JPH02143483A - 半導体発光装置 - Google Patents
半導体発光装置Info
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- JPH02143483A JPH02143483A JP29657188A JP29657188A JPH02143483A JP H02143483 A JPH02143483 A JP H02143483A JP 29657188 A JP29657188 A JP 29657188A JP 29657188 A JP29657188 A JP 29657188A JP H02143483 A JPH02143483 A JP H02143483A
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- buried
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
- H01S5/2275—Buried mesa structure ; Striped active layer mesa created by etching
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- Geometry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
埋込型半導体発光装置に関し、さらに詳しく言えば、メ
サ形状の凸部の側部にサイリスク構造の複数の埋込層が
形成されてなる埋込型の半導体発光装置に関し、 前記複数の埋込層を経て流れるリーク電流を少なくして
、高温下においても、高出力を維持することのできる埋
込型半導体発光装置を提供することを目的とし、 第１導電型の基板上に、第１導電型の第１のクラッド層
、活性層、第２導電型の第２のクラッド層が形成されて
なるメサ形状の凸部の側部に複数の埋込層を形成してな
る埋込型半導体発光装置において、 前記複数の埋込層は、前記凸部の側部を被覆するように
形成された第１導電型の第１埋込層と、該第１埋込層の
上に形成された第２導電型の第２埋込層と、該第２埋込
層を被覆し、端部が前記第】埋込層と接触するように形
成された高濃度の第１Ｒ電型の第３埋込層と、該第３埋
込層を被覆し、端部が前記第１埋込層と接触するように
形成された前記第３埋込層よりも低濃度の第１導電型の
第４埋込層とによって形成されてなることを含み構成す
る。
サ形状の凸部の側部にサイリスク構造の複数の埋込層が
形成されてなる埋込型の半導体発光装置に関し、 前記複数の埋込層を経て流れるリーク電流を少なくして
、高温下においても、高出力を維持することのできる埋
込型半導体発光装置を提供することを目的とし、 第１導電型の基板上に、第１導電型の第１のクラッド層
、活性層、第２導電型の第２のクラッド層が形成されて
なるメサ形状の凸部の側部に複数の埋込層を形成してな
る埋込型半導体発光装置において、 前記複数の埋込層は、前記凸部の側部を被覆するように
形成された第１導電型の第１埋込層と、該第１埋込層の
上に形成された第２導電型の第２埋込層と、該第２埋込
層を被覆し、端部が前記第】埋込層と接触するように形
成された高濃度の第１Ｒ電型の第３埋込層と、該第３埋
込層を被覆し、端部が前記第１埋込層と接触するように
形成された前記第３埋込層よりも低濃度の第１導電型の
第４埋込層とによって形成されてなることを含み構成す
る。
本発明は、埋込型半導体発光装置に関し、さらに詳しく
言えば、メサ形状の凸部の側部にサイリスタ構造の複数
の埋込層が形成されてなる埋込型の半導体発光装置に関
するものである。
言えば、メサ形状の凸部の側部にサイリスタ構造の複数
の埋込層が形成されてなる埋込型の半導体発光装置に関
するものである。
埋込型の半導体発光装置は、活性領域のメサ形状の凸部
の側部に、複数の埋込層からなるサイリスタを形成して
いるので、該埋込層を経て流れるリークｔｉ流は小さい
。
の側部に、複数の埋込層からなるサイリスタを形成して
いるので、該埋込層を経て流れるリークｔｉ流は小さい
。
しかし、用途が広がるにつれ、高温下においても高出力
を維持することのできる半導体発光装置が要求されてい
る。
を維持することのできる半導体発光装置が要求されてい
る。
第５図は、従来の埋込型レーザダイオードの断面図であ
る。
る。
同図において、１５はｐ型１ｎＰ基板１４上に形成され
たｐ型ｒｎＰからなる第１クラッド層、１６は第１クラ
ツドＩＩＷＩＳ上に形成された１ｎＧａＡｓＰからなる
活性層、１７は活性［１６上に形成されたｎ型１ｎＰか
らなる第２クラッド層であり、これらによりメサ形状の
凸部の活性領域が形成されている。
たｐ型ｒｎＰからなる第１クラッド層、１６は第１クラ
ツドＩＩＷＩＳ上に形成された１ｎＧａＡｓＰからなる
活性層、１７は活性［１６上に形成されたｎ型１ｎＰか
らなる第２クラッド層であり、これらによりメサ形状の
凸部の活性領域が形成されている。
また、１８は凸部の活性領域の側部を被覆するｐ型１ｎ
Ｐからなる第１埋込層、１９は第１埋込層１８上に形成
されたｎ型１ｎＰからなる第２埋込層、２０は第２埋込
［１９の上に形成されたＰ型１ｎＰからなる第３埋込暦
、２１は第２クラツド［１９および第３埋込層２１の全
体を被覆する第３クラッド層であり、これらによりｐｎ
ｐｎ構造のサイリスクが形成されている。
Ｐからなる第１埋込層、１９は第１埋込層１８上に形成
されたｎ型１ｎＰからなる第２埋込層、２０は第２埋込
［１９の上に形成されたＰ型１ｎＰからなる第３埋込暦
、２１は第２クラツド［１９および第３埋込層２１の全
体を被覆する第３クラッド層であり、これらによりｐｎ
ｐｎ構造のサイリスクが形成されている。
更に、２２はｎ゛型１ｎＧａＡｓＰからなるキャップ層
、２３はＰ電極、２４はＮ電極である。
、２３はＰ電極、２４はＮ電極である。
二〇埋込型レーザダイオードにおいては、第３埋込層２
０と第１埋込層１８は低濃度にして高抵抗にしている。
０と第１埋込層１８は低濃度にして高抵抗にしている。
これは、レーザ発振動作させるため、Ｐ電極２３とＮ電
極２４との間に順バイアスをかけたとき、ｐ型筒１埋込
Ｊｉ１８、Ａ部、ｐ型第３埋込Ｉ！２０および該ｐ型筒
３埋込ｗ３２０とｎ型第３クラッド層２１とで形成され
るｐｎ接合を介して流れるリーク電流をできるだけ少な
くするためである。
極２４との間に順バイアスをかけたとき、ｐ型筒１埋込
Ｊｉ１８、Ａ部、ｐ型第３埋込Ｉ！２０および該ｐ型筒
３埋込ｗ３２０とｎ型第３クラッド層２１とで形成され
るｐｎ接合を介して流れるリーク電流をできるだけ少な
くするためである。
〔発明が解決しようとする！！１！題〕しかし、従来例
の埋込型半導体発光装置によれば、第３埋込層２０が低
濃度であるため、電子の注入効率が大きい、このため、
レーザ発振動作時、特に高温環境下では埋込層ｙｊのｐ
ｎｐｎサイリスタがオンし、大きなリーク電流が流れる
。
の埋込型半導体発光装置によれば、第３埋込層２０が低
濃度であるため、電子の注入効率が大きい、このため、
レーザ発振動作時、特に高温環境下では埋込層ｙｊのｐ
ｎｐｎサイリスタがオンし、大きなリーク電流が流れる
。
従って、活性層に流れるレーザ発振に必要な電流が減少
し、第３図に示すように十分な光出力が得られなくなる
という問題が生じる。
し、第３図に示すように十分な光出力が得られなくなる
という問題が生じる。
また、更にリーク電流が増加するとレーザ発振自体が停
止するという問題も生じる。
止するという問題も生じる。
本発明は上記の問題に鑑みて創作されたものであり、複
数の埋込層を経て流れるリーク電流を少なくして、高温
下においても、高出力を維持することのできる埋込型半
導体発光装置を提供することを目的とする。
数の埋込層を経て流れるリーク電流を少なくして、高温
下においても、高出力を維持することのできる埋込型半
導体発光装置を提供することを目的とする。
〔課題を解決するための手段］
上記目的は、第１Ｒ電型の基板１上に、第１導電型の第
１のクラッド層２、活性ＷＪ３、第２導電型の第２のク
ラッド層４が形成されてなるメサ形状の凸部の側部に複
数の埋込層を形成してなる埋込型半導体発光装置におい
て、 前記複数の埋込層は、前記凸部の側部を被覆するように
形成された第１導電型の第１埋込ｌ１５５と、該第１埋
込府５の上に形成された第２導電型の第２埋込層６と、
該第２埋込１１１５６を被覆し、端部が前記第１埋込Ｍ
５と接触するように形成された高濃度の第１導電型の第
３埋込層７と、該第３埋込層７を被覆し、端部が前記第
１埋込ＷＪ５と接触するように形成された前記第３埋込
層７よりも低濃度の第１導電型の第４埋込層８とによっ
て構成されてなる埋込型の半導体発光装置よって達成さ
れる。
１のクラッド層２、活性ＷＪ３、第２導電型の第２のク
ラッド層４が形成されてなるメサ形状の凸部の側部に複
数の埋込層を形成してなる埋込型半導体発光装置におい
て、 前記複数の埋込層は、前記凸部の側部を被覆するように
形成された第１導電型の第１埋込ｌ１５５と、該第１埋
込府５の上に形成された第２導電型の第２埋込層６と、
該第２埋込１１１５６を被覆し、端部が前記第１埋込Ｍ
５と接触するように形成された高濃度の第１導電型の第
３埋込層７と、該第３埋込層７を被覆し、端部が前記第
１埋込ＷＪ５と接触するように形成された前記第３埋込
層７よりも低濃度の第１導電型の第４埋込層８とによっ
て構成されてなる埋込型の半導体発光装置よって達成さ
れる。
れた電子に対するバリアのため、第２埋込層６への移動
が阻止される。
が阻止される。
この結果、寄生サイリスクはオンしにくくなり、従って
寄生サイリスクのオンによるリーク電流を大幅に減らす
ことができる。
寄生サイリスクのオンによるリーク電流を大幅に減らす
ことができる。
なお、第４埋込層８は低濃度にしているので、これを介
して活性領域の近傍を通って第１埋込層５に抜けるリー
ク電流も、同時に少なくすることができる。
して活性領域の近傍を通って第１埋込層５に抜けるリー
ク電流も、同時に少なくすることができる。
本発明によれば、第２導電型の第２埋込層６と第１導電
型の第４埋込層８との間に高濃度の第１導電型の第３埋
込層７を設けている。すなわち、埋込層側はｐｎｐ″ｐ
ｎのサイリスク構造となっている。
型の第４埋込層８との間に高濃度の第１導電型の第３埋
込層７を設けている。すなわち、埋込層側はｐｎｐ″ｐ
ｎのサイリスク構造となっている。
このため、レーザ発振動作のためＰ電極１１とＮ？ｉｔ
極１２間が順バイアスされたとき、第３クラッド層９か
ら第４埋込Ｍ８に注入された電子の一部は、次の高濃度
の第３埋込層６によって形成さ〔実施例〕 次に、図を参照しながら本発明の実施例について説明す
る。
極１２間が順バイアスされたとき、第３クラッド層９か
ら第４埋込Ｍ８に注入された電子の一部は、次の高濃度
の第３埋込層６によって形成さ〔実施例〕 次に、図を参照しながら本発明の実施例について説明す
る。
第１図は、本発明の一実施例に係る埋込型半導体レーザ
ダイオードの断面図である。
ダイオードの断面図である。
同図において、２はｐ型１ｎＰ基板１上に形成されたｐ
型１ｎＰからなる第１クラフト層、３は第１クラッド層
２上に形成されたｒｎＧａＡｓＰからなる活性層、４は
活性Ｗ２Ｂ上に形成されたｎ型１ｎＰからなる第２クラ
ッド層であり、これらによりメサ形状の凸部の活性領域
が形成されている。
型１ｎＰからなる第１クラフト層、３は第１クラッド層
２上に形成されたｒｎＧａＡｓＰからなる活性層、４は
活性Ｗ２Ｂ上に形成されたｎ型１ｎＰからなる第２クラ
ッド層であり、これらによりメサ形状の凸部の活性領域
が形成されている。
また、５は凸部の活性領域の側部を被覆するように形成
された不純物濃度４Ｘ１０”ｃｍ−３のｐ型１ｎＰから
なる第１埋込層、６は第１埋込Ｊｉ！１５上に形成され
たｎ型！ｎＰからなる不純物濃度２×１０ ” ｃ ｍ
−’の第２埋込層、７は第２埋込層６の上に形成され、
端部で第１埋込［５と接触するように形成されている不
純物濃度２Ｘ１０”ｃｍ−’厚さ０．１ μｍの２０型
ＴｎＰからなる第３埋込層、８は第２埋込層７の上に形
成され、端部で第１埋込Ｊ！５５と接触するように形成
されている不純物濃度２Ｘ１０”ｃｍ−’、ｆ！１．さ
０．５μｍのｐ型１ｎＰからなる第４埋込層である。
された不純物濃度４Ｘ１０”ｃｍ−３のｐ型１ｎＰから
なる第１埋込層、６は第１埋込Ｊｉ！１５上に形成され
たｎ型！ｎＰからなる不純物濃度２×１０ ” ｃ ｍ
−’の第２埋込層、７は第２埋込層６の上に形成され、
端部で第１埋込［５と接触するように形成されている不
純物濃度２Ｘ１０”ｃｍ−’厚さ０．１ μｍの２０型
ＴｎＰからなる第３埋込層、８は第２埋込層７の上に形
成され、端部で第１埋込Ｊ！５５と接触するように形成
されている不純物濃度２Ｘ１０”ｃｍ−’、ｆ！１．さ
０．５μｍのｐ型１ｎＰからなる第４埋込層である。
また、９は凸部の活性領域の第２クラッド層と第４埋込
層８の全体を被覆するｎ型ＴｎＰからなる不純物濃度ｌ
Ｘｌ０”ｃｍ−”の第３クラッド層であり、これらによ
りｐｎｐ’ｐｎ構造のサイリスクが形成されている。
層８の全体を被覆するｎ型ＴｎＰからなる不純物濃度ｌ
Ｘｌ０”ｃｍ−”の第３クラッド層であり、これらによ
りｐｎｐ’ｐｎ構造のサイリスクが形成されている。
更に、１０はｎ′″型ＩｎＧａＡｓＰからなるＮ型電橋
のコンタクトのためのキャップ層、１１はＰｈｉ、１２
はＮ＠、極である。
のコンタクトのためのキャップ層、１１はＰｈｉ、１２
はＮ＠、極である。
本発明の実施例によれば、第２導電型の第２埋込層６と
第１導電型の第４埋込Ｊｉ！１Ｂとの間に高濃度の第１
導電型の第３埋込ｒｒ！ｉ７を設けている。すなわち、
埋込層側はｐｎｐ″ｐｎのサイリスク構造となっている
。
第１導電型の第４埋込Ｊｉ！１Ｂとの間に高濃度の第１
導電型の第３埋込ｒｒ！ｉ７を設けている。すなわち、
埋込層側はｐｎｐ″ｐｎのサイリスク構造となっている
。
このため、レーザ発振動作のためＰ′ｒｒ！、極１１と
Ｎ？ｆｌｔ極１２間が順バイアスされたとき、第３クラ
ッド層９から第４理込層８にも電子が注入されるが、注
入された電子の一部は、次の高濃度の第３埋込層７によ
って形成された電子に対するバリアのため、第２埋込層
６への移動が阻止される。
Ｎ？ｆｌｔ極１２間が順バイアスされたとき、第３クラ
ッド層９から第４理込層８にも電子が注入されるが、注
入された電子の一部は、次の高濃度の第３埋込層７によ
って形成された電子に対するバリアのため、第２埋込層
６への移動が阻止される。
この結果、寄生サイリスクはオンしにくくなり、従って
寄生サイリスクのオンによるリーク電流を大幅に減らす
ことができる。
寄生サイリスクのオンによるリーク電流を大幅に減らす
ことができる。
また、第２図は、本発明の他の実施例の埋込型半導体レ
ーザダイオードの断面図である。
ーザダイオードの断面図である。
第２図に示す半導体レーザダイオードの構成は、第１図
に示された半導体レーザダイオードの構成と比較すると
、第４埋込層８の上に不純物濃度１Ｘ １０ ”ｃｔｘ
−ζ厚さ０．１ μｍの高濃度のＩｎＰからなるｐ°型
の第５埋込１５１３を設けているところが異なる。
に示された半導体レーザダイオードの構成と比較すると
、第４埋込層８の上に不純物濃度１Ｘ １０ ”ｃｔｘ
−ζ厚さ０．１ μｍの高濃度のＩｎＰからなるｐ°型
の第５埋込１５１３を設けているところが異なる。
このため、第５埋込層１３が第３クラッド層９から第４
埋込層Ｊ８への電子の注入に対するバリアとなるので、
レーザー発振動作のため、Ｐ電極１１とＮｉ１ｌｉ極１
２間が順バイアスされたとき、ｎ型の第３クラッド層９
からＰ型の第４埋込層８へ注入される電子量は少なくな
る。
埋込層Ｊ８への電子の注入に対するバリアとなるので、
レーザー発振動作のため、Ｐ電極１１とＮｉ１ｌｉ極１
２間が順バイアスされたとき、ｎ型の第３クラッド層９
からＰ型の第４埋込層８へ注入される電子量は少なくな
る。
また、第５埋込層１３のバリアを越えて第４１１込層８
に注入された電子は、同時に電子の移動に対するバリア
となる高濃度の第３埋込層７があるため、第２埋込層６
への到着が更に抑制される。
に注入された電子は、同時に電子の移動に対するバリア
となる高濃度の第３埋込層７があるため、第２埋込層６
への到着が更に抑制される。
なお、上述の２つの実施例においては、ともに第４埋込
層８を低濃度にしているので、抵抗が高い、このため、
第４埋込Ｊ１５Ｂを介して活性領域の近傍を通って第１
埋込層５に抜けるリーク電流も、同時に少なくすること
ができる。
層８を低濃度にしているので、抵抗が高い、このため、
第４埋込Ｊ１５Ｂを介して活性領域の近傍を通って第１
埋込層５に抜けるリーク電流も、同時に少なくすること
ができる。
このようにして、リーク電流を大幅に少なくできるので
、高温下においても、高出力を維持することができる。
、高温下においても、高出力を維持することができる。
第３図はこれを示す図で、本発明の一実施例の埋込型半
導体レーザダイオードと従来例の埋込型半導体レーザダ
イオードの光出力特性の比較をしている０図において、
横軸はＰ電極とＮ１を極間に流す全電流（−八）を表わ
し、縦軸は光出力（１）を表している。また、パラメー
タは温度である。
導体レーザダイオードと従来例の埋込型半導体レーザダ
イオードの光出力特性の比較をしている０図において、
横軸はＰ電極とＮ１を極間に流す全電流（−八）を表わ
し、縦軸は光出力（１）を表している。また、パラメー
タは温度である。
同図のように、周囲温度（Ｔａ ）が２５°Ｃの場合は
、従来例の埋込型半導体レーザダイオードと実施例の埋
込型半導体レーザダイオードとはともに光出力特性が１
０ｍｗ以上まで直線的に伸びている。
、従来例の埋込型半導体レーザダイオードと実施例の埋
込型半導体レーザダイオードとはともに光出力特性が１
０ｍｗ以上まで直線的に伸びている。
しかし、Ｔａが１００°Ｃのときは、従来例の埋込型半
導体レーザダイオードは、リーク電流が大きくなるため
、レーザ発振の光出力を維持するためには全電流を増や
す必要がある。
導体レーザダイオードは、リーク電流が大きくなるため
、レーザ発振の光出力を維持するためには全電流を増や
す必要がある。
これに対して、実施例の埋込型半導体レーザダイオード
は、Ｔａが１００″Ｃのときでもリーク電流が抑制され
ている。すなわち、電流はレーザ発振のために効率よく
利用されており、光出力特性に飽和傾向は見られず高出
力まで伸びている。
は、Ｔａが１００″Ｃのときでもリーク電流が抑制され
ている。すなわち、電流はレーザ発振のために効率よく
利用されており、光出力特性に飽和傾向は見られず高出
力まで伸びている。
（発明の効果〕
以上説明したように、本発明の半導体発光装置によれば
、第１に高濃度の第３埋込層による電子の移動に対する
バリアを設けて電子の到達率を小さくし、第２に高濃度
の第５埋込層により電子の注入効率を小さくしている。
、第１に高濃度の第３埋込層による電子の移動に対する
バリアを設けて電子の到達率を小さくし、第２に高濃度
の第５埋込層により電子の注入効率を小さくしている。
これにより、活性領域の凸部の？１敗の埋込層側に形成
されるｐｎｐｎｔｉ造の寄生サイリスクをオンしに＜＜
Ｌ、該寄生サイリスクがオンすることによって生じるリ
ーク電流を少なくすることができる。
されるｐｎｐｎｔｉ造の寄生サイリスクをオンしに＜＜
Ｌ、該寄生サイリスクがオンすることによって生じるリ
ーク電流を少なくすることができる。
このため、高温下においても発光効率の低下を抑えて高
出力を維持し、安定した発光を得ることが可能となる。
出力を維持し、安定した発光を得ることが可能となる。
第１図は、本発明の一実施例の埋込型半導体レーザダイ
オードの断面図、 第２図は、本発明の他の実施例の埋込型半導体レーザダ
イオードの断面図、 第３図は、本発明の一実施例の埋込型半導体レーザダイ
オードと従来例の埋込型半導体レーザダイオードとの光
出力特性の比較説明図、第４図は、従来例の埋込型半導
体レーザーダイオードの断面図である。 （符号の説明） ｌ、１４・・・ｐ型１ｎＰからなる基板、２．１５・・
・ｐ型１ｎＰからなる第１クラッド層、３ 、 １６
＝ＩｎＧａＡｓｌ’からなる活性層、４．１７・・・ｎ
型１ｎＰからなる第２クラッド層、５．１８・・・ｐ型
１ｎＰからなる第１埋込層、６．１９− ｎ型ＴｎＰか
らなる第２１！Ｉ！込層、７・・・ｐ０型１ｎＰからな
る第３埋込層、８・・・ｐ型１ｎＰからなる第４埋込層
、９．２１・・・ｎ型１ｎＰからなる第３クラッド層、
１０．２２・ ｎ”型１ｎＧａＡｓＰからなるキャー／
ツブ層、１１．２３・・・Ｐ電極、 １２．２４・・・Ｎ電極、 １３・・・ｐ’型１ｎＰからなる第５埋込層、２０・・
・ｐ型［ｎＰからなる第３埋込層。
オードの断面図、 第２図は、本発明の他の実施例の埋込型半導体レーザダ
イオードの断面図、 第３図は、本発明の一実施例の埋込型半導体レーザダイ
オードと従来例の埋込型半導体レーザダイオードとの光
出力特性の比較説明図、第４図は、従来例の埋込型半導
体レーザーダイオードの断面図である。 （符号の説明） ｌ、１４・・・ｐ型１ｎＰからなる基板、２．１５・・
・ｐ型１ｎＰからなる第１クラッド層、３ 、 １６
＝ＩｎＧａＡｓｌ’からなる活性層、４．１７・・・ｎ
型１ｎＰからなる第２クラッド層、５．１８・・・ｐ型
１ｎＰからなる第１埋込層、６．１９− ｎ型ＴｎＰか
らなる第２１！Ｉ！込層、７・・・ｐ０型１ｎＰからな
る第３埋込層、８・・・ｐ型１ｎＰからなる第４埋込層
、９．２１・・・ｎ型１ｎＰからなる第３クラッド層、
１０．２２・ ｎ”型１ｎＧａＡｓＰからなるキャー／
ツブ層、１１．２３・・・Ｐ電極、 １２．２４・・・Ｎ電極、 １３・・・ｐ’型１ｎＰからなる第５埋込層、２０・・
・ｐ型［ｎＰからなる第３埋込層。
Claims (2)
- （１）第１導電型の基板（１）上に、第１導電型の第１
クラッド層（２）、活性層（３）、第２導電型の第２ク
ラッド層（４）が形成されてなるメサ形状の凸部の側部
に複数の埋込層を形成してなる埋込型半導体発光装置に
おいて、 前記複数の埋込層は、前記凸部の側部を被覆するように
形成された第１導電型の第１埋込層（５）と、該第１埋
込層（５）の上に形成された第２導電型の第２埋込層（
６）と、該第２埋込層（６）を被覆し、端部が前記第１
埋込層（５）と接触するように形成された高濃度の第１
導電型の第３埋込層（７）と、該第３埋込層（７）を被
覆し、端部が前記第１埋込層（５）と接触するように形
成された前記第３埋込層（７）よりも低濃度の第１導電
型の第４埋込層（８）とによって構成されてなることを
特徴とする埋込型半導体発光装置。 - （２）請求項１記載の第４埋込層（８）の上に該第４埋
込層（８）を被覆し、かつ端部が第１埋込層（５）と接
触するように形成された該第４埋込層（５）よりも高濃
度の第１導電型の第５埋込層（１３）が形成されている
ことを特徴とする埋込型半導体発光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29657188A JPH02143483A (ja) | 1988-11-24 | 1988-11-24 | 半導体発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29657188A JPH02143483A (ja) | 1988-11-24 | 1988-11-24 | 半導体発光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02143483A true JPH02143483A (ja) | 1990-06-01 |
Family
ID=17835264
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29657188A Pending JPH02143483A (ja) | 1988-11-24 | 1988-11-24 | 半導体発光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02143483A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04317384A (ja) * | 1991-04-16 | 1992-11-09 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体発光装置 |
| JPH0548210A (ja) * | 1991-08-09 | 1993-02-26 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置 |
| JP2009253188A (ja) * | 2008-04-10 | 2009-10-29 | Fujitsu Ltd | 光半導体装置 |
-
1988
- 1988-11-24 JP JP29657188A patent/JPH02143483A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04317384A (ja) * | 1991-04-16 | 1992-11-09 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体発光装置 |
| JPH0548210A (ja) * | 1991-08-09 | 1993-02-26 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置 |
| US5218614A (en) * | 1991-08-09 | 1993-06-08 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device |
| JP2009253188A (ja) * | 2008-04-10 | 2009-10-29 | Fujitsu Ltd | 光半導体装置 |
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