JPH02145683A - 強誘電性液晶組成物とその液晶表示素子 - Google Patents

強誘電性液晶組成物とその液晶表示素子

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JPH02145683A JP63298156A JP29815688A JPH02145683A JP H02145683 A JPH02145683 A JP H02145683A JP 63298156 A JP63298156 A JP 63298156A JP 29815688 A JP29815688 A JP 29815688A JP H02145683 A JPH02145683 A JP H02145683A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、強誘電性液晶材料に関する。更に詳しくは、
スメクチック液晶化合物と光学活性化合物とから成る高
速応答性を有する強誘電性液晶組成物及びそれを用いた
光スイツチング素子に関する。
〔従来の技術〕
液晶化合物は表示素子用材料として広く用いられている
が、そうした液晶表示素子の殆どはＴＮ型表示方式のも
のであり、液晶材料としてはネマチック相に属するもの
を用いている。
ＴＮ型表示方式は受光型のため、目が疲れない、消費電
力がきわめて少ないといった特徴を持つ反面、応答が遅
い、見る角度によっては表示が見えないといった欠点が
ある。該方式は、最近はフラットデイスプレィとしての
特徴を生かす方向に転換しつつあり、特に高速応答性と
視角の広さが要求されている。
こうした要求に答えるべく液晶材料の改良が試みられて
きた。しかし、他の受光型デイスプレィ（例えば、エレ
クトロルミネッセンスデイスプレィ、プラズマデイスプ
レィ等）と比較すると、ＴＮ表示方式では応答時間と視
角の広さという点でかなりの差が認められる。
受光型、低消費電力といった液晶表示素子の特徴を生か
し、なおかつ受光型デイスプレィに匹敵する応答性を確
保するためにはＴＮ型表示方式に代わる新しい液晶表示
方式の開発が不可欠である。
そうした試みの一つに強誘電性液晶の光スイツチング現
象を利用した表示方式がＮ、Ａ、　　クラークとＳ、Ｔ
、　　ラガウォールにより提案された（アプライド　フ
ィジックス　レターズ（Ａｐｐｌ、　Ｐｈｙｓ。
１、ｅｌｌ、）第３６巻ｐ、８９９　（１９８０年）参
照）。
強誘電性液晶は１９７５年にＲ，Ｂ、　メイヤー等によ
ってその存在が初めて発表されたもので（ジュルナルド
　フィジーク（Ｊ、　Ｐｈｙｓ、）第３６巻ｐ、６９　
（１９７５年）参照）、液晶構造上からカイラルスメク
チックＣ相、カイラルスメクチックＩ相、カイラルスメ
クチックＦ相、カライルスメクチックＧ相およびカイラ
ルスメクチックＨラルスメクチック相においては、分子
は層を形成しており、かつ分子は層面に対して傾いてお
り、らせん軸はこの層面に対して垂直である。カイラル
スメクチック相では、自発分極が生じる為、この層に平
行に直流電界を印加すると、その極性に応じて分子はら
せん軸を回転軸として反転する。
強誘電性液晶を使用した表示素子はこのスイッチング現
象を利用したものである。
カイラルスメクチック相のうち現在特に注目さグ現象を
利用した表示方式としては、二つの方式が考えられる。
一つの方式は２枚の偏光子を使用する複屈折型であり、
他の一つの方式は二色性色素を利用するゲスト・ホスト
型である。
この表示方式の特徴は、 （１）応答時間が非常に速い （２）メモリー性がある （３）視角依存性が小さい などがあげられ、高密度表示への可能性をひめでおり、
非常に表示素子としての魅力にあふれたちのである。し
かし、現状は解決しなければならない問題が山積されて
いる。例えば、 合物がない （２）らせんピッチが短い （３）配向が非常に難しい （４）自発分極が小さく、応答時間が遅いなどの問題が
ある。
よブて、現在、強誘電性液晶材料に要求されていること
は、 と （２）らせんピッチが長いこと （３）自発分極が大きいこと 等である。現在のところ、このような条件をすべて満足
する単独のカイラルスメクチック液晶化合物はないので
、一部の条件を満足するカイラルスメクチック液晶化合
物または非液晶化合物を規程か混合し、試行錯誤を繰り
返すことによって、前述の条件を満足するような強誘電
性液晶組成物を作らなければならない。
また、強誘電性液晶組成物のみからなる強誘電性液晶組
成物ばかりではなく、特開昭６１−１９５１８７号公報
には非カイラルスメクチックＣ，Ｆ、Ｇ、Ｈ，１等の相
（以下、Ｓｏ等の相と略称する）を呈する化合物および
組成物を基本物質として、これに強誘電性液晶相を呈す
る１種または複数の化合物を混合して全体を強誘電性液
晶組成物とし得ることが報告されている。さらにＳｏ等
の相を呈する化合物および組成物を基本物質として、光
学活性ではあるが強誘電性液晶相は呈しない１種あるい
は複数の化合物を混合して全体を強誘電性液晶組成物と
する報告も見受けられる（Ｍｏ１．　Ｃｒｙｓｔ、　Ｌ
ｌｑ、　Ｃｒｙｓｔ、　８９．３２７（１９８２）　）
。
これらのことを総合すると強誘電性液晶相を呈するか否
かにかかわらず光学活性である化合物の１種または複数
を基本物質と混合して強誘電性液晶組成物を構成できる
ことがわかる。
前記した、非カイラルなＳ。等の相の少なくとも一つを
示す基本的物質からなり、かっＳ。等の相を少なくとも
一つ有するスメクチック液晶混合物を以下ベースＳ　混
合物と呼ぶ。
■ ベースＳ　混合物としては、実用的には室温を含む広い
温度範囲でＳ。相を呈する液晶混合物が好ましい。ベー
スＳ　混合物の成分としては、フェニルペンゾール系、
シッフ塩基系、フェニルピリジン系、および５−アルキ
ル−２−（４−アルコキシフェニル）ピリジン等の液晶
化合物の中から幾つかが用いられている。
例えば、特開昭６１−２９１６７９号公報およびＰＣＴ
国際公開ＷＯ３６１０６４０１号パンフレットには式５
−アルキル−２−（４−アルコキシフェニル）ピリミジ
ンを光学活性化合物と混合した強誘電性液晶が室温を含
む広い温度範囲にて、リミジン誘導体をベースＳ　混合
物とした強誘電性スメクチック液晶材料を用いて光スイ
ツチング素子の応答時間が短縮できることが示されてい
る。
また、特開昭６１−２９１６７９号公報には、５アルキ
ル−２−（４’　　−アルキルビフェニリル−４）ピリ
ミジンと前記の５−アルキル−２−（４−アルコキシフ
ェニル）ピリジミンおよび光学活性化合物とからなる強
誘電性液晶材料も室温＊　　　　− を含む広い温度範囲にてＳｃ相をボし、かつ応答性向上
にも有効であることが示されている。
しかしながら、現在、発光型デイスプレィなどの他のタ
イプの表示素子と比較すると、特開昭６１−２９１６７
９号公報及びＰＣＴ国際公開ＷＯ３６１０６４０１号パ
ンフレット記載の強誘電性液晶組成物の応答時間はまだ
遅＜　（３００μＳｅｅ〜５００μ５ｅｃ）、更なる応
答性の向上が熱望されている。
尚、らせんピッチに関しては、らせんのねじれ方向が右
まわりのカイラルスメクチック液晶化合物とらせんのね
じれ方向が左まわりのカイラルスメクチック液晶化合物
とを混合することにより、或いはＳ。相を有する化合物
とカイラルスメクチック液晶化合物とを混合することに
より、らせんピッチの長い強誘電性液晶材料が得られて
いる（特開昭６０−９０２９０号或いは特開昭６１１９
５１８７号公報参照）。
〔発明が解決しようとする課題〕
前述したことから明らかなように、本発明の第一の目的
は、高速応答性を有し、かつ、室温を含成物を提供する
ことにあり、第二の目的は、上記の液晶組成物を用いた
応答性の速い光スイツチング素子を提供することにある
。
〔課題を解決するだめの手段〕
本発明者等は、前記特開昭６１−２９１６７９号公報に
記載の発明を更に改良すべく努力した結果、以下に示す
如く液晶化合物を組み合わせることにより、高速応答性
を有し、かつ、室温を含む物が得られることを見い出し
、本発明を完成した。
すなわち本発明の第１は 一般式Ａ （（Ａ）式中、Ｒ１は炭素数２〜１８の直鎖又は分岐の
アルキル基又は炭素数１〜１８の直鎖又は分岐のアルコ
キシ基を示す。又＊は不斉炭素原子を示す。） で表わされる光学活性部位を有するカイラル化合物受な
くとも１種と、スメクチックＣ相、スメクチックＩ相、
スメクチックＦ相、スメクチックＣ相、スメクチックＨ
相、スメクチックＪ相、或いはスメクチックに相のいず
れかの相を有する非カイラル化合物受なくとも１種とを
含有してなる強誘電性液晶組成物である。
本発明の第２は 前記組成物において、一般式Ａで表わされる光学活性部
位を有するカイラル化合物が、一般式Ｂ（（Ｂ）式中、
Ｒ２は炭素数１〜１８の直鎖又は分岐のアルキル基又は
アルコキシ基、Ｒ３は炭素数２〜１８の直鎖又は分岐の
アルキル基又は炭素数１〜１８のアルコキシ基、（）、
　（）は、そを示す。又＊は不斉炭素原子を示す。）で
表わされる化合物であり、スメクチックＣ相、スメクチ
ックＩ相、スメクチックＦ相、スメクチックＣ相、スメ
クチックＨ相、スメクチックＪ相或いはスメクチックに
相のいずれかの相を有する非カイラル化合物が一般式Ｃ 炭素数１〜１８の同一または相異なる直鎖または分岐の
アルキル基、アルコキシ基またはアルカノイルオキシ基
を示し、Ｎ＋ｍおよびｎは０または１を示す。） で表わされる化合物である強誘電性液晶組成物である。
本発明の第３は 前記第１、第２の発明において、少なくとも下記のＡ、
ＢおよびＣの３つの液晶成分を含有し、その割合はＡ、
Ｂ、Ｃの３成分の合計量に対して、Ａが５〜４０重量％
、Ｂが２０〜７５重量％、Ｃが５〜３５重量％である強
誘電性液晶組成物、但し、Ａ液晶成分は、一般式（Ｂ−
Ｉ）（（Ｂ−１）式中、Ｒ６は炭素数１〜１８の直鎖ま
たは分岐のアルキル基またはアルコキシ基、Ｒ７は炭素
数２〜１８の直鎖または分岐のアルキル基または炭素数
１〜１８の直鎖または分岐のアルコキシ基を示す。また
＊は不斉炭素原子を示す。） で表わされる化合物、 および一般式（Ｂ−１１） で表わされる化合物、 および一般式（Ｂ−ＩＶ） ・・・（Ｂ−Ｉｔ） ＋（Ｂ−１１）式中、Ｒ８は炭素数１〜１８の直鎖また
は分岐のアルキル基またはアルコキシ基、Ｒ９は炭素数
２〜１８の直鎖または分岐のアルキル基または炭素数１
〜１８の直鎖または分岐のアルコキシ基を示す。また＊
は不斉炭素原子を示す。） で表わされる化合物、 および一般式（Ｂ−Ｉ［Ｉ） ・・・（Ｂ−ｆＶ） （（Ｂ−ＩＶ）式中、Ｒ１２は炭素数１〜１８の直鎖ま
たは分岐のアルキル基またはアルコキシ基、Ｒ１３は炭
素数２〜１８の直鎖または分岐のアルキル基または炭素
数１〜１８の直鎖または分岐のアルコキシ基を示す。ま
た＊は不斉炭素原子を示す。） で表される化合物、 および一般式（Ｂ−Ｖ） ・・・　（Ｂ−Ｉｌｌ） ｆ（Ｂ−Ｉｌｌ）式中、Ｒ１０は炭素数１〜１８の直鎖
または分岐のアルキル基またはアルコキシ基、Ｒ１１は
炭素数２〜１８の直鎖または分岐のアルキル基または炭
素数１〜１８の直鎖または分岐のアルコキシ基を示す。
また＊は不斉炭素原子を示す。） ・・・　（Ｂ−Ｖ） ＋　（Ｂ−Ｖ）　式中、Ｒ１４ハ炭素数１〜１８　（７
）　ｔｉｉｊｒｌまたは分岐のアルキル基またはアルコ
キシ基、Ｒ１５は炭素数２〜１８の直鎖または分岐のア
ルキル基または炭素数１〜１８の直鎖または分岐のアル
コキシ基を示す。また＊は不斉炭素原子を示す。） で表わされる化合物から選ばれた１種または２種以上の
化合物であり、 Ｂ液晶成分は、一般式（Ｃ−Ｖｔ） Ｒ２０％Ｒ２’　　　　・・・（■） （（■）式中、ＲおよびＲ２１はそれぞれ炭素数１〜１
８の同一または相異なる直鎖または分岐のアルキル基ま
たはアルコキシ基を示す。）で表される化合物、 および一般式（ＩＸ） ｆ（Ｃ−Ｖｌ）式中、ＲおよびＲ１７はそれぞれ炭素数
１〜１８の同一または相異なる直鎖または分岐のアルキ
ル基またはアルコキシ基を示す。）で表される化合物、 および一般式（Ｃ−■） （（Ｃ−■）式中、ＲおよびＲ１９はそれぞれ炭素数１
〜１８の同一または相異なる直鎖または分岐のアルキル
基またはアルコキシ基を示す。）で表される化合物、 および一般式（■）、 ・・・（ＩＸ） （（■）式中、Ｒ２２は炭素数１〜１８の直鎖または分
岐のアルキル基またはアルコキシ基を示し、Ｘは直結ま
たは一〇−を表わし、ｋは０〜１０を示す。また（±）
はラセミ化合物であることを示す。） で表わされる化合物から選ばれた１種または２種以上の
化合物であり、 Ｃ液晶成分は一般式（Ｘ） （（Ｘ）式中、Ｒ２３は炭素数１〜１８の直鎖または分
岐のアルキル基またはアルコキシ基を示し、Ｙは−Ｈ，
−Ｆ、−ＣＮを示す。また＊は不斉炭素原子を示す。） で表わされる化合物から選ばれた１種または２種以上の
化合物である。
本発明の第４は、前言コ第１．第２の発明において、少
なくとも前記第３の発明のＡ、Ｂ、Ｃの３成分および下
記り液晶成分の４成分を含有し、そのＤの割合がＡ、Ｂ
、Ｃの３成分の合計量に対して５〜２５重量％である強
誘電性液晶組成物である。
但し、Ｄ液晶成分は、一般式（ＸＩ） ＋（ＸＩ）式中、Ｒ２４は炭素数１〜１８の直鎖または
分岐のアルキル基を示す。
原子を示す。） で表わされる化合物、 および一般式（ＸＩＩ） また＊は不斉炭素 （（Ｘｌｌ）式中、Ｒ２５は炭素数１〜１８の直鎖また
は分岐のアルキル基またはアルコキシ基を示す。
また＊はは不斉炭素原子を示す。） で表わされる化合物、 および一般式（Ｘｍ） ｆ　（Ｘｍ）式中、Ｒ２６は炭素数１〜１８の直鎖また
は分岐のアルキル基またはアルコキシ基を示し、Ｚは−
Ｈ，−Ｆ、−ＣＮを示す。また＊は不斉炭素原子を示す
。） で表わされる化合物、 および一般式（ＸｒＶ） （（ＸＩＶ）式中、Ｒ２７は炭素数１〜１８の直鎖また
は分岐のアルキル基またはアルコキシ基を示し、Ｗは−
Ｈ，−Ｆ、−ＣＮを示す。また＊は不斉炭素原子を示す
。） で表わされる化合物、 および一般式（ＸＶ） ｆ　（ＸＶ）式中、Ｒ２８は炭素数１〜１８の直鎖また
は分岐のアルキル基またはアルコキシ基を示す。
また＊は不斉炭素原子を示す。） で表わされる化合物から選ばれた１種または２種以上の
化合物である。
本発明の第５の発明は前記第１．第２．第３゜第４の発
明のいずれか記載の強誘電性液晶組成物を利用して作成
してなる光スイツチング素子である。
更に詳しく説明すると、本発明に用いられる一般式 で表わされる光学活性部位を有するカイラル化合物の特
徴は、後で例を挙げて説明するが、不斉炭素原子の隣に
大きな双極子モーメントを持つ、カルボニルオキシ基を
有するため、自発分極値が非常に大きく、高速応答性を
有していることである。
具体的な化合物例としては、一般式 で表わされる化合物であり、更に詳しくは一般式（Ｂ−
１）〜（Ｂ−Ｖ）で示される本出願人が先に特許出願し
た化合物等（特願昭６２−４９７９６号、特願昭６２−
１０３９７７号参照）が挙げられるが、本発明の目的の
強誘電性液晶組成物においては、一般式（Ｂ）で示され
ない化合物であっても、一般式（Ａ）で示される光学活
性部位を有する化合物であるならば、構成成分として使
用できることは言うまでもないことである。
−ＣＯ−−ＣＨ−Ｎ−−ＣＨ２０ Ｎ−Ｎ−−Ｎ−Ｎ　−・　　−０Ｃ−−Ｎ−ＣＨ−〇 一０ＣＨ２−等の結合基を持つ化合物が挙げられる。即
ち一般式（Ａ）で示される光学活性部位を有するカイラ
ル化合物であるならば、どのような骨Ｆ８　ｔＭ造の化
合物であっても、本発明の目的の強誘電性液晶組成物の
構成成分として使用できる。
一般式（Ｂ）で表わされる化合物としては、以下の表１
〜表９で示される化合物が代表的な化合物として挙げら
れる。また（Ａ）式において各々の不斉炭素の絶対配置
はＲ型でもＳ型でもどちらでも良い。
δ ヨ 一方、本発明に用いられるＳ　相、ＳＩ相、Ｓ　相、Ｓ
Ｇ相、ＳＩＩ相、あるいはＳＫ相のいずれかの相を有す
る非カイラルな化合物は、ベースＳ　化合物として使用
されるため、室温を含む広■ い温度域にてＳｃ相等を示すことが望ましい。
具体的な化合物例としては、前記一般式で表わされるピ
リミジン系化合物、更に詳しくは、一般式（Ｃ−Ｖｌ）
、　　（Ｃ−■）で示されるフェニルピリミジン系化合
物等が挙げられるが、本発明の目的の強誘電性液晶組成
物においては、一般式（Ｃ）で表されない化合物であっ
ても、Ｓｏ相等の相を有する化合物であるならば、本発
明の目的を損わない範囲で、構成成分として使用できる
。
例えばビフェニリルベンゾエート系、ビフェニリルシク
ロヘキサン系、アゾ系、アゾキシ系、フェニルピリジン
系、ビフェニル系等のＳｃ性に富む化合物が挙げられる
。
一般式（Ｃ）で表わされ、Ｓｏ相等の相を示す物として
は、以下の表１０〜表１２で示される化合物が代表的な
化合物として挙げられる。
（表１１つづき） （表１１つづき） （表１１つづき） （表１１つづき） （表１２つづき） （表１２つづき） （表１２つづき） 本発明の目的の強誘電性液晶組成物におけるベースＳ　
化合物としては先に表１０〜表１２に例示したＳｃ相を
有するフェニルピリミジン系化合物だけを複数個組み合
わせることもできるが、該化合物の一つ又は複数と既知
の非カイラルな化合物の一つ又は複数とを本発明の目的
を損わない範囲で組み合わせることも可能である。例え
ば前述のビフェニリルベンゾエート系、ビフェニリルシ
クロヘキサン系、アゾ系、アゾキシ系、フェニルピリジ
ン系、ビフェニル系等のスメクチックＣ性に富む液晶化
合物が挙げられる。
本発明の目的の強誘電性液晶組成物においては、一般式
（■）あるいは一般式（ＩＸ）で示されるフェニルピリ
ジン系あるいはビフェニル系化合物との紹み合わせが特
に好ましい。
一般式（■）で示されるフェニルピリジン系化合物とし
ては、（■）式においてＲ２０が炭素数７〜１０のアル
キル基であり、Ｒ２１が炭素数４〜１２のアルコキシ基
であるＳ。相を有する化合物が特に望ましい。
また一般式（ＩＸ）で示されるビフェニル系化合物とし
ては、（ＩＸ）式においてＲ２２が炭素数７〜１０のア
ルコキシ基であり、Ｘが直結であり、ｋが３である。ｓ
ｏ相を有する化合物が特に望ましい。
本発明の目的の強誘電性液晶組成物の成分として用いら
れる、一般式（Ｃ）式で表わされるピリミジン系化合物
としては、前述したようにＳ。相を有する物が好ましい
が゛、Ｓｃ相を示さない化合物があっても、得られるベ
ースＳ　化合物のＳ。
■ 相温度範囲を著しく縮小しない範囲の量に限って用いる
ことができる。
このことは（■）式あるいは（ＩＸ）式で表わされ、Ｓ
ｃ相を示さないフェニルピリジン系化合物あるいはビフ
ェニル系化合物についても同様であり、粘性低減あるい
はＳ。相温度範囲を調整する意図で成分として用いるこ
とができる。
本発明の目的の強誘電性液晶組成物は、上述したように
、一般式（Ａ）で表わされる光学活性部位を有するカイ
ラル化合物（例えば一般式（Ｂ）で表わされる化合物）
とＳ。相等の相を示す非カイラルな化合物（例えば一般
式（Ｃ）で表わされるピリミジン系化合物）との混合系
により主に達成されるが、その他に自発分極値が大きく
、しか本 もＳ。相の上限温度が高い一般式（Ｘ）で表わされるよ
うなカイラル化合物、あるいは自発分極値は大きくない
が、らせんピッチ調節用として用いられる一般式（ＸＩ
）〜（ＸＶ）で表わされるような化合物と組み合わせる
ことにより、更に特性の優れた強誘電性液晶組成物を得
ることができる。
一般式（Ｂ−Ｉ）〜（ＸＶ）で表わされる液晶性化合物
の大半は、公知の物であり、例えば、特開昭６１−４３
号公報、特開昭６１− ２１、００５６号公報、特開昭６１−６３６３３号公報
、特開昭６０−１３７２９号公報、特開昭５６−１２２
３３４号公報等にて既に開示されている。また残りの大
半の液晶性化合物は例えば特願昭６２−４９７９６号、
特願昭６２−１０３９７７号等によって公開予定のもの
である。
本発明の目的の強誘電性液晶組成物の優れた作用を一般
式（Ｂ−１）〜（ＸＶ）で表わされるＡ。
Ｂ、Ｃ，Ｄ液晶成分化合物により具体的に説明する。
本発明は一般式（Ｂ−１）〜（ＸＶ）で表わされるＡ、
Ｂ、Ｃ，Ｄ液晶成分化合物の有する優れた特性を組み合
わせることに基づいている。
各液晶成分の優れた特性について詳しく説明する。
Ａ液晶成分であり、−′般式（Ｂ−１）〜（Ｂ−■）で
表わされる化合物は、カイラルな化合物であり、本出願
人により先に特許出願された（特願昭６２−４９７９６
号、特願昭６２− １０３９７７号参照）未公開の化合物であり、自発分極
値が非常に大きい化合物である。
例えば（Ｂ−ＩＩ）式において、Ｒ８−Ｃ７Ｈ１５−、
Ｒ−−ＱＣ３Ｈ７であり、絶対配置が（Ｓ、Ｒ）型の場
合、相転移温度：Ｃｒ５５＊ Ｓ　　９３１　　、　　Ｐ　　：　１６５ｎＣ／ｃ−で
ある。
Ｃｓｏ　　　ｓ 一般に強誘電性液晶組成物の自発分極の値Ｐ　と略記す
る）、粘度（ηと略記する）、および応答時間（τと略
記する）の間には η （但し、Ｅは液晶セルに印加される電界強度を意味する
。） なる関係が存在し、低粘性な化合物であると同時に自発
分極が大きい化合物が望まれる。
Ａ液晶成分である一般式（Ｂ−１）〜（Ｂ−Ｖ）で表わ
される化合物は、そのような特徴を有する化合物であり
、本発明の目的の強誘電性液晶組成物においては、高速
応答性を出現させるのに重要な役割を演じている化合物
である。
表１３は一般式（Ｂ−１）〜（Ｂ−ＩＶ）で示されるカ
イラル化合物ａ　−ｆを、後述する一般式（Ｃ−Ｖ？）
および（Ｃ−■）で示される非カイラルなピリミジン系
液晶化合物から構成されたベースＳ　混合物Ａ（相転移
温度：　Ｃｒ　４　Ｓ　ｃ　６５■ ５Ａ７９Ｎ９０　Ｉ、。）に２０重量％添加して得られ
た各々の強誘電性液晶組成物の相転移温度、自発分極値
、傾き角、応答時間を示している。
自発分極値、傾き角、応答時間のハ１定温度は２５℃、
また応答時間の電界強度は５Ｖ／μｍであり、ベースＳ
　混合物Ａの組成は以下の通りである。
更に、Ａ液晶成分に属する一般式（Ｂ−１）〜（Ｂ−Ｉ
Ｖ）で示されるカイラル化合物ａ　−ｆは以下の通りで
ある。
Ｑ−Ｑ養 ０−Ｑ苦 Ｏ＝ω ０＝ｕ Ｑ＝Ｑ Ｑ＝ＣＪ Ｏ＝Ｑ Ｑ＝（Ｊ ｏｏｏ。
−１。Ｉ　　　　　−１ 工　８！１８　　　　ヱ　閤　　　閃　工　　　閤　閃
Ｑ−■−曇　　Ｑ−Ｑ曇　　ｕ−ｕ−Ｘ：　　ｕ−ｕ畳
閃　　　国　　　−、″　　　　閃 ｕ　　　　　　　ｕ　　　　　　　Ｕ　　　　　　　ｕ
ｌ　　　　　　　１　　　　　　１　　　　　１表１３
から明らかなように、一般式（Ｂ−Ｉ）〜（Ｂ−ＩＶ）
で表わされるＡ液晶成分であるカイラル化合物は非常に
大きな自発分極値（外そう値：　１００ｎＣ／ｃｄ）を
有しているため、一般式（Ｃ−Ｖｌ）および（Ｃ−■）
で表わされる非カイラルな化合物と混合することにより
、非常に高速応答性（３０〜５０μｓｅｃ　）を有する
強誘電性液晶組成物が得られることが判明した。（特開
昭６１−２９１６７９号公報あるいはＰＣＴ国際公開Ｗ
Ｏ３６１０６４０１号パンフレット記載の強誘電性液晶
組成物の応答時間の約１／１０の応答性である）。Ａ液
晶成分は、高速応答性出現という非常に重要な役割を演
じているが、あまり多く使用す＊ るとＳ。相の温度域を狭（する傾向が認められるため、
Ａ液晶成分の濃度範囲は４０重量％以下が望ましい。ま
た一般式（Ａ）で示される光学活性部位の絶対配置が（
Ｓ、Ｓ）型あるいは（Ｓ、Ｒ）型の場合、一般式（Ｂ−
Ｉ）〜（Ｂ−Ｖ）で表わされる化合物の自発分極の向き
は一型であり、らせんのねじれ方向は左であった。（絶
対配置が（Ｒ，Ｒ）型あるいは（Ｒ，Ｓ）型の場合は、
各々十型および右であった）。
Ｂ液晶成分であり、一般式（Ｃ−Ｖｌう−（ＩＸ）で表
わされる化合物は非カイラルな化合物であり、本発明の
目的の強誘電性液晶組成物においては、ベースＳ　化合
物としての役割を果している物で騙 ある。（Ｃ−Ｖｌ）式で表わされる化合物は、低温Ｂ 度域にてＳ。相を有する（例えばＲ− ＣＨＯ−、Ｒ１７−Ｃ’　　Ｈ−の場合、Ｃ「２８Ｓ　
４７ＳＡ５８Ｎ６６Ｉｓｏ）、一方、（Ｃ一■）式で表
わされる化合物は高温度域にてＳ。
相を有する（例えばＲ−Ｃ７Ｈ１５−、Ｒ−ＣＨ−の場
合、Ｃｒ５８Ｓｃ１３４ＳＡ１４４Ｎ１５７１　　）。
よって（Ｃ−Ｖｌ）式で表Ｏ わされる化合物と（Ｃ−■）式で表わされる化合物を組
み合わせることにより、低温度域から広い温度域にわた
ってＳ。相を有するベースＳ１１混合物が得られる。
この骨格を有する化合物の優れた特性については既に本
発明者等により特開昭６１− ２９１６７９号公報にて述べられているが、非常に低い
粘性を有している為、本発明の目的の強誘電性液晶組成
物においてもベースＳ。化合物として重要な役割を果た
している。
一方、一般式（■）で表わされる化合物は、低温度域か
ら高温度域にわたる広い温度域にて５ｃＳｏ４０ＳＦ５
３Ｓｃ７７Ｉ８ｏ）、又、一般式（ＩＸ）で表わされる
化合物は、低温度域にてＳ。
相等の相を有する（例えばＲ２２−ＣＨＯ−Ｘ−直線、
ｋ−３の場合、Ｃｒ２０Ｓｏ４０ＳＦ５１５ｏ５３１８
ｏ）。この骨格を有する化合物の優れた特性については
、既に本発明者らによりＥＰ８６１０８２６６．７号公
報にて述べられているが、上述したピリミジン系化合物
と同じく非常に低い粘性を有している為、本発明の目的
の強誘電性液晶組成物においてもベースＳ　化合物とし
て国 の役割を果たしており、Ｓｏ相湿温度範囲調整する意図
で成分として用いられる。Ｂ液晶成分である一般式（Ｃ
−Ｖｌ）〜（ＩＸ）で表わされる化合物は、本発明にお
いては、ベースＳ　化合物として厘 の役割を果たしている為、Ｂ液晶成分の濃度範囲は７５
重量％以下が望ましい。
Ｃ液晶成分であり、一般式（Ｘ）で表わされる化合物は
、カイラルな化合物であり、本出願人により先に特許出
願され、既に開示された（特開昭６１−４３、特開昭６
１−２１００５６号公報等参照）公知の化合物であ°す
、高温度域１４でＳ　相を示し、又自発分極値も非常に
大きい化合物である（例えば、（Ｘ）式において、Ｒ２
３−Ｃ３Ｈ１□Ｏ−Ｙ−−Ｆの場合、相転移温度；＊　
　　　＊ Ｃｒ５２Ｓ　　　１０４Ｎ　　　１０９１　　　、Ｐ　
　　；Ｃｓｏ　　　　５ １３２ｎＣ／ｃｄ（Ｔ−Ｔ　　−−３０℃、　、Ｒ２３
＝Ｃ６Ｈ１３０−Ｙ−−Ｈの場合、相転移温度；零　　
　　　＊ Ｃｒ７１Ｓ　　　９８Ｎ　　　１２３１　　　、Ｐ　　
　ＨｌｌｏＣｓｏ　　　　ｓ ｎＣ／ｃシ（Ｔ−Ｔ　　−−３０℃、　、Ｒ２３＝Ｃ３
Ｈ１□Ｏ−Ｙ−−ＣＮの場合、相転移温度；＊ Ｃｒ２８Ｓ　　　５７Ｓ　　　９４　　　Ｉ　　　、Ｐ
　　　Ｈ２４０ＣＡ　　　　　　　　　ｓｏ　　　　Ｓ
ｎＣ／ｃｊ　（Ｔ　−Ｔｃ−−３０℃）。よって、本発
明の目的の強誘電性液晶組成物においては、高速＊ 応答性出現、及び組成物のＳ。相上限温度向上という重
要な役割を果たしている化合物である。例えば、上述し
た表１３のカイラル化合物ａとベースＳ　混合物Ａとか
ら成る強誘電性液晶組成物は、覆 確かに応答性は非常に優れているが、実用面から５０℃
以上は必要）、実用的であるとは言い難い。
この組成物９０重量％に、（Ｘ）式において、Ｙ一−Ｆ
であり、Ｒ−Ｃ６Ｈ１３−なる化合物を１０重量％添加
して強誘電性液晶組成物Ｂを調製した。
組成物Ｂ ベースＳ　混合物Ａ　　　　　　　７２重量％カイラル
化合物ａ　　　　　　　１８　／／１０重量％ この強誘電性液晶Ｂは、−５℃〜５５℃の温度＊　　− 域にてＳ　相をボし、その高温側にてＳ人相を示し、７
０℃でＮ＊相となり、８４℃で等方性液体となった。２
５℃における自発分極値は２０　ｎＣ／Ｃ−１傾き角は
２１．５°、応答時間は５　Ｑ　ｐ　５ｅｅ（Ｅ−±５
Ｖ／μｍ）であった。即ち、表１２に記載の強誘電性液
晶組成物の応答性を損わず、非強誘電性液晶組成物が得
られた。
以上のように、（Ｃ−Ｖ［）或いは（Ｃ−■）式で表わ
される非カイラルな化合物と（Ｂ−Ｉ）〜（Ｂ−Ｖ）式
或いは（Ｘ）式で表わされるカイラルな化合物を組み合
わせることにより、室温を含む広い温度域にてＳ＊　相
を示し、しかも非常に応答性が優れた強誘電性液晶材料
が得られることが判明した。Ａ液晶成分及びＢ液晶成分
の濃度範囲を考慮し、又、Ｃ液晶成分の効用を考えると
、Ｃ液晶成分の濃度範囲は３５重量％以下が望ましい。
又、この化合物の自発分極の向きは、光学活性部位の絶
対配置がＳ型の場合、−型であり、らせんのねじれ方向
は左であった（絶対配置がＲ型の場合は、各々生型及び
右ねじれであった）。尚、自発分極の向きが逆の化合物
にて、強誘電性液晶組成物を調製すると、自発分極値が
小さくなり、応答性も悪くなる場合もある為望ましくな
い（例えば、特開昭６１−２３１０８２号公報参照）。
よって、本発明の目的の強誘電性液晶組成物は、大部分
が自発分極の向きが同じである一般式（Ｂ−■）〜（Ｂ
−Ｖ）或いは（Ｘ）で表わされる化合物により構成され
る。
以上のようなＡ、Ｂ、Ｃ各液晶成分の特性を生かして本
発明の目的とする特性の優れた強誘電性液晶組成物を得
る為の各成分の割合は種々検討の結果Ａ液晶成分が５〜
４０重量％、Ｂ液晶成分が２０〜７５重量％、Ｃ液晶成
分が５〜３５重量％の範囲が好適であることが判った。
Ｄ液晶成分である一般式（ＸＩ）〜（ＸＶ）で表わされ
る化合物は、カイラルな化合物であるが、自発分極値は
あまり大きくなく本発明においては、らせんピッチを調
節する役割を果たしており、必要に応じて使用されてい
る。式（ＸＩ）〜（ＸＶ）で表わされる化合物は、光学
活性部位の絶対配置がＳ型の場合、らせんのねじれ方向
が右であり、上述したＡ液晶成分或いはＣ液晶成分であ
る一般式（Ｂ−１）〜（Ｂ−Ｖ）或いは（Ｘ）で表わさ
れる化合物のらせんのねじれ方向と逆であり、式（ＸＩ
）〜（ＸＶ）で表わされる化合物を添加することにより
らせんピッチの長い強誘電性液晶組成物が得られる。又
、式（ＸＩ）〜（ＸＶ）で表わされる化合物の自発分極
の向きは、光学活性部位がＳ型の場合、生型で°あり（
ただし、式（Ｘｍ）及び（ＸＩＶ）において、Ｙ−−Ｃ
Ｎなる化合物の自発分極の向きは一型）、式（Ｂ−１）
〜（Ｂ−■）或いは（Ｘ）で表わされる化合物の自発分
極の向きと逆であるが、式（Ｘｌ）〜（ＸＶ）で表わさ
れる化合物の自発分極値は非常に小さく　＜＝１　ｎＣ
／　ｃｄ　）　、又、使用濃度も少ない為、本発明の目
的を強誘電性液晶組成物において、高速応答性の出現を
妨げるような悪影響を及ぼすことはない。
Ｄ液晶成分であり、一般式（ＸＩ）〜（ＸＩＶ）で表わ
される代表的な化合物を以下に挙げる。
ＣＨ３ 嘲 −ＣＨＣＨＣ２Ｈ５， ２＊ −０−ＣＨＣＨＣ２Ｈ５， ２＊ Ｄ液晶成分は、あくまでも強誘電性液晶組成物のらせん
ピッチを調節する際に必要に応じて使用され、又、化合
物の自発分極値も小さく、応答時間はあまり速くない為
Ａ液晶成分或いはＣ液晶成分に比べて、Ａ液晶成分、Ｂ
液晶成分及びＣ液晶成分の濃度範囲を考慮し、又、Ｄ液
晶成分の効用を考える己、本発明の目的の強誘電性液晶
組成物におけるＤ液晶成分の濃度範囲は、Ａ、Ｂ、Ｃ液
晶成分の合計量に対して２５重量％以下が望ましい。　
又、Ｄ液晶成分は、らせんピッチ調節用である為、一般
式（ＸＩ）〜（Ｘ■）で表わされる化合物に限定される
必要はなく、光学活性部位として −ＣＨＣＨ２♀ＨＣ２Ｈ５等を有する化合物であれば、
本発明の目的の強誘電性液晶組成物に用いることができ
る。
以上のようなＡ、Ｂ、Ｃ，Ｄ各液晶成分の特性を生かし
て本発明の目的とする特性の優れた強誘電性液晶組成物
を得る為の各成分の割合は、Ａ液晶成分が５〜４０重量
％、Ｂ液晶成分が２０〜７５重量％、Ｃ液晶成分が５〜
３５重量％であり、Ｄ液晶成分がＡ、Ｂ、Ｃの３成分の
合計量に対して５〜２５重量％の範囲である。
〔実施例〕
以下に実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、
本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
又、自発分極の大きさ（Ｐ８）はソーヤ・タワー法にて
測定し、らせんピッチ（Ｐ）は、セル厚約２００μｍの
ホモジニアス配向を施したセルを使用し、偏光顕微鏡下
でらせんピッチに対応する縞模様−（デ・カイラリゼイ
ションライン）の間隔を直接１１−１定することにより
求めた。そして傾き角（θ）は、ホモジニアス配向させ
たセルに、臨界電場以上の十分に高い電場を印加し、ら
せん構造を消滅させ、更に極性を反転させ、直交ニコル
下における消光位の移動角（２θに対応）より求めた。
応答時間は、配向処理を施した電極間隔が２μｍのセル
に各組成物を注入しｖｐｐが２０Ｖ、１００Ｈｚの矩形
波を印加した時の透過光強度の変化から測定した。
尚、実施例には、以上のＡ、Ｂ、Ｃ，Ｄ各液晶＊ 成分の他に、Ｓｃ相等の液晶相を示さないが、潜在的な
自発分極値が大きいカイラル化合物（例えば、特願昭６
１−１３３２６９号公報参照）が含まれている組成物も
あるが、このカイラル物質を含むことは、本発明の目的
の強誘電性液晶組成物の特性を損わず何ら問題ない。
実施例１〜１７ 第１４表に本発明の強誘電性液晶組成物の実施例１〜１
７の組成を、第１５表にその特性値を示す。
尚、第１４表中の各組成は重量％を意味する。
実施例１８ 実施例１０で調製した強誘電性液晶組成物を、配向処理
剤としてＰＶＡを塗布し、表面をラビングして平行配向
処理を施した、セルギャップ　２μｍの透明電極を備え
たセルに注入し、この液晶セルを直交ニコル状態に配置
した２枚の偏光子の間にはさみ、０．５Ｈｚ、２０Ｖの
低周波数の交流を印加したところ、非常にコントラスト
が良い（１：　２０）　、明瞭なスイッチング動作が観
察され、応答時間が２５℃で２５μＳｅｅと非常に応答
の速い液晶表示素子が得られた。
実施例１９ 実施例１１にて調製した強誘電性液晶組成物に、次式 で表わされる、アン上うキノン系色素Ｄ−１６（ＢＤＨ
社製）を３重量％添加して、ゲスト・ホスト型にした組
成物を調製した。この組成物を実施例１４と同様な処理
を施したセルギヤ・ツブ８μｍのセルに注入し、１枚の
偏光子を偏光面が分子軸に平行になるように配置し、０
．５Ｈｚ。
４０Ｖの低周波数の交流を印加したところ、非常にコン
トラストの良い（１：　１０）　、明瞭なスイッチング
動作が観察され、２５℃における応答時間が８０μｓｅ
ｃと極めて応答の速いカラー液晶表示素子が得られた。
〔発明の効果〕
本発明のごとく液晶化合物を組み合わせることによって
高速応答性を有し、なおかつ室温を含む物とすることが
できた。
また本発明の液晶組成物を使用した光スイツチング素子
は、複屈折型表示方式でも、ゲスト・ホスト型表示方式
でも非常にコントラストのよい明瞭なスイッチング動作
をして、極めて応答の速い液晶表示素子である。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、一般式Ａ ▲数式、化学式、表等があります▼（Ａ） ｛（Ａ）式中、Ｒ＾１は炭素数２〜１８の直鎖又は分岐
    のアルキル基又は炭素数１〜１８の直鎖又は分岐のアル
    コキシ基を示す。又＊は不斉炭素原子を示す。｝ で表わされる光学活性部位を有するカイラル化合物少な
    くとも１種と、スメクチックＣ相、スメクチックＩ相、
    スメクチックＦ相、スメクチックＧ相、スメクチックＨ
    相、スメクチックＪ相、或いはスメクチックに相のいず
    れかの相を有する非カイラル化合物少なくとも１種とを
    含有してなる強誘電性液晶組成物。 ２、請求項１において、一般式Ａで表わされる光学活性
    部位を有するカイラル化合物が、一般式Ｂ ▲数式、化学式、表等があります▼・・・（Ｂ） ｛（Ｂ）式中、Ｒ＾２は炭素数１〜１８の直鎖又は分岐
    のアルキル基又はアルコキシ基、Ｒ＾３は炭素数２〜１
    ８の直鎖又は分岐のアルキル基又は炭素数１〜１８のア
    ルコキシ基、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数
    式、化学式、表等があります▼は、それぞれ独立に▲数
    式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、表等
    があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼、▲
    数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、表
    等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼、
    ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
    表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
    、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式
    、表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります
    ▼、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学
    式、表等があります▼、▲数式、化学式、表等がありま
    す▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
    表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
    、▲数式、化学式、表等があります▼、 を示す。又＊は不斉炭素原子を示す。｝ で表わされる化合物であり、スメクチックＣ相、スメク
    チックＩ相、スメクチックＦ相、スメクチックＧ相、ス
    メクチックＨ相、スメクチックＪ相或いはスメクチック
    に相のいずれかの相を有する非カイラル化合物が一般式
    Ｃ ▲数式、化学式、表等があります▼・・・（Ｃ） ｛（Ｃ）式中、▲数式、化学式、表等があります▼、▲
    数式、化学式、表等があります▼はそれぞれ独立に▲数
    式、化学式、表等があります▼又は▲数式、化学式、表
    等があります▼を示し、Ｒ＾４およびＲ＾５はそれぞれ
    炭素数１〜１８の同一または相異なる直鎖または分岐の
    アルキル基、アルコキシ基またはアルカノイルオキシ基
    を示し、ｌ、ｍおよびｎは０または１を示す。｝ で表わされる化合物である強誘電性液晶組成物。 ３、請求項１あるいは２において、少なくとも下記のＡ
    、ＢおよびＣの３つの液晶成分を含有し、その割合はＡ
    、Ｂ、Ｃの３成分の合計量に対して、Ａが５〜４０重量
    ％、Ｂが２０〜７５重量％、Ｃが５〜３５重量％である
    強誘電性液晶組成物。 但し、Ａ液晶成分は、一般式（Ｂ− I ） ▲数式、化学式、表等があります▼・・・（Ｂ− I ） ｛（Ｂ− I ）式中、Ｒ＾６は炭素数１〜１８の直鎖ま
    たは分岐のアルキル基またはアルコキシ基、Ｒ＾７は炭
    素数２〜１８の直鎖または分岐のアルキル基または炭素
    数１〜１８の直鎖または分岐のアルコキシ基を示す。ま
    た＊は不斉炭素原子を示す。｝ で表わされる化合物、 および一般式（Ｂ−II） ▲数式、化学式、表等があります▼・・・（Ｂ−II） ｛（Ｂ−II）式中、Ｒ＾８は炭素数１〜１８の直鎖また
    は分岐のアルキル基またはアルコキシ基、Ｒ＾９は炭素
    数２〜１８の直鎖または分岐のアルキル基または炭素数
    １〜１８の直鎖または分岐のアルコキシ基を示す。また
    ＊は不斉炭素原子を示す。｝ で表わされる化合物、 および一般式（Ｂ−III） ▲数式、化学式、表等があります▼・・・（Ｂ−III） ｛（Ｂ−III）式中、Ｒ＾１＾０は炭素数１〜１８の直
    鎖または分岐のアルキル基またはアルコキシ基、Ｒ＾１
    ＾１は炭素数２〜１８の直鎖または分岐のアルキル基ま
    たは炭素数１〜１８の直鎖または分岐のアルコキシ基を
    示す。また＊は不斉炭素原子を示す。｝ で表わされる化合物、 および一般式（Ｂ−IV） ▲数式、化学式、表等があります▼・・・（Ｂ−IV） ｛（Ｂ−IV）式中、Ｒ＾１＾２は炭素数１〜１８の直鎖
    または分岐のアルキル基またはアルコキシ基、Ｒ＾１＾
    ３は炭素数２〜１８の直鎖または分岐のアルキル基また
    は炭素数１〜１８の直鎖または分岐のアルコキシ基を示
    す。また＊は不斉炭素原子を示す。｝ で表わされる化合物 および一般式（Ｂ−Ｖ） ▲数式、化学式、表等があります▼・・・（Ｂ−Ｖ） ｛（Ｂ−Ｖ）式中、Ｒ＾１＾４は炭素数１〜１８の直鎖
    または分岐のアルキル基またはアルコキシ基、Ｒ＾１＾
    ５は炭素数２〜１８の直鎖または分岐のアルキル基また
    は炭素数１〜１８の直鎖または分岐のアルコキシ基を示
    す。また＊は不斉炭素原子を示す。｝ で表わされる化合物から選ばれた１種または２種以上の
    化合物であり、 Ｂ液晶成分は、一般式（Ｃ−VI） ▲数式、化学式、表等があります▼・・・（Ｃ−VI） ｛（Ｃ−VI）式中、Ｒ＾１＾６およびＲ＾１＾７はそれ
    ぞれ炭素数１〜１８の同一または相異なる直鎖または分
    岐のアルキル基またはアルコキシ基を示す。｝で表わさ
    れる化合物 および一般式（Ｃ−VII） ▲数式、化学式、表等があります▼・・・（Ｃ−VII） ｛（Ｃ−VII）式中、Ｒ＾１＾８およびＲ＾１＾９はそ
    れぞれ炭素数１〜１８の同一または相異なる直鎖または
    分岐のアルキル基またはアルコキシ基を示す。｝で表わ
    される化合物 および一般式（VIII） ▲数式、化学式、表等があります▼・・・（VIII） ｛（VIII）式中、Ｒ＾２＾０およびＲ＾２＾１はそれぞ
    れ炭素数１〜１８の同一または相異なる直鎖または分岐
    のアルキル基またはアルコキシ基を示す。｝ で表わされる化合物 および一般式（IX） ▲数式、化学式、表等があります▼・・・（IX） ｛（IX）式中、Ｒ＾２＾２は炭素数１〜１８の直鎖また
    は分岐のアルキル基またはアルコキシ基を示し、Ｘは直
    結または−Ｏ−を表わし、ｋは０〜１０を示す。また（
    ±）はラセミ化合物であることを示す。｝ で表わされる化合物から選ばれた１種または２種以上の
    化合物であり、 Ｃ液晶成分は一般式（Ｘ） ▲数式、化学式、表等があります▼・・・（Ｘ） ｛（Ｘ）式中、Ｒ＾２＾３は炭素数１〜１８の直鎖また
    は分岐のアルキル基またはアルコキシ基を示し、Ｙは−
    Ｈ、−Ｆ、−ＣＮを示す。また＊は不斉炭素原子を示す
    。｝ で表わされる化合物から選ばれた１種または２種以上の
    化合物である。 ４、請求項１あるいは２において、少なくとも請求項３
    記載のＡ、Ｂ、Ｃの３成分および下記Ｄ液晶成分の４成
    分を含有し、そのＤの割合がＡ、Ｂ、Ｃの３成分の合計
    量対して５〜２５重量％である強誘電性液晶組成物。 但し、Ｄ液晶成分は、一般式（Ｘ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼・・・（Ｘ I ） ｛（Ｘ I ）式中、Ｒ＾２＾４は炭素数１〜１８の直鎖
    または分岐のアルキル基を示す。また＊は不斉炭素原子
    を示す。｝ で表わされる化合物、 および一般式（ＸII） ▲数式、化学式、表等があります▼・・・（ＸII） ｛（（ＸII）式中、Ｒ＾２＾５は炭素数１〜１８の直鎖
    または分岐のアルキル基またはアルコキシ基を示す。 また＊は不斉炭素原子を示す。｝ で表わされる化合物、 および一般式（ＸIII） ▲数式、化学式、表等があります▼・・・（ＸIII） ｛（ＸIII）式中、Ｒ＾２＾８は炭素数１〜１８の直鎖
    または分岐のアルキル基またはアルコキシ基を示し、Ｚ
    は−Ｈ、−Ｆ、−ＣＮを示す。また＊は不斉炭素原子を
    示す。｝ で表わされる化合物、 および一般式（ＸIV） ▲数式、化学式、表等があります▼・・・（ＸIV） ｛（ＸIV）式中、Ｒ＾２＾７は炭素数１〜１８の直鎖ま
    たは分岐のアルキル基またはアルコキシ基を示し、Ｗは
    −Ｈ、−Ｆ、−ＣＮを示す。また＊は不斉炭素原子を示
    す。｝ で表わされる化合物、 および一般式（ＸＶ） ▲数式、化学式、表等があります▼・・・（ＸＶ） ｛（ＸＶ）式中、Ｒ＾２＾８は炭素数１〜１８の直鎖ま
    たは分岐のアルキル基またはアルコキシ基を示す。 また＊は不斉炭素原子を示す。｝ で表わされる化合物から選ばれた１種または２種以上の
    化合物である。 ５、請求項１、２、３、４のいずれか記載の強誘電性液
    晶組成物を利用して作成してなる光スイッチング素子。
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