JPH02123801A - マイクロ波共振器 - Google Patents
マイクロ波共振器Info
- Publication number
- JPH02123801A JPH02123801A JP27809588A JP27809588A JPH02123801A JP H02123801 A JPH02123801 A JP H02123801A JP 27809588 A JP27809588 A JP 27809588A JP 27809588 A JP27809588 A JP 27809588A JP H02123801 A JPH02123801 A JP H02123801A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- microwave resonator
- conductive layer
- coating
- solder
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は自動車電話等の高周波機器の誘電体共娠器、高
周波用路基板、マイクロ波集積回路に用いられるマイク
ロ波共振器に関する。
周波用路基板、マイクロ波集積回路に用いられるマイク
ロ波共振器に関する。
（従来の技術）
従来、マイクロ波共振器の導電層被膜としては銀が一般
的に用いられていた。しかしながら銀は高価であり、形
成された被膜厚みにもムラがあるという問題があり、そ
れに変わるものとして無電解めっきによる銅被膜の形成
が考えられている。
的に用いられていた。しかしながら銀は高価であり、形
成された被膜厚みにもムラがあるという問題があり、そ
れに変わるものとして無電解めっきによる銅被膜の形成
が考えられている。
しかし、通常の銅被膜だけでは大気中（外部雰囲気）に
対して酸化及び硫化するという問題があるため、銅とニ
ッケルと半田、銅と半田といった被膜層を形成すること
により上記問題を解決していた。
対して酸化及び硫化するという問題があるため、銅とニ
ッケルと半田、銅と半田といった被膜層を形成すること
により上記問題を解決していた。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら上記構成によるマイクロ波共振器部材であ
っても、ｆｒ（共振周波数）調整、フィルター調整等の
特性調整を行わなければマイクロ波共振器として作用し
ない。通常上記のような特性調整は前記マイクロ波共振
器部材の一部を研削することにより行われていた。
っても、ｆｒ（共振周波数）調整、フィルター調整等の
特性調整を行わなければマイクロ波共振器として作用し
ない。通常上記のような特性調整は前記マイクロ波共振
器部材の一部を研削することにより行われていた。
第６図、第７図に示すような上述したマイクロ波共振器
１１は円筒状のセラミック素体１３に銅被１ｌ１１４と
半田被膜１５が形成されてなり、円筒状の一端に前記セ
ラミック素体１３の露出部１３ａと前記銅被膜１４の露
出部１４ａと前記半田液ｌ１１１５の露出部１５ａより
なる研削露出面１２が形成されている。
１１は円筒状のセラミック素体１３に銅被１ｌ１１４と
半田被膜１５が形成されてなり、円筒状の一端に前記セ
ラミック素体１３の露出部１３ａと前記銅被膜１４の露
出部１４ａと前記半田液ｌ１１１５の露出部１５ａより
なる研削露出面１２が形成されている。
しかしながら上述したマイクロ波共振器１１では、研削
露出面１２の導電層被膜の露出部のうら特に銅被膜１４
の露出部１４ａが外部雰囲気に対し酸化及び硫化するた
め、共振器としての特性が著しく低下し密閉ケースには
使用出来てもオープンケースには使用出来ず共振器とし
ての信頼性に欠けるという問題があった。
露出面１２の導電層被膜の露出部のうら特に銅被膜１４
の露出部１４ａが外部雰囲気に対し酸化及び硫化するた
め、共振器としての特性が著しく低下し密閉ケースには
使用出来てもオープンケースには使用出来ず共振器とし
ての信頼性に欠けるという問題があった。
本発明は上述した問題点を解決し、導電層被膜の酸化、
硫化を防止でき著しい特性低下を起さず信頼性が向上し
密閉ケース、オープンケースのどちらでも使用可能なマ
イクロ波共振器を提供することを目的とりるものである
。
硫化を防止でき著しい特性低下を起さず信頼性が向上し
密閉ケース、オープンケースのどちらでも使用可能なマ
イクロ波共振器を提供することを目的とりるものである
。
［発明の構成］
（課題を解決するための手段）
本発明の構成はセラミック素体表面に導電層被膜が一部
に露出部を有するように形成されてなるマイクロ波共振
器において、前記導電層被膜の露出部を含む表面に合成
樹脂被膜を形成してなることを特徴とし、また、前記導
電層皮膜が銅と半田よりなることを特徴とし、さらに、
前記導電層皮膜は銅とニッケルと半田よりなることを特
徴とし、さらにまた前記合成樹脂被膜はフェノール樹脂
、エポキシ樹脂、シリコン樹脂から選ばれた１種である
ことを特徴とするものである。
に露出部を有するように形成されてなるマイクロ波共振
器において、前記導電層被膜の露出部を含む表面に合成
樹脂被膜を形成してなることを特徴とし、また、前記導
電層皮膜が銅と半田よりなることを特徴とし、さらに、
前記導電層皮膜は銅とニッケルと半田よりなることを特
徴とし、さらにまた前記合成樹脂被膜はフェノール樹脂
、エポキシ樹脂、シリコン樹脂から選ばれた１種である
ことを特徴とするものである。
（作 用）
マイクロ波共振器の研削露出面に合成樹脂による被膜を
形成したことにより導電層皮膜の酸化。
形成したことにより導電層皮膜の酸化。
硫化を防止できる。
（実施例）
本発明によるマイクロ波共振器の一実施例を図面を参照
して説明する。
して説明する。
第１図は本発明によるマイクロ波共振器の一実施例を示
す斜視図、第２図は同上の拡大断面図である。
す斜視図、第２図は同上の拡大断面図である。
図中に示すマイクロ波共振器１は円筒状のセラミック素
体３と、銅被膜４と半田被膜５と研削露出面２上に施さ
れたフェノール樹脂液ｌ１ｌ（合成樹脂被膜）８より形
成されている。
体３と、銅被膜４と半田被膜５と研削露出面２上に施さ
れたフェノール樹脂液ｌ１ｌ（合成樹脂被膜）８より形
成されている。
次に前記マイクロ波共振器１の製法について第３図を参
照して説明する。工程を説明する上で便宜上同図（ａ＞
（ｂ）（ｃ）（ｄ）はそれぞれ断面図にて示す。
照して説明する。工程を説明する上で便宜上同図（ａ＞
（ｂ）（ｃ）（ｄ）はそれぞれ断面図にて示す。
まず、第３図（ａ）に示すように前記セラミック素体３
は、ＢａＴ ｉ０３ 、ＭＦｒｉ０３などのチタン酸塩
系セラミック材料を主成分として、円筒状に成型し焼結
される。次に同図（ｂ）に示すように銅被膜４を無電解
めっき法により形成し、つづいて同図（Ｃ）に示すよう
に前記銅被１！Ｉ４上の全面に半田めっきを施し半田液
ｌ１１５を形成し一次加工品６を得る。その後、第３図
（ｄ）に示すように前記−次加工量６は、特性調整する
ためにその一端部を研削され研削露出面２が成形された
二次加工品７を得る。このとき前記研削露出面２には、
第４図に示すように前記セラミック素体３の露出部３ａ
と、前記銅被１ｆ！４の露出部４ａと、前記半田液１Ｉ
Ｉ５の露出部５ａが形成される。
は、ＢａＴ ｉ０３ 、ＭＦｒｉ０３などのチタン酸塩
系セラミック材料を主成分として、円筒状に成型し焼結
される。次に同図（ｂ）に示すように銅被膜４を無電解
めっき法により形成し、つづいて同図（Ｃ）に示すよう
に前記銅被１！Ｉ４上の全面に半田めっきを施し半田液
ｌ１１５を形成し一次加工品６を得る。その後、第３図
（ｄ）に示すように前記−次加工量６は、特性調整する
ためにその一端部を研削され研削露出面２が成形された
二次加工品７を得る。このとき前記研削露出面２には、
第４図に示すように前記セラミック素体３の露出部３ａ
と、前記銅被１ｆ！４の露出部４ａと、前記半田液１Ｉ
Ｉ５の露出部５ａが形成される。
次に、前記二次加工品７の前記研削露出面２にフェノー
ル樹脂をはけ塗り、あるいは吹き付けなどの適宜方法に
て施し、前記研削露出面２の各露出部３ａ、４ａ、５ａ
＠ｆＮうようにしてフェノール樹脂被膜８を形成し、第
１図、第２図に示すマイクロ波共振器１を得る。
ル樹脂をはけ塗り、あるいは吹き付けなどの適宜方法に
て施し、前記研削露出面２の各露出部３ａ、４ａ、５ａ
＠ｆＮうようにしてフェノール樹脂被膜８を形成し、第
１図、第２図に示すマイクロ波共振器１を得る。
第５図は上記製法により得た前記マイクロ波共振器１（
本発明）と従来のマイクロ波共振器（従来品）を試験雰
囲気（硫化水素−Ｈ２３５０ＰＰＭ。
本発明）と従来のマイクロ波共振器（従来品）を試験雰
囲気（硫化水素−Ｈ２３５０ＰＰＭ。
温度４０℃、相対湿度９５％ＲＨ）中に放置前（初期）
と９６Ｈｒ （時間）放置後（試験後）の特性値の変化
を示すグラフであり、同図（ａ）はｆｒ（共振周波数）
値の変化を示すグラフ、同図（ｂ）は本発明品のＱ値と
従来品のＱ値の変化を示すグラフである。
と９６Ｈｒ （時間）放置後（試験後）の特性値の変化
を示すグラフであり、同図（ａ）はｆｒ（共振周波数）
値の変化を示すグラフ、同図（ｂ）は本発明品のＱ値と
従来品のＱ値の変化を示すグラフである。
第５図（ａ）に示すようにｆｒ（共振周波数）値初期と
試験後の変化聞は従来品が１．２５ＭＨｚであるのに対
し本発明品は１０のオーダＱ変化が認られなかった。ま
た、Ｑ値においても従来品は６０のオーダで変化してい
るのに対し本発明は１０のオーダの変化にとどまってい
る。
試験後の変化聞は従来品が１．２５ＭＨｚであるのに対
し本発明品は１０のオーダＱ変化が認られなかった。ま
た、Ｑ値においても従来品は６０のオーダで変化してい
るのに対し本発明は１０のオーダの変化にとどまってい
る。
上述したように本発明品は試験雰囲気に９６Ｈｒ放置後
においても著しい特性低下は発生しておらず、導電層被
膜（特に銅被膜）が硫化されていないことが判断できる
。またフェノール樹脂の性質より酸化試験雰囲気中にお
いても同様の効果を得られることは言うまでもない。
においても著しい特性低下は発生しておらず、導電層被
膜（特に銅被膜）が硫化されていないことが判断できる
。またフェノール樹脂の性質より酸化試験雰囲気中にお
いても同様の効果を得られることは言うまでもない。
本発明は上記実施例に限定されず種々の変形実施が可能
である。例えば導電層被膜が銅とニッケルと半田より成
る場合においても同様の効果が得られる。また、前記合
成樹脂被膜がエポキシ樹脂又はシリコン樹脂よりなる場
合においても同様の効果が得られることは言うまでもな
い。
である。例えば導電層被膜が銅とニッケルと半田より成
る場合においても同様の効果が得られる。また、前記合
成樹脂被膜がエポキシ樹脂又はシリコン樹脂よりなる場
合においても同様の効果が得られることは言うまでもな
い。
［発明の効果］
上述した本発明によれば、導電層被膜の酸化。
硫化を防止でき、著しい特性低下を起さず信頼性が向上
し密閉ケース、オープンケースのどちらでも使用可能で
あるマイクロ波共振器を提供することができる。
し密閉ケース、オープンケースのどちらでも使用可能で
あるマイクロ波共振器を提供することができる。
第１図は本発明によるマイクロ波共振器の一実施例を示
す斜視図、第２図は同上の拡大断面図、第３図は本発明
によるマイクロ波共振器の製法の■稈を説明するための
図であり、同図（ａ）はセラミック素体の成形工程を説
明するための図、同図（ｂ）はセラミック素体上に銅被
膜を形成する工程を説明するための図、同図（Ｃ）は銅
被膜上に半田被膜を形成する工程を説明するための図、
同図（ｄ＞は特性調整のための研削工程を説明するため
の図、第４図は研削面の構成を説明するための図、第５
図は本発明による一実施例のマイクロ波共振器と従来の
マイクロ波共振器を試験雰囲気に９６ＨｒｔＩｉ置前後
の特性値の変化を示すグラフであり、同図（ａ）はｆｒ
値の変化を示すグラフ、同図（ｂ）はＱ値の変化を示す
グラフ、第６図は従来のマイクロ波共振器を示す斜視図
、第７図は同上の拡大断面図である。 １・・・マイクロ波共振器、２・・・研削露出面、３・
・・セラミック素体、 ４・・・銅被膜（導電層被膜）、 ５・・・半田被膜（導電層被膜）、 ８・・・フェノール樹脂液１ｆ！ｉ！（合成樹開被Ｉｌ
り。 第 図
す斜視図、第２図は同上の拡大断面図、第３図は本発明
によるマイクロ波共振器の製法の■稈を説明するための
図であり、同図（ａ）はセラミック素体の成形工程を説
明するための図、同図（ｂ）はセラミック素体上に銅被
膜を形成する工程を説明するための図、同図（Ｃ）は銅
被膜上に半田被膜を形成する工程を説明するための図、
同図（ｄ＞は特性調整のための研削工程を説明するため
の図、第４図は研削面の構成を説明するための図、第５
図は本発明による一実施例のマイクロ波共振器と従来の
マイクロ波共振器を試験雰囲気に９６ＨｒｔＩｉ置前後
の特性値の変化を示すグラフであり、同図（ａ）はｆｒ
値の変化を示すグラフ、同図（ｂ）はＱ値の変化を示す
グラフ、第６図は従来のマイクロ波共振器を示す斜視図
、第７図は同上の拡大断面図である。 １・・・マイクロ波共振器、２・・・研削露出面、３・
・・セラミック素体、 ４・・・銅被膜（導電層被膜）、 ５・・・半田被膜（導電層被膜）、 ８・・・フェノール樹脂液１ｆ！ｉ！（合成樹開被Ｉｌ
り。 第 図
Claims (4)
- （１）セラミック素体表面に導電層被膜が一部に露出部
を有するように形成されてなるマイクロ波共振器におい
て、前記導電層被膜の露出部を含む表面に合成樹脂被膜
を形成してなることを特徴とするマイクロ波共振器。 - （２）前記導電層被膜が銅と半田よりなることを特徴と
する請求項１記載のマイクロ波共振器。 - （３）前記導電層被膜は銅とニッケルと半田よりなるこ
とを特徴とする請求項１記載のマイクロ波共振器。 - （４）前記合成樹脂被膜はフェノール樹脂，エポキシ樹
脂，シリコン樹脂から選ばれた１種であることを特徴と
する請求項１，２又は３記載のマイクロ波共振器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27809588A JPH02123801A (ja) | 1988-11-01 | 1988-11-01 | マイクロ波共振器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27809588A JPH02123801A (ja) | 1988-11-01 | 1988-11-01 | マイクロ波共振器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02123801A true JPH02123801A (ja) | 1990-05-11 |
Family
ID=17592565
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27809588A Pending JPH02123801A (ja) | 1988-11-01 | 1988-11-01 | マイクロ波共振器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02123801A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04233302A (ja) * | 1990-12-28 | 1992-08-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 同軸型誘電体共振器 |
| US5210511A (en) * | 1990-11-20 | 1993-05-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Dielectric resonator and process for manufacturing the same |
-
1988
- 1988-11-01 JP JP27809588A patent/JPH02123801A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5210511A (en) * | 1990-11-20 | 1993-05-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Dielectric resonator and process for manufacturing the same |
| JPH04233302A (ja) * | 1990-12-28 | 1992-08-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 同軸型誘電体共振器 |
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