JPH02143248A - フォトマスク - Google Patents
フォトマスクInfo
- Publication number
- JPH02143248A JPH02143248A JP63296933A JP29693388A JPH02143248A JP H02143248 A JPH02143248 A JP H02143248A JP 63296933 A JP63296933 A JP 63296933A JP 29693388 A JP29693388 A JP 29693388A JP H02143248 A JPH02143248 A JP H02143248A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask pattern
- patterns
- mask
- photomask
- relative positions
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔１既 要〕
半導体装置の製造用フォトマスク、特にパターン間の関
係位置を照合する手段の改善に関し、パターン間の関係
位置を容易に照合できるフォトマスクの堤供を目的とし
、 任意の層の形成に供される露光用マスクパターンと共に
、他の層の形成に供される露光用マスクパターンと同じ
マスクパターン、若しくは露光用マスクパターンの改版
前のマスクパターンが、露光用マスクパターンの関係位
置照合に供される参照用マスクパターンとして、同一マ
スク基板上に形成されてなるように構成する。
係位置を照合する手段の改善に関し、パターン間の関係
位置を容易に照合できるフォトマスクの堤供を目的とし
、 任意の層の形成に供される露光用マスクパターンと共に
、他の層の形成に供される露光用マスクパターンと同じ
マスクパターン、若しくは露光用マスクパターンの改版
前のマスクパターンが、露光用マスクパターンの関係位
置照合に供される参照用マスクパターンとして、同一マ
スク基板上に形成されてなるように構成する。
本発明は半導体装置の製造に用いられるフォトマスクに
係り、特にパターン間の関係位置を照合する手段の改善
に関する。
係り、特にパターン間の関係位置を照合する手段の改善
に関する。
半導体装置の形成に不可欠なフォトマスクの形成におい
て、パターンが所定の位置から外れると他の層における
パターンと係合し、所望する特性を具えた半導体装置の
製造が不可能になる。近年、半導体装置の高密度化に伴
ってパターン間のマージンが減少しつつあり、それぞれ
のパターン間の関係位置照合はますます重要視されてい
る。
て、パターンが所定の位置から外れると他の層における
パターンと係合し、所望する特性を具えた半導体装置の
製造が不可能になる。近年、半導体装置の高密度化に伴
ってパターン間のマージンが減少しつつあり、それぞれ
のパターン間の関係位置照合はますます重要視されてい
る。
しかるに現在はかかる照合に適切な手段が無く多くの費
用と長い時間をかけている。そこでパターン間の関係位
置を容易に照合できる手段の開発が要望されている。
用と長い時間をかけている。そこでパターン間の関係位
置を容易に照合できる手段の開発が要望されている。
第６図は従来のフォトマスクを示す模式図、第７図は従
来の関係位置照合手段の一例を示す図である。
来の関係位置照合手段の一例を示す図である。
半導体装置の製造において例えば第６図（ａ）に示す如
くウェーハ１上に、それぞれ複数のパターンＡ、Ｂ、お
よびＣを順次形成する場合、それぞれのパターンを焼付
けるためのフォトマスクが準備される。即ち第６図（ｂ
）に示すマスクパターンＡ。
くウェーハ１上に、それぞれ複数のパターンＡ、Ｂ、お
よびＣを順次形成する場合、それぞれのパターンを焼付
けるためのフォトマスクが準備される。即ち第６図（ｂ
）に示すマスクパターンＡ。
を具えた第１のフォトマスク２Ａ、第６図（Ｃ）に示す
マスクパターンＢ°を具えた第２のフォトマスク２Ｂ、
第６図（ｄ）に示すマスクパターンＣ°を具えた第３の
フォトマスク２Ｃが用いられる。
マスクパターンＢ°を具えた第２のフォトマスク２Ｂ、
第６図（ｄ）に示すマスクパターンＣ°を具えた第３の
フォトマスク２Ｃが用いられる。
従来のフォトマスクでは第６図（ｂ）乃至第６１１ｉＩ
Ｄ（ｄ）に示す如くガラス基板３上に、それぞれ複数の
マスクパターンＡ゛、マスクパターンＢ′、マスクパタ
ーンＣ°が形成されている。かかるフォトマスクはそれ
ぞれ図示省略された位置合わせマークを具えており、そ
の位置合わせマークが重なるようにウェーハ１上に載置
することによって、パターンＡ、Ｂ、およびＣがウェー
ハ１上の所定の位置に順次形成される。
Ｄ（ｄ）に示す如くガラス基板３上に、それぞれ複数の
マスクパターンＡ゛、マスクパターンＢ′、マスクパタ
ーンＣ°が形成されている。かかるフォトマスクはそれ
ぞれ図示省略された位置合わせマークを具えており、そ
の位置合わせマークが重なるようにウェーハ１上に載置
することによって、パターンＡ、Ｂ、およびＣがウェー
ハ１上の所定の位置に順次形成される。
しかしマスクパターン形成時、或いはフォトマスク形成
時に誤りがあると、位置合わせマークが重なるように載
置しても正常なパターンの形成は不可能である。かかる
マスクパターンの欠陥はパターン間の関係位置を照合す
ることで検出できる。
時に誤りがあると、位置合わせマークが重なるように載
置しても正常なパターンの形成は不可能である。かかる
マスクパターンの欠陥はパターン間の関係位置を照合す
ることで検出できる。
しかるにマスクパターン毎に異なるガラス基板３上に形
成されているため、同一ガラス基板３上のマスクパター
ンを比較しても」二記欠陥は検出できない。そこで従来
のフォトマスクは次の方法で関係位置の照合が行われる
。
成されているため、同一ガラス基板３上のマスクパター
ンを比較しても」二記欠陥は検出できない。そこで従来
のフォトマスクは次の方法で関係位置の照合が行われる
。
即ち、第７図（ａ）に示す如く２枚のフォトマスク°に
形成されたマスクパターン、例えばフォトマスク２Ａの
マスクパターンＡ′とフォトマスク２Ｂのマスクパター
ンＢ′とを、光学的に合成することによってそれぞれの
関係位置を照合する。或いは第７図（ｂ）に示す如くフ
ォトマスク形成用のレチクルを用い、ウェーハｌ上にそ
れぞれのパターンＡ、Ｂ１およびＣを形成して、完成し
たデバイスの実特性からマスクパターンの整合性を推定
する。
形成されたマスクパターン、例えばフォトマスク２Ａの
マスクパターンＡ′とフォトマスク２Ｂのマスクパター
ンＢ′とを、光学的に合成することによってそれぞれの
関係位置を照合する。或いは第７図（ｂ）に示す如くフ
ォトマスク形成用のレチクルを用い、ウェーハｌ上にそ
れぞれのパターンＡ、Ｂ１およびＣを形成して、完成し
たデバイスの実特性からマスクパターンの整合性を推定
する。
しかし半導体装置の製造に必要なフォトマスクは極めて
数が多く、それぞれのフォトマスクが使用される工場に
おいて保管されている。したがって２枚のフォトマスク
を用いて照合する方法は、照合用フォトマスクの調達に
多（の時間を必要とする場合があり、その使用頻度が高
い場合は照合する間作業が停止するという問題がある。
数が多く、それぞれのフォトマスクが使用される工場に
おいて保管されている。したがって２枚のフォトマスク
を用いて照合する方法は、照合用フォトマスクの調達に
多（の時間を必要とする場合があり、その使用頻度が高
い場合は照合する間作業が停止するという問題がある。
またフォトマスク形成用のレチクルを用いてデバイスを
形成する方法は、デバイスの形成と整合性の評価に多く
の費用と時間を必要とし実用的ではない。
形成する方法は、デバイスの形成と整合性の評価に多く
の費用と時間を必要とし実用的ではない。
本発明の目的はパターン間の関係位置を容易に照合でき
るフォトマスクを提供することにある。
るフォトマスクを提供することにある。
第１図は本発明になるフォトマスクを示す模式図である
。なお企図を通し同じ対象物は同一記号で表している。
。なお企図を通し同じ対象物は同一記号で表している。
上記課題は任意の層の形成に供される露光用マスクパタ
ーン４と共に、他の層の形成に供される露光用マスクパ
ターンと同じマスクパターン、若しくは露光用マスクパ
ターン４の改版前のマスクパターンが、露光用マスクパ
ターン４の関係位置照合に供される参照用マスクパター
ン５として、同一マスク基板３上に形成されてなる本発
明のフォトマスクによって達成される。
ーン４と共に、他の層の形成に供される露光用マスクパ
ターンと同じマスクパターン、若しくは露光用マスクパ
ターン４の改版前のマスクパターンが、露光用マスクパ
ターン４の関係位置照合に供される参照用マスクパター
ン５として、同一マスク基板３上に形成されてなる本発
明のフォトマスクによって達成される。
第１図において露光用マスクパターンの関係位置照合に
供される参照用マスクパターンを、露光用マスクパター
ンと共に同一マスク基板上に形成しておくことによって
、同一マスク基板上のマスクパターンを比較して関係位
置を照合することが可能になり、パターン間の関係位置
を容易に照合できるフォトマスクを実現させることがで
きる。
供される参照用マスクパターンを、露光用マスクパター
ンと共に同一マスク基板上に形成しておくことによって
、同一マスク基板上のマスクパターンを比較して関係位
置を照合することが可能になり、パターン間の関係位置
を容易に照合できるフォトマスクを実現させることがで
きる。
〔実施例］
以下添付図により本発明の実施例について説明する。な
お第２図は検査システムを示すブロンク図、第３図は本
発明の第１の実施例を示す模式図、第４図は本発明の第
２の実施例を示す模式図、第５図は本発明の変形例を示
す模式図である。
お第２図は検査システムを示すブロンク図、第３図は本
発明の第１の実施例を示す模式図、第４図は本発明の第
２の実施例を示す模式図、第５図は本発明の変形例を示
す模式図である。
本発明になるフォトマスクは第１図に示す如く同一マス
ク基板３上に、任意の層の形成に供される複数の露光用
マスクパターン４と共に、露光用マスクパターン４の関
係位置照合に供される参照用マスクパターン５が形成さ
れており、露光用マスクパターン４と参照用マスクパタ
ーン５とを合成することによって、それぞれのパターン
間の関係位置を容易に照合することができる。
ク基板３上に、任意の層の形成に供される複数の露光用
マスクパターン４と共に、露光用マスクパターン４の関
係位置照合に供される参照用マスクパターン５が形成さ
れており、露光用マスクパターン４と参照用マスクパタ
ーン５とを合成することによって、それぞれのパターン
間の関係位置を容易に照合することができる。
上記マスクパターンの合成は例えば第２図に示１検査シ
ステムで行われる。即ち、検査システムはフォトマスク
２を載置するステージ６１と、フォトマスク２を背面か
ら照射する光源６２と、露光用マスクパターン４および
参照用マスクパターン５を画像信号に変換する、レンズ
６３、ミラー群６イ、光電変換装置６５、画像信号変換
装置６６、画像メモリ６７、画像処理装置６８とを具え
ており、画像処理装置６８から出力される画像信号をコ
ンパレータ６９で比較照合し、露光用マスクパターン４
と参照用マスクパターン５の関係位置が照合される。
ステムで行われる。即ち、検査システムはフォトマスク
２を載置するステージ６１と、フォトマスク２を背面か
ら照射する光源６２と、露光用マスクパターン４および
参照用マスクパターン５を画像信号に変換する、レンズ
６３、ミラー群６イ、光電変換装置６５、画像信号変換
装置６６、画像メモリ６７、画像処理装置６８とを具え
ており、画像処理装置６８から出力される画像信号をコ
ンパレータ６９で比較照合し、露光用マスクパターン４
と参照用マスクパターン５の関係位置が照合される。
第３図において本発明の第１の実施例は同一マスク基板
３上に、任意の層の形成に供される複数の露光用マスク
パターンＢ゛ と共に、露光用マスクパターンＢ゛の関
係位置照合に供される参照用マスクパターンとして、他
の層の形成に供される露光用マスクパターンＡ゛が形成
されている。
３上に、任意の層の形成に供される複数の露光用マスク
パターンＢ゛ と共に、露光用マスクパターンＢ゛の関
係位置照合に供される参照用マスクパターンとして、他
の層の形成に供される露光用マスクパターンＡ゛が形成
されている。
したがって露光用マスクパターンＢ′と参照用マスクパ
ターンＡ゛を比較することによって、参照用マスクパタ
ーンＡ°に対する露光用マスクパターンＢ”の整合性が
検査される。なお、第３図において参照用マスクパター
ンとしてマスクパターンＢ゛が図示されているが、その
他の層の形成に供されるマスクパターンＣ′を併せて形
成することも可能である。
ターンＡ゛を比較することによって、参照用マスクパタ
ーンＡ°に対する露光用マスクパターンＢ”の整合性が
検査される。なお、第３図において参照用マスクパター
ンとしてマスクパターンＢ゛が図示されているが、その
他の層の形成に供されるマスクパターンＣ′を併せて形
成することも可能である。
また第４図において本発明の第２の実施例は同一マスク
基板３上に、任意の層の形成に供される複数の露光用マ
スクパターンＢ”と共に、露光用マスクパターンＢ′の
関係位置照合に供される参照用マスクパターンとして、
露光用マスクバター７Ｂ″の改版前のマスクパターンＢ
′が形成されている。したがって露光用マスクパターン
Ｂ ’と参照用マスクパターンＢ°を比較することによ
って、改版前のマスクパターンＢ“に対する改版後のマ
スクパターンＢ”の関係位置が照合される。
基板３上に、任意の層の形成に供される複数の露光用マ
スクパターンＢ”と共に、露光用マスクパターンＢ′の
関係位置照合に供される参照用マスクパターンとして、
露光用マスクバター７Ｂ″の改版前のマスクパターンＢ
′が形成されている。したがって露光用マスクパターン
Ｂ ’と参照用マスクパターンＢ°を比較することによ
って、改版前のマスクパターンＢ“に対する改版後のマ
スクパターンＢ”の関係位置が照合される。
本発明はマスクパターンの関係位置１．９合の他にレチ
クルのパターン検証にも応用できる。即ち、レチクルの
パターンをフォトマスクに焼付ける際のパターン検証に
おいて、第５図に示す如く任意の層を形成する複数のパ
ターン７１と共に、他の層を形成するパターン７２をク
ロム（Ｃｒ）ウェーハガラスプレート７に形成すること
によって、パターン７２に対するパターン７１の整合性
を容易に検査することができる。
クルのパターン検証にも応用できる。即ち、レチクルの
パターンをフォトマスクに焼付ける際のパターン検証に
おいて、第５図に示す如く任意の層を形成する複数のパ
ターン７１と共に、他の層を形成するパターン７２をク
ロム（Ｃｒ）ウェーハガラスプレート７に形成すること
によって、パターン７２に対するパターン７１の整合性
を容易に検査することができる。
このように露光用マスクパターンの関係位置照合に供さ
れる参照用マスクパターンを、露光用マスクパターンと
共に同一マスク基板上に形成しておくことによって、同
一マスク基板上のマスクパターンを比較して関係位置を
照合することが可能になり、パターン間の関係位置を容
易に照合可能なフォトマスクを実現させることができる
。
れる参照用マスクパターンを、露光用マスクパターンと
共に同一マスク基板上に形成しておくことによって、同
一マスク基板上のマスクパターンを比較して関係位置を
照合することが可能になり、パターン間の関係位置を容
易に照合可能なフォトマスクを実現させることができる
。
［発明の効果］
上述の如く本発明によればパターン間の関係位置を、容
易に照合できるフォトマスクを提供することができる。
易に照合できるフォトマスクを提供することができる。
第１図は本発明になるフォトマスクを示す模式図、
第２図は検査システムを示すブロック図、第３図は本発
明の第１の実施例を示す模式図、第４図は本発明の第２
の実施例を示す模式図、第５図は本発明の変形例を示す
模式図、第６図は従来のフォトマスクを示す模式図、第
７因は従来の関係位置照合手段の一例を示す図、 である。図において ２はフォトマスク、 ３はマスク基板、４ば露光用マ
スクパターン、 ５は参照用マスクパターン、 ７はＣｒウェーハガラスプレート、 ６１はステージ、 ６２は光源、 ６３はレンズ、 ６４はミラー群、６５は光電
変換装置、 ６６は画像信号変換装置、６７は画像メモ
リ、 ６８は画像処理装置、６９はコンパレータ、７
１．７２ハ検証用ハターン、２本ｌ明０第１ｆ）実施４
９ｊとホす才妻久図第３０ 第４図 軸システＡを示４プロ・・７９図 第２図 本発明／ｌ資ゼｅ１３示す殺戊図 第５図 従来Ｏ関係仕置、呼・合か醍の−！’５＝１．２示す図
第７図 ４５東のフォトマスクとホすオ莫弐Ｈロ第 ６ 四〇
明の第１の実施例を示す模式図、第４図は本発明の第２
の実施例を示す模式図、第５図は本発明の変形例を示す
模式図、第６図は従来のフォトマスクを示す模式図、第
７因は従来の関係位置照合手段の一例を示す図、 である。図において ２はフォトマスク、 ３はマスク基板、４ば露光用マ
スクパターン、 ５は参照用マスクパターン、 ７はＣｒウェーハガラスプレート、 ６１はステージ、 ６２は光源、 ６３はレンズ、 ６４はミラー群、６５は光電
変換装置、 ６６は画像信号変換装置、６７は画像メモ
リ、 ６８は画像処理装置、６９はコンパレータ、７
１．７２ハ検証用ハターン、２本ｌ明０第１ｆ）実施４
９ｊとホす才妻久図第３０ 第４図 軸システＡを示４プロ・・７９図 第２図 本発明／ｌ資ゼｅ１３示す殺戊図 第５図 従来Ｏ関係仕置、呼・合か醍の−！’５＝１．２示す図
第７図 ４５東のフォトマスクとホすオ莫弐Ｈロ第 ６ 四〇
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）任意の層の形成に供される露光用マスクパターン（
４）と共に、他の層の形成に供される露光用マスクパタ
ーンと同じマスクパターンが、該露光用マスクパターン
（４）の関係位置照合に供される参照用マスクパターン
として、同一マスク基板（３）上に形成されてなること
を特徴とするフォトマスク。 ２）任意の層の形成に供される露光用マスクパターン（
４）と共に、該露光用マスクパターン（４）の改版前の
マスクパターンが、該露光用マスクパターン（４）の関
係位置照合に供される参照用マスクパターンとして、同
一マスク基板（３）上に形成されてなることを特徴とす
るフォトマスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63296933A JPH02143248A (ja) | 1988-11-24 | 1988-11-24 | フォトマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63296933A JPH02143248A (ja) | 1988-11-24 | 1988-11-24 | フォトマスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02143248A true JPH02143248A (ja) | 1990-06-01 |
Family
ID=17840051
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63296933A Pending JPH02143248A (ja) | 1988-11-24 | 1988-11-24 | フォトマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02143248A (ja) |
-
1988
- 1988-11-24 JP JP63296933A patent/JPH02143248A/ja active Pending
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