JPH02146423U - - Google Patents

Description

【図面の簡単な説明】

第１図は原料ガス流規制用の円筒形の管を設置
した本考案による縦型気相成長装置の一実施例を
示す縦断面図、第２図は原料ガス流規制によるガ
ス流寄生手段を設置したバレル型気相成長装置の
一実施例を示す縦断面図、第３図は原料ガス流規
制によるガス流制御手段を設置した横型気相成長
装置の一実施例を示す縦断面図、第４図は従来の
縦型気相成長装置の一実施例を示す縦断面図、第
５図はウエハの膜厚面内分布の測定点を示すウエ
ハの平面図、第６図は本実施例によるガス流規制
手段を設けていない従来装置による２インチウエ
ハの膜厚面内分布図、第７図は膜厚と挿入管内径
との関係を説明する特性図、第８図は本実施例に
よるガス流規制手段を設けた本装置例による２イ
ンチウエハの膜厚面内分布図である。 １１は反応管、１４はサセプタ、１５は基板、
１８は円筒体、２０は加熱手段、ｄは円筒体の内
径、Ｄ１は反応管の内径、Ｄ２はサセプタの外径
である。

Claims (1)

1. 【実用新案登録請求の範囲】 反応管及び加熱手段が縦に配置され、上記反応
   管内にこれを同軸上に設けられる円筒形状のサセ
   プタに保持した基板表面に対して反応ガスを垂直
   に供給して基板上に結晶成長を行なう縦型気相成
   長装置において、 上記反応管とサセプタとの間に、反応ガスの流
   れを規制して、基板表面を流れるガス流の流速を
   一定にする円筒体を上記軸上に設け、 上記円筒体の内径がサセプタの外径の１１５％
   以上で、上記反応管の内径の９０％以下の大きさ
   を持つ ことを特徴とする縦型気相成長装置。