JPH02129910A - Ｘ線露光用マスク - Google Patents
Ｘ線露光用マスクInfo
- Publication number
- JPH02129910A JPH02129910A JP63284427A JP28442788A JPH02129910A JP H02129910 A JPH02129910 A JP H02129910A JP 63284427 A JP63284427 A JP 63284427A JP 28442788 A JP28442788 A JP 28442788A JP H02129910 A JPH02129910 A JP H02129910A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- ray exposure
- film
- frame
- ring
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は半導体装置の製造時に使用するＸ線露光用マ
スクの改良に関するものである。
スクの改良に関するものである。
第２図は従来のＸ線露光用マスクを示す説明図で、その
製作工程に沿った構成図を順に示している。先ず■に示
すように、厚さ０．５〜ｚｏｎ翼程度のＳｉウェハ（１
）の両面に減圧Ｃ■法等によってＳｉＮ又はＢＮなとの
膜（２３（３）を厚さ２μｍ程度に形成する。
製作工程に沿った構成図を順に示している。先ず■に示
すように、厚さ０．５〜ｚｏｎ翼程度のＳｉウェハ（１
）の両面に減圧Ｃ■法等によってＳｉＮ又はＢＮなとの
膜（２３（３）を厚さ２μｍ程度に形成する。
次いで＠に示すように、下面の膜（３）の中心部分をエ
ツチングによって除去し、Ｘ線露光の露光エリア（４）
を形成する。その後、ＫＯＨの水溶液でエツチングを行
なう。この場合、下面に残存する膜（３）がマスクとな
ってＳｉウェハ（１）の中心部分が除去され、環状のフ
レーム（５）として整形される一方、上面の膜（２１は
除去されないため（Ｃ）に示す状態となり、Ｘ線の透過
膜を形成する。
ツチングによって除去し、Ｘ線露光の露光エリア（４）
を形成する。その後、ＫＯＨの水溶液でエツチングを行
なう。この場合、下面に残存する膜（３）がマスクとな
ってＳｉウェハ（１）の中心部分が除去され、環状のフ
レーム（５）として整形される一方、上面の膜（２１は
除去されないため（Ｃ）に示す状態となり、Ｘ線の透過
膜を形成する。
ところで膜＋２１ （３１は、後述するように、その外
面吸収体パターンを形成した時、吸収体パターンの位置
歪みをな（するために引張り内部応力となるように形成
されている結果、（０に示すようｆこ、Ｓ１ウエハ（１
）の中心部分が除去されると上面の膜（２］の張りによ
って０６ζ示すように、反りが生ずる。
面吸収体パターンを形成した時、吸収体パターンの位置
歪みをな（するために引張り内部応力となるように形成
されている結果、（０に示すようｆこ、Ｓ１ウエハ（１
）の中心部分が除去されると上面の膜（２］の張りによ
って０６ζ示すように、反りが生ずる。
なお、上記露光エリア（４）に当る上面の膜（２）の外
面にＡｕ、Ｗなどによって形成される吸収体パターン（
６）ヲ装着することにより露光マスクが構成される。
面にＡｕ、Ｗなどによって形成される吸収体パターン（
６）ヲ装着することにより露光マスクが構成される。
従来のＸ線露光用マスクは以上のように構成され、Ｓｌ
のフレーム（５ンの片側に引張り応力をもった膜が張ら
れた構成となっているため、膜の応力によって第２図（
Ｑに示すように、膜の側に向かって反りが生じ、その結
果、パターン寸法やパターン配置などの高精度転写及び
アライメント精度が悪化するという問題点があった。
のフレーム（５ンの片側に引張り応力をもった膜が張ら
れた構成となっているため、膜の応力によって第２図（
Ｑに示すように、膜の側に向かって反りが生じ、その結
果、パターン寸法やパターン配置などの高精度転写及び
アライメント精度が悪化するという問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、フレームの反りを改善することかでさるＸ線
露光用マスクを提供しようとするものである。
たもので、フレームの反りを改善することかでさるＸ線
露光用マスクを提供しようとするものである。
この発明に係るＸ線露光用マスクは、Ｓｉのフレームの
裏面にＳｉよりも熱膨張係数の大さい部材で形成された
リング状の板をＸ線露光時の使用温度（常温）よりも高
い温度のもとで装着するようにしたものである。
裏面にＳｉよりも熱膨張係数の大さい部材で形成された
リング状の板をＸ線露光時の使用温度（常温）よりも高
い温度のもとで装着するようにしたものである。
この発明によれば、Ｓｊよりも熱膨張係数の大きい部材
で形成されたリング状の板を常温より高い温度のもとで
Ｓｉのフレームの裏面に装着しているため、常温におい
ては上記板が収縮しようとし、これが上述したマスクの
反りを戻す方向に作用する結果、マスクの反りを改善す
ることかでさるものである。
で形成されたリング状の板を常温より高い温度のもとで
Ｓｉのフレームの裏面に装着しているため、常温におい
ては上記板が収縮しようとし、これが上述したマスクの
反りを戻す方向に作用する結果、マスクの反りを改善す
ることかでさるものである。
以下１、この発明の一実施例を第１図にもとすいて説明
する。
する。
第１図は実施例の製作工程を示す概略図で、従来のもの
に相当する部分にはそれと同一符号を付している。第１
図（４）及び■は第２図の（ロ）及びの）と同内容の工
程であるため説明を省略する。
に相当する部分にはそれと同一符号を付している。第１
図（４）及び■は第２図の（ロ）及びの）と同内容の工
程であるため説明を省略する。
その後（６）に示す状態のものを高温槽Ｇこ入れ、下面
に残存する膜（３）の外面にＳｔよりも熱膨張係数の大
さい部材、例えばＴｉ、Ａ／などで形成されたリング状
の板（７）を装着する。
に残存する膜（３）の外面にＳｔよりも熱膨張係数の大
さい部材、例えばＴｉ、Ａ／などで形成されたリング状
の板（７）を装着する。
板（７）の装着後に常温に戻すと、板（７）はＳｉより
も収縮しようとするため、（Ｃ）に示すように凸状に反
ることになる。この状態でＫＯＨの水溶液に浸漬してエ
ツチングを行なう。この場合、下面をこ残存する膜（３
）がマスクとなってＳｉウェハ（１）の中心部分が除去
され、環状のフレーム（５ンとしで整形され、■に示す
ようになることは従来のものと同様である。
も収縮しようとするため、（Ｃ）に示すように凸状に反
ることになる。この状態でＫＯＨの水溶液に浸漬してエ
ツチングを行なう。この場合、下面をこ残存する膜（３
）がマスクとなってＳｉウェハ（１）の中心部分が除去
され、環状のフレーム（５ンとしで整形され、■に示す
ようになることは従来のものと同様である。
又、この時、上面の膜（２）の引張り応力によって第２
図（９の如くＩζ反るような力が作用することも従来の
ものと同様であるが、この力が第１図（Ｑの工程で作用
する力と逆方向に作用するため、双方の力がつりあうよ
うＧζすれば、第１図■に示すように、マスクの反りを
なくするか又は著るしく改善することができる。
図（９の如くＩζ反るような力が作用することも従来の
ものと同様であるが、この力が第１図（Ｑの工程で作用
する力と逆方向に作用するため、双方の力がつりあうよ
うＧζすれば、第１図■に示すように、マスクの反りを
なくするか又は著るしく改善することができる。
この状態で（８）曇こ示すように、上面の膜（２）にＡ
ｕ。
ｕ。
Ｗなどの吸収体パターン（６）を装着すればマスクとし
て完成する。
て完成する。
なお、以との実施例では、リング状の板（７）を構成す
る材料の一例としてＴｉ、Ａｌを挙げたが、Ｓｉよりも
熱膨張係数の大きいガラス材料、ＢＮ、ＳｆＣなとのセ
ラミック材料あるいはカーボン系の材料であっても同様
の効果を期待することかでさる。
る材料の一例としてＴｉ、Ａｌを挙げたが、Ｓｉよりも
熱膨張係数の大きいガラス材料、ＢＮ、ＳｆＣなとのセ
ラミック材料あるいはカーボン系の材料であっても同様
の効果を期待することかでさる。
以上のようにこの発明によればＮＳＩフレームの一面を
こ装着したＸ線の透過膜によって生ずる反りを、フレー
ムの他面に装着したリング状の板の収縮力によって相殺
するようにしているため、マスクの反りをほとんどなく
することができ、精度の高い転写とアライメントが可能
となるものである。
こ装着したＸ線の透過膜によって生ずる反りを、フレー
ムの他面に装着したリング状の板の収縮力によって相殺
するようにしているため、マスクの反りをほとんどなく
することができ、精度の高い転写とアライメントが可能
となるものである。
第１図はこの発明の一実施例の製作工程を示す概略図、
第２図は従来のＸ線露光用マスクの構成を製作工程に沿
って示す説明図である。 図において（１）はＳｉウェハ、＋２１ （３）は膜、
（４）は露光エリア、（５）はフレーム、（６）は吸収
体パターン、（７）はリング状の仮である。 なお、図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。 代理人 弁理士 大 岩 増 雄 第２図
第２図は従来のＸ線露光用マスクの構成を製作工程に沿
って示す説明図である。 図において（１）はＳｉウェハ、＋２１ （３）は膜、
（４）は露光エリア、（５）はフレーム、（６）は吸収
体パターン、（７）はリング状の仮である。 なお、図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。 代理人 弁理士 大 岩 増 雄 第２図
Claims (1)
- シリコンのフレームの一面にＸ線の透過膜を装着すると
共に、他面にシリコンより熱膨張係数の大きい部材で形
成されたリング状の板を装着し、上記板が常温において
収縮し得るようにしたことを特徴とするＸ線露光用マス
ク
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63284427A JPH02129910A (ja) | 1988-11-09 | 1988-11-09 | Ｘ線露光用マスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63284427A JPH02129910A (ja) | 1988-11-09 | 1988-11-09 | Ｘ線露光用マスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02129910A true JPH02129910A (ja) | 1990-05-18 |
Family
ID=17678410
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63284427A Pending JPH02129910A (ja) | 1988-11-09 | 1988-11-09 | Ｘ線露光用マスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02129910A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6283534B1 (en) | 2000-07-24 | 2001-09-04 | The Budd Company | Active door upper |
| US6561567B2 (en) | 2000-07-24 | 2003-05-13 | Joseph E. Mrozowski | Active door upper |
| CN108535953A (zh) * | 2018-03-29 | 2018-09-14 | 上海华力集成电路制造有限公司 | 光刻掩模版 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5331974A (en) * | 1976-09-06 | 1978-03-25 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Mask for exposure |
-
1988
- 1988-11-09 JP JP63284427A patent/JPH02129910A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5331974A (en) * | 1976-09-06 | 1978-03-25 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Mask for exposure |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6283534B1 (en) | 2000-07-24 | 2001-09-04 | The Budd Company | Active door upper |
| US6561567B2 (en) | 2000-07-24 | 2003-05-13 | Joseph E. Mrozowski | Active door upper |
| CN108535953A (zh) * | 2018-03-29 | 2018-09-14 | 上海华力集成电路制造有限公司 | 光刻掩模版 |
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