JPH0362844A - 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、高い熱伝導性、優れた耐湿特性を有する硬化
物を与え、成形性に優れた半導体封止用エポキシ樹脂組
成物及び該組成物の硬化物で封止された半導体装置に関
する。

来の　　　び　　が　　しようとする 従来、半導体封止用エポキシ樹脂組成物の充填材として
は、溶融シリカ、結晶シリカ等の無機充填材が主に使用
されており、特に高熱伝導性が要求される用途には、熱
伝導性の良好な結晶シリカが用いられている。

しかしながら、充填材として結晶シリカを使用し、その
配合量の増加を行なっても、熱伝導率を６５ｃａ１／ｃ
ｌＴｌ−８ｅｃ・℃程度までに」二げるのが限界であり
、これ以上の熱伝導率を高めるために結晶シリカの含有
率を上げると、組成物の流動性が極端に悪くなり、トラ
ンスファー成形が不可能になるという欠点がある。

そこで、エポキシ樹脂の硬化物の熱伝導性をより高める
ために、充填側として結晶シリカよりも熱伝導性の高い
アルミナ、チッ化ケイ素、チッ化アルミニウム、ポロン
ナイトライド（ＢＮ）、炭化ケイ素、炭酸カルシウムを
使用する方法が考えられる。しかし、これらの無機充填
材を使用すると、結晶シリカを用いるよりも熱伝導率が
高いものの、組成物の流動性や硬化物の耐湿特性が低下
するという問題点があり、高い熱伝導性と耐湿特性とを
有する硬化物を与え、かつ成形性が良好で、これら特性
を兼ね備えたエポキシ樹脂組成物を得ることは困難であ
った。

本発明は上記事情に鑑みなされたもので、高熱伝導性と
耐湿特性とを有する硬化物を与え、しかもパリの実質的
にない優れた成形性を有するエポキシ樹脂組成物及び該
組成物の硬化物で封止された半導体装置を提供すること
を目的とする。

を　決するための手　　び　用 本発明者は、先に、エポキシ樹脂と硬化剤とを含む半導
体封止用エポキシ樹脂組成物に、充填剤として純度（Ａ
Ｑ２０３ＩＣ）が９０．５％以下でかつ不純物であるＮ
ａ２Ｏの含有率が０．０５％以下、Ｎａイオン含有量が
５　ｐｐｍ以１”、Ｃｌイオン含有量がｌｐｐｍ以下で
あると共に、平均粒子径が５ＩＪＸｌ〜６０／ａでかつ
粒子径２５０戸以ゴーの粒子が１％以下であるα−アル
ミナを使用すると、同一配合量で結晶シリカを使用した
組成物の約２倍もしくはそれ以上の高い熱伝導率が得ら
れることを提案した（特願昭６３−］−５３４，４号）
が、更に、この特殊なα−アルミナと共にシリコーン変
性エポキシ樹脂及び／又はシリコーン変性フェノール樹
脂を併用することにより、成形時に生し易いパリの発生
が防止され、ＩＣ，ダイオード等の封止の際にハンダ付
けが困難になったり、トランジスタの放熱部分がパリで
覆われて放熱効果が低下したり、また、金型のパーティ
ングライン面にパリが残って金型寿命が短くなることが
なく、成形性が格段と向上する上、耐湿特性も極端に良
くなり、高い熱伝導性と耐湿特性とを有する硬化物を与
え、優れた成形性のエポキシ樹脂組成物が得られ、」二
記一 目的を達成することができることを知見した。即ち、上
記α−アルミナを単に用いる場合は、結晶シリカを用い
る場合に較べて高熱伝導性、低線膨張率等の特性ははる
かに優れているが、成形性、特にパリの発生の点でなお
改良の余地がある。更に詳述すると、α−アルミナを充
填材としたエポキシ樹脂組成物と石英粉末（Ｓｊ○２）
を使用したエポキシ樹脂組成物とを比較すると、α−ア
ルミナを充填材に使用した場合、成形時に樹脂と充填材
とのなじみが悪いためか樹脂のみの透明なパリが発生す
る場合がある。透明なパリが発生すると、ＩＣやダイオ
ード封止の場合はリート線及び足の部分に透明なパリが
発生し、ハンダ付けができなくなるとか、トランジスタ
ーの場合には放熱板の部分が透明な樹脂で覆われるため
に放熱効果がでなくなる等の欠点が生じる。しかも、透
明なパリが発生すると、成形時に金型のパーティングラ
イン面にパリが残り、金型の寿命を縮める等の欠点を有
するようになる。

このため、本発明者は更に鋭意検討を行なった結果、結
晶シリカを充填材とした場合はパリ対策として樹脂の高
粘度化が有効であるものの、α−アルミナの場合は全く
効果がなかったが、α−アルミナにシリコーン変性のフ
ェノール樹脂又はエポキシ樹脂を併用した場合、これを
少量使用するだけで著しいパリ発生防止効果を有し、成
形性が顕著に改良されること、しかも耐湿特性も更に改
良されることを知見し、本発明をなすに至ったものであ
る。

従って、本発明は、 （イ）エポキシ樹脂と、 Ｃ口）硬化剤と、 （ハ）充填剤として純度が９９．５％以上でＮａ２Ｏの
含有率が０．０３％以下であり、かつ１００　’Ｃの水
で抽出した時のＮａイオン含有量が５　ｐｐｍ以下、Ｃ
息イオン含有量がｌｐｐｍ以下であると具に、平均粒子
径が５−〜６０戸であり、かつ粒子径２５０ｐ以上の粒
子の含有率が］−％以下であるα−アルミナと、 （ニ）シリコーン変性エポキシ樹脂及び／又はシリコー
ン変性フェノール樹脂と を配合してなることを特徴とする半導体封止用エポキシ
樹脂組成物、及び、この硬化物で封止された半導体装置
を提供する。

以下、本発明につき更に詳述する。

本発明の半導体対ｌに用エポキシ樹脂組成物に使用する
エポキシ樹脂は１分子中に１個以上のエポキシ基を有す
るものであれば特に制限はなく、例えばビスフェノール
Ａ型エポキシ摺脂、脂環式エポキシ樹脂、クレゾールノ
ボラック型エポキシ樹脂等が好適に使用されるが、特に
クレゾールノボラック型エポキシ樹脂を使用することが
望ましい。

なお、上記エポキシ樹脂は、組成物の耐湿性の点から加
水分解性塩素の含有量が５００ｐｐｍ以下、遊離のＮａ
、Ｃｌイオンが各々２　ｐｐｍ以下、有機酸含有量が１
１００ｐｐ以下のものを用いることが好ましい。

また、硬化剤はエポキシ樹脂に応したものが使用され、
例えば無水トリメリット酸、無水テｊ・ラヒ）くロフタ
ル酸等の酸無水物やフェノールノボラツク樹脂などが用
いられるが、中でもフェノールノボラック樹脂を用いる
ことが最適である。なお、硬化剤として使用するフェノ
ールノボラック樹脂は、含有する遊離のＮａ、Ｃｌイオ
ンが各々２　ｐｐｍ以下、モノマーのフェノール量が↓
％以下であると共に、製逍時に残イｉする微１１（のホ
ルｌ、アルデヒドのカニツァロ反応で生しる蟻酸等の有
機酸がｉ−００ｐｐｍ以下であることが好ましく、遊離
のＮ　ａ　＋ＣＣビイオン有機酸の含有量が上記値より
多いと組成物で封止した半導体装置の耐湿特性が低下す
る場合があり、モノマーのフェノール量が１％より多い
と、組成物で作った成形品にボイ１〜、未充填、ひげ等
の欠陥が発生する場合がある。更に、フェノールノボラ
ック樹脂の軟化点は５０〜１２０°Ｃが好適であり、５
０℃未満であると組成物のガラス転移点が低くなって耐
熱性が悪くなる場合があり、１．２０℃を越えると組成
物の溶融粘度が高くなって作業性に劣る場合か生しる。

ここで、硬化剤の配介旦は別に：（Ｊ限されむいか、上
記エポキシ樹脂のエポキシノ１（と上記硬化剤の］エノ
ール性水酸基又は酸無水物基とのモル比を０．８〜２、
特に１〜↓、５の範囲にすることが好適である。周基の
モル比が０．８より小さくなると組成物の硬化特性や成
形品のガラス転移温度（Ｔｇ）が悪くなって耐熱性が低
下する場合があり。

１．５より大きくなると成形品のガラス転移温度や電気
特性が悪くなる場合がある。

次いで、本発明においては、充填材として特定のα−ア
ルミナを使用する。

この場合、本発明に充填材として用いるα−アルミナは
、アルミナのα結晶粒子で、その酸化アルミニウム（Ａ
Ｑ２０３）ｆｆｉ、即ち純度が９９．５％以上、好まし
くは９９．８％以上の高純度のものを使用するものであ
り、純度が９９．５％未満のものを使用すると、組成物
の耐湿特性が悪くなり、本発明の目的を達威し得ない。

このようなα−アルミナは、一般に原料としてアルミナ
水和物を含有するボーキサイ１へを使用し、これを粉砕
して水酸化ナトリウム溶液に入れ、１、５０〜２５０　
’Ｃの蒸気加熱で溶融させてアルミン酸ナトリウムを作
った後、得られる水酸化アルミニウムを加水分解析出さ
せ、次いて］、　ＯＯ０℃以上で坑底するという工程で
製造させるものであるが、この場合、α−アルミナ中に
はＮａ２Ｏが不純物として残り易い。本発明に用いるα
−アルミナは、このＮａ２Ｏを除去し、Ｎａ２Ｏ含有率
が全体の０．０３％以下、好ましくは０．０１％以下に
すると共に、更にこのα−アルミナ２０ｇをイオン交換
水１００ｇに入れて１００℃で２時間抽出した時のＮａ
イオンの含有量を５ｐｐｍ以下、好ましくは２　ｐｐｍ
以下、ＣＲイオンの含有量を土ｐｐｎ＋以下、好ましく
はＱ、５ｐｐｍ以下にしたものを使用する。

α−アルミナのＮａ２Ｏ含有率やＮａイオン及びＣｌイ
オンの含有量が上記値よりも多いものでは組成物の耐湿
特性が極端に悪くなり、同様に本発明の目的が達成し得
なくなる。

なお、本発明で用いるα−アルミナを製ｊ告する方法と
しては、上記方法以外に例えば（ａ）高純度のＡＱペレ
ットを純水を満たした反応槽に入れ、この槽中に電極を
挿入して高周波火花放電させ、０ ＡＱペレッ１〜を水と反応させて水酸化アルミニウムを
作り、これを焼成してα−アルミナを得る方法、（ｂ）
蒸留して精製したアルキルアルミニウムやアルミニウム
アルコラ−１〜を加水分解して水酸化アルミニウムとし
、これを焼成してα−アルミナを得る方法などを挙げる
ことができる。

更に、本発明においては、上述のようなα−アルミナの
うち、平均粒子径が５〜６０戸、好ましくは１０〜５０
戸であると共に、２５０−以上の粒子径を有する粒子が
全体の１％以下、好ましくは０．５％以下のものを用い
る。α−アルミナの平均粒子径が５戸より小さいと、組
成物の流動性が非常に悪くなり、平均粒径が６０−より
大きかったり、粒子径が２５０　／７Ｉｎ以上の粒子が
工％より多く存在すると、組成物を成形する際に金型の
摩耗がひどくなったり、金型のゲート部分にアルミナ粒
子が詰まり、未充填が生し、成形性が低下する。

なおまた、α−アルミナは通常水酸化アルミニウムを焼
成して製造するため、工程中にα結晶粒子が集まって２
次粒子を作り易い。この２次粒子はエポキシ樹脂組成物
の製造工程中でほぐすことはできず、このまま組成物化
され、この２次粒子を含有する組成物で半導体装置を作
ると成形体内部がポーラスになり、このポーラス部分か
ら水が浸入して半導体装置の耐湿特性が悪くなる場合が
ある。このため、α−アルミナ中の２次粒子の含有率は
α−アルミナ全体の１０％以下、更に対ましくは１％以
下にすることが好ましい。

加えて、本発明に用いるα−アルミナは、走査型電子顕
微鏡写真でのα粒子を観察した場合にα粒子の長径と短
径との軸比が１〜２、特に１．２〜］。、７であること
が好ましく、軸比が２より大きいα−アルミナを用いる
と、組成物の流動性が悪くなる場合がある。

本組成物において、α−アルミナの配合量は特に制限さ
れず、α−アルミナの配合量を多くする程熱伝導性の高
い組成物を得ることができるが、好ましくは組成物全体
の６０〜９５％（重量％、以下同様）、特に７５〜９０
％である。α−アルミナの配合量が６０％より少ないと
組成物の熱伝導性が低い場合があり、９５％より多いと
組成物が流動性に劣る場合が生しる。

なお、本発明においては、充填材として上言己の特殊な
α−アルミナを単独で配合しても、またαアルミナと共
に目的とする熱伝導性を損なわない範囲で結晶シリカ、
溶融シリカ等の無機充填材を必要に応じて併用してもよ
く、特に、溶融シリカを併用すると、組成物の耐湿特性
を２〜３倍向上させることができる。この場合、溶融シ
リカの配合量は、上記α−アルミナの０．１〜１０倍重
量とすることが好適である。

更に、本発明組成物には、シリコーン変性フェノール樹
脂及び／又はシリコーン変性エポキシ樹脂を配合するも
ので、上記特定のα−アルミナとシリコーン変性フェノ
ール樹脂及び／又はシリコーン変性エポキシ樹脂とを併
用することにより高熱伝導性、耐湿特性を有し、しかも
成形性が格段と向」ニしたエポキシ樹脂組成物を得るこ
とができる。

１３− ここで、シリコーン変性フェノール樹脂及びシリコーン
変性エポキシ樹脂としては、別に制限されないが、下記
一般式 ％式％） 〔但し、式中Ｒ１は置換もしくは非置換の一価炭化水素
基、水酸基、アルコキシ基又はアルケニルオキシ基を示
し、好ましくはメチル基、エチル基等の炭素数１〜１０
のアルキル基、フェニル基等の炭素数６〜１０のアリル
基、これらの基の１以上の水素原子をハロゲン原子で置
換したＣｌＣ３Ｉ（６−。

ｃｎ−＠−等の基、水酸基、メトキシ基、エトキシ基等
の炭素数１〜５のアルコキシ基であり、Ｒ２は−ＲＣＯ
ＯＨ，−ＲＮＨ２又は−ＲＳ　Ｈ基（Ｒは炭素数Ｏ〜１
０の二価の脂肪族又は芳香族炭化水素基）であり、ａ、
ｂはｌ≦ａ≦３、好ましくは工、９５≦ａ≦２．０５．
０．０１≦ｂ≦１、好ましくは０．０３≦ｂ≦１．１≦
ａ　＋　ｂ≦４、好ましくは１．８≦ａ十ｂ≦４で表さ
れる数である。また、１分子中のけい素原子の数は１〜
４００の整数である。〕 ４ で示されるＣ○○Ｈ基、ＮＨ２基、５ｌ−Ｉ基含有シリ
コーン樹脂とエポキシ樹脂又はフェノール樹脂との反応
生成物や、アルケニル基含有エポキシ樹脂又はフェノー
ル樹脂、より好適には下記式〔但し、式中Ｒ３はＲ−Ｃ
Ｈ−ＣＨ２（Ｒは有機基）又は○Ｈ基であり、Ｐ＋　ｑ
は０≦ｐ≦１０．１≦ｑ≦３で示される整数である。〕 で示されるアルケニル基含有エポキシ樹脂又はフェノー
ル樹脂と、下記式 ％式％） （但し、式中Ｒ４は置換もしくは非置換の一価炭化水素
基、水酸基、アルコキシ基又はアルケニルオキシ基を示
し、好ましくはメチル基、エチル基等の炭素数ｌ〜工○
のアルキル基、フェニル基丑の炭素数６〜］Ｏのアリル
基、これらの基の１以上の水素原子をハロゲン原子で置
換したＣ　Ｑ　Ｃ３Ｈｓ　−。

Ｃｌ（ト等の基、水酸基、メ１〜キシ基、工１〜キシ基
等の炭素数ｌ〜５のアルコキシ基であり、ａ、ｂは０．
０１≦ａ≦１、射ましくは０．０３≦ａ≦１．１≦ｂ≦
３、好ましくは↓、９５≦ｂ≦２．０５、」≦ａ　＋　
ｂ≦４、好ましくは１．８≦ａ　＋　ｂ≦４を満足する
正数である。また、１分子中のけい素原子の数は１〜４
００の整数であり、土分子中のけい素原子に直結した水
素原子の数は１以上の整数である。） で表される有機けい素化合物との付加重合体が好適に使
用される。なお、この有機けい素化合物は、その三Ｓ　
ｉ　Ｈ基がエポキシ樹脂又はフェノール樹脂のアルケニ
ル基に付加して付加重合体となるものである。

またこの場合、シリコーン変性エポキシ樹脂は、加水分
解性塩素の含有量が５００ｐｐｍ以下で、遊離のＮａ、
Ｃｎイオンが各々２　ｐｐｍ以下であることが好ましく
、また、シリコーン変性フェノール樹脂は、遊Ｍｌ　（
１）　ＮｆＪ、　Ｃｆｌイオンが各々２　ｐＪＢｎ以下
、有機酸含有量が１１００ｐｐ以下であることが好まし
く、加水分解性塩素、遊離のＮａ、　Ｃｆｌイオン、有
機酸の含有量が上記値を越えると、封止した半導体装置
の耐湿性が悪くなる場合がある。

シリコーン変性エポキシ樹脂及びフェノール樹脂は１種
を単独で配合しても、あるいは２種以」二を混合して配
合してもよく、更に、配合量は別に限定されないが、組
成物に配合するエポキシ樹脂と硬化剤との合計量１００
部（重量部、以下同様）に対して３〜１００部、特に５
〜５０部とすることが好ましい。シリコーン変性エポキ
シ樹脂及びフェノール樹脂の配合量が３部より少ないと
、成形時に金型のパーティングラインからの樹脂漏れが
ひどくなって、成形性が悪くなる場合があり。

］、　Ｏ０部を越えると成形量の機械的強度が低下する
場合がある。

更に、本発明組成物には、上記必須成分以外に、エポキ
シ樹脂と硬化剤との反応を促進させるために硬化促進剤
を配合することが好ましい。硬化促進剤としては通常エ
ポキシ化合物の硬化に用いられる化合物、例えばイミダ
ゾール化合物。

７ １．８−ジアザビシクロ（５、４，、Ｏ）ウンデセン７
　（Ｄ　Ｂ　Ｕ）等のウンデセン化合物、トリフェニル
ホスフィン等のホスフィン化合物などが用いられるが、
組成物の耐湿特性の面からこのうち１−リフェニルホス
フィンを用いることが好ましい。なお、硬化促進剤の使
用量は特に制限されず、通常の使用量でよい。

本発明の組成物には、更に必要により各種の添加剤を添
加することができ、例えばカルナバワックス等のワック
ス類、ステアリン酸等の脂肪酸やその金属塩なとの離型
剤（中でも接着性、離型性の面からカルナバワックスが
好適に用いられる）、シランカップリング剤、カーボン
ブラック、コバルトブルー、ベンガラ等の顔料、酸化ア
ンチモン、ハロゲン化合物等の難燃化剤、老化防止剤、
その他の添加剤の１種又は２種以上を配合することがで
きる。

なお、本発明のエポキシ樹脂組成物は、その製造に際し
、上述した成分の所定量を均一に攪Ｊ１゛、混合し、予
め７０〜９５°Ｃに加熱しであるニーダ、ロール、エク
ストルーダーなどで混練、冷却８− し、粉砕するなどの方法で得ることができる。ここで、
成分の配合順序に特に制限はない。

」一連したように、本発明のエポキシ樹脂組成物はＩＣ
，ＬＳＩ、ｌ−ランジスタ、サイリスタ、ダイオード等
の半導体装置の封止用に使用するものであり、プリント
回路板の製造などにも有効に使用できる。

ここで、半導体装置の封止を行なう場合は、従来より採
用されている成形性、例えばトランスファ成形、インジ
ェクション成形、注型法などを採用して行なうことがで
きる。この場合、エポキシ樹脂組成物の成形温度は１５
０〜１８０℃、４ポス１へキュアーは１５０〜１８０℃
で２〜１６時間行なうことが好ましい。

一楚功の効果 以−に説明したように、本発明の半導体装置封止用エポ
キシ樹脂組成物は、充填材として特殊なα−アルミナを
配合すると共に、シリコーン変性エポキシ樹脂及び／又
はシリコーン変性フェノール樹脂を配合したことにより
、パリ発生を防止することができ、成形性が高く、しか
も非常に高ｂ）熱伝導性を有する上、耐湿性が非常に優
れた硬化物を与え、従って、この硬化物で封止した半導
体装置は信頼性が高いものである。

以下に実施例及び比較例を挙げて本発明を具体的に説明
するが、本発明は下記実施例に制限されるものではない
。なお、以下の例において部はいずれも重量部を示す。

〔実施例１〜４．比較例〕−〕 クレゾールノボラックエポキシ樹脂（軟化点６０℃、加
水分解性Ｃｌ３００ｐｐｍ、Ｎａ、　ＣｌＱ１０ｐｐｍ
、有機酸の含有率５０ｐｐＨ１，エポキシ当１２００）
６２部、臭素化ノボラックエポキシ樹脂（Ｂｒ含有率３
５％、エポキシ当Ｍ２８６）７部、ノボラックフェノー
ル樹脂（軟化点８０’Ｃ、フリーフエノル量０．１％、
有機酸２０Ｐ　Ｐ　Ｔｌｌ、Ｎａ、ＣｌＱ１０ｐｐｍ）
３部部、下記に示す構造を有するシリコーン変性エポキ
シ樹脂を第１表に示す量、５ｂ２０３をクレゾールノボ
ラックエポキシ樹脂、臭素化ノボラックエポキシ横腹、
ノボラックフェノール４ｉ’ｌＪ脂及びシリコーン変性
エポキシ樹１指の否計＝ｕｌＯＯ部に対して１０部配合
し、更にγ−グリシドキシプロビルトリメトキシシラン
２．０部、カルナバワックス１．５部、カーボンブラン
ク２．０部、１−リフェニルホスフィン１．０部、α−
アルミナ〔純度（ＡＱ２０．Ｊ：）９９．９％、Ｎａ２
Ｏ含有率０．０３％、１００　℃の水で抽出した時のＮ
ａイオン３ｐｐｍ、ｃ１２イオン０．５ｐｐｍ、平均粒
子径２０ｔｍ、２５０−以上の粒子径を有する粒子含有
率が０．０１％、粒子の長径と短径の軸比が１．４−）
６００部を配合したものを１．　Ｏ０℃の加熱ロールで
８分間混合、混練し、冷却した後、粉砕してエポキシ樹
脂組成物（実施例１〜４．比較例１）を得た。

シリコーン変性エポキシ樹脂 （但し１人中の添数字はｊｌＺ均イ直 である。） ２１ 〔実施例５〕 上記実施例で用いたシリコーン変性エポキシ樹脂の代わ
りに下記に示す構造をイイするシリコーン変性フェノー
ル樹脂５部を配合する以外は、上記実施例と同様にして
エポキシ樹脂組成物を得た。

シリコーン変性フェノール樹脂 １１ （似し、式中の添数字は平均イ直 である。） 得られたエポキシ横腹成形材料の特性を下記方法で測定
した。

結果を第１表に示す。

（イ）スパイラルフロー値 ＥＭＭＩ規格に準した金型を使用して、１７５℃、　　
７０　ｋｇ　／　ａ＋１の条仲で測定した。

２ （ロ）アルミニウム配線腐蝕率の測定方法アルミニウム
金属電極の腐蝕を検剖するために設計した１４ピンＩＣ
にエポキシ樹脂組成物をトランスファーモールド法で成
形し、１８０℃で４時間ポストキュアーした。これを２
気圧、１２０°Ｃの水蒸気中に放置するプレッシャーク
ツカーテストを実施し、１０００時間後のアルミニウム
腐蝕により発生した断線の発生率（％）をｉｆｆ！ｌ定
した。

（ハ）パリの長さ 第１，２図に示す金型１を使用し、中央部にスプルー２
を有する上金型３と、このスプルー２に対向してキャビ
ティ４を有する下金型５とからなる金型１を使用し、」
１金型３と下金型５とをその間に５μｎＸ１０１ｍ１の
隙間６を有するように合わせた後、エポキシ樹脂組成物
をキャビティ４に充填し、該エポキシ樹脂組成物を金型
温度１７５℃。

射出圧力’７０ｋｇ／ａにで成形し、」１金型３と下金
型５との隙間６から発生するバリアの長さΩを測定した
。

（ニ）成形性 ］−６０キヤビテイの１４ビンＩＣ金型を使用し、各サ
ンプルを１０ショッ１−ずつ成形して、未充填ピンホー
ル等の成形不良発生率及びパリの発生数不良率をＫ１１
ｌ定した。なおこの場合、ＩＣの足の部分に発生したパ
リが２ＩＩＩｎ以」二のものをハリ不良とした。

（ホ）曲げ強度 ＪＴＳ　　Ｋ−６９上１に準する方法で測定した。

＝２５− 第１表の結果より、シリコーン変性エポキシ樹脂及びシ
リコーン変＋′Ｌフェノール樹脂のいずれも含有しない
エポキシ樹脂は、側温性に劣り、かつパリが発生し易く
、成形性も悪いが、本発明のエポキシ樹脂組成物は、熱
伝導性、耐湿特性が良好である上、パリの発生がほとん
どなく、成形性に優れていることが確認された。

【図面の簡単な説明】

第１図はパリの発生の有無を調べるために用いた金型の
断面図、第２図は同金型の下金型の平面図である。 １・・金　型　　　　２・・スプルー ３・・・上金型　　　　４・キャビティ５・・・下金型
　　　　６　隙　間 ７・・・パ　リ

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、（イ）エポキシ樹脂と、 （ロ）硬化剤と、 （ハ）充填剤として純度が９９．５％以上でＮａ＿２Ｏ
   の含有率が０．０３％以下であり、かつ１００℃の水で
   抽出した時のＮａイオン含有量が５ｐｐｍ以下、Ｃｌイ
   オン含有量が１ｐｐｍ以下であると共に、平均粒子径が
   ５μｍ〜６０μｍであり、かつ粒子径２５０μｍ以上の
   粒子の含有率が１％以下であるα−アルミナと、 （ニ）シリコーン変性エポキシ樹脂及び／又はシリコー
   ン変性フェノール樹脂と を配合してなることを特徴とする半導体封止用エポキシ
   樹脂組成物。 ２、請求項１記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物の
   硬化物で封止された半導体装置。