JPH0214294A - 洗浄液および洗浄方法 - Google Patents

洗浄液および洗浄方法

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Publication number
JPH0214294A
JPH0214294A JP63165223A JP16522388A JPH0214294A JP H0214294 A JPH0214294 A JP H0214294A JP 63165223 A JP63165223 A JP 63165223A JP 16522388 A JP16522388 A JP 16522388A JP H0214294 A JPH0214294 A JP H0214294A
Authority
JP
Japan
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cleaning
aqueous solution
electrolyte
ultrapure water
solution
Prior art date
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Pending
Application number
JP63165223A
Other languages
English (en)
Inventor
Yasumasa Kawakami
川上 靖正
Mitsushi Itano
充司 板野
Shigeyuki Yoshii
滋幸 吉井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Daikin Industries Ltd
Original Assignee
Daikin Industries Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、洗浄液および洗浄方法に関する。
従来技術とその問題点 いわゆるバイテクノロジーの分野で行われる洗浄では、
サブミクロンの微粒子除去が必要とされており、今後清
浄度に対する要求は、さらに厳しくなるものと予想され
ている。
例えば、現在半導体製造に際し使用されている湿式エツ
チング剤用フッ素樹脂容器の洗浄には、通常界面活性剤
の行水溶液、強酸、超純水などによる(超音波洗浄、浸
漬洗浄などを含む)が行われている。しかしながら、こ
れら方法では、例えば、NH4F系エツチング剤の場合
には、十分な洗浄レベル(0,5μm以上の微粒子数が
103個/100m1オーダー以下)に達するまでに非
常な長時間を費やさすことにより、このレベルを辛うじ
てクリアーし得るに過ぎず、今後の清浄度に対する高度
の要求には、対応することが出来ない。また、最終洗浄
後、製品としてNH,F系エツチング剤を充填すると、
原因は不明であるが、場合によっては、微粒子数が激増
するなどの問題点が発生する。
問題点を解決するための手段 本発明者は、上記の如き技術の現状に鑑みて鋭意研究を
重ねた結果、電解質の高濃度水溶液が洗浄液として優れ
た効果を発揮し得ることを見出した。
すなわち、本発明は、下記の洗浄剤および洗浄方法を提
供するものである: ■電解質の高濃度水溶液からなる洗浄液。
■電解質が、塩である上記第1項に記載の洗浄液。
■電解質が、NH4Cl5NH,F、KC/!。
KFSNaC11MgC12、MgCO3、ZnC/2
2 、ZnSO4、FeCf3、FeSO4、AlCl
3及びA12 (SO4)3からなる群から選ばれた一
種である上記第1項に記載の洗浄液。
■電解質の濃度が、0.5重量%以上である上記第1項
に記載の洗浄液。
■電解質の高濃度水溶液からなる洗浄液による洗浄工程
と水による洗浄工程とを少なくとも一回ずつ含む洗浄工
程からなることを特徴とする洗浄方法。
■希フッ酸による洗浄工程をさらに含む上記第5項に記
載の洗浄方法。
本発明における洗浄剤中の塩の濃度は、0.5重量%以
上(より好ましくは、1重量%以上)飽和濃度までであ
る。塩の濃度が0.5重量%未満の場合には、所望の高
度の洗浄効果が十分に達成されない。
塩としては、NH4Cl5NH4F、KC!!、KF、
NaC1,MgCl2、Mgco3、ZnCl2、Zn
SO4、FeCl3、FeSO4、A!ICl3及びA
1!2 (SO4)3からなる群から選ばれたものを使
用する。
本発明による洗浄方法は、上記の塩の高濃度水溶液から
なる洗浄液による洗浄工程と超純水による洗浄工程とを
少なくとも一回ずつ含む洗浄工程からなるものである。
洗浄回数は、被洗浄物の汚れ程度に応じて、適宜選択す
れば良い。但し、洗浄液による洗浄の後には、超純水に
よる洗浄を行なうことが好ましい。また、被洗浄物が、
エツチング剤用容器である場合には、製品として充填す
るエツチング剤と同溶液で最終洗浄することも好ましい
。具体的な洗浄操作としては、洗浄液または超純水を被
洗浄物に対して相対的に流動させたり(例えば、洗浄す
べき容器内で、洗浄液または超純水を振とうさせる:洗
浄すべき物品を浸漬し、洗浄液または超純水を攪拌ある
いは循環濾過する)、或いは洗浄液または超純水に被洗
浄物を浸漬して長時間放置するなどの操作が例示される
なお、本発明による洗浄方法は、常温で実施すれば良い
が、必要ならば、加温した洗浄液および/または超純水
または希フッ酸を使用しても差し支えない。
本発明による洗浄液及び洗浄方法は、高度の清浄度を要
求される各種の物品の洗浄に好適であり、より具体的に
は、半導体製造に際し使用されている湿式エツチング剤
用フッ素樹脂成形品容器、チューブ、ウェーハー、キャ
リヤなどの洗浄に使用される。
発明の効果 本発明によれば、従来技術では達成不可能であった高度
の洗浄効果が得られる。特に、NH,F系エツチング剤
の場合には、従来技術では、除去不能であった0、3〜
0.5μm程度の細かい微粒子の除去も可能となり、ま
た、前記の原因不明の微粒子の激増が略抑制される。
実施例 以下に実施例を示し、本発明の特徴とするところをより
一層明確にする。
実施例1 成形上がりの10!!フツ素樹脂製ボトル内を第1表に
示す順序で超純水(比抵抗[mΩ・cmat25℃] 
:18以上、微粒子数[個/100m1゜0.5μm以
上] :10以下、T、 O,C[ppb]:10〜1
00、以下同じ)及びNH4Fの40重量%水溶液によ
り洗浄した。洗浄は、ボトル内に超純水またはNH4F
水溶液を収容し、振幅4cm、振動数160回/分で5
分間振とうした後、静置し、微粒子カウンターにて、微
粒子数を測定した。なお、以下の各実施例および比較例
においても、特に明示しないかぎり、洗浄は、本実施例
と同様にして行なったものである。
第1表に各洗浄工程後に超純水またはNH4F水溶液1
00m1中に存在する0、5μm以上の微粒子数を示す
。微粒子数は、ダストカウンター(“HIAC/ROY
CO4100″)により測定した。
なお、本実施例および以下の各実施例において使用した
塩の高濃度水溶液は、予め0.1μmフィルターで濾過
により微粒子数を除去したものを使用した。
第 表 第1表に示す結果から、以下のことが明らかである。
ボトル1の場合には、超純水による7回の洗浄により、
微粒子数は、見掛上369個にまで低下している。しか
しながら、NH,F水溶液による洗浄によって、微粒子
数が再び増大していることから、超純水によっては洗浄
除去されなかった微粒子が多数存在していることが明ら
かである。さらに超純水による2回の洗浄により、微粒
子数は、ようやく246個まで減少しており、その後N
H4F水溶液で洗浄しても、微粒子数は、最早増加して
いない。
ボトル2の場合には、当初の微粒子数が極めて多いため
、超純水による10回の洗浄によっても、微粒子数は、
約5万個にまでしか低下していない。
その後NH,F水溶液で洗浄すると、微粒子数は、10
倍以上に増大し、引き続く超純水による2回の洗浄およ
びNH4F水溶液による洗浄により、微粒子数は、よう
や<1121個にまで低下している。
実施例2 成形上がりの101フツ素樹脂製ボトル内を実施例1と
同様にして超純水により洗浄した後、50%HF水溶液
を充填し、第2表に示す条件で浸漬保持した。次いで、
第2表に示すようにして、超純水による洗浄および40
重量%NH4F水溶液による洗浄を行なった。
第2表にその結果を示す。なお、NH,F水溶液による
洗浄後の微粒子数は、いずれも液10m1中の0.3μ
m以上の微粒子数を示し、それ以外の数値は、液100
+r+1中の0. 5μm以上の微粒子数を示す。0.
3μm以上の微粒子数は、微粒子カウンター(“RIO
N  KL−21”)により測定した。
第 表 実施例3 第3表に示す順序で成形上がりのIOJフッ素樹脂製ボ
トル内の超純水による洗浄および40重量%NH4F水
溶液による洗浄を行なった。
第3表に各段階における液100m1中の0.5μm以
上の微粒子数を示す。
第3表に示す結果から、超純水による洗浄と40重量%
NH,F水溶液による洗浄とを適宜組合わせることによ
り、洗浄効果が著しく改善されることが明らかである。
実施例4 第4表に示す順序で成形上がりの106フツ素樹脂製ボ
トル内の超純水による洗浄および20重伝%KCl水溶
液による洗浄を行なった。
第4表に各段階における液100m1中の0.5μm以
上の微粒子数を示す。
第4表に示す結果から、超純水による洗浄と20重量%
KCJ水溶液による洗浄とを適宜組合わせることにより
、超純水単独による洗浄では除去できない微粒子が除去
され(グラフの立上がり部分)、洗浄効果が著しく改善
されることが明らかである。
比較例1 容器の洗浄剤として使用されているポリオキシエチレン
アルキルフェノールエーテル系界面活性剤(商標“ノニ
ポール100”)の0.1重量%水溶液及び超純水を使
用して、成形上りのICBフッ素樹脂製ボトル内の洗浄
を行った後、40重量%NH,F水溶液および超純水に
よる洗浄を行なった。
結果を第5表に示す。
部 表 第5表に示す結果から明らかな如く、 界面活性 割水溶液と超純水との組合わせによる洗浄により、見掛
上充分な清浄化が行われている。しかしながら、NH,
F水溶液による洗浄をさらに行うことにより、実際には
除去されていなかった微粒子が再び洗い出されて来てい
る。このことは、界面活性剤水溶液と超純水との組合わ
せによる洗浄では、見掛上清浄化されていても、実際に
は清浄が不十分であることを示している。
(以 上) 手続補正書 (自発) 事件の表示 昭和63年特許願第1.65223号 発明の名称 洗浄液および洗浄方法

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 (1)電解質の高濃度水溶液からなる洗浄液。 (2)電解質が塩である特許請求の範囲第1項に記載の
    洗浄液。 (3)電解質が、NH_4Cl、NH_4F、KCl、
    KF、NaCl、MgCl_2、MgCO_3、ZnC
    l_2、ZnSO_4、FeCl_3、FeSO_4、
    AlCl_3及びAl_2(SO_4)_3からなる群
    から選ばれた一種である特許請求の範囲第1項に記載の
    洗浄液。 (4)電解質の濃度が、0.5重量%以上である特許請
    求の範囲第1項に記載の洗浄液。(5)電解質の高濃度
    水溶液からなる洗浄液による洗浄工程と水による洗浄工
    程とを少なくとも一回ずつ含む洗浄工程からなることを
    特徴とする洗浄方法。 (6)希フッ酸による洗浄工程をさらに含む特許請求の
    範囲第5項に記載の洗浄方法。
JP63165223A 1988-07-01 1988-07-01 洗浄液および洗浄方法 Pending JPH0214294A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59203734A (ja) * 1983-05-04 1984-11-17 Zojirushi Vacuum Bottle Co 二口真空二重びん及びその製造方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS59203734A (ja) * 1983-05-04 1984-11-17 Zojirushi Vacuum Bottle Co 二口真空二重びん及びその製造方法

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