JPH02142532U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH02142532U JPH02142532U JP5230389U JP5230389U JPH02142532U JP H02142532 U JPH02142532 U JP H02142532U JP 5230389 U JP5230389 U JP 5230389U JP 5230389 U JP5230389 U JP 5230389U JP H02142532 U JPH02142532 U JP H02142532U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor layer
- gate electrode
- impurity concentration
- concentration region
- gate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Description
第１図は本考案の半導体装置を示す断面図、第
２図ａ〜ｃは本考案の半導体装置の製造工程を示
す工程断面図、第３図は従来のＬＬＤ構造のＭＯ
Ｓ型半導体装置を示す断面図、第４図ａ〜ｃは従
来のＬＬＤ構造のＭＯＳ型半導体の製造工程を示
す工程断面図である。 １……半導体基板、２……ゲート絶縁膜、３…
…ゲート電極材、４……レジスト、５……層間絶
縁膜、６……ＡＩ配線、７……高不純物濃度領域
、８……低不純物濃度領域、９……ＮＳＧ膜、９
′……残渣。
２図ａ〜ｃは本考案の半導体装置の製造工程を示
す工程断面図、第３図は従来のＬＬＤ構造のＭＯ
Ｓ型半導体装置を示す断面図、第４図ａ〜ｃは従
来のＬＬＤ構造のＭＯＳ型半導体の製造工程を示
す工程断面図である。 １……半導体基板、２……ゲート絶縁膜、３…
…ゲート電極材、４……レジスト、５……層間絶
縁膜、６……ＡＩ配線、７……高不純物濃度領域
、８……低不純物濃度領域、９……ＮＳＧ膜、９
′……残渣。
Claims (1)
- 半導体層の上部に絶縁膜を介して設けられた電
極とゲート電極に隣接する半導体層が低抵抗化さ
れた構造を有する電界効果トランジスタにおいて
、ゲート端面と半導体層のなす角度が２５゜〜４
５゜のテーパーを有し、かつ、ゲート電極近傍に
低不純物濃度領域、その外側に高不純物濃度領域
を有することを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5230389U JPH02142532U (ja) | 1989-05-02 | 1989-05-02 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5230389U JPH02142532U (ja) | 1989-05-02 | 1989-05-02 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02142532U true JPH02142532U (ja) | 1990-12-04 |
Family
ID=31572495
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5230389U Pending JPH02142532U (ja) | 1989-05-02 | 1989-05-02 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02142532U (ja) |
-
1989
- 1989-05-02 JP JP5230389U patent/JPH02142532U/ja active Pending