JPH02130723A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、合成樹脂製基板を用いた磁気記録媒体の製造
方法に関し、より詳細には、合成樹脂製基板を用いたに
もかかわらず耐久性に優れる磁気記録媒体の製造方法に
関する。

［従来の技術］ 合成樹脂製基板を用いた磁気記録媒体は、軽量性、量産
容易性という点でアルミ製基板を用いた磁気記録媒体よ
りも優れている。しかし、合成樹脂製基板はアルミ製基
板よりも硬度が低いため、耐久性（例えばＣ３ｓ特性）
が必ずしも良好ではない。

そこで、硬度を高め、耐久性を向上させようとする試み
がいくつかなされている。

かかる試みの１つとして、合成樹脂製基板を、イオンブ
レーティングあるいはスパッタリングによりＴｉ、Ｔｉ
合金、Ｔｉ化合物膜で被覆した技術、あるいは、合成樹
脂製基板を、イオンブレーティングあるいはスパッタリ
ングにより５ｉ０２膜で被覆し、この５ｉｎ２膜をさら
にＴｉ、Ｔｉ合金、Ｔｉ化合物膜で被覆した技術が提案
されている（特開昭６１−１８７１１７号公報）。

また、他の試みとして、磁性層中に０．５μｍ未溝０非
磁性微粒子を含有せしめる技術が提案されている（特開
昭６３−７４１１９号公報）。

〔発明が解決しようとする課題］ しかし、上記従来技術にはそれぞれ次のような課題が存
在する。

（特開昭６１−１８７１１７号公報記載技術）Ｔｉ等の
膜あるいはＳｉｎ、膜の形成にイオンブレーティングあ
るいはスパッタリングを用いているため、膜の形成に時
間がかかる。特に、良好なＣ８Ｓ特性を得るためには膜
を１μｍ以上の厚膜としなければならないが、かかる厚
膜とするためにはイオンブレーティングあるいはスパッ
タリングでは限界がある。

（特開昭６３−７４１１９号公報記載技術）■この技術
は、耐久性についての若干の改善はなされているものの
、基板が合成樹脂製であるがために生ずる埃等の付着と
いう課題は解決していない。すなわち、この技術におい
ては、基板表面に静電気が発生しやすく、製造工程中に
基板に埃が付着しやすい。埃が付着したまま磁気記録媒
体を製造すると、記録媒体の信号エラーの発生率が高く
なる。また、たとえ基板表面の洗浄によって基板に付着
した埃を除去したとしても、基板表面が静電気が発生し
やすい以上洗浄後に新たな埃が付着してしまう。

■また、磁気記録媒体は、磁気ディスク装置に搭載して
高速回転させると、空気との摩擦により静電気が発生し
やすい。かかる静電気はノイズの原因となるし、また、
静電気の放電により磁気記録媒体乃至磁気ヘッドの損傷
を引き起すことがある。

■耐摩耗性が若干改善されたとはいえ、いまだ十分では
なく、従って、Ｃ５Ｓ特性も満足すべきものではない。

本発明は、耐久性（特にＣＳＳ特性）に優れた磁気記録
媒体の製造方法を提供することを目的とする。

さらに、本発明は、信号エラーの発生率が低く、かつ磁
気ヘッドの損傷を招くことの無い磁気記録媒体の製造方
法を提供することを目的とする。

［課題を解決するための手段］ 本発明の第１の要旨は、下記の化学式で表わされる材料
を基板上に塗布した後、該材料を焼成硬化することによ
り酸化シリコン層を形成し、さらに該酸化シリコン層上
に磁性層を形成することを特徴とする磁気記録媒体の製
造方法に存在する。

記 Ｓ　ｆ　　（ＯＨ）＜４−２ｗ、ｏ＋ｃ　　、　　　ｘ
＝Ｑ、　　１本発明の第２の要旨は、上記第１の要旨に
おける化学式で表わされる材料中に非磁性導電性物質を
含むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法に存在す
る。

以下、本発明の構成を詳細に説明する。

（基板） 本発明では合成樹脂製基板を用いる。本発明における合
成樹脂としては、例えば、ポリエーテルイミド、ポリエ
ーテルサルホン、ポリフェニレンサルファイド、ボリア
リレート、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエーテ
ルケトンなどをあげることができる。さらに必要に応じ
て、上記合成樹脂中に、無機質充填材、例えば、チタン
酸カリウム−ウィスカー、炭素繊維、ガラス繊維、金属
繊維、ガラスピーズ、セラミックス粉末、カーボン、マ
イカ等を適宜添加してもよい。なお、合成樹脂からなる
基板は、２層以上の多層構造でもよい。

（酸化シリコン膜の形成） 本発明では、上記合成樹脂性基板上に、Ｓ　ｉ　（ＯＨ
）　（４−２ＸＩＯＸ　、　（ｘ−０，１）　　（式１
）で表わされる材料（以下ポリ珪酸という）を塗布する
。なお、塗布に際してはポリ珪酸を溶媒に溶解し、この
溶液を例えばスピンコード法を用いて塗布すればよい。

塗布後は、溶媒を乾燥させ、次いで、例えばレーザー光
線の照射や加熱等によりポリ珪酸膜を焼成硬化させる。

かかる焼成硬化の結果、基板上に１μｍ以上の厚膜の酸
化シリコン膜を容易に形成することができる。

（非磁性導電性物質） 本発明におけるポリ珪酸中の非磁性導電性物質の含有量
としては、３〜５０ｗｔ％が望ましい。また非磁性導電
性物質としては、硬度が高く、粒径が硬化層の膜厚以下
の微粒子が好ましい。例えば、ＳｎＯ２，Ｒｕｂ、、Ｔ
ｉ２Ｏ３゜ＭＯＯ２、ＷＯ２、Ｖ７０Ｓｓの微粒子が使
用可能である。

（磁性層） 本発明における磁性層は、塗布型でも薄膜型でもよい。

用途に応じ適宜選択すればよい。

［作　用］ ■合成樹脂製基板に塗布したポリ珪酸をレーザー光線の
照射あるいは加熱等の方法で熱硬化させているので、イ
オンブレーティング法やスパッタ法による場合よりも短
い時間で、１μｍ以上の厚膜の酸化シリコン膜を容易に
形成することができる。

■酸化シリコン膜を上記■の方法で形成するので、基板
の表面硬度を増大させ、耐久性（ＣＳＳ特性等）の改善
された磁気記録媒体を製造することができる。

■ポリ珪酸中に非磁性導電性物質を含有させているので
、基板表面での静電気の発生を抑制し、これにより埃を
付着しに＜＜シ、ひいては信号エラーの発生率の低い磁
気記録媒体を製造することができる。

■ポリ珪酸中に非磁性導電性物質を含有させているので
、ドライブ中に高速回転しても静電気の発生を防止でき
、ひいてはノイズの発生、記録媒体乃至磁気ヘッドの損
傷が生じない磁気記録媒体を製造することができる。

■ポリ珪酸中に非磁性導電性物質を含有させているので
、磁気記録媒体の使用中に発生する静電気を除去し易く
し、磁気記録媒体表面に埃が付着するのを防止して、磁
気ヘッドの損傷の発生率を低下させることができる。

■ポリ珪酸中に含有させた非磁性導電性物質は高い硬度
を有しているので、この面からも硬度が高く、耐久性（
ＣＳＳ特性等）の改善された磁気記録媒体を製造するこ
とができる。

［実施例］ 以下、本発明の実施例を比較例とともに説明する。

まず、磁気記録媒体の製造方法について述べ、次に製造
された磁気記録媒体の特性の測定について述べる。

（Ｉ）磁気記録媒体の製造方法 （比較例） 比較例として磁気記録媒体を以下のようにして作成した
。なお、磁気記録媒体の直径は５．２５インチとした。

■厚み１．９ｍｍのポリエーテルイミド基板上に、下地
層としてのＣｒ層を、Ｄ、Ｃマグネトロン方式のスパッ
タリング法により形成した。

下地層の膜厚は２０００人とした。なお、スパッタリン
グの際のＡｒの圧力は、５〜２０Ｘ１０−’Ｔｏｒｒと
した。

■上記のと同様のスパッタラング条件により、磁性層（
Ｃｏ−Ｎｉ’−Ｃｒ層）を形成した。このとき、Ｃｏ：
Ｎｉ：Ｃｒ＝７５：１５：１０とし、膜厚は８００人と
した。

■保護層（０層）を、上記■と同じスパッタリング条件
により形成した。膜厚は３００人とした。

■保護層の上に、スピンコード法を用いて潤滑剤を塗布
した（膜厚１００人）。

（実施例１） 本発明の製造方法の第１の実施例として、以下のように
して磁気磁気記録媒体を作成した。

■ポリエーテルイミド基板上に、ポリ珪酸としてテトラ
ヒドロキシシラン（式１においてｘ−０）を５％含むｎ
ブタノール溶液を、スピンコード法により塗布した。

■次に、出力５ｋＷ、ビーム直径ｉ、５ｃｍの連続発振
炭酸ガスレーザーを、ポリ珪酸表面に４０秒間照射し、
硬化層（Ｓｉｎ２）を形成した。この硬化層の膜厚は５
μｍであった。

■上記比較例の製造方法■〜■と同様にして硬化層の上
に下地層、磁性層、保護層を形成し、さらに比較例の製
造方法■と同様にして潤滑剤を塗布した。なお、各層の
材料及び膜厚も上記比較例の場合と同じとした。

（実施例２） 本発明の製造方法の第２の実施例として、以下のように
して磁気記録媒体を作成した。

■上記実施例１の場合と同様、ポリエーテルイミド基板
上に、テトラヒドロキシシランを５％含むｎブタノール
溶液を、スピンコード法により塗布した。

ただし、本実施例では、テトラヒドロキシシランの５％
ｎブタノール溶液中に、非磁性導電性物質（ＳｎＯ，、
直径０．５μｍ）を、テトラヒドロキシシランに対し５
ｗｔ％添加した。

■次に、上記実施例１の工程■と同じ方法で、硬化層（
Ｓ　ｉ　０２　）を形成した。この硬化層の膜厚は５μ
ｍであった。

■上記実施例サンプル１の工程■と同じ方法により、硬
化層の上に下地層、磁性層、保護層を形成し、さらに潤
滑剤の塗布を行った。なお、各層の材料及び膜厚は上記
比較例および上記実施例例１の場合と同じとした。

以上の方法により、比較例サンプル及び実施例サンプル
を作成したが、実施例１及び実施例２の工程■における
硬化膜の形成に必要な時間は２時間であった。即ち、ス
パッタ法等による場合（膜厚１μｍで２４時間以上）に
比べて遥かに短い時間で磁気磁気記録媒体を製造するこ
とができた。

（ＩＩ）Ｃ３Ｓ特性の測定 上述の方法で作成した各磁気磁気記録媒体について、Ｃ
３Ｓ特性の測定を行った。この結果を表１に示す。

表１ 表１から明らかなように、本実施例によれば、Ｃ５Ｓ特
性を、従来よりも格段に向上させることができた。また
、実施例１に係るサンプルのＣ５Ｓ特性の測定結果と実
施例２に係るサンプルのＣＳＳ特性の測定結果との比較
により、ポリ珪酸中に非磁性導電性物質を添加すること
によって信号エラーの派生率が低下することが確認され
た。

［発明の効果］ 以上説明したように、本発明によれば、耐久性に優れ、
かつ磁気ヘッドを損傷させることのない磁気記録媒体を
、非常に短い時間で製造することができる。

すなわち、本発明によれば、長寿命の磁気記録媒体を、
非常に安価に提供することが可能である。

特許出願人　積水化学工業株式会社 代表者　廣１）馨

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）下記の化学式で表わされる材料を基板上に塗布し
   た後、該材料を焼成硬化することにより酸化シリコン層
   を形成し、さらに該酸化シリコン層上に磁性層を形成す
   ることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 記 Ｓｉ（ＯＨ）＿（＿４＿−＿２＿ｘ＿）Ｏ＿ｘ，ｘ＝０
   ，１（２）前記材料中に非磁性導電性物質を含むことを
   特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体の製造方法。