化できるモールド用樹脂組成物が求め
られている。
サートとモールド樹脂との接着を緊密・強固にすること
が必要である。具体的に言えば、金、アルミニウム、銀
、ニッケルやコバルトなどの金属に強く密着し、しかも
、低弾性率、低膨張係数、および、高いガラス転移点を
もった硬化物に転化できるモールド用樹脂組成物が求め
られている。
樹脂の密着性を向」−させ、弾性率を低める手段の一つ
として、可撓化剤の添加が考えられる。しかし、この方
法では、通常、硬化樹脂のガラス転移点も降下し、高信
頼性をもつモールド製品を得がたく、要求に応じられる
ような成果をあげるに至ってはいない。
として、可撓化剤の添加が考えられる。しかし、この方
法では、通常、硬化樹脂のガラス転移点も降下し、高信
頼性をもつモールド製品を得がたく、要求に応じられる
ような成果をあげるに至ってはいない。
本発明の目的は、インサート物に内部応力に起因する悪
影響を及ぼすことなく密に接着し、しかも、高いガラス
転移点をもち、耐湿性のすぐれたモールド用材料を提供
することにあり、また、150〜200℃において30
〜180秒という短時間に硬化し生産合理化に大きく寄
与できる樹脂組成物を提供することにある。
影響を及ぼすことなく密に接着し、しかも、高いガラス
転移点をもち、耐湿性のすぐれたモールド用材料を提供
することにあり、また、150〜200℃において30
〜180秒という短時間に硬化し生産合理化に大きく寄
与できる樹脂組成物を提供することにある。
(1)多管能エポキシ化合物(A)と、式(1〕および
/または式(II) O8i(CHs)3 0H 〔式中、RIt、H1低級アルキル基、フルオロアルキ
ル基、ハロゲン原子、−OH,−COOH。
/または式(II) O8i(CHs)3 0H 〔式中、RIt、H1低級アルキル基、フルオロアルキ
ル基、ハロゲン原子、−OH,−COOH。
−N 112.− S O20の中のいずれがである。
〕で表わされるシリコン変性フェノール系重合体(B)
とを含むことを特徴とするエポキシ樹脂組成物。
とを含むことを特徴とするエポキシ樹脂組成物。
(2)、(1)に記載のエポキシ樹脂組成物をベースと
した半導体封止用組成物。
した半導体封止用組成物。
(3)、(1)に記載のエポキシ樹脂組成物で、被覆、
および/または封止したことを特徴とする半導体装置。
および/または封止したことを特徴とする半導体装置。
本発明の樹脂組成物から、得られる硬化物が、耐熱性と
可どう性にすぐれ、しかも、封止成形品例えば、樹脂封
止型半導体装置として効果を発揮するのは、シリコン変
性フェノール樹脂を、硬化剤として用いたためと思われ
る。すなわち、従来、公知のノボラック型フェノール樹
脂を硬化剤とした場合に比較して、可どう性の付与、低
吸水率化、低透湿率化、無機物や金属への接着性改善が
図られたことによると思われる。
可どう性にすぐれ、しかも、封止成形品例えば、樹脂封
止型半導体装置として効果を発揮するのは、シリコン変
性フェノール樹脂を、硬化剤として用いたためと思われ
る。すなわち、従来、公知のノボラック型フェノール樹
脂を硬化剤とした場合に比較して、可どう性の付与、低
吸水率化、低透湿率化、無機物や金属への接着性改善が
図られたことによると思われる。
本発明の多官能エポキシ化合物は、例えば、ビスフェノ
ールAのジグリシジルエーテル5ブタジエンジエボキサ
イド、3,4−エポキシシクロヘキシルメチル−(3,
4−エポキシ)シクロヘキサン力ルポキシレ−1・、ビ
ニルシクロヘキサンジオキシト、4.4’−ジ(1,2
−エポキシエチル)ジフェニルエーテル、4.4’ −
(1,2〜エポキシエチル)ビフェニル、2,2−ビス
(3゜4−エポキシシクロヘキシル)プロパン、レゾル
シンのグリシジルエーテル、フロログルシンのジグリシ
ジルエーテル、メチルフロログルシンのジグリシジエー
テル、ビス−(2,3−エボキンシクロペンチル)エー
テル、2− (3,4−エポキシ)シクロヘキサン−5
,5−スヒロ(3,4−エポキシ)−シクロヘキサン−
m−ジオキサン、ビス−(3,4−エポキシ−6−メチ
ルシクロヘキシル)アジペー1〜、N、N’ −m−フ
エニレンビス(4,5−エポキシ−1,2−シクロヘキ
サン)ジカルボキシイミドなどの三官能のエポキシ化合
物、パラアミノフェノールのトリグリシジルエーテル、
ポリアリルグリシジルエーテル、1゜3.5−トリ (
1,2−エポキシエチル)ベンゼン、2.2’ 、4.
4’ ・−テ1へラグリシドキンベンゾフエノン、テト
ラグリシドキシテトラフェニルエタン、ノエノールホル
ムアルデヒトノボラツクのポリグリシジルエーテル、グ
リセリンの1・・リグリシジルエーテル、トリメチロー
ルプロパンのトリグリシジルエーテルなど三官能以上の
エポキシ化合物が用いられる。次に、 式[1) および/または式(Il〕 S i (CHa)a H 〔上記式中、RはII、低級アルキル基、フルオロアル
キル基、ハロゲン原子、−〇I−I、−CO○H。
ールAのジグリシジルエーテル5ブタジエンジエボキサ
イド、3,4−エポキシシクロヘキシルメチル−(3,
4−エポキシ)シクロヘキサン力ルポキシレ−1・、ビ
ニルシクロヘキサンジオキシト、4.4’−ジ(1,2
−エポキシエチル)ジフェニルエーテル、4.4’ −
(1,2〜エポキシエチル)ビフェニル、2,2−ビス
(3゜4−エポキシシクロヘキシル)プロパン、レゾル
シンのグリシジルエーテル、フロログルシンのジグリシ
ジルエーテル、メチルフロログルシンのジグリシジエー
テル、ビス−(2,3−エボキンシクロペンチル)エー
テル、2− (3,4−エポキシ)シクロヘキサン−5
,5−スヒロ(3,4−エポキシ)−シクロヘキサン−
m−ジオキサン、ビス−(3,4−エポキシ−6−メチ
ルシクロヘキシル)アジペー1〜、N、N’ −m−フ
エニレンビス(4,5−エポキシ−1,2−シクロヘキ
サン)ジカルボキシイミドなどの三官能のエポキシ化合
物、パラアミノフェノールのトリグリシジルエーテル、
ポリアリルグリシジルエーテル、1゜3.5−トリ (
1,2−エポキシエチル)ベンゼン、2.2’ 、4.
4’ ・−テ1へラグリシドキンベンゾフエノン、テト
ラグリシドキシテトラフェニルエタン、ノエノールホル
ムアルデヒトノボラツクのポリグリシジルエーテル、グ
リセリンの1・・リグリシジルエーテル、トリメチロー
ルプロパンのトリグリシジルエーテルなど三官能以上の
エポキシ化合物が用いられる。次に、 式[1) および/または式(Il〕 S i (CHa)a H 〔上記式中、RはII、低級アルキル基、フルオロアル
キル基、ハロゲン原子、−〇I−I、−CO○H。
NHz、−5○2Hの中のいずれかである。〕で表わさ
れるシリコン変性フェノール系重合体(B)とは、次の
ようなものが例示される。
れるシリコン変性フェノール系重合体(B)とは、次の
ようなものが例示される。
これらは、通常、レジスト材料として適用検討がされて
いる。(高分子、37,6月号、460頁1988) Si(GHδ)3 また、上記シリコン変性フェノール系重合体には、次の
、フェノールとアルデヒドとの縮合反応物を併用できる
。各種のフェノール系化合物とアルデヒド系化合物とを
、酸性、もしくは、塩基性触媒の存在下に、付加縮合反
応させることにより生成される樹脂類が使用され、特に
、フェノール。
いる。(高分子、37,6月号、460頁1988) Si(GHδ)3 また、上記シリコン変性フェノール系重合体には、次の
、フェノールとアルデヒドとの縮合反応物を併用できる
。各種のフェノール系化合物とアルデヒド系化合物とを
、酸性、もしくは、塩基性触媒の存在下に、付加縮合反
応させることにより生成される樹脂類が使用され、特に
、フェノール。
クレゾールなどとホルムアルデヒドを用いて、酸性触媒
反応によって合成されるノボラック樹脂が有用である。
反応によって合成されるノボラック樹脂が有用である。
また、従来、公知のエポキシ樹脂用硬化剤が併用できる
。それらは、垣内弘著:エポキシ樹脂(昭和45年9月
発行)109〜149頁、Lee、Neville著:
Epoxy Re5ins (Mc Grawlti
ll Book Company Inc : New
York、1957年発行)63〜141頁、 P、
E、 Brunis著: Epoxy Re5jnsT
echnoloにy (Interscience
Publishers、New YOrk。
。それらは、垣内弘著:エポキシ樹脂(昭和45年9月
発行)109〜149頁、Lee、Neville著:
Epoxy Re5ins (Mc Grawlti
ll Book Company Inc : New
York、1957年発行)63〜141頁、 P、
E、 Brunis著: Epoxy Re5jnsT
echnoloにy (Interscience
Publishers、New YOrk。
1968年発行)45〜111頁などに記械の化合物で
あり、例えば、脂肪族ポリアミン、芳香族ポリアミン、
第二および第三アミンを含むアミン類、カルボン酸類、
カルボン酸無水物類、脂肪族および芳香族ポリアミドオ
リゴマおよびポリマ類、三部化硼素−アミンコンプレッ
クス類、フェノール樹脂、メラミン樹脂、ウレア樹脂、
ウレタン樹脂などの合成樹脂初期縮合物類、その他、ジ
シアンジアミド、カルボン酸ヒドラジド、ポリアミノマ
レイミド類などがある。
あり、例えば、脂肪族ポリアミン、芳香族ポリアミン、
第二および第三アミンを含むアミン類、カルボン酸類、
カルボン酸無水物類、脂肪族および芳香族ポリアミドオ
リゴマおよびポリマ類、三部化硼素−アミンコンプレッ
クス類、フェノール樹脂、メラミン樹脂、ウレア樹脂、
ウレタン樹脂などの合成樹脂初期縮合物類、その他、ジ
シアンジアミド、カルボン酸ヒドラジド、ポリアミノマ
レイミド類などがある。
これら硬化剤は、用途、目的に応じて一種以上を使用す
ることが出来る。
ることが出来る。
上記硬化剤は、用途、目的に応じて一種以上を使用する
ことが出来る。
ことが出来る。
本発明の樹脂組成物には、硬化反応を促進する触媒を使
用することが出来る。
用することが出来る。
このような触媒は、例えば、1−リエタノールアミン、
テ1〜ラメチルブタンジアミン、テ]−ラメチルペタン
ジアミン、テ1−ラメチルヘキサンジアミン、1−リエ
チレンジアミン、ジメチルアニリンなどの三級アミン、
ジメチルアミノエタノール、ジメチルアミノペタノール
などのオキシアルキルアミンや1−リス(ジメチルアミ
ノメチル)フェノール、N−メチルモルホリン、N−エ
チルモルホリンなどのアミン類がある。
テ1〜ラメチルブタンジアミン、テ]−ラメチルペタン
ジアミン、テ1−ラメチルヘキサンジアミン、1−リエ
チレンジアミン、ジメチルアニリンなどの三級アミン、
ジメチルアミノエタノール、ジメチルアミノペタノール
などのオキシアルキルアミンや1−リス(ジメチルアミ
ノメチル)フェノール、N−メチルモルホリン、N−エ
チルモルホリンなどのアミン類がある。
また、セチルトリメチルアンモニウムブロマイド、セチ
ルトリメチルアンモニウムクロライド、1〜デシルトリ
メチルアンモニウムアイオダイド、トリメチルドデシル
アンモニウムクロライド、ベンジルジメチルテ1〜ラデ
シルアンモニウムクロライト、ベンジルメチルパルミチ
ルアンモニウムクロライト、アリルドデシル1−リメチ
ルアンモニウl、プロマイ1へ、ベンジルジメチルステ
アリルアンモニウムブロマイド、ステアリル1〜リメチ
ルアンモニウムクロライド、ベンジルジメチルテトラデ
シルアンモニウムアセテ−1・などの第四級アンモニウ
ム塩がある。
ルトリメチルアンモニウムクロライド、1〜デシルトリ
メチルアンモニウムアイオダイド、トリメチルドデシル
アンモニウムクロライド、ベンジルジメチルテ1〜ラデ
シルアンモニウムクロライト、ベンジルメチルパルミチ
ルアンモニウムクロライト、アリルドデシル1−リメチ
ルアンモニウl、プロマイ1へ、ベンジルジメチルステ
アリルアンモニウムブロマイド、ステアリル1〜リメチ
ルアンモニウムクロライド、ベンジルジメチルテトラデ
シルアンモニウムアセテ−1・などの第四級アンモニウ
ム塩がある。
また、2−エチルイミダゾール、2−ウンデシルイミダ
ゾール、2−ヘプタデシルイミダゾール、2−メチル−
4−エチルイミダゾール、1−ブチルイミダゾール、1
−プロピル−2−メチルイミダゾール、1−ベンジル−
2−メチルイミダゾール、1−シアノエチル、2−メチ
ルイミダゾール、1−シアノエチル−2−ウンデシルイ
ミダゾール、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾ
ール、1−アジン−2−メチルイミダゾール、1−アジ
ン−2−ウンデシルイミダゾールなどのイミダゾール類
、トリフェニルホスフィンテトラフェニルボレー1〜、
テ1〜ラフェニルホスホニウムテ(−ラフェニルボレー
ト、トリエチルアミンテトラフェニルボレー1−1N−
メチルモルホリンテトラフェニルボレート、2−エチル
−4−メチルイミダゾルナ1〜ラフエニルボレート、2
−エチル−1−24−ジメチルイミダゾールテトラフェ
ニルボレートなどのテトラフェニルボレー1−などがあ
る。
ゾール、2−ヘプタデシルイミダゾール、2−メチル−
4−エチルイミダゾール、1−ブチルイミダゾール、1
−プロピル−2−メチルイミダゾール、1−ベンジル−
2−メチルイミダゾール、1−シアノエチル、2−メチ
ルイミダゾール、1−シアノエチル−2−ウンデシルイ
ミダゾール、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾ
ール、1−アジン−2−メチルイミダゾール、1−アジ
ン−2−ウンデシルイミダゾールなどのイミダゾール類
、トリフェニルホスフィンテトラフェニルボレー1〜、
テ1〜ラフェニルホスホニウムテ(−ラフェニルボレー
ト、トリエチルアミンテトラフェニルボレー1−1N−
メチルモルホリンテトラフェニルボレート、2−エチル
−4−メチルイミダゾルナ1〜ラフエニルボレート、2
−エチル−1−24−ジメチルイミダゾールテトラフェ
ニルボレートなどのテトラフェニルボレー1−などがあ
る。
また、1,5−ジアザビシクロ(4,2,O)オクテン
−5,1,8−ジアザ−ビシクロ(7゜2、O)ウンデ
セン−8,1,4−ジアザ−ビシクロ(3,3,O)オ
クテン−4,3−メチル−1,4−ジアザビシクロ(3
,3,0)オクテン−4,3,6,7,7−テトラメチ
ル−1,4−ジアザービシグロ(3,3,O)オクテン
−4,1,5−ジアザ−ビシクロ(3,4,O)ノネン
−5,1,8−ジアザ−ビシクロ(7,3,O)ドデセ
ン−8,1,7−ジアザビシクロ(4,3゜0)ノネン
−6,1,5−ジアザビシクロ(4゜4、o)デセン−
5,1,8−ジアザビシクロ(7,4,0)l−リゾセ
ン−8,1,8−ジアザビシクロ(5,3,O)デセン
−7,9−メチル−1,8−ジアザビシクロ(5,3,
O)デセン7.1,8−ジアザビシクロ(5,4,O)
ウンデセン−7,1,6−ジアザビシクロ(5,5゜O
)ドデセン−6,1,7−ジアザビシクロ(6゜5、O
)Iへリゾセン−7,1,8−ジアザビシクロ(7,5
,O)テトラデセン−8,1,10−ジアザビシクロ(
7,3,O) ドデセン−9,1゜10−ジアザビシフ
(7,4,、O) I〜リゾセン−9,1,14−ジ
アザビシクロ(11,3,0)ヘキサデセン−13,1
,1=1−ジアザビシクロ(]、i、4.O)へブタデ
セン−13などのジアザビシクロ−アルケン類なども有
用である。これら(ヒ合物は、[目的と用途に応じて一
種類以上を併用することもできる。
−5,1,8−ジアザ−ビシクロ(7゜2、O)ウンデ
セン−8,1,4−ジアザ−ビシクロ(3,3,O)オ
クテン−4,3−メチル−1,4−ジアザビシクロ(3
,3,0)オクテン−4,3,6,7,7−テトラメチ
ル−1,4−ジアザービシグロ(3,3,O)オクテン
−4,1,5−ジアザ−ビシクロ(3,4,O)ノネン
−5,1,8−ジアザ−ビシクロ(7,3,O)ドデセ
ン−8,1,7−ジアザビシクロ(4,3゜0)ノネン
−6,1,5−ジアザビシクロ(4゜4、o)デセン−
5,1,8−ジアザビシクロ(7,4,0)l−リゾセ
ン−8,1,8−ジアザビシクロ(5,3,O)デセン
−7,9−メチル−1,8−ジアザビシクロ(5,3,
O)デセン7.1,8−ジアザビシクロ(5,4,O)
ウンデセン−7,1,6−ジアザビシクロ(5,5゜O
)ドデセン−6,1,7−ジアザビシクロ(6゜5、O
)Iへリゾセン−7,1,8−ジアザビシクロ(7,5
,O)テトラデセン−8,1,10−ジアザビシクロ(
7,3,O) ドデセン−9,1゜10−ジアザビシフ
(7,4,、O) I〜リゾセン−9,1,14−ジ
アザビシクロ(11,3,0)ヘキサデセン−13,1
,1=1−ジアザビシクロ(]、i、4.O)へブタデ
セン−13などのジアザビシクロ−アルケン類なども有
用である。これら(ヒ合物は、[目的と用途に応じて一
種類以上を併用することもできる。
本発明の樹脂組成物には、短時間の加熱によりその硬化
を完了させる目的で1重合開始剤を添加することが望ま
しい。このような重合開始剤は、ベンゾイルバーオキシ
ト、P−クロロベンゾイルバーオキシト、2,4−ジク
ロロベンゾイルパーオキシド、カブリリルパーオキシド
、ラウロイルパーオキシド、アセチルパ・−オキシド、
メチルエチルケトンパーオキシド、シクロヘキサノンパ
ーオキシド、ビス(1−ヒドロキシシクロヘキシルパー
オキシド)、ヒドロオキシへブチルバーオキシド、第三
級ブチルハイドロパーオキシド、P−メンタンハイドロ
パーオキシド、第三級ブチルパーベンゾエート、第三級
ブチルパーアセテ−1−2第三級プチルパーオク1−二
−1・、第三級ブチルパーオキシイソブチレート、及び
、ジー第三級ブチルジパーフタレート等の有機過酸化物
が有用であり、その一種又は二種以上を用いることがで
きる。
を完了させる目的で1重合開始剤を添加することが望ま
しい。このような重合開始剤は、ベンゾイルバーオキシ
ト、P−クロロベンゾイルバーオキシト、2,4−ジク
ロロベンゾイルパーオキシド、カブリリルパーオキシド
、ラウロイルパーオキシド、アセチルパ・−オキシド、
メチルエチルケトンパーオキシド、シクロヘキサノンパ
ーオキシド、ビス(1−ヒドロキシシクロヘキシルパー
オキシド)、ヒドロオキシへブチルバーオキシド、第三
級ブチルハイドロパーオキシド、P−メンタンハイドロ
パーオキシド、第三級ブチルパーベンゾエート、第三級
ブチルパーアセテ−1−2第三級プチルパーオク1−二
−1・、第三級ブチルパーオキシイソブチレート、及び
、ジー第三級ブチルジパーフタレート等の有機過酸化物
が有用であり、その一種又は二種以上を用いることがで
きる。
本発明では、上述の重合触媒に、例えば、メルカプタン
類、サレファイト類、β−ジケi−ン類、金属キレート
類、金属石鹸等の既知の促進剤を併用することもできる
。又、樹脂組成物の室温における貯蔵安定性を良好にす
るために、例えば、p−ペンゾキノン、ナフトキノン、
フエナントラキノン等のキノン類、ハイドロキノン、p
−第三級−ブチルカテコール及び2,5−ジー第三級ブ
チルハイドロキノン等のフェノール類及び二1へ口化合
物、及び、金属塩類等の既知の重合防止剤を、所望に応
じて使用できる。
類、サレファイト類、β−ジケi−ン類、金属キレート
類、金属石鹸等の既知の促進剤を併用することもできる
。又、樹脂組成物の室温における貯蔵安定性を良好にす
るために、例えば、p−ペンゾキノン、ナフトキノン、
フエナントラキノン等のキノン類、ハイドロキノン、p
−第三級−ブチルカテコール及び2,5−ジー第三級ブ
チルハイドロキノン等のフェノール類及び二1へ口化合
物、及び、金属塩類等の既知の重合防止剤を、所望に応
じて使用できる。
本発明の樹脂組成物を硬化させる手段としては、上記の
加熱方式以外に、イオン化放射線や光(g外線)による
硬化法を用いることができる。
加熱方式以外に、イオン化放射線や光(g外線)による
硬化法を用いることができる。
イオン化放射線は、各種加速機からの電子線やコバルト
−60等のアイソトープからのガンマ線等を用いること
ができる。
−60等のアイソトープからのガンマ線等を用いること
ができる。
また、光硬化の際の光源は、太陽光線、タングステン灯
、アーク灯、キャノン灯、ハロゲンランプ、低圧、ある
いは、高圧の水銀灯が使用される。
、アーク灯、キャノン灯、ハロゲンランプ、低圧、ある
いは、高圧の水銀灯が使用される。
光硬化の際には、光増感剤の使用を制限するものではな
い。このようなものには、例えば、ベンゾイン、ベンゾ
インメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベン
ゾインイソプロピルエーテル、ペンザスロン、β−メチ
ルアン1へラキノン、ベンゾフェノン、9,10−フェ
ナンスレンキノン、アン1〜ラキノン、ベンゾフェノン
、5−二1〜ロアセナフテン、1−二1〜口ナフタレン
、ミヒラーズケトン、あるいは、エオシン、エリスロシ
ン。
い。このようなものには、例えば、ベンゾイン、ベンゾ
インメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベン
ゾインイソプロピルエーテル、ペンザスロン、β−メチ
ルアン1へラキノン、ベンゾフェノン、9,10−フェ
ナンスレンキノン、アン1〜ラキノン、ベンゾフェノン
、5−二1〜ロアセナフテン、1−二1〜口ナフタレン
、ミヒラーズケトン、あるいは、エオシン、エリスロシ
ン。
アクリジンなどがあり、これらの一種以上を併用できる
。
。
本発明の組成物を、半導体素子表面に被覆するには、こ
の組成物を含む溶液として半導体素子などの表面に適用
されることが望ましく、溶媒としては、例えば、ベンゼ
ン、1−ルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素、メタ
ノール、エタノール、2−プロパツールなどのアルコー
ル類のほか、メチルエチルケトン、アセI−ンなとのケ
1−ン類、エチルセロソルブをはじめとするセロソルブ
アセテ−1へ類、塩化炭化水素、あるいは、ジメチルア
セ1−アミド、ジメチルホルムアミド、N−メチル−2
−ピロリドンなどの極性溶剤が挙げられる。
の組成物を含む溶液として半導体素子などの表面に適用
されることが望ましく、溶媒としては、例えば、ベンゼ
ン、1−ルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素、メタ
ノール、エタノール、2−プロパツールなどのアルコー
ル類のほか、メチルエチルケトン、アセI−ンなとのケ
1−ン類、エチルセロソルブをはじめとするセロソルブ
アセテ−1へ類、塩化炭化水素、あるいは、ジメチルア
セ1−アミド、ジメチルホルムアミド、N−メチル−2
−ピロリドンなどの極性溶剤が挙げられる。
それらの化合物の溶液は、半導体素子やリード線などの
表面に塗布される。塗布方法は、溶液中への素子および
リード線の浸漬、素子およびり−ト線上への溶液の滴下
、あるいはスプレー、スピンナ塗布などの方法がある。
表面に塗布される。塗布方法は、溶液中への素子および
リード線の浸漬、素子およびり−ト線上への溶液の滴下
、あるいはスプレー、スピンナ塗布などの方法がある。
このような方法により、化合物溶液を塗布された半導体
素子やリード線は、次に、少なくとも100℃以上、特
に、好ましくは120〜250℃で加熱焼付は処理され
る。この処理によって、化合物はより高分子量化、架橋
されて保護被覆層を形成する。被rlI層の厚さについ
ては、特に、制限を設けるものではない。その目的と用
途に応じて、適宜、効果のすぐれたものが用いられる。
素子やリード線は、次に、少なくとも100℃以上、特
に、好ましくは120〜250℃で加熱焼付は処理され
る。この処理によって、化合物はより高分子量化、架橋
されて保護被覆層を形成する。被rlI層の厚さについ
ては、特に、制限を設けるものではない。その目的と用
途に応じて、適宜、効果のすぐれたものが用いられる。
例えば、多層配線型LSIの層間絶R膜としては、50
0人〜数μmの膜厚が、また、δ線遮蔽膜としては10
〜200μmの膜厚が、目的を達成する上で有効である
。その適用例を、第1図及び第2図、第3図に示した4
図中、1はリード線、2は半導体素j’、3.5は保護
被覆樹脂・1は配線、6は封止用樹脂、7は熱酸化膜で
ある。
0人〜数μmの膜厚が、また、δ線遮蔽膜としては10
〜200μmの膜厚が、目的を達成する上で有効である
。その適用例を、第1図及び第2図、第3図に示した4
図中、1はリード線、2は半導体素j’、3.5は保護
被覆樹脂・1は配線、6は封止用樹脂、7は熱酸化膜で
ある。
また、本発明のエポキシ樹脂組成物には、その用途、吏
用目的に応して、例えば、炭酸カルシウム、シリカ、ア
ルミナ、チタニア、水酸化アルミニウム、珪酸アルミニ
ウム、珪酸ジルコニウム、ジルコン、ガラス、タルク、
マイカ、黒鉛、アルミニウム、銅、鉄などの粉末や短繊
維状充填剤、脂肪酸、及び、ワックス類等の離型剤、エ
ポキシシラン、ビニルシラン、ボラン系化合物及びアル
キルチタネート系化合物等のカシプリング剤、そして、
さらに、アンチモンや燐の化合物、及び。
用目的に応して、例えば、炭酸カルシウム、シリカ、ア
ルミナ、チタニア、水酸化アルミニウム、珪酸アルミニ
ウム、珪酸ジルコニウム、ジルコン、ガラス、タルク、
マイカ、黒鉛、アルミニウム、銅、鉄などの粉末や短繊
維状充填剤、脂肪酸、及び、ワックス類等の離型剤、エ
ポキシシラン、ビニルシラン、ボラン系化合物及びアル
キルチタネート系化合物等のカシプリング剤、そして、
さらに、アンチモンや燐の化合物、及び。
ハロゲン含有化合物のような難燃剤を加えることができ
る。
る。
本発明の樹脂組成物は、これらの成分をロール、ニーダ
、コニーダ、またはヘンシェルミキサ等を用いて加熱(
約70〜80℃)混練することによって調製される。ま
た、成分化合物が固体であろ場合には、微粉化した後、
混合するl’ライブレンド法によって配合することもで
きる。得られた組成物は約150〜200℃の温度で短
時間に硬化させることができる。
、コニーダ、またはヘンシェルミキサ等を用いて加熱(
約70〜80℃)混練することによって調製される。ま
た、成分化合物が固体であろ場合には、微粉化した後、
混合するl’ライブレンド法によって配合することもで
きる。得られた組成物は約150〜200℃の温度で短
時間に硬化させることができる。
次に、本発明を実施例を挙げて具体的に説明する。
〈実施例1〜9比較例〉
多官能エポキシ化合物として、オ/L/ l−クレシル
ノボラック型エポキシ樹脂EOCN−102S(B本化
薬社製、エポキシ当量211、軟化点66.4°C)、
1−00重量部に対して、硬化剤として、シリコン変性
フェノール系重合体 O8i (CH3)3 ○)1 また、ノボラッグ型フェノール樹脂HP −607N(
11q化成社製、軟化点78〜82℃)、P−ヒドロキ
シスチレン重合体Mレジン(丸首石油社製、数X(l均
分子ff14800) 、 N、 N’ −ビスマレイ
ミ1くジフェニルメタン(1つ0Mビスマレイミド)を
採り上げ、第1表に示した所定量を配合した。
ノボラック型エポキシ樹脂EOCN−102S(B本化
薬社製、エポキシ当量211、軟化点66.4°C)、
1−00重量部に対して、硬化剤として、シリコン変性
フェノール系重合体 O8i (CH3)3 ○)1 また、ノボラッグ型フェノール樹脂HP −607N(
11q化成社製、軟化点78〜82℃)、P−ヒドロキ
シスチレン重合体Mレジン(丸首石油社製、数X(l均
分子ff14800) 、 N、 N’ −ビスマレイ
ミ1くジフェニルメタン(1つ0Mビスマレイミド)を
採り上げ、第1表に示した所定量を配合した。
これらの配合物に、硬化促進剤として、トリフェニルホ
スフィン2.0重址部、カップリング剤として、エポキ
シシランKBM303 (信越化学社製)2.0重敗部
と、アシレート型チタネート系化合物0.8 重量部、
離型剤としてステアリン酸カルシウム1.0重量部とへ
キス1へワックスE(ヘキス1−ジャパン社製)1.0
重量部、難燃剤として付加型イミドコート赤燐5重量
部、充填材として平均粒径1μInの球状アルミナ50
重量パーセンl−(配合組成物全体に対して)と、10
〜44μm平均粒径の溶融石英ガラス粉30重量パーセ
ント(配合組成物全体に対して)、着色剤としてカーボ
ンブラック(キャボツ!・社i!i!り2.0重量部を
、それぞれ別個に添加して、子種類の配合組成物(比較
例を含む)を作成した。
スフィン2.0重址部、カップリング剤として、エポキ
シシランKBM303 (信越化学社製)2.0重敗部
と、アシレート型チタネート系化合物0.8 重量部、
離型剤としてステアリン酸カルシウム1.0重量部とへ
キス1へワックスE(ヘキス1−ジャパン社製)1.0
重量部、難燃剤として付加型イミドコート赤燐5重量
部、充填材として平均粒径1μInの球状アルミナ50
重量パーセンl−(配合組成物全体に対して)と、10
〜44μm平均粒径の溶融石英ガラス粉30重量パーセ
ント(配合組成物全体に対して)、着色剤としてカーボ
ンブラック(キャボツ!・社i!i!り2.0重量部を
、それぞれ別個に添加して、子種類の配合組成物(比較
例を含む)を作成した。
次いで、この配合物は、75〜85℃に加熱さ1した8
インチ径の二本ロールで約へ分間加熱混練した後、冷却
し、粗粉砕して、半導体封止用成形財科組成物を得た。
インチ径の二本ロールで約へ分間加熱混練した後、冷却
し、粗粉砕して、半導体封止用成形財科組成物を得た。
この組成物を用いて、IMピッhD−RAML、訂、五
十個を、トランスファ成形機を用いて、180℃、70
kg−f/、:n、2分間の条件で、封止成形を行ない
、樹脂封止型半導体装置を得た。
十個を、トランスファ成形機を用いて、180℃、70
kg−f/、:n、2分間の条件で、封止成形を行ない
、樹脂封止型半導体装置を得た。
得られた樹脂封止型半導体装置は、121℃、2気圧の
過飽和水蒸気釜(プレッシャ・フッカ釜)に、所定時間
投入した後、取り出し、半導体装置が電気的に正常に動
作するか否かをチエツクし、不良動作(断線不良)を示
すものは、破壊検査により、素子上の配線が腐食により
断線故障したものであることを確認した。不良の発生状
況を第1表に示した。
過飽和水蒸気釜(プレッシャ・フッカ釜)に、所定時間
投入した後、取り出し、半導体装置が電気的に正常に動
作するか否かをチエツクし、不良動作(断線不良)を示
すものは、破壊検査により、素子上の配線が腐食により
断線故障したものであることを確認した。不良の発生状
況を第1表に示した。
〔発明の効果〕
本発明[こより、得られた樹脂組成物を加熱硬化した成
形品は、硬化性にすぐれ、しかも、耐熱性、耐湿性、可
どう性にすぐれている。
形品は、硬化性にすぐれ、しかも、耐熱性、耐湿性、可
どう性にすぐれている。
第1図は、本発明の一実施例の半導体装置の断面図、第
2図、第3図は、本発明の半導体装置の素子の部分断面
図である。 1・・・リード線、2・・・半導体素子、3・・保護被
覆樹脂、3−1・・・第−層保護被覆樹脂、3−11・
・・第二層保護被覆樹脂、4−I・・第−層配線、4−
II・・第二層配線、5・・・ポリイミド系樹脂、6
・・モールド樹脂、7・・・熱酸化膜。 代理人 弁理士 小川勝馬(j、i、号、−1 第 図
2図、第3図は、本発明の半導体装置の素子の部分断面
図である。 1・・・リード線、2・・・半導体素子、3・・保護被
覆樹脂、3−1・・・第−層保護被覆樹脂、3−11・
・・第二層保護被覆樹脂、4−I・・第−層配線、4−
II・・第二層配線、5・・・ポリイミド系樹脂、6
・・モールド樹脂、7・・・熱酸化膜。 代理人 弁理士 小川勝馬(j、i、号、−1 第 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、多官能エポキシ化合物(A)と、式〔 I 〕▲数式
、化学式、表等があります▼〔 I 〕 および/または式〔II〕 ▲数式、化学式、表等があります▼〔II〕 〔上記式中、RはH、低級アルキル基、フルオロアルキ
ル基、ハロゲン原子、−OH、−COOH、−NH_2
、−SO_3Hの中のいずれかである。〕で表わされる
シリコン変性フェノール系重合体(B)とを含むことを
特徴とするエポキシ樹脂組成物。 2、特許請求項第1記載のエポキシ樹脂組成物をベース
とした半導体封止用組成物。 3、特許請求項第1項記載のエポキシ樹脂組成物で、被
覆および/または封止したことを特徴とする半導体装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63276261A JPH02123127A (ja) | 1988-11-02 | 1988-11-02 | エポキシ樹脂組成物、及びその用途 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63276261A JPH02123127A (ja) | 1988-11-02 | 1988-11-02 | エポキシ樹脂組成物、及びその用途 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02123127A true JPH02123127A (ja) | 1990-05-10 |
Family
ID=17566966
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63276261A Pending JPH02123127A (ja) | 1988-11-02 | 1988-11-02 | エポキシ樹脂組成物、及びその用途 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02123127A (ja) |
-
1988
- 1988-11-02 JP JP63276261A patent/JPH02123127A/ja active Pending
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