JPH02128336A - 光学式ディクス基板用芳香族ポリカーボネート共重合体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この発明はレーザー光線により信号を記録し、あるいは
レーザー光線の反射又は透過により記録された信号の読
み出しを行なう光学式情報記録用ディスクに用いられる
芳香族ポリカーボネート共重合体に関する。

（従来の技術） レーザー光線のスポットビームをディスクにあて、ディ
スクに微細なビットで信号を記録あるいはこのようなビ
ットによって記録された信号をレーザー光線の反射又は
透過光量を検出することによって読み出すＤＲＡＷ（ダ
イレクト・リード・アフター・ライト）、Ｅｒａｓａｂ
ｌｅ　−ＤＲＡＷ（イレーザブル−ダイレクト・リード
・アフター・ライト）型光挙式情報記録、再生方式は著
しく記録密度を上げることができ、特にＥｒａｓａｂｌ
ｅ　−ＤＲＡＷ型では記録の消去・書き込みも可能であ
り、且つそれらから再生される画像や音質が優れた特性
を有することから画像や音質の記録又は記録再生、多量
の情報記録再生等に広く実用されることが期待されてい
る。この記録再生方式に利用されるディスクにはディス
ク本体をレーザー光線が透過するために透明であること
は勿論のこと読み取り誤差を少なくするために光学的均
質性が強く求められる。ディスク本体形成時の樹脂の冷
却及び流動過程において生じた熱応力９分子配向、ガラ
ス転移点付近の容積変化による残留応力が主な原因とな
り、レーザー光線がディスク本体を通過する際に複屈折
が生ずる。この複屈折に起因する信号アンバランスが大
きいことは光学式ディスクとしては致命的欠陥である。

（発明が解決しようとする課題） このようにディスク成形時の樹脂の冷却及び流動過程に
おいて生じた熱応力２分子配向、残留応力が主原因で生
ずる複屈折は形成条件を選ぶことによって、得られるデ
ィスクの複屈折はかなり小さくすることができるが、成
形樹脂自身のもつ固有の複屈折、即ち光弾性定数に大き
く依存している。また、このような複屈折に起因する光
学式ディスクの信号強度が大きいことは光学式ディスク
の記録再生機能の信頼性及び耐久性という点から好まし
くない。これまで前記に関して記載された先行技術文献
、特許は見当たらない。

（課題を解決するための手段） 複屈折は光弾性定数と残留応力の積として下記（１）式
で表すことができる。

ｎｌ−ｎ２＝　Ｃ（Ｇ、−（７２）　　　　　　　　（
１）ｎニーｎ２：複屈折 σ□−０２：残留応力 Ｃ：光弾性定数 式（１）の光弾性定数を小さくすれば成形条件が同じで
も得られるディスクの複屈折が小さくなることは明らか
である。そこで発明者らは鋭意研究の結果 一般式（Ｉ　）、（ＩＩ）、（ＩＩＩ）（Ｒ１、Ｒ２、
Ｒ３、Ｒ４は水素又は炭素数１〜８の直鎖又は枝分れを
含むアルキル基、又はフェニル基である。） から選ばれる２種類以上のビスフェノールを用いてカー
ボネート結合して得られる芳香族ポリカーボネート共重
合体が光弾性定数が小さく、且つガラス転移点が高い樹
脂であることを見い出すとともに、これらを用いて成形
した光学式ディスクの信号強度が小さい事実を見い出し
本発明に至ったものである。

即ち、本発明は （１）一般式（Ｉ　）、　（ＩＩ　）　、　（Ｈｌ）（
Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４は水素又は炭素数１〜８の直鎖
又は枝分れを含むアルキル基、又はフェニル基である。

） から選ばれる２種類以上のビスフェノールを用いてカー
ボネート結合して得られる芳香族ポリカーボネート共重
合体。

（２）ジクロロメタンを用いて２０℃で測定した固有粘
度が［ｒ１］から下記の式（ＩＶ）によって算出される
粘度平均分子量（Ｍｖ）が１５，０００〜２５，０００
である前記（１）記載の芳香族ポリカーボネート共重合
体。

［ｒｌｌ＝１．１１刈０−　４（Ｍｖ）０・８２（ＩＶ
　）（３）ガラス転移点（Ｔｇ）が１３０℃以上である
前記（１）又は（２）記載の光学式ディスク基板用芳香
族ボッカーボネート共重合体。

（４）成形されたディスク基板を用いて光学式ディスク
に対して下記の式で定義される信号アンバランス（Ｄ）
が０．０６以下である前記（１）又は（２）又は（３）
記載の光学式ディスク基板用芳香族ポリカーボネート共
重合体。

Ｄｉ、Ｄ２は各々ビームスプリッタ−を透過した光と反
射した光をピンダイオードで測定した値である。

（５）光弾性定数が６０ブリユースターズ（Ｂｒｅｗｓ
ｔｅｒｓ、１０”ｍ２／Ｎ）以下である前記（１）又は
（２）又は（３）又は（４）記載の光学式ディスク基板
用芳香族ポリカーボネート共重合体。

代表例としては以下の化合物が挙げられる。一般式（Ｉ
）に分類されるビスフェノールとして、２，２゜ビス−
（４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス−
（４−ヒドロキシフェニル）ブタン、２，２−ビス−（
４−ヒドロキシフェニル）−４−メチルペンタン、２，
２−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）オクタン、１，
１−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン
、　４，４’−ジヒドロキシ−２，２，２−）リフェニ
ルエタンなどが挙げられる。

般式（ＩＩ）に分類されるビスフェノールとして、２．
２．ビス−（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）プ
ロパン、２，２−ビス−（４−ヒドロキシ−３−イソプ
ロピルフェニル）プロパン、２，２−ビス−（４−ヒド
ロキシ−３−ｓｅｃ、ブチルフェニル）プロパン、２，
２−ビス−（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニ
ル）プロパン、２，２−ビス−（４−ヒドロキシ−３−
ターシャリ−ブチルフェニル）プロパンなどが挙げられ
る。一般式（ＩＩＩ　）に分類されるビスフェノールと
して、１，１′−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）−
ｐ−ジイソプロピルベンゼン、　１．１’−ビス−（４
−ヒドロキシフェニル）−ｍ−ジイソプロピルベンゼン
などが挙げられる。さらに、一般式（Ｉ　Ｌ（ＩＩＬ（
ＩＩＩ）から選ばれる一種のビスフェノールを第３成分
として用いて三元共重合体とさせることも可能である。

本発明の芳香族ポリカーボネート共重合体の製造法とし
ては次の方法がある。但し、ここでは、一般式（Ｉ）で
表される１、１′−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）
−Ｐ−ジイソプロピルベンゼンをもって代表する。

■エステル交換法 １．１′−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）−ｐ−ジ
イソプロピルベンゼンと４，４′−ジヒドロキシ−２，
２，２−）リフェニルエタンの混合物に対し化学量論的
に当量よりやや過剰のジフェニルカーボネートに、通常
のカーボネート化触媒の存在下、約１６０〜１８０℃の
温度下で常圧下、不活性ガスを導入した条件で約３０分
反応させ、２時間〜３時間かけて徐々に減圧しながら約
１８０〜２２０℃の温度下で最終的に１０Ｔｏｒｒ、２
２０℃で前縮合を終了する。その後、１０Ｔｏｒｒ、２
７０℃下で３０分、５Ｔｏｒｒ、２７０下０Ｃで２０分
反応し、次いで０．５Ｔｏｒｒ以下、好ましくは０．３
Ｔｏｒｒ〜０．ＩＴｏｒｒの減圧下で２７０’Ｃで１．
５時間〜２．０時間移線合を進める。尚、カーボネート
結合のためカーボネート化触媒としてはリチウム系触媒
、カリウム系触媒、ナトリウム系触媒、カルシウム系触
媒、錫系触媒等のアルカリ金属、アルカリ土類金属触媒
が適しており、例えば、水酸化リチウム、炭酸リチウム
、水素化ホウ素カリウム、リン酸水素カリウム、水酸化
ナトリウム、水素化ホウ素ナトリウム、水素化カルシウ
ム、ジブチル錫オキシド、酸化第１錫が挙げられる。こ
れらのうち、カリウム系触媒を用いることが好ましい。

■ホスゲン法 三つロフラスコにかき混ぜ機、温度計、ガス導入管、排
気管を付ける。１，１′−ビス−（４，ヒドロキシフェ
ニル）−ｐ−ジイソプロピルベンゼンと４，４′−ジヒ
ドロキシ−２，２，２−）リフェニルエタンの混合物の
混合物のピリジンに溶かしこれを激しくかき混ぜながら
ホスゲンガスを導入するのであるが、ホスゲンは猛毒で
あるから強力なドラフト中で操作する。また排気末端に
は水酸化ナトリウム１０％水溶液で余剰ホスゲンを分解
無毒化するユニットをつける。

ホスゲンはボンベからの洗気びん、パラフィンを入れた
洗気びん（泡散を数える）、空の洗気びんを通してフラ
スコに導入する。ガラス導入管はかき混ぜ機の上に差し
込むようにし、析出するピリジン塩によって詰まらない
ようにするため先端を漏斗状に広げておく。ガス導入に
伴いピリジンの塩酸塩が析出して内容は濁ってくる。反
応温度は３０’Ｃ以下になるように水冷する。縮合の進
行と共に粘ちょうになってくる。ホスゲン−塩化水素錯
体の黄色が消えなくなるまでホスゲンを通じる。

反応終了後、メタノールを加えて重合体を沈殿せしめ、
ろ別乾燥する。生成するポリカーボネートは塩化メチレ
ン、ピリジン、クロロホルム、テトラヒドロフランなど
に溶けるから、これらの溶液からメタノールで再沈殿し
て精製する。このようにして得られるポリカーボネート
共重合体は、レーザー光線により信号を記録し、或いは
、レーザー光線の反射又は透過により記録された信号の
読み出しをおこなうＤＲＡＷ　、　Ｅｒａｓａｂｉｅ　
−ＤＲＡＷ型光学式情報記録用ディスクに用いられる。

以下に本発明を実施例について説明するが、本発明は、
これらの実施例によって限定されるものではない。

（実施例） 実施例１ １．１′−ビス−（４−とドロ゛キシフェニル）−ｐ−
ジイソプロピルベンゼン２０８重量部（５０ｍｏ１％）
と４，４′−ジヒドロキシ−２，２，２−）リフェニル
エタン１７４重量部（５０ｍｏ１％）とジフェニルカー
ボネート２６４重量部を３１三つロフラスコに入れ、脱
気、Ｎ２バージを５回繰り返した後、シリコンバス１８
０℃で窒素を導入しながら溶融させた。溶融したら、カ
ーボネート化触媒である水素化ホウ素カリウムを予めフ
ェノールに溶かした溶液（仕込んだビスフェノール全量
に対して１０−３ｍｏ１％量）を加え、１８０℃，Ｎ２
下。

３０分撹はん醸成した。次に、同温度下ＩＱＱＴｏｒｒ
にし３０分撹はんした後、同温度下でさらに５ＱＴｏｒ
ｒに減圧し、３０分反応させた。次に徐々に温度を２２
０℃まで上げ６０分反応させ、ここまでの反応でフェノ
ール留出理論量の８０％を留出させた。しかる後、同温
度下で１ＱＴｏｒｒに減圧し３０分反応させ温度を徐々
に２７０’Ｃに上げ、３０分反応させた。さらに同温度
下で５Ｔｏｒｒに減圧し３０分反応させ、フェノール留
出理論量のほぼ全量を留出させ前縮合を終えた。次に同
温度下で０．１〜Ｑ、３Ｔｏｒｒで１．５時間移線合さ
せた。窒素下にて生成物のポリマーを取り出し冷却した
後、ジクロルメタンを溶媒に用いて２０℃にて溶液粘度
を測定した。この値から算出した粘度平均分子量Ｍｖ＝
１９，６００であった。また、ＤＳＣ（ディファレンシ
ャル・スキャニング・カロリメーター；Ｐｅｒｋｉｎ−
Ｅｌｍｅｒ　２Ｃ型）からガラス転移点はＴｇ＝１６４
℃であることがわかった。更に光弾性定数を測定すると
Ｃ＝５９ブリュースターズ（Ｂｒｅｗｓｔｅｒｓ、１０
”ｍ２／Ｎ）であることがわかった。光弾性定数は自作
のものを用いて測定したが、光弾性定数の算出方法は試
験片（５ｍｍＸ　１０ｍｍＸ　１ｍｍ）に異なる大きさ
の引張応力を長さ方向に追加し、発生する複屈折を測定
し前記式（１）に各々の値を代入してその傾きから光弾
性定数を求めた。因に２．２−ビス−（４−ヒドロキシ
フェニル）プロパンのポリカーボネートの光弾性定数は
Ｃ＝８２ブリュースターズ（Ｂｒｅｗｓｔｅｒｓ　、　
１０”ｍ２／Ｎ）であった。

粘度平均分子量の評価方法は、２０℃における塩化メチ
レン溶液の固有粘度［ｒ１］をウベローデ粘度計を用い
て測定し、次式を用いて粘度平均分子量Ｍｖを計算した
。

［η］＝１．１１ｘｌＯ−４（Ｍｖ）０−８２また、信
号アンバランスＤは０．０５であった。信号アンバラン
スＤは第１図で示すＤＩ、Ｄ２で得られる信号を　ｏｌ
　二ｏ２　　に代入して計算された値であり１　＋　Ｄ
２ る。

実施例２ １．１−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキ
サン１６１重量部（５Ｑｍｏ１％）と４，４′−ジヒド
ロキシ−２，２，２−トリフェニルエタン１７４重量１
（５０ｍｏ１％）とジフェニルカーボネート２６４重量
部を実施例１と同様の方法で重合した。

粘度平均分子量　Ｍｖ＝２１，０００ ガラス転移温度　Ｔｇ＝１７０℃ 光弾性定数　　　Ｃ＝５９ブリュースターズ信号アンバ
ランスＤ＝０．０４ 実施例３ １．１−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキ
サン１６１重量部（５Ｑｍｏ１％）と２，２−ビス−（
４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）プロパン１５４
重ｉ　部（５０ｍｏ１％）とジフェニルカーボネート２
６４重量部を実施例１と同様の方法で重合した。

粘度平均分子量　Ｍｖ＝１９，８００ ガラス転移温度　Ｔｇ＝１４４℃ 光弾性定数　　　Ｃ＝５９ブリュースターズ信号アンバ
ランスＤ＝０．０４ 実施例４ ４．４′−ジヒドロキシ−２，２，２−）リフェニルエ
タン１７４重量部（５Ｑｍｏ１％）と２，２−ビス、（
４−ヒドロキシ−３−インプロピルフェニル）プロパン
１８７　重量部（５０ｍｏ１％）とジフェニルカーボネ
ート２６４重量部を実施例１と同様の方法で重合した。

粘度平均分子量　Ｍｖ＝２１，０００ ガラス転移温度　Ｔｇ＝１３４℃ 光弾性定数　　　Ｃ＝４６ブリユースターズ信号アンバ
ランスｎ＝ｏ、ｏｓ５ 実施例５ ２．２−ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェ
ニル）プロパン１７５重量部（５Ｑｍｏ１％）と２，２
−ビス−（４−ヒドロキシ−３−イソプロピルフェニル
）プロパン１９２ｉｉ部（５Ｑｍｏ１％）とジフェニル
カーボネート２６４重量部を実施例１と同様の方法で重
合した。

粘度平均分子量　Ｍｖ＝１７，０００ ガラス転移温度　Ｔｇ＝１３８℃ 光弾性定数　　　Ｃ＝４４ブリュースターズ信号アンバ
ランスＤ＝０．０３５ 実施例６ １′、１−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）−Ｐ−ジ
イソプロピルベンゼン２０８重量部（５Ｑｍｏ１％）と
２，２−ビス、（４−ヒドロキシ−３，メチルフェニル
）プロパン１５４ｉ量部（５０ｍｏ１％）とジフェニル
カーボネート２６４重量部を実施例１と同様の方法で重
合した。

粘度平均分子量　Ｍｖ＝２０，６００ ガラス転移温度　Ｔｇ＝１３８℃ 光弾性定数　　　Ｃ＝５９ブリュースターズ信号アンバ
ランスＤ＝０．０４ 実施例７ １．１−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキ
サン１６１重量部（５Ｑｍｏ１％）と１′、１−ビス−
（４−ヒドロキシフェニル）−ｍ−ジイソプロピルベン
ゼン２０８重量部（５Ｑｍｏ１％）とジフェニルカーボ
ネート２６４重量部を実施例１と同様の方法で重合した
。

粘度平均分子量　Ｍｖ＝１８，０００ ガラス転移温度　Ｔｇ＝１３４℃ 光弾性定数　　　Ｃ＝５６ブリュースターズ信号アンバ
ランスＤ＝０．０４ 実施例８ ４．４′−ジヒドロキシ−２，２，２−）リフェニルエ
タン１７４重量部（５Ｑｍｏ１％）と１′、１−ビス−
（４−ヒドロキシフェニル）−ｍ−ジイソプロピルベン
ゼン２０８重量部（５ｏｍｏ１％）とジフェニルカーボ
ネート２６４重量部を実施例１と同様の方法で重合した
。

粘度平均分子量　Ｍｖ＝１９，５００ ガラス転移温度　Ｔｇ＝１３１℃ 光弾性定数　　　Ｃ＝５１ブリュースターズ信号アンバ
ランスＤ＝０．０３ 実施例９ ２．２−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）プロパン２
４９重量音Ｂ（６０ｍ０１％）と１′、１−ビス−（４
−ヒトＤ　キシ７　ニー１−　）し）−ｍ−ジイソプロ
ピルベンゼン１３７　重量部（４Ｑｍｏ１％）とジフェ
ニルカーボネート２６４重量部を実施例１と同様の方法
で重合した。

粘度平均分子量　Ｍｖ＝１９，７００ ガラス転移温度　Ｔｇ＝１４５℃ 光弾性定数　　　Ｃ＝４８ブリュースターズ信号アンバ
ランスＤ＝０．０４ 実施例１０ １′、１−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）−ｐ−ジ
イソプロピルベンゼン２０８重量部（５Ｑｍｏ１％）と
１′、１−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）−ｍ−ジ
イソプロピルベンゼン２０８　重量部（５Ｑｍｏ１％）
とジフェニルカーボネート２６４重量部を実施例１と同
様の方法で重合した。

粘度平均分子量　Ｍｖ＝２３，０００ ガラス転移温度　Ｔｇ＝１３０℃ 光弾性定数　　　Ｃ＝５６ブリユースターズ信号アンバ
ランスＤ＝０．０５ 実施例１１ １′、１−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）−ｐ−ジ
イソプロピルベンゼン２０８重量部（５Ｑｍｏ１％）と
２，２−ビス−（３，５ジメチル−４−ヒドロキシフェ
ニル）プロパン１７１重量部（５ｏｍｏ１％）とジフェ
ニルカーボネート２６４重量部を実施例１と同様の方法
で重合した。

粘度平均分子量　Ｍｖ＝２０，５００ ガラス転移温度　Ｔｇ＝１６９℃ 光弾性定数　　　Ｃ＝５８ブリュースターズ信号アンバ
ランスＤ＝０．０５ 実施例１２ ２．２−ビス−（４−ヒドロキシ−３−ターシャリ−ブ
チルフェニル）プロパン２０９重量部（５０ｍｏ１％）
と２，２−ビス。

（４−ヒドロキシフェニル）プロパン１４０　ｔ　置部
（５Ｑｍｏ１％）とジフェニルカーボネート２６４重量
部を実施例１と同様の方法で重合した。

粘度平均分子量　Ｍｖ＝１９，０００ ガラス転移温度　Ｔｇ＝１３３℃ 光弾性定数　　　Ｃ＝５６ブリユースターズ信号アンバ
ランスＤ：０．０４５ 実施例１３ ２．２−ビス−（４−ヒドロキシ−３−ターシャリ−ブ
チルフェニル）プロパン２０９重量部（５０ｍｏ１％）
と１，１−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘ
キサン１６５重量部（５Ｑｍｏ１％）とジフェニルカー
ボネート２６４重量部を実施例１と同様の方法で重合し
た。

粘度平均分子量　Ｍｖ＝１８，０００ ガラス転移温度　Ｔｇ＝１４３℃ 光弾性定数　　　Ｃ＝４８ブリュースターズ信号アンバ
ランスＤ：０．０３ 実施例１４ ２．２−ビス、（４−ヒドロキシ−３−ターシャリ−ブ
チルフェニル）プロパン２０９重量部（５０ｍｏ１％）
と４，４′−ジヒドロキシ−２，２，２−）リフェニル
エタン１７８　ｔ　ｆｒ　Ｒ（５０ｍｏ１％）とジフェ
ニルカーボネート２６４重量部を実施例１と同様の方法
で重合した。

粘度平均分子量　Ｍｖ＝２１，５００ ガラス転移温度　Ｔｇ＝１５０℃ 光弾性定数　　　Ｃ＝４３ブリュースターズ信号アンバ
ランスＤ＝０．０４ 実施例１５ ２．２−ビス、（４−ヒドロキシ−３−ターシャリ−ブ
チルフェニル）プロパン２０９重量部（５０ｍｏ１％）
と２，２−ビスー−（３，５−ジメチル−４−ヒドロキ
シフェニル）プロパン１７５重１［部（５０ｍｏ１％）
とジフェニルカーボネート２６４重量部を実施例１と同
様の方法で重合した。

粘度平均分子量　Ｍｖ　＝　１８，７００ガラス転移温
度　Ｔｇ＝１５４℃ 光弾性定数　　　Ｃ＝４１ブリュースターズ信号アンバ
ランスＤ＝０．０５ 実施例１Ｇ ２．２−ビス−（４−ヒドロキシ−３−ターシャリ−ブ
チ７　ｘ　ニー　）Ｌｙ）ブｏ′＜：／２０９重量部（
５Ｑｍｏ１％）と１，１・−ビー（４−ヒドロキシフェ
ニル）−ｐ、ジイソプロピルベンジ２１３重量部（５Ｑ
ｍｏ１％）とジフェニルカーホキ−２６４重量部を実施
例１と同様の方法で重合した。

粘度平均分子量　Ｍｖ　＝　２２，０００ガラス転移温
度　Ｔｇ＝１３６℃ 光弾性定数　　　Ｃ＝４９ブリュースターズ信号アンバ
ランスＤ＝０．０３ 実施例１７ ２．２−ビス−（４−ヒドロキシ−３−ターシャリープ
チレフェニル）プロパン１６７重量部（４Ｑｍｏ１％）
と１，１′−ビニ−（４−ヒドロキシフェニル）−ｐ−
ジイソプロピルベンーン８５重量部（２０ｍ０１％）と
４，４′−ジヒドロキシ−２，２，２−リフェニルエタ
ン１４３　重Ｋ　部（４Ｑｍｏ１％）とジフェニルカー
ボネート２６４重量部を実施例１と同様のし法で重合し
た。

粘度平均分子量　Ｍｖ＝２１，０００ ガラス転移温度　Ｔｇ　＝　１４７℃ 光弾性定数　　　Ｃ＝４４ブリュースターズ信号アンバ
ランスｎ＝ｏ、ｏ３ （記録特性の評価） 上記のようにして製造したポリカーボネート共重合体に
記録膜を付けて、光記録特性評価した。

即ち、実施例１，２に記載のポリカーボネート共重合体
を射出成形機（名機製作所製、ダイナメルター）を用い
て直径１３０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍの円盤状基板に成形
し、この基板上にＴｂ２３．５　Ｆｅ６４．２　ＣＯ１
２，３（原子％）の合金ターゲットを用いてスパッタリ
ング装置（ＲＦスパッタリング装置、日本真空（株）製
）中で光磁気記録膜を１，０００人形成した。この記録
膜上に本出願人による特開昭６０４７７４４９号に記載
の無機ガラスの保護膜１，０００人を上記と同じスパッ
タリング装置を用いて形成した。得られた光磁気ディス
クの性能をＣＮ比、ＢＥＲおよび６０℃９０ＲＨ％の条
件下でのＣＮ比変化率で評価した。結果は表１の通りで
あった。

（注１）ＣＮ比＝書き込みパワー７ｍＷ（ミリワット）
、読み取りパワー１ｍＷ、キャリア周波数ＩＭＨｚ、分
解能帯域中３０ＫＨｚで測定 （注２）　ＣＮ変化率（％）＝初期ＣＮ比に対する６０
℃，９０ＲＨ％条件下で３０日経過後のＣＮ比の低下度 （注３）比較例＝従来公知のポリカーボネート（奇人化
成（株）ＡＤ−５５０３）基板を用いて上記と同じ手順
で光磁気ディスクを作ったものである。

（注４）　ＢＥＲは全ビット数に対する不良ビット数の
割合 （発明の効果） 表１の結果かられかるように光弾性定数を小さくする芳
香族ポリカーボネート共重合体を用いることにより信号
アンバランスの小さいことが大きな要因となって光学式
ディスクの記録再生特性及び耐久性が向上する。

【図面の簡単な説明】

第１図は、 略図である。 （符号の説明） １、　　・・・・・・・・ ２、　・・・・・・・・ ３、　　・・・・・・・・ ４、　　・・・・・・・・ ５、　　・・・・・・・・ ６、　　・・・・・・・・ 光学式ディスク駆動装置の光学系機 レーザー ポーラライザー ビームスプリッタ− フォーカスレンズ ピンダイオード 光学式ディスク

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. （１）一般式（Ｉ）、（II）、（III） ▲数式、化学式、表等があります▼（Ｉ） ▲数式、化学式、表等があります▼（II） ▲数式、化学式、表等があります▼（III） （Ｒ＿１、Ｒ＿２、Ｒ＿３、Ｒ＿４は水素又は炭素数１
   〜８の直鎖又は枝分れを含むアルキル基、又はフェニル
   基である。） から選ばれる２種類以上のビスフェノールを用いてカー
   ボネート結合して得られる光学式ディスク基板用芳香族
   ポリカーボネート共重合体。
2. （２）ジクロロメタンを用いて２０℃で測定した固有粘
   度が［η］から下記の式（IV）によって算出される粘度
   平均分子量（＠Ｍ＠ｖ）が１５，０００〜２５，０００
   である特許請求の範囲第１項記載の光学式ディスク基板
   用芳香族ポリカーボネート共重合体。 ［η］＝１．１１×１０＾−＾４（＠Ｍ＠ｖ）＾０＾．
   ＾８＾２（IV）
3. （３）ガラス転移点（Ｔｇ）が１３０℃以上である特許
   請求の範囲第１項又は第２項記載の光学式ディスク基板
   用芳香族ポリカーボネート共重合体。
4. （４）成形されたディスク基板を用いて光学式ディスク
   に対して下記の式で定義される信号アンバランス（Ｄ）
   が０．０６以下である特許請求の範囲第１項又は第２項
   又は第３項記載の光学式ディスク基板用芳香族ポリカー
   ボネート共重合体。 Ｄ＝（Ｄ＿１−Ｄ＿２）／（Ｄ＿１＋Ｄ＿２） Ｄ＿１、Ｄ＿２は各々ビームスプリッターを透過した光
   と反射した光をピンダイオードで測定した値である。
5. （５）光弾性定数が６０ブリュースターズ（Ｂｒｅｗｓ
   ｔｅｒｓ、１０＾−＾１＾２ｍ＾２／Ｎ）以下である特
   許請求の範囲第１項又は第２項又は第３項又は第４項記
   載の光学式ディスク基板用芳香族ポリカーボネート共重
   合体。