JPH02140227A - 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 - Google Patents
半導体封止用エポキシ樹脂組成物Info
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- JPH02140227A JPH02140227A JP29420988A JP29420988A JPH02140227A JP H02140227 A JPH02140227 A JP H02140227A JP 29420988 A JP29420988 A JP 29420988A JP 29420988 A JP29420988 A JP 29420988A JP H02140227 A JPH02140227 A JP H02140227A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はトランジスタ、IC及びLSIなどのいわゆる
半導体素子類をトランスファー成形等により封止するた
めに使用する半導体封止用エポキシ樹脂組成物に関する
。
半導体素子類をトランスファー成形等により封止するた
めに使用する半導体封止用エポキシ樹脂組成物に関する
。
R+ R
Coo)l
(式中のm、nは正の整数で、m +n = 1.0〜
300、m / m + n < 0.5で、Rはメチ
ル基又はフェニル基でそれぞれ同じでも異なっていても
より、R8は2価の炭化水素基である。
300、m / m + n < 0.5で、Rはメチ
ル基又はフェニル基でそれぞれ同じでも異なっていても
より、R8は2価の炭化水素基である。
とノボラック型フェノール系樹脂とを脱水縮合させて得
られるシリコーン変性フェノール樹脂にエポキシ樹脂、
硬化剤及び充填剤を配合したことを特徴とする半導体封
止用エポキ〔従来の技術〕 エポキシ樹脂組成物は他の熱硬化性樹脂組成物と比べ、
電気特性、耐湿性、機械特性、接着性等のバランスが最
も優れているため、現在半導体封止の主流となっている
。
られるシリコーン変性フェノール樹脂にエポキシ樹脂、
硬化剤及び充填剤を配合したことを特徴とする半導体封
止用エポキ〔従来の技術〕 エポキシ樹脂組成物は他の熱硬化性樹脂組成物と比べ、
電気特性、耐湿性、機械特性、接着性等のバランスが最
も優れているため、現在半導体封止の主流となっている
。
一方、近年素子の大型化、アルミ配線の細線化、パッケ
ージの小型薄肉化に伴い、素子上のパッシベーションク
ラック、アルミ配線変形、パッケージクランク等の不良
が顕著になり、組成物の低応力化がますます重要となっ
ている。
ージの小型薄肉化に伴い、素子上のパッシベーションク
ラック、アルミ配線変形、パッケージクランク等の不良
が顕著になり、組成物の低応力化がますます重要となっ
ている。
封止材の低応力化には、低弾性率化と低熱膨張化があり
、低弾性率化には、シリコーン等の可撓剤を添加する方
法、また低熱膨張化にはシリカ等のフィラーを増量する
方法が一般的である。しかし、これら手法は、いずれも
エポキシ組成物の流動性を低下させるため、使用量には
限界がある。
、低弾性率化には、シリコーン等の可撓剤を添加する方
法、また低熱膨張化にはシリカ等のフィラーを増量する
方法が一般的である。しかし、これら手法は、いずれも
エポキシ組成物の流動性を低下させるため、使用量には
限界がある。
本発明は上記観点からなされたものであり、流動性に優
れかつ弾性率の低い半導体封止用エポキシ樹脂組成物を
得ようとするものである。
れかつ弾性率の低い半導体封止用エポキシ樹脂組成物を
得ようとするものである。
本発明者らは上記問題点を解決すべく、鋭意検討を行っ
た結果なされたもので、一般式、(1)で示されるカル
ボキシル基含有オルガノポリシロキサン R+ R Coo)l (式中のm、nは正の整数で、m+n=10〜300、
m / m + n < 0.5で、Rはメチル基又は
フェニル基でそれぞれ同じでも異なっていてもよく、R
1は2価の炭化水素基である) とノボラック型フェノール系樹脂とを脱水縮合させて得
られるシリコーン変性フェノール樹脂にエポキシ樹脂、
硬化剤、及び充填剤を配合したことを特徴とする半導体
封止用エポキシ樹脂組成物を提供するものである。
た結果なされたもので、一般式、(1)で示されるカル
ボキシル基含有オルガノポリシロキサン R+ R Coo)l (式中のm、nは正の整数で、m+n=10〜300、
m / m + n < 0.5で、Rはメチル基又は
フェニル基でそれぞれ同じでも異なっていてもよく、R
1は2価の炭化水素基である) とノボラック型フェノール系樹脂とを脱水縮合させて得
られるシリコーン変性フェノール樹脂にエポキシ樹脂、
硬化剤、及び充填剤を配合したことを特徴とする半導体
封止用エポキシ樹脂組成物を提供するものである。
以下に本発明の詳細な説明する。
一般式(1)で示されるカルボキシル基含有オルガノポ
リシロキサンと、ノボラック型フェノール系樹脂との縮
合反応は、脱水剤を用い両方を溶かし得る溶媒下で行わ
れる。この際、一般式(1)の正の整数m、nについて
は、m+n−10〜300が好ましく、10未満では弾
性率低減効果が少なく、また300を超えると流動性の
点で適さない。更に、m+n<0.5が好適であり、0
゜5以上では、流動性が極端に低下する。
リシロキサンと、ノボラック型フェノール系樹脂との縮
合反応は、脱水剤を用い両方を溶かし得る溶媒下で行わ
れる。この際、一般式(1)の正の整数m、nについて
は、m+n−10〜300が好ましく、10未満では弾
性率低減効果が少なく、また300を超えると流動性の
点で適さない。更に、m+n<0.5が好適であり、0
゜5以上では、流動性が極端に低下する。
また、オルガノポリシロキサンとしては式中のRがすべ
てメチル基又はメチル基と一部がフェニル基であるオル
ガノポリシロキサン、R1がメチレン基等の2価の炭化
水素であるオルガノポリシロキサンが好ましく用いられ
る。
てメチル基又はメチル基と一部がフェニル基であるオル
ガノポリシロキサン、R1がメチレン基等の2価の炭化
水素であるオルガノポリシロキサンが好ましく用いられ
る。
前記オルガノポリシロキサン(シリコーン)とノボラッ
ク型フェノール系樹脂の脱水反応時の混合比は、一般式
(1)のカルボキシル基1個に対しノボラック型フェノ
ール系樹脂のフェノール性水酸基が10個以上となるよ
うにするのが良く、10個未満ではゲル化の点で適さな
い。
ク型フェノール系樹脂の脱水反応時の混合比は、一般式
(1)のカルボキシル基1個に対しノボラック型フェノ
ール系樹脂のフェノール性水酸基が10個以上となるよ
うにするのが良く、10個未満ではゲル化の点で適さな
い。
エポキシ樹脂組成物に対する添加量は、エポキシ樹脂1
00重量部に対して、合成したシリコーン変性フェノー
ル樹脂中のシリコーン部分が5〜30重量部となるよう
に添加することが好ましく、5重量部未満ではエポキシ
樹脂組成物の弾性率低減効果が少なく、また30重量部
を超えると流動性が失われる。
00重量部に対して、合成したシリコーン変性フェノー
ル樹脂中のシリコーン部分が5〜30重量部となるよう
に添加することが好ましく、5重量部未満ではエポキシ
樹脂組成物の弾性率低減効果が少なく、また30重量部
を超えると流動性が失われる。
ここで用いるノボラック型フェノール系樹脂としては、
フェノール、クレゾール、ビスフェノールAなどどホル
ムアルデヒドなどを酸性触媒下で縮合させて得られる樹
脂が好ましい。また、エポキシ樹脂は、半導体封止用エ
ポキシ樹脂として用いるものであれば特に制限はないが
、上記ノボラック型フェノール系樹脂を原料とし、エピ
クロルヒドリンでグリシジルエーテル化するなどしてエ
ポキシ化したもので、エポキシ当量が170〜300、
好ましくは180〜200のものが硬化性の点で優れて
おり、エポキシ樹脂中に含まれるエポキシ基1個当たり
フェノール性水酸基が0.5〜2.0となるような配合
比で用いる。
フェノール、クレゾール、ビスフェノールAなどどホル
ムアルデヒドなどを酸性触媒下で縮合させて得られる樹
脂が好ましい。また、エポキシ樹脂は、半導体封止用エ
ポキシ樹脂として用いるものであれば特に制限はないが
、上記ノボラック型フェノール系樹脂を原料とし、エピ
クロルヒドリンでグリシジルエーテル化するなどしてエ
ポキシ化したもので、エポキシ当量が170〜300、
好ましくは180〜200のものが硬化性の点で優れて
おり、エポキシ樹脂中に含まれるエポキシ基1個当たり
フェノール性水酸基が0.5〜2.0となるような配合
比で用いる。
本発明において用いられる硬化剤としては、特に限定は
されないがノボラック型フェノール樹脂が好適であり、
具体的にはフェノール、クレゾール、ビスフェノールA
などとホルムアルデヒドなどを酸性触媒で縮合させて得
られる樹脂が好ましく、エポキシ樹脂中に含まれるエポ
キシ基1個当たりフェノール性水酸基が0.5〜2.0
個、好ましくは0.8〜1.2個となるような割合で用
いる。
されないがノボラック型フェノール樹脂が好適であり、
具体的にはフェノール、クレゾール、ビスフェノールA
などとホルムアルデヒドなどを酸性触媒で縮合させて得
られる樹脂が好ましく、エポキシ樹脂中に含まれるエポ
キシ基1個当たりフェノール性水酸基が0.5〜2.0
個、好ましくは0.8〜1.2個となるような割合で用
いる。
本発明において用いられるる充填剤としてはシリカ、ガ
ラス、ケイソウ土、タルク、マイカ、アスペスト、アル
ミナなどを用いることができるが、シリカ、ガラス、ア
ルミナが電気特性の点で優れている。充填剤の使用量は
全樹脂100重量部に対し100〜500重量部が好ま
しく、100重量部未満では耐湿性に劣り、また500
重量部を超えると流動性が失われる。
ラス、ケイソウ土、タルク、マイカ、アスペスト、アル
ミナなどを用いることができるが、シリカ、ガラス、ア
ルミナが電気特性の点で優れている。充填剤の使用量は
全樹脂100重量部に対し100〜500重量部が好ま
しく、100重量部未満では耐湿性に劣り、また500
重量部を超えると流動性が失われる。
変性エポキシ樹脂と硬化剤との反応を促進するために硬
化促進剤を用いてもよい。具体的にはトリブチルアミン
、1,8−ジアザビシクロウンデセン−7のようなアミ
ン酸、トリフェニルホスフィンのような有機ホスフィン
類、2−フェニルイミダゾールのようなイミダゾール類
が挙げられる。
化促進剤を用いてもよい。具体的にはトリブチルアミン
、1,8−ジアザビシクロウンデセン−7のようなアミ
ン酸、トリフェニルホスフィンのような有機ホスフィン
類、2−フェニルイミダゾールのようなイミダゾール類
が挙げられる。
本発明のエポキシ樹脂組成物には必要に応じて離型剤、
着色剤、難燃剤、難燃助剤、カップリング剤などを使用
することもできる。特にカップリング剤は充填剤の効果
を有効に発揮させるために重要であり、例えばα−グリ
シドキシプロビルトリメトキシシラン、β−(3,4−
エポキシシクロヘキシル)−エチルトリメトキシシラン
などが用いられる。
着色剤、難燃剤、難燃助剤、カップリング剤などを使用
することもできる。特にカップリング剤は充填剤の効果
を有効に発揮させるために重要であり、例えばα−グリ
シドキシプロビルトリメトキシシラン、β−(3,4−
エポキシシクロヘキシル)−エチルトリメトキシシラン
などが用いられる。
エポキシ樹脂組成物は、上記のエポキシ樹脂、硬化剤、
硬化促進剤、充填剤、カップリング剤などをミキシング
ロールで加熱しながら混練する方法により製造できる。
硬化促進剤、充填剤、カップリング剤などをミキシング
ロールで加熱しながら混練する方法により製造できる。
得られたエポキシ樹脂組成物は、トランスファー成形、
注型などの方法により成形する。
注型などの方法により成形する。
以下に実施例により本発明を具体的に説明する。
まず、組成物の測定方法及びシリコーン変性フェノール
樹脂の製造方法を以下に示す。
樹脂の製造方法を以下に示す。
(1) スパイラルフロー
EMMI規格に準じた金型を用いて、175°C26,
86MPaの条件で測定した。
86MPaの条件で測定した。
(2)曲げ弾性率
JIS−に6911に準じ、175°C,6,86MP
a、成形時間90秒の条件で試験片を作成し、175°
C16hベークしたものについて測定した。
a、成形時間90秒の条件で試験片を作成し、175°
C16hベークしたものについて測定した。
(3) シリコーン変性フェノール樹脂の製造方法表
1に示す配合でメチルイソブチルケトン(MIBK)中
12時間refluxする。脱水剤としては、硫酸、リ
ン酸などが一般的であるが、シリコーンが分解される可
能性があるため、ここではマイルドな有機系脱水剤、ジ
シヘキシル力ルポジイミド(以下DCCと略す)を用い
た。反応終了後、DCCと水との結晶状反応物を濾過し
、濾液からMI BK溶媒を除去することで、褐色の樹
脂固形物を得た。得られた樹脂は、GPC測定の結果、
原料樹脂よりも高分子側にピークがあることで、いずれ
も反応していることを確認した。
1に示す配合でメチルイソブチルケトン(MIBK)中
12時間refluxする。脱水剤としては、硫酸、リ
ン酸などが一般的であるが、シリコーンが分解される可
能性があるため、ここではマイルドな有機系脱水剤、ジ
シヘキシル力ルポジイミド(以下DCCと略す)を用い
た。反応終了後、DCCと水との結晶状反応物を濾過し
、濾液からMI BK溶媒を除去することで、褐色の樹
脂固形物を得た。得られた樹脂は、GPC測定の結果、
原料樹脂よりも高分子側にピークがあることで、いずれ
も反応していることを確認した。
表1
1ゝ式(1)中のm、 n
(4)組成物の製造方法
表2に示す素材を配合し、直径10インチのミキシング
ロールにて、前ロール22rpm、&ロール18rpm
の条件で常法に従い6分間混練した。
ロールにて、前ロール22rpm、&ロール18rpm
の条件で常法に従い6分間混練した。
得られたシート状物を粉砕して、半導体封止用エポキシ
樹脂組成物を得た。
樹脂組成物を得た。
上記により得られた組成物の物性を表2に示す。
表2に示すように、実施例1〜4は比較例1と比べ、ス
パイラルフローが大きく弾性率も低い。
パイラルフローが大きく弾性率も低い。
本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は流動性に優
れかつ硬化物の弾性率低減効果もあることから、素子の
大型化、アルミ配線の細線化、パッケージの小型薄肉化
に伴う素子上のパンシベーションクラック、ワイヤポン
ディングパッド部のダメージ、アルミ配線変形、パッケ
ージクランク等の不良を解消することができた。またそ
の他の特性においても優れており、その工業的価値は大
きい。
れかつ硬化物の弾性率低減効果もあることから、素子の
大型化、アルミ配線の細線化、パッケージの小型薄肉化
に伴う素子上のパンシベーションクラック、ワイヤポン
ディングパッド部のダメージ、アルミ配線変形、パッケ
ージクランク等の不良を解消することができた。またそ
の他の特性においても優れており、その工業的価値は大
きい。
Claims (1)
- 1.一般式(1)で示されるカルボキシル基含有オルガ
ノポリシロキサン ▲数式、化学式、表等があります▼(1) (式中のm、nは正の整数で、m+n=10〜300、
m/m+n<0.5で、Rはメチル基又はフェニル基で
それぞれ同じでも異なっていてもよく、R_1は2価の
炭化水素基である。 ) とノボラック型フェノール系樹脂とを脱水縮合させて得
られるシリコーン変性フェノール樹脂にエポキシ樹脂、
硬化剤及び充填剤を配合したことを特徴とする半導体封
止用エポキシ樹脂組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29420988A JPH02140227A (ja) | 1988-11-21 | 1988-11-21 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29420988A JPH02140227A (ja) | 1988-11-21 | 1988-11-21 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02140227A true JPH02140227A (ja) | 1990-05-29 |
Family
ID=17804739
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29420988A Pending JPH02140227A (ja) | 1988-11-21 | 1988-11-21 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02140227A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0362844A (ja) * | 1989-02-27 | 1991-03-18 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| US5998509A (en) * | 1996-11-29 | 1999-12-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Resin composition and semiconductor device employing the same |
-
1988
- 1988-11-21 JP JP29420988A patent/JPH02140227A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0362844A (ja) * | 1989-02-27 | 1991-03-18 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| US5998509A (en) * | 1996-11-29 | 1999-12-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Resin composition and semiconductor device employing the same |
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