JPH02140226A - 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 - Google Patents
半導体封止用エポキシ樹脂組成物Info
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- JPH02140226A JPH02140226A JP29420888A JP29420888A JPH02140226A JP H02140226 A JPH02140226 A JP H02140226A JP 29420888 A JP29420888 A JP 29420888A JP 29420888 A JP29420888 A JP 29420888A JP H02140226 A JPH02140226 A JP H02140226A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はトランジスタIC及びLSIなどのいわゆる半
導体素子類をトランスファー成形等により封止するため
に使用する半導体封止用エポキシ樹脂組成物に関する。
導体素子類をトランスファー成形等により封止するため
に使用する半導体封止用エポキシ樹脂組成物に関する。
エポキシ樹脂組成物は他の熱硬化性樹脂組成物と比べ、
電気特性、耐湿性、機械特性、接着性等のバランスが最
も優れているため、現在半導体封止の主流となでいる。
電気特性、耐湿性、機械特性、接着性等のバランスが最
も優れているため、現在半導体封止の主流となでいる。
しかし近年、素子の大型化、アルミ配線の細線化、パッ
ケージの小型薄肉化等に伴い素子上のパッシベーション
クラック、アルミ配線変形、パッケージクランク等の不
良が顕著になり、封止材の低応力化がますます重要とな
っている。封止材の低応力化には低弾性率化と低熱膨張
化があり、低弾性率化にはシリコーン樹脂等の可撓剤を
添加する方法、また低熱膨張化にはシリカ等のフィラー
を増量する手法が一般的である。しかしこれら手法はい
ずれもエポキシ組成物の流動性を低下させるため、使用
量には限界がある。
ケージの小型薄肉化等に伴い素子上のパッシベーション
クラック、アルミ配線変形、パッケージクランク等の不
良が顕著になり、封止材の低応力化がますます重要とな
っている。封止材の低応力化には低弾性率化と低熱膨張
化があり、低弾性率化にはシリコーン樹脂等の可撓剤を
添加する方法、また低熱膨張化にはシリカ等のフィラー
を増量する手法が一般的である。しかしこれら手法はい
ずれもエポキシ組成物の流動性を低下させるため、使用
量には限界がある。
本発明は上記観点からなされたものであり、流動性に優
れかつ弾性率の低い半導体封止用エポキシ組成物を得よ
うとするものである。
れかつ弾性率の低い半導体封止用エポキシ組成物を得よ
うとするものである。
本発明者らは上記問題点を解決すべく鋭意検討を行った
結果、一般式(1)で示されるカルボキシル基含有オル
ガノシロキサン z HOOC−R冨5t−0→y−R+−COOH(1)(
式中のnは1〜300の整数、R3は2価の炭化水素基
、R2及びR3はメチル基又はフェニル基でそれぞれ同
じでもことなっていてもよい。)とノボラック型フェノ
ール系樹脂とを脱水縮合させて得られるシリコーン変性
フェノール樹脂にエポキシ樹脂、硬化剤、硬化促進剤及
び充填剤を配合したことを特徴とする半導体封止用エポ
キシ樹脂組成物を提供するものである。
結果、一般式(1)で示されるカルボキシル基含有オル
ガノシロキサン z HOOC−R冨5t−0→y−R+−COOH(1)(
式中のnは1〜300の整数、R3は2価の炭化水素基
、R2及びR3はメチル基又はフェニル基でそれぞれ同
じでもことなっていてもよい。)とノボラック型フェノ
ール系樹脂とを脱水縮合させて得られるシリコーン変性
フェノール樹脂にエポキシ樹脂、硬化剤、硬化促進剤及
び充填剤を配合したことを特徴とする半導体封止用エポ
キシ樹脂組成物を提供するものである。
より前記課題を解決できることを見出し本発明を一般式
(1)で示されるカルボキシル基含有オルガノシロキサ
ンとノボラック型フェノール系樹脂との縮合反応は脱水
剤を用い両方を溶かし得る溶媒下で加熱反応により行わ
れる。この際一般式(1)の整数nについてはエポキシ
樹脂組成物の流動性の点で300以下が好ましい。また
、R+がメチレン基等の2価の炭化水素基で、R2及び
R3がメチル基又はフェニル基であるオルガノシロキサ
ンが好ましく用いられる。
(1)で示されるカルボキシル基含有オルガノシロキサ
ンとノボラック型フェノール系樹脂との縮合反応は脱水
剤を用い両方を溶かし得る溶媒下で加熱反応により行わ
れる。この際一般式(1)の整数nについてはエポキシ
樹脂組成物の流動性の点で300以下が好ましい。また
、R+がメチレン基等の2価の炭化水素基で、R2及び
R3がメチル基又はフェニル基であるオルガノシロキサ
ンが好ましく用いられる。
またノボラック型フェノール系樹脂としてはフェノール
、クレゾール、ビスフェノールAなどとホルムアルデヒ
ドなどを酸性触媒で縮合させて得られる樹脂が好ましい
。
、クレゾール、ビスフェノールAなどとホルムアルデヒ
ドなどを酸性触媒で縮合させて得られる樹脂が好ましい
。
ポリオルガノシロキサンとノボラック型フェノール系樹
脂の脱水濃縮反応時の混合比は一般式(1)のカルボキ
シル基1個に対しノボラック型フェノール系樹脂のフェ
ノール性水酸基が10個以上が最も良く10個未満では
合成上ゲル化の点で適さない。
脂の脱水濃縮反応時の混合比は一般式(1)のカルボキ
シル基1個に対しノボラック型フェノール系樹脂のフェ
ノール性水酸基が10個以上が最も良く10個未満では
合成上ゲル化の点で適さない。
エポキシ樹脂組成物に対する添加量は、エポキシ樹脂1
00重量部に対し、合成したシリコーン変性フェノール
樹脂中のシリコーン部分が5〜30重量部となるように
添加することが好ましく、5重量部未満ではエポキシ樹
脂組成物の弾性率低減効果が小さく、また30重量部を
超えると流動性が失われる。
00重量部に対し、合成したシリコーン変性フェノール
樹脂中のシリコーン部分が5〜30重量部となるように
添加することが好ましく、5重量部未満ではエポキシ樹
脂組成物の弾性率低減効果が小さく、また30重量部を
超えると流動性が失われる。
ここで用いるエポキシ樹脂は半導体封止用エポキシ樹脂
として用いるものであれば特に制限はないが、フェノー
ル、クレゾール、ビスフェノールAなどとホルムアルデ
ヒドなどを酸性触媒で縮合させ得られる樹脂を原料とし
てエピクロルヒドリンでグリシジルエーテル化するなど
してエポキシ化したもので、エポキシ当量が170〜3
00、好ましくは180〜200のものが硬化性の点で
優れている。
として用いるものであれば特に制限はないが、フェノー
ル、クレゾール、ビスフェノールAなどとホルムアルデ
ヒドなどを酸性触媒で縮合させ得られる樹脂を原料とし
てエピクロルヒドリンでグリシジルエーテル化するなど
してエポキシ化したもので、エポキシ当量が170〜3
00、好ましくは180〜200のものが硬化性の点で
優れている。
次に硬化剤としては特に限定はされないがノボラック型
フェノール樹脂が好適であり、具体的にはフェノール、
クレゾール、ビスフェノールAなどとホルムアルデヒド
などを酸性触媒で縮合させて得られる樹脂が好ましく、
エポキシ樹脂中に含まれるエポキシ基1個当たりフェノ
ール性水酸基が0.5〜2.0個好ましくは0.8〜1
.2個となるような割合で用いる。
フェノール樹脂が好適であり、具体的にはフェノール、
クレゾール、ビスフェノールAなどとホルムアルデヒド
などを酸性触媒で縮合させて得られる樹脂が好ましく、
エポキシ樹脂中に含まれるエポキシ基1個当たりフェノ
ール性水酸基が0.5〜2.0個好ましくは0.8〜1
.2個となるような割合で用いる。
本発明に用いる充填剤としてはシリカ、ガラス、ケイソ
ウ土、タルク、マイカ、アスベスト、アルミナなどを用
いることができるが、シリカ、ガラス、アルミナが電気
特性の点で優れている。充填剤の使用量は全樹脂100
重量部に対し100〜500重量部が好ましく、100
重量部未満では耐湿性に劣り、また500重量部を超え
ると流動性が失われる。
ウ土、タルク、マイカ、アスベスト、アルミナなどを用
いることができるが、シリカ、ガラス、アルミナが電気
特性の点で優れている。充填剤の使用量は全樹脂100
重量部に対し100〜500重量部が好ましく、100
重量部未満では耐湿性に劣り、また500重量部を超え
ると流動性が失われる。
エポキシ樹脂と硬化剤及びシリコーン変性フェノール樹
脂との反応を促進するために硬化促進剤が必要である。
脂との反応を促進するために硬化促進剤が必要である。
具体的にはトリブチルアミン、1゜8−ジアザビシクロ
ウンデセン−7のようなアミン類、トリフェニルホスフ
ィンのような有機ホスフィン類、2−フェニルイミダゾ
ールのようなイミダゾール類が挙げられる。
ウンデセン−7のようなアミン類、トリフェニルホスフ
ィンのような有機ホスフィン類、2−フェニルイミダゾ
ールのようなイミダゾール類が挙げられる。
本発明のエポキシ樹脂組成物には必要に応して離型剤、
着色剤、難燃剤、難燃助剤、カップリング剤などを使用
することもできる。特にカップリング剤は充填剤の硬化
を有効に発揮させるために重要であり、例えばγ−グリ
シドキシプロビルトリメトキシシラン、β−(3,4−
エポキシシクロヘキシル)−エチルトリメトキシシラン
などが用いられる。
着色剤、難燃剤、難燃助剤、カップリング剤などを使用
することもできる。特にカップリング剤は充填剤の硬化
を有効に発揮させるために重要であり、例えばγ−グリ
シドキシプロビルトリメトキシシラン、β−(3,4−
エポキシシクロヘキシル)−エチルトリメトキシシラン
などが用いられる。
エポキシ樹脂組成物は、上記のエポキシ樹脂、硬化剤、
硬化促進剤、充填剤、カップリング剤などをミキシング
ロールで加熱しながら混練する方法により製造できる。
硬化促進剤、充填剤、カップリング剤などをミキシング
ロールで加熱しながら混練する方法により製造できる。
得られたエポキシ樹脂組成物は、トランスファー成形、
注型などの方法により成形する。
注型などの方法により成形する。
以下に実施例により本発明を具体的に説明する。
まず材料の測定方法及びシリコーン変性フェノール樹脂
の製造方法を以下に示す。
の製造方法を以下に示す。
(1)スパイラルフロー
EMMI規格に準じた金型を用いて175°C170k
g/cTilの条件で測定した。
g/cTilの条件で測定した。
(2)曲げ弾性率
JIS−に6911に準じ175°c、70kg/cm
l、成形時間90秒の条件で試験片を作成し175°C
,6hベークしたものについて測定した。
l、成形時間90秒の条件で試験片を作成し175°C
,6hベークしたものについて測定した。
(3)シリコーン変性フェノール樹脂の製造方法表1に
示す配合でメチルイソブチルケトン(MIBK)中12
時間加熱攪拌する。反応終了後、ジシクロへキシルカル
ボジイミドと水との結晶状反応物を濾過し、濾液からM
IBK溶媒を除去することでかっ色の樹脂固形物を得た
。得られた樹脂はGPC測定の結果、原料樹脂よりも高
分子側にピークがあることで、いずれも反応しているこ
とを確認した。
示す配合でメチルイソブチルケトン(MIBK)中12
時間加熱攪拌する。反応終了後、ジシクロへキシルカル
ボジイミドと水との結晶状反応物を濾過し、濾液からM
IBK溶媒を除去することでかっ色の樹脂固形物を得た
。得られた樹脂はGPC測定の結果、原料樹脂よりも高
分子側にピークがあることで、いずれも反応しているこ
とを確認した。
表1
チのミキシングロールにて前ロール22rpm、後ロー
ル18rpmの条件で常法に従い6分間混練した。
ル18rpmの条件で常法に従い6分間混練した。
得られたシート状物を粉砕して半導体封止用エポキシ樹
脂組成物を得た。
脂組成物を得た。
帽 式(1)中のn
*2 HP−80ON(日立化成工業社製)′13
脱水剤ニジシクロへキシルカルボジイミド(4)表2に
示す組成物を配合し直径10イン表2に示すように実施
例1〜3は比較例1.2に対し、スパイラルフローが大
きく弾性率も低い。
脱水剤ニジシクロへキシルカルボジイミド(4)表2に
示す組成物を配合し直径10イン表2に示すように実施
例1〜3は比較例1.2に対し、スパイラルフローが大
きく弾性率も低い。
本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は流動性に優
れかつ硬化物の弾性率低減効果もあることから、素子の
大型化、アルミ配線の細線化、パッケージの小型薄肉化
に伴う素子上のパッシベーションクラック、ワイヤポン
ディングパッド部の、ダメージ、アルミ配線変形、パッ
ケージクランク等の不良を解消することができた。また
その他の特性においても優れており、その工業的価値は
大きい。
れかつ硬化物の弾性率低減効果もあることから、素子の
大型化、アルミ配線の細線化、パッケージの小型薄肉化
に伴う素子上のパッシベーションクラック、ワイヤポン
ディングパッド部の、ダメージ、アルミ配線変形、パッ
ケージクランク等の不良を解消することができた。また
その他の特性においても優れており、その工業的価値は
大きい。
Claims (1)
- 1.一般式(1)で示されるカルボキシル基含有オルガ
ノシロキサン ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) (式中のnは1〜300の整数、R_1は2価の炭化水
素基、R_2及びR_3はメチル基又はフェニル基でそ
れぞれ同じでも異なっていてもよい。 )とノボラック型フェノール系樹脂とを脱水縮合させて
得られるシリコーン変性フェノール樹脂にエポキシ樹脂
、硬化剤、硬化促進剤及び充填剤を配合したことを特徴
とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29420888A JPH02140226A (ja) | 1988-11-21 | 1988-11-21 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29420888A JPH02140226A (ja) | 1988-11-21 | 1988-11-21 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02140226A true JPH02140226A (ja) | 1990-05-29 |
Family
ID=17804725
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29420888A Pending JPH02140226A (ja) | 1988-11-21 | 1988-11-21 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02140226A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0362844A (ja) * | 1989-02-27 | 1991-03-18 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
-
1988
- 1988-11-21 JP JP29420888A patent/JPH02140226A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0362844A (ja) * | 1989-02-27 | 1991-03-18 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
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