JPH0356042Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0356042Y2 JPH0356042Y2 JP1982055268U JP5526882U JPH0356042Y2 JP H0356042 Y2 JPH0356042 Y2 JP H0356042Y2 JP 1982055268 U JP1982055268 U JP 1982055268U JP 5526882 U JP5526882 U JP 5526882U JP H0356042 Y2 JPH0356042 Y2 JP H0356042Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- coil
- susceptor
- coil support
- support
- frequency heating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/10—Heating of the reaction chamber or the substrate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/08—Reaction chambers; Selection of materials therefor
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/12—Substrate holders or susceptors
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
- C30B29/06—Silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/16—Oxides
- C30B29/20—Aluminium oxides
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は、エピタキシヤル成長装置の高周波加
熱コイル（以下、コイルという）の保持装置に関
するものである。
熱コイル（以下、コイルという）の保持装置に関
するものである。
シリコン等の単結晶基板（以下ウエハという）
上にエピタキシヤル成長により薄膜を形成するた
めのエピタキシヤル成長装置として、例えば第１
図に概略構造を示すような装置が実用化されてい
る。第１図において、ベルジヤ１とベースプレー
ト２で構成されている反応室３内には、反応ガス
導入管４より反応ガス５が導入され、ノズル６か
ら噴出されるようになつている。反応室３内には
サセプタ７が設けられ、このサセプタ７は駆動装
置８にて回転を与えられる中空軸９に支持されて
低速で回転すると共に、後述するようにサセプタ
７の下方に設けられているコイル１０により加熱
され、サセプタ７上に載置されているウエハ１１
を加熱しつつ低速で回転させ、前記ノズル６から
噴出させる反応ガス５によりウエハ１１上にエピ
タキシヤル層を形成するものである。なお、反応
室３内に噴出された反応ガス５のうちの未反応ガ
スは排出口１２から排出される。このようなエピ
タキシヤル成長装置は、エピタキシヤル層の性
能、均一性、再現性に優れていることが望まし
い。エピタキシヤル層に影響する因子としては、
例えば、反応ガスの流量、濃度、純度、流れ方、
反応時間等多々あるが、ウエハ１１およびサセプ
タ７の温度も重要な因子となつている。これらの
温度は、反応ガスの流れ方や流量、種類等によつ
ても変わるが、コイル１０の半径方向のピツチ、
表面積、コイル１０とサセプタ７との全体的な距
離のみならず、１ターン毎のコイル１０とサセプ
タ７との距離によつて調節する必要があり、この
ためコイル１０の全体の支え方と部分的な距離の
調整の仕方が重要なポイントとなる。従来のコイ
ル保持装置は、第２図ないし第５図にすように、
コイル１０の下方に図示しない支柱によりベース
プレート２に固定された２本の棒１３ａ，１３ｂ
で１組をなすコイル支え１３を間隔を置いて平行
に２組設け、これらの棒１３ａ，１３ｂの間に位
置するようにコイル１０の下面に適宜な間隔を置
いてボルト１４を溶接し、これらのボルト１４を
棒１３ａ，１３ｂの間に通すと共に、棒１３ａ，
１３ｂを挾んでボルト１４にはめた手回しナツト
１５，１６、または支持片１７，１８を介しては
められたナツト１９，２０によりコイル支え１３
に対しコイル１０を所定の高さになるように、す
なわち第１図に示したサセプタ７とコイル１０の
間隔が所定の値になるようにしたものがある。と
ころで、このコイル保持装置は、コイル支え１３
の上下に位置する手回しナツト１５，１６および
ナツト１９，２０の両方を回わさなければ、コイ
ル１０の高さ調整ができない。コイル支え１３の
上方に位置する手回しナツト１５およびナツト１
９は、これらとコイル１０の下面との間隔がせま
く、かつコイル１０とベースプレート２との間隔
もあまり広くなく、さらにコイル１０の周囲は操
作面側を残して他の三方はカバーで囲われるた
め、一旦、装置を組立ててしまうと、特に奥側の
ものは回しにくく、コイル１０の高さ調整が非常
に困難であつた。
上にエピタキシヤル成長により薄膜を形成するた
めのエピタキシヤル成長装置として、例えば第１
図に概略構造を示すような装置が実用化されてい
る。第１図において、ベルジヤ１とベースプレー
ト２で構成されている反応室３内には、反応ガス
導入管４より反応ガス５が導入され、ノズル６か
ら噴出されるようになつている。反応室３内には
サセプタ７が設けられ、このサセプタ７は駆動装
置８にて回転を与えられる中空軸９に支持されて
低速で回転すると共に、後述するようにサセプタ
７の下方に設けられているコイル１０により加熱
され、サセプタ７上に載置されているウエハ１１
を加熱しつつ低速で回転させ、前記ノズル６から
噴出させる反応ガス５によりウエハ１１上にエピ
タキシヤル層を形成するものである。なお、反応
室３内に噴出された反応ガス５のうちの未反応ガ
スは排出口１２から排出される。このようなエピ
タキシヤル成長装置は、エピタキシヤル層の性
能、均一性、再現性に優れていることが望まし
い。エピタキシヤル層に影響する因子としては、
例えば、反応ガスの流量、濃度、純度、流れ方、
反応時間等多々あるが、ウエハ１１およびサセプ
タ７の温度も重要な因子となつている。これらの
温度は、反応ガスの流れ方や流量、種類等によつ
ても変わるが、コイル１０の半径方向のピツチ、
表面積、コイル１０とサセプタ７との全体的な距
離のみならず、１ターン毎のコイル１０とサセプ
タ７との距離によつて調節する必要があり、この
ためコイル１０の全体の支え方と部分的な距離の
調整の仕方が重要なポイントとなる。従来のコイ
ル保持装置は、第２図ないし第５図にすように、
コイル１０の下方に図示しない支柱によりベース
プレート２に固定された２本の棒１３ａ，１３ｂ
で１組をなすコイル支え１３を間隔を置いて平行
に２組設け、これらの棒１３ａ，１３ｂの間に位
置するようにコイル１０の下面に適宜な間隔を置
いてボルト１４を溶接し、これらのボルト１４を
棒１３ａ，１３ｂの間に通すと共に、棒１３ａ，
１３ｂを挾んでボルト１４にはめた手回しナツト
１５，１６、または支持片１７，１８を介しては
められたナツト１９，２０によりコイル支え１３
に対しコイル１０を所定の高さになるように、す
なわち第１図に示したサセプタ７とコイル１０の
間隔が所定の値になるようにしたものがある。と
ころで、このコイル保持装置は、コイル支え１３
の上下に位置する手回しナツト１５，１６および
ナツト１９，２０の両方を回わさなければ、コイ
ル１０の高さ調整ができない。コイル支え１３の
上方に位置する手回しナツト１５およびナツト１
９は、これらとコイル１０の下面との間隔がせま
く、かつコイル１０とベースプレート２との間隔
もあまり広くなく、さらにコイル１０の周囲は操
作面側を残して他の三方はカバーで囲われるた
め、一旦、装置を組立ててしまうと、特に奥側の
ものは回しにくく、コイル１０の高さ調整が非常
に困難であつた。
本考案は、前述した点に鑑みなされたもので、
コイルの高さ調整を簡単に行ない得るようにした
エピタキシヤル成長装置のコイル保持装置を提供
するにある。
コイルの高さ調整を簡単に行ない得るようにした
エピタキシヤル成長装置のコイル保持装置を提供
するにある。
以下本考案の一実施例を示す第６図ないし第７
図について説明する。第６図において、１０はコ
イル、２１ａ，２１ｂ，２１ｃはコイル支えであ
る。なお、この第６図は前記コイル１０およびコ
イル支え２１ａないし２１ｃを下方から上向きに
見た図であり、同図において上方が操作面側、下
方が奥側である。これらのコイル支え２１ａない
し２１ｃは、Y2O3またはCeO2等の焼結助剤を添
加するかもしくは添加せずにホツトプレス法ある
いは常圧焼結法等の成形法によつて得られた高密
度Si3N4（シリコンナイトライド）あるいはSi3N4
とAl2O3の複合セラミツクであるサイアロンの板
状体からなつている。これらの３組のコイル支え
２１ａないし２１ｃは、それぞれコイル１０の中
心寄り位置から外周部まで放射状に設けられ、３
組のうちの１組のコイル支え２１ａは第６図にお
いて上方の前記操作面側に向けられ、他の２組の
コイル支え２１ｂ，２１ｃは前記コイル支え２１
ａと略120°の角度をなして装置の奥側（第６図に
おいて下方）に位置するように配置されている。
図について説明する。第６図において、１０はコ
イル、２１ａ，２１ｂ，２１ｃはコイル支えであ
る。なお、この第６図は前記コイル１０およびコ
イル支え２１ａないし２１ｃを下方から上向きに
見た図であり、同図において上方が操作面側、下
方が奥側である。これらのコイル支え２１ａない
し２１ｃは、Y2O3またはCeO2等の焼結助剤を添
加するかもしくは添加せずにホツトプレス法ある
いは常圧焼結法等の成形法によつて得られた高密
度Si3N4（シリコンナイトライド）あるいはSi3N4
とAl2O3の複合セラミツクであるサイアロンの板
状体からなつている。これらの３組のコイル支え
２１ａないし２１ｃは、それぞれコイル１０の中
心寄り位置から外周部まで放射状に設けられ、３
組のうちの１組のコイル支え２１ａは第６図にお
いて上方の前記操作面側に向けられ、他の２組の
コイル支え２１ｂ，２１ｃは前記コイル支え２１
ａと略120°の角度をなして装置の奥側（第６図に
おいて下方）に位置するように配置されている。
コイル支え２１ａないし２１ｃは、第７図にコ
イル支え２１ａの一部を代表させて示すように、
座２３、中空支柱２４、押さえ棒２５からなる固
定手段２２によりベースプレート２に対して固定
されている。
イル支え２１ａの一部を代表させて示すように、
座２３、中空支柱２４、押さえ棒２５からなる固
定手段２２によりベースプレート２に対して固定
されている。
コイル支え２１ａないし２１ｃには、これらの
コイル支えに対してコイル１０を保持するための
保持手段２６が、第６図に示すように、コイル１
０の１ターン毎の下面に対応して、“ちどり″状
に配置されている。保持手段２６は、第７図に示
すようになつている。すなわち、コイル１０の下
面に溶接された固着ナツト２７に下方に向つて伸
びるボルト２８がねじ込み固定され、他方、コイ
ル支え２１ａ（２１ｂ，２１ｃについても同じ）
にはボルト２８をねじ係合してねじ対偶をなすめ
ねじ２９がつば３０とロツクナツト３１，３２に
より回転のみ可能に取付けられ、めねじ２９およ
びボルト２８を介してコイル１０をコイル支え２
１ａに対して所定の位置関係を保つて保持するよ
うになつている。なお、前記ロツクナツト３１，
３２は図示のようにコイル支え２１ａの下面側に
配置され、めねじ２９を回すためのハンドル的な
役目を持つように構成されている。
コイル支えに対してコイル１０を保持するための
保持手段２６が、第６図に示すように、コイル１
０の１ターン毎の下面に対応して、“ちどり″状
に配置されている。保持手段２６は、第７図に示
すようになつている。すなわち、コイル１０の下
面に溶接された固着ナツト２７に下方に向つて伸
びるボルト２８がねじ込み固定され、他方、コイ
ル支え２１ａ（２１ｂ，２１ｃについても同じ）
にはボルト２８をねじ係合してねじ対偶をなすめ
ねじ２９がつば３０とロツクナツト３１，３２に
より回転のみ可能に取付けられ、めねじ２９およ
びボルト２８を介してコイル１０をコイル支え２
１ａに対して所定の位置関係を保つて保持するよ
うになつている。なお、前記ロツクナツト３１，
３２は図示のようにコイル支え２１ａの下面側に
配置され、めねじ２９を回すためのハンドル的な
役目を持つように構成されている。
次いで本装置の作用について説明する。第６図
から明らかなようにコイル１０は、保持手段２６
により略120°の角度間隔でコイル支え２１ａない
し２１ｃに保持される。コイル１０とサセプタ７
との全体的な間隔は、中空支柱２４および押え棒
２５の長さによつて予じめ定められるが、部分的
な間隔すなわちコイル１０の高さ調整や、組立後
あるいは運転状態を見ながらの間隔調整はめねじ
２９を回して、これとねじ対偶を形成しているボ
ルト２８を上下動させることにより行なう。この
ように、組立後の間隔調整は、コイル支え２１ａ
ないし２１ｃの下方に位置しているロツクナツト
３１，３２により単にめねじ２９を回すのみでよ
いため、操作面側に位置するコイル支え２１ａに
設けられている各めねじ２９はもちろん、奥側に
位置するコイル支え２１ｂ，２１ｃに設けられて
いる各めねじ２９も容易に回すことができ、前記
間隔調整を簡単かつ的確に行うことができる。
から明らかなようにコイル１０は、保持手段２６
により略120°の角度間隔でコイル支え２１ａない
し２１ｃに保持される。コイル１０とサセプタ７
との全体的な間隔は、中空支柱２４および押え棒
２５の長さによつて予じめ定められるが、部分的
な間隔すなわちコイル１０の高さ調整や、組立後
あるいは運転状態を見ながらの間隔調整はめねじ
２９を回して、これとねじ対偶を形成しているボ
ルト２８を上下動させることにより行なう。この
ように、組立後の間隔調整は、コイル支え２１ａ
ないし２１ｃの下方に位置しているロツクナツト
３１，３２により単にめねじ２９を回すのみでよ
いため、操作面側に位置するコイル支え２１ａに
設けられている各めねじ２９はもちろん、奥側に
位置するコイル支え２１ｂ，２１ｃに設けられて
いる各めねじ２９も容易に回すことができ、前記
間隔調整を簡単かつ的確に行うことができる。
第８図は、コイル１０を保持するための他の保
持手段２６ａを示すもので、ボルト２８ａをコイ
ル１０の下面に直接溶接し、他方、めねじ２９ａ
はつば３０ａと止め輪３３によりコイル支え２１
ａに回転のみ可能に取付け、めねじ２９ａは下方
に位置する前記つば３０ａにより回転させるよう
にしたものである。
持手段２６ａを示すもので、ボルト２８ａをコイ
ル１０の下面に直接溶接し、他方、めねじ２９ａ
はつば３０ａと止め輪３３によりコイル支え２１
ａに回転のみ可能に取付け、めねじ２９ａは下方
に位置する前記つば３０ａにより回転させるよう
にしたものである。
第９図は、さらに他の保持手段２６ｂを示すも
ので、コイル１０にめねじ２９ｂを固着し、コイ
ル支え２１ａないし２１ｃに回転のみ可能に係合
したボルト２８ｂを前記めねじ２９ｂにねじ係合
させ、ボルト２８ｂの下端に設けられているちよ
う形頭部３４を回すことによりコイル１０を上下
動させるようにしたものである。
ので、コイル１０にめねじ２９ｂを固着し、コイ
ル支え２１ａないし２１ｃに回転のみ可能に係合
したボルト２８ｂを前記めねじ２９ｂにねじ係合
させ、ボルト２８ｂの下端に設けられているちよ
う形頭部３４を回すことによりコイル１０を上下
動させるようにしたものである。
第１０図は、さらに他の保持手段２６ｃを示す
もので、コイル支え２１ａないし２１ｃに直接ま
たは他の材質からなる嵌着部材によりめねじ２９
ｃを形成し、これにおねじ２８ｃをねじ係合し、
コイル１０に固着した連結棒２５を前記おねじ２
８ｃに回転のみ可能に係合し、おねじ２８ｃのつ
ば３０ｃを回すことによりおねじ２８ｃと共にコ
イル１０を上下動させるようにしたものである。
もので、コイル支え２１ａないし２１ｃに直接ま
たは他の材質からなる嵌着部材によりめねじ２９
ｃを形成し、これにおねじ２８ｃをねじ係合し、
コイル１０に固着した連結棒２５を前記おねじ２
８ｃに回転のみ可能に係合し、おねじ２８ｃのつ
ば３０ｃを回すことによりおねじ２８ｃと共にコ
イル１０を上下動させるようにしたものである。
以上述べたように本考案によれば、コイルとコ
イル支えの間に設けられているねじ対偶の一方の
回転側を単にコイル支えの下面側から回すのみで
コイルを部分的に上下動させてコイルとサセプタ
の間隔を容易に調整することができ、このためサ
セプタおよびその上に載置されているウエハの温
度分布をより好ましい状態に定めて良好なエピタ
キシヤル成長を可能にする効果が得られる。
イル支えの間に設けられているねじ対偶の一方の
回転側を単にコイル支えの下面側から回すのみで
コイルを部分的に上下動させてコイルとサセプタ
の間隔を容易に調整することができ、このためサ
セプタおよびその上に載置されているウエハの温
度分布をより好ましい状態に定めて良好なエピタ
キシヤル成長を可能にする効果が得られる。
第１図はエピタキシヤル成長装置の概要縦断面
図、第２図は従来のコイル支え装置を示す下面
図、第３図は第２図の−線による断面図、第
４図は第３図の−線による断面図、第５図は
第３図の−線による断面図、第６図は本考案
によるコイル支え装置の一実施例を示す断面図、
第７図は第６図の−線による拡大断面図、第
８図、第９図および第１０図はそれぞれ本考案の
他の実施例を示す部分拡大断面図である。 １……ベルジヤ、２……ベースプレート、３…
…反応室、６……ノズル、７……サセプタ、１０
……高周波加熱コイル、１１……ウエハ、２１
ａ，２１ｂ，２１ｃ……コイル支え、２２……コ
イル支えの固定手段、２６，２６ａ，２６ｂ，２
６ｃ……コイルの保持手段、２８，２８ａ，２８
ｂ……ボルト、２８ｃ……おねじ、２９，２９
ａ，２９ｂ，２９ｃ……めねじ、３１，３２……
ロツクナツト、３３……止め輪、３５……連結
棒。
図、第２図は従来のコイル支え装置を示す下面
図、第３図は第２図の−線による断面図、第
４図は第３図の−線による断面図、第５図は
第３図の−線による断面図、第６図は本考案
によるコイル支え装置の一実施例を示す断面図、
第７図は第６図の−線による拡大断面図、第
８図、第９図および第１０図はそれぞれ本考案の
他の実施例を示す部分拡大断面図である。 １……ベルジヤ、２……ベースプレート、３…
…反応室、６……ノズル、７……サセプタ、１０
……高周波加熱コイル、１１……ウエハ、２１
ａ，２１ｂ，２１ｃ……コイル支え、２２……コ
イル支えの固定手段、２６，２６ａ，２６ｂ，２
６ｃ……コイルの保持手段、２８，２８ａ，２８
ｂ……ボルト、２８ｃ……おねじ、２９，２９
ａ，２９ｂ，２９ｃ……めねじ、３１，３２……
ロツクナツト、３３……止め輪、３５……連結
棒。
Claims (1)
- ベースプレートとベルジヤにより形成された反
応室内にサセプタを設け、該サセプタの下方に設
けられている渦巻状の高周波加熱コイルにより前
記サセプタおよびその上に載置されているウエハ
を加熱するようにしたエピタキシヤル成長装置の
コイル保持装置において、ベースプレートの上面
から所定高さに設けられたコイル支えと、前記高
周波加熱コイルを適宜な間隔を置いて前記コイル
支えに連結して支持する複数の保持手段そからな
り、前記保持手段はそれ自身の中ないしはそれと
高周波加熱コイルまたはコイル支えの間にねじ対
偶を形成し、該ねじ対偶の一方がコイル支え側に
支持されると共に他方が高周波加熱コイルを支持
するように構成し、かつ前記ねじ対偶のうちコイ
ル支えに対して回転する側をコイル支えの下面側
に突出させるようにしたことを特徴とするエピタ
キシヤル成長装置のコイル保持装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1982055268U JPS58158438U (ja) | 1982-04-16 | 1982-04-16 | エピタキシヤル成長装置のコイル保持装置 |
| GB08309427A GB2120279B (en) | 1982-04-16 | 1983-04-07 | Support for induction heating coil in epitaxial growing apparatus of semiconductor wafers |
| KR1019830001556A KR840004824A (ko) | 1982-04-16 | 1983-04-14 | 반도체 웨이퍼의 에피택셜 생장장치 |
| DE19833313695 DE3313695A1 (de) | 1982-04-16 | 1983-04-15 | Geraet zum epitaxialen aufwachsen von schichten auf halbleitersubstraten |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1982055268U JPS58158438U (ja) | 1982-04-16 | 1982-04-16 | エピタキシヤル成長装置のコイル保持装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58158438U JPS58158438U (ja) | 1983-10-22 |
| JPH0356042Y2 true JPH0356042Y2 (ja) | 1991-12-16 |
Family
ID=12993852
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1982055268U Granted JPS58158438U (ja) | 1982-04-16 | 1982-04-16 | エピタキシヤル成長装置のコイル保持装置 |
Country Status (4)
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