JPH0214895A - 極微細柱状晶構造薄膜 - Google Patents
極微細柱状晶構造薄膜Info
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- JPH0214895A JPH0214895A JP16470988A JP16470988A JPH0214895A JP H0214895 A JPH0214895 A JP H0214895A JP 16470988 A JP16470988 A JP 16470988A JP 16470988 A JP16470988 A JP 16470988A JP H0214895 A JPH0214895 A JP H0214895A
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- columnar crystal
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- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
この発明は、極微細柱状晶＃４造薄膜に関するものであ
る。さらに詳しくは、この発明は、電子デバイス、記録
材料、光学材料等のｉ能性薄膜として有用な極微細柱状
晶薄膜に関するものである。
る。さらに詳しくは、この発明は、電子デバイス、記録
材料、光学材料等のｉ能性薄膜として有用な極微細柱状
晶薄膜に関するものである。
（背景技術）
近年のエレクトロニクス、電気・磁気技術の発展に伴い
、各種センサー、磁気記録媒体、半導体等の分野で薄）
膜技術はますます重要になってきている。
、各種センサー、磁気記録媒体、半導体等の分野で薄）
膜技術はますます重要になってきている。
この薄膜の製造技術には気相成長法と液相成長法とがあ
り、たとえば気相成長法としてはスパッタリング法、真
空蒸着法、イオンブレーティング法、ＣＶＤ法等が広く
用いられてきている。
り、たとえば気相成長法としてはスパッタリング法、真
空蒸着法、イオンブレーティング法、ＣＶＤ法等が広く
用いられてきている。
しかしながら、このような従来の薄＠製造技術において
は、薄膜の特性に影響を及ぼず製造法上の因子が多く、
それらが複雑に相互作用し、そのわずかな変化によって
も形成する薄膜の特性が大きく変化してしまう。
は、薄膜の特性に影響を及ぼず製造法上の因子が多く、
それらが複雑に相互作用し、そのわずかな変化によって
も形成する薄膜の特性が大きく変化してしまう。
たとえば、垂直磁気記録媒体として使用する。
Ｃｏ Ｃｒ１ｌｌＱは、スパッタリング法により基板
上に形成する柱状晶構造の薄膜であるが、その薄膜の組
成、結晶構造、結晶組繊はガス圧、ガス流量、温度、出
力、時間、残留ガス量等多くのスパッタリング条件に応
じて変化し、それら諸条件のすべてを適切に制御しない
と所望の磁気特性を有する薄膜を得ることはできない、
これらの条件は相互に密接に関係しており、効率的かつ
安定に所望の磁気特性を有するＣｏ−Ｃｒ薄膜を得るこ
とは難しい。
上に形成する柱状晶構造の薄膜であるが、その薄膜の組
成、結晶構造、結晶組繊はガス圧、ガス流量、温度、出
力、時間、残留ガス量等多くのスパッタリング条件に応
じて変化し、それら諸条件のすべてを適切に制御しない
と所望の磁気特性を有する薄膜を得ることはできない、
これらの条件は相互に密接に関係しており、効率的かつ
安定に所望の磁気特性を有するＣｏ−Ｃｒ薄膜を得るこ
とは難しい。
このため、薄膜の製造法上の因子にあまり左右されるこ
とがなく、しかも効率的、かつ安定に所要の柱状４′ｖ
Ｕ造薄膜を形成することのできる方策とそれによる機能
性薄膜の実現が望まれていた。
とがなく、しかも効率的、かつ安定に所要の柱状４′ｖ
Ｕ造薄膜を形成することのできる方策とそれによる機能
性薄膜の実現が望まれていた。
（発明の目的）
この発明は、以上の通りの事情を踏まえてなされたもの
であり、任意の条件により所望の柱状構造とそれによる
特性を効率的に、かつ安定して得ることのできる新しい
薄膜を提供することも目的としている。
であり、任意の条件により所望の柱状構造とそれによる
特性を効率的に、かつ安定して得ることのできる新しい
薄膜を提供することも目的としている。
（発明の開示）
この発明は、上記の目的を実現するために、極Ｗ＆ ４
［［１突起を有する基板上に堆積させて形成した、金属
または無機化合物の４Ｉｉ１微細柱状晶からなることを
特徴とする極微細柱状晶薄膜を提供する。
［［１突起を有する基板上に堆積させて形成した、金属
または無機化合物の４Ｉｉ１微細柱状晶からなることを
特徴とする極微細柱状晶薄膜を提供する。
この発明の＃ｌｌ微細柱状晶脱膜、第１図に示すように
、基板（１）の’ＩｔＲ細突起（２）上に形成した極微
細柱状晶（３）から構成されるものであり、この極微細
柱状晶薄膜は、より具体的には、径０．０１〜５μｍ、
分布密度５Ｘ１０’〜５ｘ１０’個／ ｎｍ２の極１ｉ
ａ ＩＩＩ柱状晶（３）からなるものものが好適なもの
として例示される。
、基板（１）の’ＩｔＲ細突起（２）上に形成した極微
細柱状晶（３）から構成されるものであり、この極微細
柱状晶薄膜は、より具体的には、径０．０１〜５μｍ、
分布密度５Ｘ１０’〜５ｘ１０’個／ ｎｍ２の極１ｉ
ａ ＩＩＩ柱状晶（３）からなるものものが好適なもの
として例示される。
このような結晶形態を有する構成材料には特に制限はな
く、金属またはその酸化物、窒化物、珪化物等から適宜
にすることができ、複数種の構成元素からなるものでも
よい。たとえば、ＰｔＭｎＳｂ、ＳｎＯ２、Ａ ＩＮ、
ＦｅＣｏ、Ｃｏ−Ｃｒ、ＩＴＯ，Ｆｅ−Ｂ−０，Ｆｅ−
Ｂ−Ｎ等から構成することができる。
く、金属またはその酸化物、窒化物、珪化物等から適宜
にすることができ、複数種の構成元素からなるものでも
よい。たとえば、ＰｔＭｎＳｂ、ＳｎＯ２、Ａ ＩＮ、
ＦｅＣｏ、Ｃｏ−Ｃｒ、ＩＴＯ，Ｆｅ−Ｂ−０，Ｆｅ−
Ｂ−Ｎ等から構成することができる。
このような極微細柱状晶薄膜は、表面に極微細突起を有
する基板上に形成したものでありこの極（放線突起は、
より具体的には、径０．０１〜１μｍ、高さ０．０１〜
３ ）ｔｍ、分布密度８×１０５〜８×１０９個／１１
２程度の突起とすることが好ましい。
する基板上に形成したものでありこの極（放線突起は、
より具体的には、径０．０１〜１μｍ、高さ０．０１〜
３ ）ｔｍ、分布密度８×１０５〜８×１０９個／１１
２程度の突起とすることが好ましい。
この極微細突起を有する基板上に形成するこの発明の薄
膜は、スパッタリング法、真空蒸着法、イオンブレーテ
ィング法、イオンビーム法、ＣＶＤ法等の気相法あるい
は電解析出、無電解析出等の液相法など公知のＲ膜製造
方法を適宜に利用して形成することができる。これらの
いずれの方法を利用する場合においても、容易にかつ安
定に極微細柱状晶構造の薄膜に形成することができる。
膜は、スパッタリング法、真空蒸着法、イオンブレーテ
ィング法、イオンビーム法、ＣＶＤ法等の気相法あるい
は電解析出、無電解析出等の液相法など公知のＲ膜製造
方法を適宜に利用して形成することができる。これらの
いずれの方法を利用する場合においても、容易にかつ安
定に極微細柱状晶構造の薄膜に形成することができる。
たとえばスパッタリング法による場合には、基板温度を
室温〜１５０℃、スパッタ電力を２００Ｗ程度とする。
室温〜１５０℃、スパッタ電力を２００Ｗ程度とする。
またその場合、極微細柱状晶の粒径はスパッタリング時
間に応じて容易に制御することができる。
間に応じて容易に制御することができる。
基板材料に関しても特に制限はなく、ポリイミド、ポリ
プロピレン等のプラスチックス、硬質ガラス（石英）、
セラミックス、金属、あるいはＡ１．０３、ＡＩＮをは
じめとする酸化物、窒化物、炭化物、珪化物等を広く用
いることができる。また、基板上に設ける極微細突起上 チング法を用いて、基板にイオン、原子を激しく衝突さ
せることにより形成することができる。
プロピレン等のプラスチックス、硬質ガラス（石英）、
セラミックス、金属、あるいはＡ１．０３、ＡＩＮをは
じめとする酸化物、窒化物、炭化物、珪化物等を広く用
いることができる。また、基板上に設ける極微細突起上 チング法を用いて、基板にイオン、原子を激しく衝突さ
せることにより形成することができる。
この発明の薄膜の形成過程について説明すると、まずそ
の初期においては、基板の極微細突起上に金属または無
機化合物の薄膜構成材料の原子が堆積、成長し、いわゆ
る超微粒子配向膜が形成される。そしてさらに堆積をす
すめると、微粒子どうしの会合がはじまり、極微細柱状
晶薄膜薄膜を形成する。この場合、薄膜の極微細柱状晶
構造は、基板の突起のサイズ、分布に依存するが、従来
のように製造条件のわずかの差異による影響を複雑に受
けることはない。このため任意の薄膜製造方法において
、基板の突起構造を制御することにより容易にかつ安定
に所要の極微細柱状晶構造の薄膜を得ることができる。
の初期においては、基板の極微細突起上に金属または無
機化合物の薄膜構成材料の原子が堆積、成長し、いわゆ
る超微粒子配向膜が形成される。そしてさらに堆積をす
すめると、微粒子どうしの会合がはじまり、極微細柱状
晶薄膜薄膜を形成する。この場合、薄膜の極微細柱状晶
構造は、基板の突起のサイズ、分布に依存するが、従来
のように製造条件のわずかの差異による影響を複雑に受
けることはない。このため任意の薄膜製造方法において
、基板の突起構造を制御することにより容易にかつ安定
に所要の極微細柱状晶構造の薄膜を得ることができる。
この発明の薄膜は以上のように特徴的な結晶構造を有し
ていることにより、従来の薄膜には見られない機能特性
を発揮する。
ていることにより、従来の薄膜には見られない機能特性
を発揮する。
たとえば、この発明の薄ＷＡ構造を磁気記録媒体として
利用すると、その保磁力を著しく大きくすることができ
、また垂直磁気異方性を優位にすることができる。
利用すると、その保磁力を著しく大きくすることができ
、また垂直磁気異方性を優位にすることができる。
また、薄膜が非常に大きい比表面積を有することから、
各種センサーとしてとして優れたものとなる。
各種センサーとしてとして優れたものとなる。
なお、このような極微細柱状晶構造に起因する特性は熱
処理等を施すことにより一層改善することができ、その
ような薄膜もこの発明に包含されるものである。
処理等を施すことにより一層改善することができ、その
ような薄膜もこの発明に包含されるものである。
以下、この発明を実施例に基づいて具体的に説明する。
実施例Ｉ
Ａｒガスプラズマエツチングにより表面に０．３μｍ径
、高さ１μｍ、分布密度５ｘｌＯ’個／ｍｒｒ？の微細
突起を形成したポリイミドフィルムを、次のスパッタリ
ング条件でＰｔＭｎＳｂの極微細柱状晶薄膜を形成した
。
、高さ１μｍ、分布密度５ｘｌＯ’個／ｍｒｒ？の微細
突起を形成したポリイミドフィルムを、次のスパッタリ
ング条件でＰｔＭｎＳｂの極微細柱状晶薄膜を形成した
。
（スパッタリング条件）
到達真空度； ９ Ｘ １０−”ＴｏｒｒＡｒスパッタ
圧； Ｉ Ｘ １０−”Ｔｏｒｒ基板温度：５０℃ 出力、２００Ｗ この場合のスパッタリングの時間、５分、１０分、２０
分、４０分における結晶の成長過程を示したものが第２
図（ａ）〜（ｄ）である。
圧； Ｉ Ｘ １０−”Ｔｏｒｒ基板温度：５０℃ 出力、２００Ｗ この場合のスパッタリングの時間、５分、１０分、２０
分、４０分における結晶の成長過程を示したものが第２
図（ａ）〜（ｄ）である。
実施例２
表面に微４．■突起を形成したポリプロピレンフィルム
を基板として、実施例１と同様にスパッタリングにより
Ｓ ｎ Ｏ２の極微細柱状晶薄膜を形成した。
を基板として、実施例１と同様にスパッタリングにより
Ｓ ｎ Ｏ２の極微細柱状晶薄膜を形成した。
（スパッタリング条件）
到達真空度； Ｉ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒ（Ａ ｒ ＋
０２スパッタ圧； ３ Ｘ １０−２Ｔｏｒｒ出力Ｘ時
間；２５ＷＸ１２０分 得られたＳ ｎ Ｏ２の極微細柱状晶薄膜薄膜を示した
ものが第３図である。
０２スパッタ圧； ３ Ｘ １０−２Ｔｏｒｒ出力Ｘ時
間；２５ＷＸ１２０分 得られたＳ ｎ Ｏ２の極微細柱状晶薄膜薄膜を示した
ものが第３図である。
実施例３
表面に微細突起を形成したＡ ｌ ２０ ｓを基板とし
て、実施例１と同様にスパッタリングによりＡＩＮの極
微細柱状晶薄膜を形成した。
て、実施例１と同様にスパッタリングによりＡＩＮの極
微細柱状晶薄膜を形成した。
（スパッタリング条件）
到達真空度； ７ Ｘ １０−７ＴｏｒｒＮ２スパッタ
圧、５．３Ｘ１０づＴｏｒｒ基板温度：１００°Ｃ 出力Ｘ時間； ２００Ｗｘ １５５＋ｎｉｎ得られたＡ
ＩＮの極微細柱状晶薄膜薄膜を示したものが第４図であ
る。
圧、５．３Ｘ１０づＴｏｒｒ基板温度：１００°Ｃ 出力Ｘ時間； ２００Ｗｘ １５５＋ｎｉｎ得られたＡ
ＩＮの極微細柱状晶薄膜薄膜を示したものが第４図であ
る。
実施例４
表面に微細突起を形成したＡ１□０．を基板として、実
施例１と同様にスパッタリングによりＦｅ−Ｃｏの極微
細柱状晶薄膜を形成した。
施例１と同様にスパッタリングによりＦｅ−Ｃｏの極微
細柱状晶薄膜を形成した。
（スパッタリング条件）
到達真空度；１゜２ Ｘ １０−’ＴｏｒｒＡｒスパッ
タ圧； ５ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒ基板温度：３０℃ 出力Ｘ時間； ２００ＷＸ ３０ｎ＋ｉｎ得られたＦｅ
−Ｃｏの極微細柱状晶薄１模を第５図に示した。
タ圧； ５ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒ基板温度：３０℃ 出力Ｘ時間； ２００ＷＸ ３０ｎ＋ｉｎ得られたＦｅ
−Ｃｏの極微細柱状晶薄１模を第５図に示した。
実施例５
表面に微小突起を形成したＡ ｌ ２０ｓを基板として
、実施例１と同様にスパッタリングによりＦｅ−Ｃｏの
極微細柱状晶！Ｒ造薄膜を形成した。
、実施例１と同様にスパッタリングによりＦｅ−Ｃｏの
極微細柱状晶！Ｒ造薄膜を形成した。
（スパッタリング条件）
到達真空度； １ 、２ ｘ １０−’ＴｏｒｒＡｒス
パッタ圧； ４ Ｘ １０−２Ｔｏｒｒ基板温度；３０
°Ｃ 出力Ｘ時間； ２００ＷＸ ３０１ｉｎ明細書の浄書（
内容に変更なし） １：＞られたＦｅ−Ｃｏの極微細柱状晶薄膜を第６図に
示した。
パッタ圧； ４ Ｘ １０−２Ｔｏｒｒ基板温度；３０
°Ｃ 出力Ｘ時間； ２００ＷＸ ３０１ｉｎ明細書の浄書（
内容に変更なし） １：＞られたＦｅ−Ｃｏの極微細柱状晶薄膜を第６図に
示した。
実施例６
実施例５と同様の基板を用いて、無電解析出法によって
Ｎｉ−Ｃｏの極微細柱状晶薄膜を形成した。
Ｎｉ−Ｃｏの極微細柱状晶薄膜を形成した。
以上のようにして得られた薄膜は、偏光性、磁化方向、
保磁力に関し、従来の薄膜に見られない特性を発揮した
。
保磁力に関し、従来の薄膜に見られない特性を発揮した
。
（発明の効果）
この発明により、極微１１ｍ突起を表面に有する基板上
に形成した、金属または無機化合物の＋シ′！微細柱状
晶からなる極微細柱状晶薄膜の薄膜か実現される。この
薄膜は、任意の薄膜製造法により容易にかつ安定に所望
の極微細柱状晶＃ｉ造を有するものとして実現される。
に形成した、金属または無機化合物の＋シ′！微細柱状
晶からなる極微細柱状晶薄膜の薄膜か実現される。この
薄膜は、任意の薄膜製造法により容易にかつ安定に所望
の極微細柱状晶＃ｉ造を有するものとして実現される。
第１図は、この発明の極微細柱状晶薄膜を示した模式的
断面図である。 第２図（ａ）（ｂ、）（ｃ）（ｄ）は、この発明の薄膜
の結晶成長の仮定を示した図面代用写真である。 また、第３図、第４図、第５図および第６図は、各々こ
の発明の極微耐柱状晶薄膜の結晶１造を示す図面代用写
真である。 １・・・基 板 ２・・・基板の極微細突起 ３・・・極微細柱状晶薄膜
断面図である。 第２図（ａ）（ｂ、）（ｃ）（ｄ）は、この発明の薄膜
の結晶成長の仮定を示した図面代用写真である。 また、第３図、第４図、第５図および第６図は、各々こ
の発明の極微耐柱状晶薄膜の結晶１造を示す図面代用写
真である。 １・・・基 板 ２・・・基板の極微細突起 ３・・・極微細柱状晶薄膜
Claims (1)
- （１）極微細突起を有する基板上に堆積させて形成した
金属または無機化合物の極微細柱状晶からなることを特
徴とする極微細柱状晶薄膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63164709A JP2758407B2 (ja) | 1988-07-01 | 1988-07-01 | 極微細柱状晶構造薄膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63164709A JP2758407B2 (ja) | 1988-07-01 | 1988-07-01 | 極微細柱状晶構造薄膜 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0214895A true JPH0214895A (ja) | 1990-01-18 |
| JP2758407B2 JP2758407B2 (ja) | 1998-05-28 |
Family
ID=15798393
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63164709A Expired - Fee Related JP2758407B2 (ja) | 1988-07-01 | 1988-07-01 | 極微細柱状晶構造薄膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2758407B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5626920A (en) * | 1991-10-04 | 1997-05-06 | Tulip Memory Systems, Inc. | Method for coating metal disc substrates for magnetic-recording media |
| JP2001519594A (ja) * | 1997-10-10 | 2001-10-23 | ミネソタ マイニング アンド マニュファクチャリング カンパニー | 膜電極組体のための触媒及び作製方法 |
| JP2013098399A (ja) * | 2011-11-02 | 2013-05-20 | Sharp Corp | 太陽電池モジュール、端子構造体、端子構造体結合装置、および太陽電池モジュールの製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5786146A (en) * | 1980-11-17 | 1982-05-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Diamond parts |
-
1988
- 1988-07-01 JP JP63164709A patent/JP2758407B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5786146A (en) * | 1980-11-17 | 1982-05-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Diamond parts |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5626920A (en) * | 1991-10-04 | 1997-05-06 | Tulip Memory Systems, Inc. | Method for coating metal disc substrates for magnetic-recording media |
| JP2001519594A (ja) * | 1997-10-10 | 2001-10-23 | ミネソタ マイニング アンド マニュファクチャリング カンパニー | 膜電極組体のための触媒及び作製方法 |
| JP4837822B2 (ja) * | 1997-10-10 | 2011-12-14 | スリーエム カンパニー | 膜電極組体のための触媒 |
| JP2013098399A (ja) * | 2011-11-02 | 2013-05-20 | Sharp Corp | 太陽電池モジュール、端子構造体、端子構造体結合装置、および太陽電池モジュールの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2758407B2 (ja) | 1998-05-28 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |