JPH08202019A - 光学マスクの検証方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 ペリクル貼り付けに伴うマスクエラー検証を
可能とした光学マスクの検証方法を提供する。 【構成】 半導体ウェハに予め位置合わせマークを形成
し（Ｓ１）、このウェハにレジスト層を形成し（Ｓ
２）、ペリクル貼り付け前の光学マスクＡのパターンａ
を転写露光する（Ｓ３）。前記光学マスクＡにペリクル
を貼り付けて（Ｓ４）光学マスクＢを得、同じ半導体ウ
ェハのパターンａに隣接する座標位置にり付けた光学マ
スクＢのパターンｂを転写露光する（Ｓ５）。これらの
パターンａおよびパターンｂが転写露光されたレジスト
層を現像して（Ｓ６）、その現像されたパターンａとパ
ターンｂを自動ウェハ欠陥検査装置により比較検証する
（Ｓ７）。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、光学マスクのペリク
ル貼り付けに伴うマスクエラーを検証する光学マスクの
検証方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、集積回路等の製造に用いられ
る光学マスクのマスクエラーを検証する方法として、自
動ウェハ欠陥検査装置を用いる方法が知られている。図
６に示すようなマルチチップ用の光学マスクの場合、光
学式の縮小投影露光装置を用いてこの光学マスクのパタ
ーン縮小像であるレジストパターンを所定の半導体ウェ
ハに形成する。そして、自動ウェハ欠陥検査装置を用い
てレジストパターンが形成されたウェハ上の隣接するチ
ップパターンを比較検証することにより、光学マスク上
の欠陥等を知ることができる。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】上述の方法は、１チッ
プ用の光学マスクの検証にはそのまま適用することはで
きない。１チップ光学マスクの場合には、光学式縮小投
影露光装置を用いてウェハ上にチップパターンの縮小像
を配列形成したとき、マスク面の欠陥あるいはこれにペ
リクルを貼り付けた後のペリクル面上のパーティクル
（埃やゴミ等）が全てのチップパターンに規則的に転写
されるからである。

【０００４】この発明は、ペリクル貼り付けに伴うマス
クエラーを検証することを可能とした光学マスクの検証
方法を提供することを目的としている。

【０００５】

【課題を解決するための手段】この発明は、光学マスク
のペリクル貼り付けに伴うマスクエラー検証を行う方法
であって、半導体ウェハにレジスト層を形成する工程
と、前記レジスト層が形成された半導体ウェハにペリク
ル貼り付け前の光学マスクのパターンａを転写露光する
工程と、前記レジスト層が形成された半導体ウェハの前
記パターンａに隣接する座標位置に前記光学マスクのペ
リクル貼り付け後のパターンｂを転写露光する工程と、
前記パターンａおよびパターンｂが転写露光されたレジ
スト層を現像し、その現像されたパターンａとパターン
ｂを比較検証する工程とを有することを特徴としてい
る。

【０００６】この発明において好ましくは、前記半導体
ウェハには予め位置合わせマークを形成して、この位置
合わせマークを用いて前記パターンａとパターンｂを互
いに隣接する座標位置に転写露光する。

【０００７】

【作用】この発明によると、ペリクル貼り付け前後のマ
スクパターンａ，ｂを半導体ウェハの隣接する座標位置
に転写露光してそれらの縮小像を形成して、例えば自動
ウェハ欠陥検査装置を用いてパターンａ，ｂを比較検証
することにより、１チップ光学マスクであっても、ペリ
クル貼り付け工程でのマスク面上への埃の付着やその後
のペリクル面への埃の付着等のマスクエラーを検出する
ことができる。半導体ウェハに予め位置合わせマークを
形成しておけば、二つのパターンａ，ｂを正確に隣接す
る座標位置に転写することができ、より確実な比較検証
が可能になる。

【０００８】

【実施例】以下、図面を参照して、この発明の実施例を
説明する。図１は、この発明の一実施例における１チッ
プ用光学マスクの検証の流れを示す。光学マスクは図２
に示すように、レチクル２１にマスクパターン２２が形
成されたもので、マスクパターン２２の欠損や埃等の異
物の付着を防止するため通常、フレーム２３を立ててニ
トロセルロース薄膜等のペリクル２４を貼り付けて用い
られる。以下この実施例では、ペリクル２４を貼り付け
る前の光学マスクをマスクＡと呼び、ペリクル２４を貼
り付けた後の光学マスクをマスクＢと呼ぶ。

【０００９】図１に示すように、半導体ウェハには予
め、所定の位置合わせマーク（アラインメントマーク）
を配列形成する（Ｓ１）。その様子を図３に示す。半導
体ウェハ３１のマスクパターンを転写すべき座標位置の
目印として、金属膜等による位置合わせマーク３２を形
成する。位置合わせマーク３２を拡大して示せば、例え
ば図４のようなものである。

【００１０】このように位置合わせマーク３２が形成さ
れた半導体ウェハ３１に、レジスト層を塗布形成する
（Ｓ２）。そして光学式縮小投影露光装置を用いて、レ
ジスト層が形成された半導体ウェハ３１に、ペリクル貼
り付け前のマスクＡのパターンａを転写露光する（Ｓ
３）。このパターンａの転写は前述の位置合わせマーク
３２を利用して、例えば図５に示すように、半導体ウェ
ハ３１のｘ方向座標位置ｘ１，ｘ３に対して行う。

【００１１】次に、マスクＡにペリクルを貼り付けて
（Ｓ４）、マスクＢを得て、このマスクＢのパターンｂ
を光学式縮小投影露光装置を用いて同じ半導体ウェハ３
１に転写露光する（Ｓ５）。このパターンｂの転写は、
図５に示すように、パターンａが転写された座標位置ｘ
１，ｘ３にそれぞれ隣接するｘ方向座標位置ｘ２，ｘ４
に対して、位置合わせマーク３２を用いた位置合わせを
して行う。

【００１２】こうしてパターン転写された半導体ウェハ
を現像して（Ｓ６）、検証用ウェハを完成し、これを自
動ウェハ欠陥検査装置に掛けて、互いに隣接するパター
ンａ，ｂの比較検証を行う（Ｓ７）。自動ウェハ欠陥検
査装置は、ウェハ上の隣接するチップパターンを比較検
証する機能を持つから、この機能を利用してパターン
ａ，ｂを比較することにより、ペリクル貼り付け工程で
マスク面に埃が付着し、あるいはその後ペリクル面に埃
が付着していれば、これを検出することができる。

【００１３】この発明は、ペリクル貼り付け前後のチッ
プパターン比較を行うことで、ペリクル貼り付け工程あ
るいはその後の埃の付着等を検査するものであるから、
マルチチップ光学マスクに対しても同様に適用すること
ができる。

【００１４】

【発明の効果】以上述べたようにこの発明によれば、ペ
リクル貼り付け前後のマスクパターンａ，ｂを半導体ウ
ェハの隣接する座標位置に転写露光してそれらの縮小像
を形成して、パターンａ，ｂを比較検証することによ
り、光学マスクのペリクル貼り付けに伴うマスクエラー
を検証することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 この発明の一実施例による光学マスク検証の
流れを示す。

【図２】 同実施例の光学マスクの構成を示す。

【図３】 同実施例の半導体ウェハを示す。

【図４】 同実施例の半導体ウェハの位置合わせマーク
を示す。

【図５】 同実施例による半導体ウェハの転写パターン
を示す。

【図６】 マルチチップ光学マスクを示す。

【符号の説明】

３１…半導体ウェハ、３２…位置合わせマーク。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 光学マスクのペリクル貼り付けに伴うマ
   スクエラー検証を行う方法であって、 半導体ウェハにレジスト層を形成する工程と、 前記レジスト層が形成された半導体ウェハにペリクル貼
   り付け前の光学マスクのパターンａを転写露光する工程
   と、 前記レジスト層が形成された半導体ウェハの前記パター
   ンａに隣接する座標位置に前記光学マスクのペリクル貼
   り付け後のパターンｂを転写露光する工程と、 前記パターンａおよびパターンｂが転写露光されたレジ
   スト層を現像して、その現像されたパターンａとパター
   ンｂを比較検証する工程とを有することを特徴とする光
   学マスクの検証方法。
2. 【請求項２】 前記半導体ウェハには予め位置合わせマ
   ークを形成して、この位置合わせマークを用いて前記パ
   ターンａとパターンｂを互いに隣接する座標位置に転写
   露光することを特徴とする請求項１記載の光学マスクの
   検証方法。