JPH02129940A

JPH02129940A - 電子部品搭載用フイルムキャリア及びその製造方法

Info

Publication number: JPH02129940A
Application number: JP63283295A
Authority: JP
Inventors: Toshitami Komura; 香村　利民; Kazuhiro Furukawa; 古川　和弘; Yasuhiro Horiba; 掘場　保宏; Yoshihiro Namikawa; 南川　芳廣
Original assignee: Ibiden Co Ltd
Current assignee: Ibiden Co Ltd
Priority date: 1988-11-09
Filing date: 1988-11-09
Publication date: 1990-05-18

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は、電子部品搭載用フィルムキャリア。

及びその製造方法に関する。

〔従来技術〕

電子部品搭載用フィルムキャリアに用いる可撓性絶縁基
板としては、従来、ポリイミドが広く用いられ、また特
定の用途にはポリエステルも用いられている（特公昭４
７−３２０６号）。

しかして、フィルムキャリアにおいてはアウターリード
等の近傍には、その可撓性絶縁基板（以下、単に基板と
もいう）を貫通する開孔部を設ける必要がある（第１図
、第２図参照）、この開孔部は、基板上のアウターリー
ドから外部への配線時、或いはインナーリードへの電子
部品搭載時の接続等のために設けるものである。そして
、該開孔部はパンチング、化学エツチング等により穿設
されている。

〔解決しようとする課題〕

しかしながら、上記開孔部形成に当たってパンチングを
用いるときには、穴明加工した開孔部端面にパリ等が発
生したり、削除された基板クズが発生し９更には基板に
残留応力歪を発生させるなど、を子部品を搭載する基板
に悪い影響を与える。

また、化学エツチングにより穿孔する方法については、
前記従来基板のポリイミドは強アルカリによってしか化
学エツチングすることができない。

そして２周知のごとく１強アルカリは人体に対する危険
が大きく、その取扱いに十分な注意を払わなければなら
ない、また、かかる強アルカリにより、ポリイミドを化
学エツチングする場合には化学エツチング速度が低く、
かつ円滑な開孔部を得ることが困難である。

また、１を子部品を半田付けするため、基板には耐熱性
が要求される。この点、ポリイミドは耐熱性には優れて
いる（最高温度約４００°Ｃ）、しかし、ポリイミドは
、搭載する電子部品にとって悪影響を与える吸水性が高
い、一方、ポリエステルは吸水性は低いが、耐熱性に劣
る（最高温度約１５０°Ｃ）。

本発明は、かかる従来の問題点に鑑み、化学エツチング
による開孔部形成が容易で、耐熱性、耐湿性にも優れた
電子部品搭載用フィルムキャリア及び該フィルムキャリ
アの製造方法を提供しようとするものである。

〔課題の解決手段〕

本発明は、可撓性絶縁基板上にインナーリードと、アウ
ターリードと、これらインナーリードとアウターリード
間を接続するための導体回路とを形成してなると共に、
上記可撓性絶縁基板を貫通する開孔部を有するフィルム
キャリアであって。

上記可撓性絶縁基板は、０．２−以下の厚みであり、か
つポリフェニレンオキシドにより構成したことを特徴と
する電子部品搭載用フィルムキャリアにある。

本発明において、インナーリードは基板に対して電子部
品を搭載する接続部、アウターリードは外部と接続する
接続部である。

また、前記基板としては、ポリフェニレンオキシド樹脂
を用いる。該樹脂には、変性ポリフェニレンオキシド樹
脂も含まれる。

しかして、該基板は、厚みが０．２ｍｍ以下であること
が必要である。０．２ｍを越えるとフィルムキャリアに
要求される可撓性が低下し、また前記開孔部形成が円滑
になされない恐れがある。また、０．２ｍを越えると、
後述するごとく、該基板のインナーリードに電子部品を
搭載する際、該基板上に設けた位置合わせ用のアライメ
ントマークが画像認識によって識別し難くなり、電子部
品の搭載操作に支障を生ずる。また、基板の厚みは。

インナーリード等を形成し、保持するために、０゜０１
ｍ以上であることが好ましい。

また、基板に設ける開孔部は、前記のごとくパリ発生が
ないこと等により、化学エツチングにより穿設すること
が望ましい、化学エツチングのエツチング液としては、
トリクレン、塩化メチレン。

四塩化炭素、アセトン、キシレン、トルエン、ベンゼン
等の有機溶剤を用いる。このうち、特にトリクレン、塩
化メチレン、四塩化炭素等の塩素系有機溶剤は、エツチ
ング速度が大きく、好ましい。

また、インナーリードは、開孔部形成部分に片持梁式形
成されていても良いが、基板の表面上に密着形成してお
くこともできる。後者の場合は。

インナーリードを形成した側の基板上に電子部品が搭載
される。

また、電子部品を搭載する際には、電子部品と基板との
間の正確な位置合わせをするために２例えば画像認識法
による位置確認を行う。そして。

その識別標識として基板上及び電子部品上にアライメン
トマークを設ける。かかるアライメントマークは、イン
ナーリードの形成面側の基板上に設けることが好ましい
、これは９本発明にかかる基板は透明であり、かつ薄い
ために、上記アライメントマークをインナーリード形成
面側に設けることによって、インナーリードへの電子部
品の位置合わせが一層容易になるからである。即ち、電
子部品の搭載時に、基板の裏側より基板を透視して。

電子部品上のアライメントマークと基板上のアライメン
トマークとを画像認識し易いためである。

また、インナーリードの形成と同時ｒアライメントマー
クを形成する工程を採るときには、インナーリードとア
ライメントマークとの相対的な位置ずれ量は、これを別
工程で形成する場合の２分の１以下にすることができる
。

また、基板上には、化学エツチングによる凹所を設けて
おくことが好ましい、これは部品の位置合わせや封止樹
脂の流れ止め等に用いるためである。

また、開孔部はアウターリードの近傍或いは電子部品を
搭載するインナーリードの近傍等に設ける０次に、イン
ナーリード、アウターリード、導体回路は、従来と同様
、銅箔等の金属層により形成する。その形成は、金属層
を接着剤で接合した後所望の配線パターンにエツチング
することにより行う、また、蒸着、スパッタリング、フ
ィルム熱圧着等により金属層を基板上に形成し同様にエ
ンチングすることなどにより行う、上記金属層としては
１ｗ４．アルミニウム、ステンレス鋼、鉄。

ニッケル、これらの合金などがある。なお、後者の、接
着剤を用いず金属層を直接形成する方法は。

フィルムキャリアの厚みを増加させず、また接着剤中の
微量金属イオンの悪影響がなくなる点より好ましい方法
である。

次に、上記フィルムキャリアの製造方法としては、０．
２ｍ＋以下の厚みで、かつポリフェニレンオキシドによ
り構成した可撓性絶縁基板を用い。

該可撓性絶縁基板の表面に開孔部形成位置を除いて耐有
機溶剤性のマスクを被覆し２次いで該可撓性絶縁基板を
有機溶剤を用いた化学エツチング処理に付し、上記開孔
部を形成することを特徴とする電子部品搭載用フィルム
キャリアの製造方法がある。

上記方法において、化学エツチング用の有機溶剤は、前
記したものを用いる。また、化学エツチング用マスクと
しては、クロム、銅、アルミニウム等の金属、ポリイミ
ドなど該有機溶剤によって侵食されない材料を用いる。

また、上記開孔部は、基板の片面に、インナーリード、
アウターリード等を形成するための銅箔を接合し、他面
には開孔部形成位置を除いて耐有機溶剤性のマスクを被
覆し１次いで該基板を有機溶剤を用いた化学エツチング
処理に付すことによって、形成することもできる。この
方法によれば。

インナーリード、アウターリード近傍の所望位置に、銅
箔接合後において、容器に開孔部を形成することができ
る。

〔作用及び効果〕

本発明においては、フィルムキャリアの可撓性絶縁基板
は、０．２ｉｎ以下の厚みを有し、かつポリフェニレン
オキシド樹脂（変性ポリフェニレンオキシド樹脂も含む
。以下同じ）のみによって構成されている。そして、該
ポリフェニレンオキシドは、特に有機溶剤によって容易
に化学エツチングされ易い。

また、該ポリフェニレンオキシドは、前記従来技術で示
したポリエステルに比して、耐熱性にすぐれている（第
１表参照）、また、吸水率に関しては、前記従来のポリ
イミドに比して極めて低い（同表参照）、また、基板は
０．２ｍｍ以下と極めて薄り、シかもその表面にインナ
ーリード等を形成し、更に電子部品を搭載しても充分の
強度を有している。また、ポリフェニレンオキシドは、
特に、誘電率、誘電正接に優れた電気的特性を有し。

かつ比較的低価格である。

したがって１本発明によれば、化学エツチングによる開
孔部形成が容易で、かつ耐熱性、耐湿性及び電気的特性
に優れ、また安価な電子部品搭載用フィルムキャリアを
提供することができる。

また、前記製造方法によれば、上記のごとき優れた性能
を有する電子部品搭載用フィルムキャリアを製造するこ
とができる。

〔実施例〕

第１実施例本例におけるフィルムキャリア及びその製造方法に関し
、第１ｒＪ！Ｊ〜第３図を用いて説明する。

可撓性絶縁基板として、厚さ０．１ｍｍのポリフェニレ
ンオキシド樹脂フィルムを準備し、該フィルムの片面全
面に蒸着により銅層を厚さ０．０３５１１Ｉに形成、接
合した。

次いで、上記銅層を設けてない他面において。

開孔部を形成する部分を除いて、ポリイミドによるマス
クを塗布した０次いで、このようにした基板を、化学エ
ツチング液としての塩素系有機溶剤である塩化メチレン
液の中に浸漬し、約５分間化学エツチングを行った。こ
れにより、基板を貫通する開孔部を形成させた。その後
、上記銅層を形成した片面について、塩化第２銅液によ
りエツチングし、該銅層を所望する配線状に形成し、イ
ンナーリード、アウターリード、導体回路を有するフィ
ルムキャリアを作製した。

該フィルムキャリア１は、第１図ないし第３図に示すご
と（、ポリフェニレンオキシドからなるフィルム状の基
板１１と、該基板１１を貫通する開孔部２１．２’２と
、配線部３とからなる。配線部３は、インナーリード３
１とアウターリード３２とその間を接続する導体回路３
３とよりなる。

そして、２つの開孔部２２には、それぞれインナーリー
ド３１が片持梁式に形成されている。また。

４つの開孔部２１には、アウターリード３２がそれぞれ
形成されている。上記２ケ所のインナーリード３１には
、同図に示すごとく、インナーリード形成面とは反対側
の下面より、電子部品４１゜４１が搭載される。

また、上記基板１１には、その両側端に多数のフィルム
送り用の移動用孔２４が設けられている。

また、第１図右下方には、開孔部２１の近傍に。

円形凹所２６（点線円）が設けられている（第３図参照
）、該凹所２６は、前記化学エツチングの際に侵食時間
を他の開花部に比べて短くして形成したものである。

次に１本発明の可撓性絶縁基板であるポリフェニレンオ
キシドと、従来の可撓性絶縁基板であるポリイミド、ポ
リエステルにつき、その主な特性値を第１表に比較して
示す、なお、特性値は、ＡＳＴＭ測定法によるものであ
る。

同表より知られるごとく、ポリフェニレンオキシドは軽
量で２強度に優れ、また吸水（湿）性が低い、また、耐
熱性も高く、更に有機溶剤の化学エツチング性に関して
も優れた侵食性を有することが分る。

第１表（表中ｐ、ｐ、ｏは、ポリフェニレンオキシドを示す）
上記のごとく１本例によれば、化学エツチングによって
容易に開孔部を形成することができ、また吸水性が低く
、耐熱性に優れたフィルムキャリアを得ることができる
。

また１本例においては、インナーリードを開孔部側に突
出した片持梁式に形成しであるのでＩＣ素子等の電子部
品の実装（ボンディング）に都合が良い、また、基板は
耐熱性に優れているので。

電子部品等をハンダ付けにより表面実装することができ
る。

第２実施例本例に関するフィルムキャリアにつき第４図〜第６図を
用いて説明する。

本例のフィルムキャリアは９インナ一リード形成面側に
、電子部品４１を搭載するものである。

電子部品４１搭載部分においては、インナーリード３１
が開孔部２５よりも内側に位置し、基板１１上に設けで
ある。つまり、第１実施例のごとく片持梁式ではない、
そのため、開孔部２５はその間口径が第１実施例の開孔
部２２より小さい。

該開孔部２５には、電子部品４１搭載後樹脂封止をする
。フィルムキャリアにおけるその他の構造は、第１実施
例と同様である。

そして２本例のフィルムキャリアにおいては。

第６図に示すごとく、電子部品４１搭戦時における基板
との位置合わせ用のアライメントマーク５２が、インナ
ーリード３１の形成面側に設けである。電子部品４１側
には、同様にアライメントマーク５１が設けである。な
お、符号４１１は電子部品４１の電極端子である。

しかして、基板゛１１は、Ｏ，ｌａｗと薄く、かつ透明
なポリフェニレンオキシドにより作成しであるので、電
子部品４１の搭載時においては１両者のアライメントマ
ーク５１．５２は基板１１の裏面から透視することがで
きる。それ故、電子部品搭載時には２画像認識処理によ
って、基板裏面側より容易に両者の位置合わせができ、
搭載が容易となる。

また２本例では、インナーリードは片持梁式にしていな
いので、インナーリードの変形を防止することができる
。

また、第１実施例と同様の効果を得ることができる。

第３実施例本例のフィルムキャリアにつき、第７図及び第８図を用
いて説明する。

本例のフィルムキャリアは、開孔部２５，２７゜２８．
２９を有する。該開孔部２５の下方には。

電子部品４１を搭載する。また、開孔部２７．２８．２
９にはアウターリード３２が形成されている。そして、
上記開孔部２８．２９の部分のアウターリード３２には
１円状のアライメントマーク５３．５４が設けられてい
る。しかして３本例においては、電子部品４１の搭載に
当たっては、電子部品４１の上方に基板１１を下降し２
両者を接続する。

本例においては、アライメントマークが開孔部２８．２
９部分の回路に設けであるので、より精度の良い位置合
わせができる。特に、この開孔部は、基板に金属箔を接
合した後に化学エツチングにより形成することができる
ので、基板に応力をかけることなく形成でき、アライメ
ントマークとインナーリードとの相対位置精度が向上す
る。その他第１実施例と同様の効果を得ることができる
。

第４実施例本例におけるフィルムキャリアは、可撓性絶縁基板とし
て、厚さ０．１ｍｍのボリフェニレンオキシト樹脂フィ
ルムを使用し、該フィルムの片面にエポキシ系の接着剤
を介して、厚さ０．０３５ｍの銅箔を熱圧着したもので
ある。他の構成は、第１実施例と同様としたや本例によれば、第１実施例と同様の効果を得ることがで
きる。

【図面の簡単な説明】

第１図〜第３図は第１実施例のフィルムキャリアを示し
、第１図はその平面図、第２図は第１図のＡ−Ａ線矢視
断面図、第３図は部分拡大断面図。第４図〜第６図は第２実施例のフィルムキャリアを示し
、第４図はその平面図、第５図は第４図のＢ−Ｂ線矢視
断面図、第６図は基板に電子部品を搭載する状態を示す
説明図、第７図及び第８図は第３実施例のフィルムキャ
リアを示し、第７図は第８図のＣ−Ｃ線矢視断面図、第
８図は一部切欠裏面図である。１１、　、　、可撓性絶縁基板。２１．２２，２５，２７，２８，２９゜１８８間孔部６．インナーリード。４．アウターリード。、導体回路。２．電子部品。５２．５３．５４１０．アライメントマーク。３１゜３２゜３３゜４１゜５１゜出代願人イ　　　ビ埋入

Claims

【特許請求の範囲】

（１）可撓性絶縁基板上にインナーリードと，アウター
リードと，これらインナーリードとアウターリード間を
接続するための導体回路とを形成してなると共に，上記
可撓性絶縁基板を貫通する開孔部を有するフィルムキャ
リアであって，上記可撓性絶縁基板は，０．２ｍｍ以下の厚みであり，
かつポリフェニレンオキシドにより構成したことを特徴
とする電子部品搭載用フィルムキャリア。
（２）第１請求項に記載のフィルムキャリアにおいて，
開孔部は化学エッチングにより穿設されていることを特
徴とする電子部品搭載用フィルムキャリア。
（３）第１請求項に記載のフィルムキャリアにおいて，
インナーリードが可撓性絶縁基板上に密着形成されてい
ることを特徴とする電子部品搭載用フィルムキャリア。
（４）第１請求項に記載のフィルムキャリアにおいて，
可撓性絶縁基板上のインナーリード形成面側に，電子部
品搭載位置合わせ用のアライメントマークを設けたこと
を特徴とする電子部品搭載用フィルムキャリア。
（５）第１請求項に記載のフィルムキャリアにおいて，
インナーリード，アウターリード及び導体回路は金属層
により構成され，該金属層は可撓性絶縁基板上に直接結
合されていることを特徴とする電子部品搭載用フィルム
キャリア。
（６）可撓性絶縁基板上にインナーリードと，アウター
リードと，これらインナーリードとアウターリード間を
接続するための導体回路とを形成してなると共に，上記
可撓性絶縁基板を貫通する開孔部を有するフィルムキャ
リアを製造する方法であって，上記可撓性絶縁基板は，０．２ｍｍ以下の厚みであり，
かつポリフェニレンオキシドにより構成し，また上記開
孔部は可撓性絶縁基板の表面に開孔部形成位置を除いて
耐有機溶剤性のマスクを被覆し，次いで該可撓性絶縁基
板を有機溶剤を用いた化学エッチング処理に付し，上記
開孔部を形成することを特徴とする電子部品搭載用フィ
ルムキャリアの製造方法。
（７）第６請求項に記載の製造方法において，可撓性絶
縁基板の片面にインナーリード，アウターリード等を形
成するための金属層を接合し，他面には開孔部形成位置
を除いて耐有機溶剤性のマスクを被覆し，次いで該可撓
性絶縁基板を有機溶剤を用いた化学エッチング処理に付
し，上記開孔部を形成することを特徴とする電子部品搭
載用フィルムキャリアの製造方法。