JPH0352275A - 電子部品及びその製造方法 - Google Patents
電子部品及びその製造方法Info
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- JPH0352275A JPH0352275A JP1188382A JP18838289A JPH0352275A JP H0352275 A JPH0352275 A JP H0352275A JP 1188382 A JP1188382 A JP 1188382A JP 18838289 A JP18838289 A JP 18838289A JP H0352275 A JPH0352275 A JP H0352275A
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Landscapes
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は電子部品及びその製造方法に関し、特に電子
部品の電極に関する． 〔従来の技術〕 トラップやセラミックフィルタなどのセラミック圧電体
を用いた電子部品は、誘電体としてのセラミック板に高
電圧を印加して分極させ圧電体に変えたのち、更に電極
加工などを施して製造されている。より具体的には、焼
威されたセラ逅ツク素体は単なる誘電体にすぎないため
、第４図に示すように、研磨されたセラミック素体１の
両面全面にたとえば銅製の電極２が付けられ、その両電
極２間に高電圧が印加される．高電圧の印加によってセ
ラミック素体１は分極して圧電性を示し、電圧の除去後
も残留分極により圧電性を示してセラ貴ツク素体１は圧
電体に変わる．ところが、この圧電性は経時的に漸減す
るため、その圧電性の漸減を防止することを目的にセラ
ミック圧電体１に熱処理が施される．次いで、セラミッ
ク圧電体１の両面全体に付けられた電極２を所定のパタ
ーンに或形した後、そのセラミック圧電体１の周波数を
調整するため、所定のパターンに威形された銅の電極２
の上にニッケルが無電解メッキによって所定の厚さに施
され、ニッケルの電極層３が形成されている。このよう
に従来のセラくンク圧電素子４の電極５は銅とニッケル
の２層によって構或されていた． 〔考案が解決しようとする課題〕 セラミック圧電体において、圧電性を長期間にわたって
ほぼ一定値に持続させるには熱処理を必要とするため、
従来の製造方法ではセラミック圧電体１の上に被着させ
られた銅の電極２が酸化し、酸化皮膜が形成されてしま
う．酸化皮膜の形戒によって絶縁抵抗が大きくなり、セ
ラ藁ツタ圧電体１換言すれば電子部品の特性を劣化させ
る原因となっていた。
部品の電極に関する． 〔従来の技術〕 トラップやセラミックフィルタなどのセラミック圧電体
を用いた電子部品は、誘電体としてのセラミック板に高
電圧を印加して分極させ圧電体に変えたのち、更に電極
加工などを施して製造されている。より具体的には、焼
威されたセラ逅ツク素体は単なる誘電体にすぎないため
、第４図に示すように、研磨されたセラミック素体１の
両面全面にたとえば銅製の電極２が付けられ、その両電
極２間に高電圧が印加される．高電圧の印加によってセ
ラミック素体１は分極して圧電性を示し、電圧の除去後
も残留分極により圧電性を示してセラ貴ツク素体１は圧
電体に変わる．ところが、この圧電性は経時的に漸減す
るため、その圧電性の漸減を防止することを目的にセラ
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ク圧電体１の両面全体に付けられた電極２を所定のパタ
ーンに或形した後、そのセラミック圧電体１の周波数を
調整するため、所定のパターンに威形された銅の電極２
の上にニッケルが無電解メッキによって所定の厚さに施
され、ニッケルの電極層３が形成されている。このよう
に従来のセラくンク圧電素子４の電極５は銅とニッケル
の２層によって構或されていた． 〔考案が解決しようとする課題〕 セラミック圧電体において、圧電性を長期間にわたって
ほぼ一定値に持続させるには熱処理を必要とするため、
従来の製造方法ではセラミック圧電体１の上に被着させ
られた銅の電極２が酸化し、酸化皮膜が形成されてしま
う．酸化皮膜の形戒によって絶縁抵抗が大きくなり、セ
ラ藁ツタ圧電体１換言すれば電子部品の特性を劣化させ
る原因となっていた。
そこで、本発明者は熱処理を施しても酸化皮膜を形成さ
せない電子部品の製造方法について鋭意研究を行った結
果、本発明に至ったのである。
せない電子部品の製造方法について鋭意研究を行った結
果、本発明に至ったのである。
本発明に係る電子部品の要旨とするところは、圧電セラ
ミック基板に電極を形成して構成される電子部品におい
て、前記電極が３層構造で構成したことにある． 特に、かかる電子部品の圧電セラミック基板に形成され
る電極が電気的良導体であって、該圧電セラミック基板
上に被着された第１の電極層はセラミック基板分極用の
金属から成り、該第１の電極層上に被着された第２の電
極層は当該第１の電極層の酸化を防止する酸化防止金属
から成り、該第２の電極層上に被着された第３の電極層
は圧電セラミック基板の周波数を調整するための金属か
ら戒ることにある． ここで、前記第１層が、銅又は銅合金であることを特徴
とし、また、前記第２層が、銀，銀合金，金．金合金．
白金若しくは白金合金又はこれらとの合金であることを
特徴とし、更に、前記第３層が、ニッケル又はニッケル
合金であることを特徴とするものである。また、前記第
３の電極層が半田被着性に優れた金属から威ることにあ
る．また、本発明に係る電子部品の製造方法の要旨とす
るところは、セラ逅ツク基板の両面に電気的良導体から
成る電極を被着させる電極被着工程と、該セラミック基
板に高電圧を印加して該セラミックを分極させる分極工
程と、該分極させられたセラミック基板に熱処理を施す
熱処理工程とを含む電子部品の製造方法において、前記
セラくツク基板の上に被着させられた第１の電極層の上
に、電気的良導体で且つ酸化し難い金属から戒る第２の
電極層を被着させる第２電極層被着工程が、少なくとも
前記熱処理工程の前に設けられていることにある． 特に、前記第１の電極層を真空蒸着法又はスパッタリン
グ法など所定の手法にてセラミック基板の上に被着させ
ることを特徴とし、また前記第２の電極層を真空蒸着法
又はスパッタリング法など所定の手法にて前記第１の電
極層の上に被着させることを特徴とするものである． 更に、第３の電極層を無電解メッキ法にて前記第２の電
極層の上に被着させることにある。
ミック基板に電極を形成して構成される電子部品におい
て、前記電極が３層構造で構成したことにある． 特に、かかる電子部品の圧電セラミック基板に形成され
る電極が電気的良導体であって、該圧電セラミック基板
上に被着された第１の電極層はセラミック基板分極用の
金属から成り、該第１の電極層上に被着された第２の電
極層は当該第１の電極層の酸化を防止する酸化防止金属
から成り、該第２の電極層上に被着された第３の電極層
は圧電セラミック基板の周波数を調整するための金属か
ら戒ることにある． ここで、前記第１層が、銅又は銅合金であることを特徴
とし、また、前記第２層が、銀，銀合金，金．金合金．
白金若しくは白金合金又はこれらとの合金であることを
特徴とし、更に、前記第３層が、ニッケル又はニッケル
合金であることを特徴とするものである。また、前記第
３の電極層が半田被着性に優れた金属から威ることにあ
る．また、本発明に係る電子部品の製造方法の要旨とす
るところは、セラ逅ツク基板の両面に電気的良導体から
成る電極を被着させる電極被着工程と、該セラミック基
板に高電圧を印加して該セラミックを分極させる分極工
程と、該分極させられたセラミック基板に熱処理を施す
熱処理工程とを含む電子部品の製造方法において、前記
セラくツク基板の上に被着させられた第１の電極層の上
に、電気的良導体で且つ酸化し難い金属から戒る第２の
電極層を被着させる第２電極層被着工程が、少なくとも
前記熱処理工程の前に設けられていることにある． 特に、前記第１の電極層を真空蒸着法又はスパッタリン
グ法など所定の手法にてセラミック基板の上に被着させ
ることを特徴とし、また前記第２の電極層を真空蒸着法
又はスパッタリング法など所定の手法にて前記第１の電
極層の上に被着させることを特徴とするものである． 更に、第３の電極層を無電解メッキ法にて前記第２の電
極層の上に被着させることにある。
かかる本発明によれば、熱処理工程の前に第１の電極層
の上に被着させた電気的良導体で且つ酸化し難い金属か
ら成る第２の電極層によって、第１の電極層が熱処理に
伴う酸化から防止される。
の上に被着させた電気的良導体で且つ酸化し難い金属か
ら成る第２の電極層によって、第１の電極層が熱処理に
伴う酸化から防止される。
したがって、第１の電極層に酸化皮膜が形成されずに第
２の電極層を介して第３の電極層を被着し得て、特性の
劣化がない電子部品を得ることが可能となる． 〔実施例〕 次に、本発明の実施例を図面に基づいて詳しく説明する
． 第２図は本発明が適用される電子部品の一例である圧電
共振子を用いたトラップ１０を示す図である．トラップ
１０は圧電セラミック基板１２の両面に相対向する電極
１４と共通電極１６が配設されるとともに、それぞれの
電極１４．１６には取出し電極を介して端子１８が接続
され、更に圧電セラ５ツタ基板１２部が図示しない外装
樹脂にて被覆されて構成されている。トラップ１０のフ
ィルタ特性は圧電セラミック基Ｆｉ１２の素材と寸法及
び電極１４．１６の寸法などによってほぼ定まり、共振
周波数の微調整は電極１４．１６の厚みを変えることに
より為されている。
２の電極層を介して第３の電極層を被着し得て、特性の
劣化がない電子部品を得ることが可能となる． 〔実施例〕 次に、本発明の実施例を図面に基づいて詳しく説明する
． 第２図は本発明が適用される電子部品の一例である圧電
共振子を用いたトラップ１０を示す図である．トラップ
１０は圧電セラミック基板１２の両面に相対向する電極
１４と共通電極１６が配設されるとともに、それぞれの
電極１４．１６には取出し電極を介して端子１８が接続
され、更に圧電セラ５ツタ基板１２部が図示しない外装
樹脂にて被覆されて構成されている。トラップ１０のフ
ィルタ特性は圧電セラミック基Ｆｉ１２の素材と寸法及
び電極１４．１６の寸法などによってほぼ定まり、共振
周波数の微調整は電極１４．１６の厚みを変えることに
より為されている。
このような電子部品の製造方法の一例を第１図に基づい
て説明する． 同図（ａ）はセラミック素体２０を示す。セラミック素
体２０は所定の素材を混合しプレス或形で仮にした後、
焼威されたものであり、所定の寸法に研磨されている．
このセラ箋ツク素体２０は誘電体としての性質を示すの
みで、圧電性を示さない。
て説明する． 同図（ａ）はセラミック素体２０を示す。セラミック素
体２０は所定の素材を混合しプレス或形で仮にした後、
焼威されたものであり、所定の寸法に研磨されている．
このセラ箋ツク素体２０は誘電体としての性質を示すの
みで、圧電性を示さない。
そこで、セラミック素体２０は分極させられ、圧電体に
される．セラミック素体２０の分極は、同図（ｂ）に示
すように、セラくツク素体２０の両面全体に電極２２が
被着され、両電極２２間に直流の高電圧が印加されてな
される。電極２２は電気的に良導体である銅又は銅合金
が用いられ、真空蒸着法やスパッタリング法などの手法
でセラミック素体２０の表面に被着させられる。ここで
、第１の電極層として銅又は銅合金が用いられるのは安
価で、しかも戒形性や薄膜強度に優れているなどの点に
ある。
される．セラミック素体２０の分極は、同図（ｂ）に示
すように、セラくツク素体２０の両面全体に電極２２が
被着され、両電極２２間に直流の高電圧が印加されてな
される。電極２２は電気的に良導体である銅又は銅合金
が用いられ、真空蒸着法やスパッタリング法などの手法
でセラミック素体２０の表面に被着させられる。ここで
、第１の電極層として銅又は銅合金が用いられるのは安
価で、しかも戒形性や薄膜強度に優れているなどの点に
ある。
直流の高電圧の印加により分極させられて圧電体となっ
た圧電セラミック基板２４は、同図（ｃ）に示すように
、銅又は銅合金の電極２２が所定のパターン（たとえば
第２図参照）に加工され、第１のｉｔ極層２６とされる
。次いで、同図（ｄ）に示すように、第１の電極層２６
の上には、第１の電極層２６と同じパターンの第２の電
極１１！２８がマスキングによる真空蒸着法あるいはス
パッタリング法などの公知の手法を用いて被着させられ
る．第２の電極層２８は電気的良導体で且つ酸化し難い
金属が用いられ、たとえば銀，銀合金，金，金合金，白
金若しくは白金合金又はこれら銀や金などとの合金が用
いられる。なお、経済性などの観点から銀が好ましい。
た圧電セラミック基板２４は、同図（ｃ）に示すように
、銅又は銅合金の電極２２が所定のパターン（たとえば
第２図参照）に加工され、第１のｉｔ極層２６とされる
。次いで、同図（ｄ）に示すように、第１の電極層２６
の上には、第１の電極層２６と同じパターンの第２の電
極１１！２８がマスキングによる真空蒸着法あるいはス
パッタリング法などの公知の手法を用いて被着させられ
る．第２の電極層２８は電気的良導体で且つ酸化し難い
金属が用いられ、たとえば銀，銀合金，金，金合金，白
金若しくは白金合金又はこれら銀や金などとの合金が用
いられる。なお、経済性などの観点から銀が好ましい。
第２の電極層２８が被着させられた圧電セラミック基板
２４には熱処理が施される。圧電セラミック基板２４に
熱処理が施されるのは次の理由による。高電圧の印加に
よって分極させられて生じた圧電性は枯化特性（エージ
ング特性）を示し、年月を経るとともに変化してしまう
。この枯化特性は特に大きな初期変化を経た後は安定し
た特性変化を示すことから、熱処理によって予め圧電セ
ラミック基板２４に初期変化を生じさせて、特性の安定
した製品を得ることにある。この熱処理によって圧電セ
ラミック基板２４に被着された電極Ｆｉ２６．２８は酸
化反応に曝されるが、銅や銅合金などの酸化させられ易
い金属から成る第１の電極層２６は銀などの酸化させら
れ難い金属から成る第２の電極層２８にて被覆されてい
るため、電極１’ｉ！２６．２８に絶縁性の酸化皮膜が
形戒されることはない。
２４には熱処理が施される。圧電セラミック基板２４に
熱処理が施されるのは次の理由による。高電圧の印加に
よって分極させられて生じた圧電性は枯化特性（エージ
ング特性）を示し、年月を経るとともに変化してしまう
。この枯化特性は特に大きな初期変化を経た後は安定し
た特性変化を示すことから、熱処理によって予め圧電セ
ラミック基板２４に初期変化を生じさせて、特性の安定
した製品を得ることにある。この熱処理によって圧電セ
ラミック基板２４に被着された電極Ｆｉ２６．２８は酸
化反応に曝されるが、銅や銅合金などの酸化させられ易
い金属から成る第１の電極層２６は銀などの酸化させら
れ難い金属から成る第２の電極層２８にて被覆されてい
るため、電極１’ｉ！２６．２８に絶縁性の酸化皮膜が
形戒されることはない。
熱処理が施され特性の安定した圧電セラ５ツク基板２４
には同図（ｅ）に示すように、更に第３の電極層３０が
第２の電極層２８の上に被着させられ、圧電セラくツク
の周波数が調整される。第３の電極層３０は、ニッケル
又はニッケル合金を好ましくは無電解メンキ法によって
第２の電極層２８の上に均一でしかも所定の厚さになる
まで被着させることにより形或される。この第３の電極
層３０の膜厚によって圧電セラミック基板２４の周波数
特性が微調整されるのである。このようにして製造され
た本発明に係る圧電セラミック素子３２の電極３４は第
１の電極層２６、第２の電極層２８及び第３の電極層３
０から成る３層構造とされている。
には同図（ｅ）に示すように、更に第３の電極層３０が
第２の電極層２８の上に被着させられ、圧電セラくツク
の周波数が調整される。第３の電極層３０は、ニッケル
又はニッケル合金を好ましくは無電解メンキ法によって
第２の電極層２８の上に均一でしかも所定の厚さになる
まで被着させることにより形或される。この第３の電極
層３０の膜厚によって圧電セラミック基板２４の周波数
特性が微調整されるのである。このようにして製造され
た本発明に係る圧電セラミック素子３２の電極３４は第
１の電極層２６、第２の電極層２８及び第３の電極層３
０から成る３層構造とされている。
圧電セラ逅ツク素子３２の電極３４に信号を伝達する取
出し電極についても、少なくともニッケル又はニッケル
合金から成る電極層が被着される。
出し電極についても、少なくともニッケル又はニッケル
合金から成る電極層が被着される。
取出し電極には端子１８（第２図参照）が半田付けされ
るため、半田との親和性が高く端子の剥離強度が強い電
極を得るために、ニッケル又はニッケル合金による被覆
が好ましい。なお、第１の電極層２６を構成する銅又は
銅合金は表面に酸化皮膜が形成されると半田との親和性
に劣り、剥離し易い，一方、第２の電極層２８を構或す
る銀又は銀合金は高温下において所謂半田くわれが発生
し易く、断線や剥離強度の低下が生ずる。そこで、電極
３４の第３の電極ＪＷ３０を形戒するのと同時に取出し
電極にも、ニッケル又はニッケル合金が被着させられる
のである。
るため、半田との親和性が高く端子の剥離強度が強い電
極を得るために、ニッケル又はニッケル合金による被覆
が好ましい。なお、第１の電極層２６を構成する銅又は
銅合金は表面に酸化皮膜が形成されると半田との親和性
に劣り、剥離し易い，一方、第２の電極層２８を構或す
る銀又は銀合金は高温下において所謂半田くわれが発生
し易く、断線や剥離強度の低下が生ずる。そこで、電極
３４の第３の電極ＪＷ３０を形戒するのと同時に取出し
電極にも、ニッケル又はニッケル合金が被着させられる
のである。
以上、本発明の実施例を詳述したが、本発明はその他の
態様でも実施し得るものでる。
態様でも実施し得るものでる。
たとえば、第３図に示すように、前述の実施例と同様に
セラミック素体２０に電極２２を被着させ、高電圧を印
加してセラミック素体２０を分極させた後、同図（ｃ）
に示すように、電極２２の上に第２の電極［３６をその
表面全体あるいは所定のパターン形状で被着させ、次い
で圧電セラミック基板２４を熱処理するようにしても良
い。
セラミック素体２０に電極２２を被着させ、高電圧を印
加してセラミック素体２０を分極させた後、同図（ｃ）
に示すように、電極２２の上に第２の電極［３６をその
表面全体あるいは所定のパターン形状で被着させ、次い
で圧電セラミック基板２４を熱処理するようにしても良
い。
本実施例において、電極２２の上に全面に第２の電極Ｎ
３６が被着させられている場合、同図（ｄ）に示すよう
に、第２の電極層３６とともに第１の電極層３８が所定
のパターンに加工されることとなる。一方、第２の電極
層３６が予め所定のパターン形状で電極２２の上に被着
させられている場合、第２の電極層３６が被着させられ
ていない電極２２の余りの部分は熱処理によって酸化さ
せられるが、同図（ｄ）に示す電極の加工により、酸化
させられた電極２２の部分は除去されることとなる。
３６が被着させられている場合、同図（ｄ）に示すよう
に、第２の電極層３６とともに第１の電極層３８が所定
のパターンに加工されることとなる。一方、第２の電極
層３６が予め所定のパターン形状で電極２２の上に被着
させられている場合、第２の電極層３６が被着させられ
ていない電極２２の余りの部分は熱処理によって酸化さ
せられるが、同図（ｄ）に示す電極の加工により、酸化
させられた電極２２の部分は除去されることとなる。
次いで、同図（ｅ）に示すように、圧電セラミック基板
２４に形成された第１の電極Ｎ３Ｂと第２の電極層３６
の上には前述と同様にして、第３の電極層４０が被着さ
れ、周波数の微調整が為され本実施例において示すよう
に、第２の電極層は少なくとも圧電セラミック基板に熱
処理が施される熱処理工程の前に、第１の電極層の上に
被着させられていれば足りる。
２４に形成された第１の電極Ｎ３Ｂと第２の電極層３６
の上には前述と同様にして、第３の電極層４０が被着さ
れ、周波数の微調整が為され本実施例において示すよう
に、第２の電極層は少なくとも圧電セラミック基板に熱
処理が施される熱処理工程の前に、第１の電極層の上に
被着させられていれば足りる。
その他、本発明はトラップやセラミックフィルタなどに
限定されるものではなく、他の電子部品の製造工程にお
いて熱処理工程を伴う場合に適用し得るものであるなど
、本発明はその趣旨を逸脱しない範囲内で、当業者の知
識に基づき種々なる変形，改良，修正を加えた態様で実
施し得るものである。
限定されるものではなく、他の電子部品の製造工程にお
いて熱処理工程を伴う場合に適用し得るものであるなど
、本発明はその趣旨を逸脱しない範囲内で、当業者の知
識に基づき種々なる変形，改良，修正を加えた態様で実
施し得るものである。
かかる本発明の電子部品はその電極を３層から成る構造
とし、その製造方法において、熱処理工程の前に酸化し
易い金属から戒る第１の電極層を酸化し難い金属から成
る第２の電極層で被覆するようにしているため、絶縁性
の酸化皮膜が第ｌの電極層に発生することがなく、特性
の劣化のない電子部品を得ることが可能となる。
とし、その製造方法において、熱処理工程の前に酸化し
易い金属から戒る第１の電極層を酸化し難い金属から成
る第２の電極層で被覆するようにしているため、絶縁性
の酸化皮膜が第ｌの電極層に発生することがなく、特性
の劣化のない電子部品を得ることが可能となる。
また、電極を３層構造とすることにより、取出し電極部
における端子の剥離強度を従来と同様の強度で確保でき
、品質の維持も図れることとなるなど、本発明は優れた
効果を奏するものである。
における端子の剥離強度を従来と同様の強度で確保でき
、品質の維持も図れることとなるなど、本発明は優れた
効果を奏するものである。
第１図は本発明に係る電子部品の製造方法の工程と電極
の構造を示す工程図であり、同図（ａ）乃至同図（ｅ）
はいずれも説明図である。第２図は本発明に係る電子部
品の一例を示す斜視図である。 第３図は本発明に係る電子部品の製造方法の他の実施例
を示す工程図であり、同図（ａ）乃至同図（ｅ）はいず
れも説明図である。 第４図は従来の電子部品の電極構造を示す説明図でる。 ｌＯ；トラップ １２，２４；圧電セラミック基板 １４，１６，３４；電極 ２０；セラ稟ンク素体 ２２；電極 ２６，３８；第１の電極層 ２８， ３６；第２の電極層 ３０． ４０：第３の電極層 ３２：圧電セラミック素子 出 願 人 株式会社 村田製作所 第 １ 図 （Ｃ） （ｄ） 第 ３ 図 （Ｃ） （ｄ） 第 ２ 図 ］ｂ 第 ４ 図
の構造を示す工程図であり、同図（ａ）乃至同図（ｅ）
はいずれも説明図である。第２図は本発明に係る電子部
品の一例を示す斜視図である。 第３図は本発明に係る電子部品の製造方法の他の実施例
を示す工程図であり、同図（ａ）乃至同図（ｅ）はいず
れも説明図である。 第４図は従来の電子部品の電極構造を示す説明図でる。 ｌＯ；トラップ １２，２４；圧電セラミック基板 １４，１６，３４；電極 ２０；セラ稟ンク素体 ２２；電極 ２６，３８；第１の電極層 ２８， ３６；第２の電極層 ３０． ４０：第３の電極層 ３２：圧電セラミック素子 出 願 人 株式会社 村田製作所 第 １ 図 （Ｃ） （ｄ） 第 ３ 図 （Ｃ） （ｄ） 第 ２ 図 ］ｂ 第 ４ 図
Claims (10)
- （１）圧電セラミック基板に電極を形成して構成される
電子部品において、前記電極が３層構造であることを特
徴とする電子部品。 - （２）前記圧電セラミック基板に形成される電極が電気
的良導体であって、該圧電セラミック基板上に被着され
た第１の電極層はセラミック基板分極用の金属から成り
、該第１の電極層上に被着された第２の電極層は当該第
１の電極層の酸化を防止する酸化防止金属から成り、該
第２の電極層上に被着された第３の電極層は圧電セラミ
ック基板の周波数を調整するための金属から成ることを
特徴とする請求項第１項に記載の電子部品。 - （３）前記第１の電極層が銅又は銅合金であることを特
徴とする請求項第２項に記載の電子部品。 - （４）前記第２の電極層が銀，銀合金，金，金合金，白
金若しくは白金合金又はこれらとの合金であることを特
徴とする請求項第２項又は第３項に記載の電子部品。 - （５）前記第３の電極層がニッケル又はニッケル合金で
あることを特徴とする請求項第２項乃至第４項のいずれ
かに記載の電子部品。 - （６）前記第３の電極層が半田被着性に優れた金属から
成ることを特徴とする請求項第２項に記載の電子部品。 - （７）セラミック基板の両面に電気的良導体から成る電
極を被着させる電極被着工程と、該セラミック基板に高
電圧を印加して該セラミックを分極させる分極工程と、
該分極させられたセラミック基板に熱処理を施す熱処理
工程とを含む電子部品の製造方法において、 前記セラミック基板の上に被着させられた第１の電極層
の上に、電気的良導体で且つ酸化し難い金属から成る第
２の電極層を被着させる第２電極層被着工程が、少なく
とも前記熱処理工程の前に設けられていることを特徴と
する電子部品の製造方法。 - （８）前記第１の電極層を真空蒸着法又はスパッタリン
グ法など所定の手法にてセラミック基板の上に被着させ
ることを特徴とする請求項第６項に記載の電子部品の製
造方法。 - （９）前記第２の電極層を真空蒸着法又はスパッタリン
グ法など所定の手法にて前記第１の電極層の上に被着さ
せることを特徴とする請求項第６項又は第７項に記載の
電子部品の製造方法。 - （１０）第３の電極層を無電解メッキ法にて前記第２の
電極層の上に被着させることを特徴とする請求項第６項
乃至第８項のいずれかに記載の電子部品の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1188382A JPH0352275A (ja) | 1989-07-19 | 1989-07-19 | 電子部品及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1188382A JPH0352275A (ja) | 1989-07-19 | 1989-07-19 | 電子部品及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0352275A true JPH0352275A (ja) | 1991-03-06 |
Family
ID=16222648
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1188382A Pending JPH0352275A (ja) | 1989-07-19 | 1989-07-19 | 電子部品及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0352275A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002141576A (ja) * | 2000-11-02 | 2002-05-17 | Fujitsu Ltd | ピエゾ素子と電極との接合方法及び該接合方法を使用したピエゾマイクロアクチュエータ |
-
1989
- 1989-07-19 JP JP1188382A patent/JPH0352275A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002141576A (ja) * | 2000-11-02 | 2002-05-17 | Fujitsu Ltd | ピエゾ素子と電極との接合方法及び該接合方法を使用したピエゾマイクロアクチュエータ |
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