JPH02129370A - Ｃｖｄ装置への液化性原料導入法 - Google Patents
Ｃｖｄ装置への液化性原料導入法Info
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- JPH02129370A JPH02129370A JP28028988A JP28028988A JPH02129370A JP H02129370 A JPH02129370 A JP H02129370A JP 28028988 A JP28028988 A JP 28028988A JP 28028988 A JP28028988 A JP 28028988A JP H02129370 A JPH02129370 A JP H02129370A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
- C23C16/4485—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by evaporation without using carrier gas in contact with the source material
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
この発明は、ＣＶＤ装置への液化性原料導入法に関する
。
。
（従来の技術）
近年、ＣＶＤ法（気相成長法）は、その自由度の大きさ
や精密制御性から工業的に幅広く用いられるようになっ
てきた。それに伴い、用いられるガス種も多岐に渡るよ
うになシ中には常温常圧で液体の原料も少なくない。例
えば、半導体分野で使用される有機金属ＣＶＤや有機シ
ランＣＶＤはその好例である。ところがＣＶＤ法は、そ
の原理上、最終的には原料のすべては気体化する必要が
あるためこの様な液化原料をあらかじめ気化する方法が
種々提案されてきた。ここでＣＶＤ装置への液化性原料
導入法が具備することが望ましい条件について述べる。
や精密制御性から工業的に幅広く用いられるようになっ
てきた。それに伴い、用いられるガス種も多岐に渡るよ
うになシ中には常温常圧で液体の原料も少なくない。例
えば、半導体分野で使用される有機金属ＣＶＤや有機シ
ランＣＶＤはその好例である。ところがＣＶＤ法は、そ
の原理上、最終的には原料のすべては気体化する必要が
あるためこの様な液化原料をあらかじめ気化する方法が
種々提案されてきた。ここでＣＶＤ装置への液化性原料
導入法が具備することが望ましい条件について述べる。
■導入量の精密制御が容易なこと。
■反応室の状態（例えば圧力、温度など）などに左右さ
れず安定した原料導入が可能なこと。
れず安定した原料導入が可能なこと。
■蒸気圧の異なる異種の液化原料を各々独立にかつ精密
に制御可能なこと。
に制御可能なこと。
以上の観点から従来技術について評価してみたい。まず
最も簡便な方法として「バブリング法」が挙げられる。
最も簡便な方法として「バブリング法」が挙げられる。
これは、キャリアガスを液体タンク内に導入し発泡させ
ることで液化原料の気化を実現するものである。しかし
この方法では、得られるガスが上記キャリアガスとの混
合気となり不要なガス導入を強いられる。また導入量の
精密制御が極めて困難である。一方、「ベーキング法」
は、タンク内を加熱または減圧雰囲気として原料を気化
させ反応室内に導入するものである。しかしこの方法で
はタンク内の液体原料の残量やタンク形状、或いは反応
室内の圧力変動などにより蒸発量が変化するため気化し
た原料ガスを精密に制御するために特殊なガスフローコ
ントロールシステムを設ける必要があるが、現在までに
十分満足のゆく性能を有するガス７０−コントローシス
テムは得られていない。さらには、蒸気圧の異なる異種
の液化原料を反応室内に導入する場合反応室内の圧力に
よりガス発生量の上限が決まってしまい導入量が制限を
受けるほか個々の原料毎にタンクから反応室に至るまで
のすべての系を独立して設ける必要があるなど不都曾が
多い。そのほかの方法として、あらかじめ液体状態で秤
量し反応室内に直接液体原料を導入し、反応室で気化す
る方法がある。（「直接気化法」二特開昭６２−２３８
６２８（シリコン及び酸素を含む１ｉｉを形成する方法
。）など）この方法は、前述のＣＶＤ装置への液化性原
料導入法及びその装置が具備することが望ましい条件の
■、■を満足するものである。しかし、反応室が減圧状
態にないと実現不可能なほか、状況によっては急激な気
化がおき断熱膨張により局所的に冷却され再度液化して
しまうなどの深刻な問題がある。
ることで液化原料の気化を実現するものである。しかし
この方法では、得られるガスが上記キャリアガスとの混
合気となり不要なガス導入を強いられる。また導入量の
精密制御が極めて困難である。一方、「ベーキング法」
は、タンク内を加熱または減圧雰囲気として原料を気化
させ反応室内に導入するものである。しかしこの方法で
はタンク内の液体原料の残量やタンク形状、或いは反応
室内の圧力変動などにより蒸発量が変化するため気化し
た原料ガスを精密に制御するために特殊なガスフローコ
ントロールシステムを設ける必要があるが、現在までに
十分満足のゆく性能を有するガス７０−コントローシス
テムは得られていない。さらには、蒸気圧の異なる異種
の液化原料を反応室内に導入する場合反応室内の圧力に
よりガス発生量の上限が決まってしまい導入量が制限を
受けるほか個々の原料毎にタンクから反応室に至るまで
のすべての系を独立して設ける必要があるなど不都曾が
多い。そのほかの方法として、あらかじめ液体状態で秤
量し反応室内に直接液体原料を導入し、反応室で気化す
る方法がある。（「直接気化法」二特開昭６２−２３８
６２８（シリコン及び酸素を含む１ｉｉを形成する方法
。）など）この方法は、前述のＣＶＤ装置への液化性原
料導入法及びその装置が具備することが望ましい条件の
■、■を満足するものである。しかし、反応室が減圧状
態にないと実現不可能なほか、状況によっては急激な気
化がおき断熱膨張により局所的に冷却され再度液化して
しまうなどの深刻な問題がある。
このように、従来方法では上述の■、■、■のすべての
条件を満足するＣＶＤ装置への液化性原料導入法は存在
しなかった。
条件を満足するＣＶＤ装置への液化性原料導入法は存在
しなかった。
（発明が解決しようとする課題）
本発明は以上の従来技術の問題点に鑑み、ＣＶＤ装置へ
の単数ないし複数の液化性原料を精密・安定・簡便に導
入可能な液化性原料導入法を供給するものである。
の単数ないし複数の液化性原料を精密・安定・簡便に導
入可能な液化性原料導入法を供給するものである。
（課題を解決するための手段）
不発明は、反応室内に原料を導入するのに先立ちあらか
じめ液体を秤量し、その後予備室で気化し、反応室内に
導入するものである。
じめ液体を秤量し、その後予備室で気化し、反応室内に
導入するものである。
（作用）
本発明では、例えば液体秤量ポンプによシ精密に秤量で
さ、しかも予備室で予め気化した後に反応室に導入する
ため、反応室が大気圧であってもガス状態で各々の原料
を所望の量だけ精密かつ安定に供給できる。
さ、しかも予備室で予め気化した後に反応室に導入する
ため、反応室が大気圧であってもガス状態で各々の原料
を所望の量だけ精密かつ安定に供給できる。
（実施例）
第１図を用いて本発明の詳細な説明する。本実施例では
有機シランと有機ボロンを用いた常圧ＣＶＤ装置への液
体原料導入法の場合を一例に説明する。
有機シランと有機ボロンを用いた常圧ＣＶＤ装置への液
体原料導入法の場合を一例に説明する。
まず、全体の構成について説明する。装置本体の反応室
（１０１）は、パルプ（１０８）を介して予備室（１０
２）と接続されている。予備室（１０２）内には加熱ヒ
ーター（１０３）が設置されており、さらに予備室（１
０２）には、液体秤量ポンプ（１０４）の付いたノズル
（１０５）が導入されている。有機シランと有機ボロン
は各々のタンク（１０６，１０７）に貯蔵されている。
（１０１）は、パルプ（１０８）を介して予備室（１０
２）と接続されている。予備室（１０２）内には加熱ヒ
ーター（１０３）が設置されており、さらに予備室（１
０２）には、液体秤量ポンプ（１０４）の付いたノズル
（１０５）が導入されている。有機シランと有機ボロン
は各々のタンク（１０６，１０７）に貯蔵されている。
上記のような装置に於いてまず有機シランと有機ボロン
を各々所望の分量だけ液体秤量ポンプ（１０４）を用い
て秤量し、（例えば、有機シランとして硅酸エチルを用
い、反応室内に常温常圧換算で毎分１００ＣＣの硅酸エ
チルガスを導入する場合、約１ ｒｎｌ ／ ｍ ｉ
ｎの秤量を行なうことになる。）ノズル（１０５）を通
し、各々のタンク（１０６゜１０７）から予備室（１０
２）に導入する。ここで各液体は、反応・分解温度を下
回る範囲で加熱ヒーター（１０３）を用いて気化する。
を各々所望の分量だけ液体秤量ポンプ（１０４）を用い
て秤量し、（例えば、有機シランとして硅酸エチルを用
い、反応室内に常温常圧換算で毎分１００ＣＣの硅酸エ
チルガスを導入する場合、約１ ｒｎｌ ／ ｍ ｉ
ｎの秤量を行なうことになる。）ノズル（１０５）を通
し、各々のタンク（１０６゜１０７）から予備室（１０
２）に導入する。ここで各液体は、反応・分解温度を下
回る範囲で加熱ヒーター（１０３）を用いて気化する。
さらにパルプ（１０８）を開き予備室（１０２）から反
応室（１０１）に気化した原料ガスを導入する。
応室（１０１）に気化した原料ガスを導入する。
本実施例によれば、液化原料である有機シランと有機ボ
ロンを液体秤敏ポンプ（１０４）により精密に秤量でさ
（液体秤量ポンプは、化学工業で一般に使用され例えば
０．０１１７１７／ｒｎｉｎの精密秤量が可能）、さら
に予備室（１０２）に於いてあらかじめ気化した後に反
応室（１０１）に導入するため反応室（１０１）が大気
圧であってもガス状態で各々の原料を所望の量だけ精密
かつ安定して供給可能である。
ロンを液体秤敏ポンプ（１０４）により精密に秤量でさ
（液体秤量ポンプは、化学工業で一般に使用され例えば
０．０１１７１７／ｒｎｉｎの精密秤量が可能）、さら
に予備室（１０２）に於いてあらかじめ気化した後に反
応室（１０１）に導入するため反応室（１０１）が大気
圧であってもガス状態で各々の原料を所望の量だけ精密
かつ安定して供給可能である。
尚、本実施例では、例えば予備室（１０２）内の気化は
加熱ヒーター（１０３）により実現したが予備室（１０
２）全体を加熱したり減圧下に置くなどでも良く、各液
体原料の混合した後に予備室（１０２）炒 導入しても良く、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々
の変形が可能なのはいうまでもない。
加熱ヒーター（１０３）により実現したが予備室（１０
２）全体を加熱したり減圧下に置くなどでも良く、各液
体原料の混合した後に予備室（１０２）炒 導入しても良く、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々
の変形が可能なのはいうまでもない。
本発明によれば、ＣＶＤ装置への単数ないし複数の液化
性原料が精密・安定・簡便に導入可能となった。
性原料が精密・安定・簡便に導入可能となった。
第１図は、本発明の詳細な説明するための装置の概要図
である。 １０１・・・反応室、１０２・・・予備室、１０３・・
・加熱ヒーター、１０４・・・液体秤量ポンプ、１０５
・・・ノズル、１０６・・・有機シラン貯蔵タンク、１
０７・・・有機ボロン貯蔵タンク、１０８・・・バルブ
。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑
である。 １０１・・・反応室、１０２・・・予備室、１０３・・
・加熱ヒーター、１０４・・・液体秤量ポンプ、１０５
・・・ノズル、１０６・・・有機シラン貯蔵タンク、１
０７・・・有機ボロン貯蔵タンク、１０８・・・バルブ
。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑
Claims (6)
- （１）少なくとも１種の液体を定常的に秤量し、予備室
で気化した後に、反応室内に導入することを特徴とした
ＣＶＤ装置への液化性原料導入法。 - （２）液体として有機シランと有機ボロン、有機リン、
有機ヒ素、有機アンチモンのグループのうちから少なく
とも１種を組み合わせたことを特徴とする請求項１記載
のＣＶＤ装置への液化性原料導入法。 - （３）液体として有機金属を用いることを特徴とする請
求項１記載のＣＶＤ装置への液化性原料導入法。 - （４）液体はすべて同一の予備室において同時に気化す
ることを特徴とする請求項１乃至請求項３のうちのいず
れかに記載のＣＶＤ装置への液化性原料導入法。 - （５）液体の少なくとも２種は各々別の予備室において
気化することを特徴とする請求項１乃至請求項３のうち
のいずれかに記載のＣＶＤ装置への液化性原料導入法。 - （６）液体の少なくとも２種を予備室導入以前にあらか
じめ混合することを特徴とする請求項１乃至請求項５の
うちのいずれかに記載のＣＶＤ装置への液化性原料導入
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63280289A JP2938461B2 (ja) | 1988-11-08 | 1988-11-08 | Ｃｖｄ装置への液化性原料導入法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63280289A JP2938461B2 (ja) | 1988-11-08 | 1988-11-08 | Ｃｖｄ装置への液化性原料導入法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02129370A true JPH02129370A (ja) | 1990-05-17 |
| JP2938461B2 JP2938461B2 (ja) | 1999-08-23 |
Family
ID=17622914
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63280289A Expired - Fee Related JP2938461B2 (ja) | 1988-11-08 | 1988-11-08 | Ｃｖｄ装置への液化性原料導入法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2938461B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013046517A1 (ja) * | 2011-09-30 | 2013-04-04 | 株式会社フジキン | 気化器 |
| US8724974B2 (en) | 2011-09-30 | 2014-05-13 | Fujikin Incorporated | Vaporizer |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62238628A (ja) * | 1986-04-04 | 1987-10-19 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | シリコン及び酸素を含む層を形成する方法 |
| JPS6372883A (ja) * | 1986-09-12 | 1988-04-02 | Nec Corp | 化学気相成長方法 |
| JPS6365216U (ja) * | 1986-10-17 | 1988-04-30 |
-
1988
- 1988-11-08 JP JP63280289A patent/JP2938461B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62238628A (ja) * | 1986-04-04 | 1987-10-19 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | シリコン及び酸素を含む層を形成する方法 |
| JPS6372883A (ja) * | 1986-09-12 | 1988-04-02 | Nec Corp | 化学気相成長方法 |
| JPS6365216U (ja) * | 1986-10-17 | 1988-04-30 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013046517A1 (ja) * | 2011-09-30 | 2013-04-04 | 株式会社フジキン | 気化器 |
| JP2013077710A (ja) * | 2011-09-30 | 2013-04-25 | Tohoku Univ | 気化器 |
| US8724974B2 (en) | 2011-09-30 | 2014-05-13 | Fujikin Incorporated | Vaporizer |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2938461B2 (ja) | 1999-08-23 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |